「P-process」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

However, if the reliability of the position counter value P stored in the DRAM 53 is determined to be low, the reference operation position update process is inhibited.例文帳に追加

ただし、ＤＲＡＭ５３に記憶された位置カウンタ値Ｐの信頼性が低い旨判定されるときには、基準操作位置更新処理を禁止する。 - 特許庁

The method includes the packing process for packing a thermoplastic resin in a mold cavity of an injection molding machine with a maximum injection pressure of P, the first pressure holding process in which the packing of the thermoplastic resin is stopped substantially, and pressure is held, and the second pressure holding process in which the thermoplastic resin after the passage of the first pressure holding process is pressurized, and pressure is held.例文帳に追加

熱可塑性樹脂を、最大射出圧力がＰである射出成形機の金型キャビティに充填する充填工程と、前記熱可塑性樹脂の充填を実質的に停止して、保持する第一保圧工程と、この第一保圧工程を経た前記熱可塑性樹脂を加圧して保持する第二保圧工程と、を有する。 - 特許庁

This method is provided with a process of forming banks 22 on the substrate P, a process of delivering the droplet 23 composed of the liquid body 23a between the banks 22 and 22 by the droplet delivery method, and a process of forming the pattern 24 by drying the delivered liquid body 23a.例文帳に追加

基板Ｐ上にバンク２２を形成する工程と、液滴吐出法により液状体２３ａからなる液滴２３をバンク２２、２２間に吐出する工程と、吐出された液状体２３ａを乾燥してパターン２４を形成する工程とを有している。 - 特許庁

A bank formation process which forms a bank B on a substrate P, a material arrangement process which arranges a functional liquid L at a region A partitioned by the bank B, and a heat treatment process which deposits a predetermined substance contained in the functional liquid L by heat treatment are included.例文帳に追加

基板Ｐ上にバンクＢを形成するバンク形成工程と、バンクＢによって区画された領域Ａに機能液Ｌを配置する材料配置工程と、機能液Ｌに含まれる所定物質を熱処理により析出させる熱処理工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of controlling the threshold voltage of a p-type MOSFET with accuracy as high as possible in a multi-oxide process.例文帳に追加

マルチ酸化プロセスにおいて、ｐ型ＭＯＳＦＥＴの閾値電圧を、可及的に高精度に制御可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A substrate 1 formed of p-type Ge is cleaned with pure water and 0.1% HF, and then is rinsed with ultrapure water (refer to a process (a)).例文帳に追加

ｐ型Ｇｅからなる基板１は、純水および０．１％ＨＦによって洗浄され、その後、超純水によってリンスされる（工程（ａ）参照）。 - 特許庁

To prevent such defect that a range switching valve stops in an R range in the process to switch the current speed range to a P range in switching a range to another range electronically.例文帳に追加

レンジ切り替えを電子的に行う場合において、Ｐレンジへの切り替え過程でレンジ切り替え弁がＲレンジに止まる故障を回避し得るようになす。 - 特許庁

In process cartridges P and E, projections 13a and 13b to open and close laser shutters have their positions are varied in the longitudinal direction crossing to be orthogonal with the paper surface, as shown in the diagram.例文帳に追加

プロセスカートリッジＰ，Ｅのレーザーシャッターを開閉するための突起１３ａ，１３ｂの図の紙面に直交する長手方向の位置を変える。 - 特許庁

When the value of the process control data P is large, this means a high image density, and therefore, a selector S1 for Y=α×A is selected to obtain a pixel count cumulative value Y.例文帳に追加

プロコンデータＰが大きい場合は、画像濃度が濃いことを示すので、画素カウント累積値ＹはＹ＝α×ＡのセレクタＳ１がセレクトされる。 - 特許庁

At the same time, in other words, in the same process as the channel stopper 42, a base region 43 which constitutes a bipolar transistor is formed in a P type well 32-2.例文帳に追加

チャネルストッパー４２と同時に、すなわち同じ工程で、ｐ型ウェル３２−２にはバイポーラトランジスタを形成するベース領域４３が形成される。 - 特許庁

An image printer printing an image comprising a plurality of partial images on an almost continuous web W moving in a process direction P is provided.例文帳に追加

プロセス方向Ｐ沿いに移動する概ね連続的なウェブＷ上に、複数個の部分画像からなる画像を印刷する画像印刷装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a drive force of a p-type MOS transistor from being deteriorated due to hydrogen generated from a stressor film etc. in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程においてストレッサー膜などから発生する水素によるｐ型ＭＯＳトランジスタの駆動力低下を防止する。 - 特許庁

Metal wires 11 and 12 are formed by liquid phase process in a wiring forming region 34 partitioned by banks B provided on a substrate P.例文帳に追加

基板Ｐ上に設けられたバンクＢによって区画された配線形成領域３４に液相法により金属配線１１、１２が形成される。 - 特許庁

The molten steel are cast into a slab with a continuous casing method which does not cause central segregation though many parts dephosphorized in the oxidation-refining process are rephosphorized and a P content increases.例文帳に追加

酸化精錬による脱リンの多くは復リンしＰ含有量は増加するが、中心偏析が発生しない連続鋳造方法により鋼片とする。 - 特許庁

After one sheet of paper P is fed from the paper feeding section 11, a resetting process to disable feeding of a next sheet of paper is started by the paper feeding section 11.例文帳に追加

給紙部１１から１枚の用紙Ｐが給紙された後、給紙部１１にて次の用紙を給紙不能にするリセット処理が開始される。 - 特許庁

The phosphor paste P filled by the specified amount is formed in a desirable shape in a drying process, and the uniform, unevenness-free fluorescent screen can be formed.例文帳に追加

所定量で充填された蛍光体ペーストＰは乾燥工程により所望の形状になり、均一でムラのない蛍光面を形成することができる。 - 特許庁

ECU 100 executes delivery quantity control process to control delivery quantity of cooling water of an electric water pump (W/P) 310 of a cooling device 300.例文帳に追加

ＥＣＵ１００は、吐出量制御処理を実行し、冷却装置３００の電動Ｗ／Ｐ３１０における冷却水の吐出量を制御する。 - 特許庁

The p-type junction layer 250 having sphere surface, the n-type junction layer 260 and the transparent layer 270 can be formed by an inkjet print process.例文帳に追加

球形表面を有するＰ接合層２５０、Ｎ接合層２６０、および透明電極層２７０は、インクジェットプリント工程によって形成することができる。 - 特許庁

The difference values P' of all the pixels constituting three-dimensional image data are found and used for the maximum value projection (process 9-12).例文帳に追加

３次元画像データを構成する全ての画素について前記差分値Ｐ’を求め、この差分値Ｐ’を最大値投影に用いる（処理９〜処理１２）。 - 特許庁

To compensate the presence of a defect in the p-well ion-implant process step, enhance manufacturing yield of semiconductor devices, and reduce device unit cost.例文帳に追加

ｐ−ウェルイオン注入プロセスステップにおける欠陥の存在を無力化し、半導体デバイスの製造歩留りを向上させ、デバイス単価を低下させる。 - 特許庁

A liquid eliminating process 400 is provided, in which air blowing jets from the tip of the hollow part of the liquid surface detecting tube 10 so as to eliminate the liquid P stuck to the tip.例文帳に追加

液面検知管１０の中空部先端からエアブローを吹き出して該先端に付着した液体Ｐを除去する液体除去工程４００を設け。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving driving performance of a p-type MOS transistor without increasing a manufacturing process, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

製造工程を増加させることなく、Ｐ型ＭＯＳトランジスタの駆動能力の向上を図れる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A snow melting process on a road surface 10, a roof or the like is performed by using a thermoelectric element of a p-type thermoelectric semiconductor 21 and an n-type thermoelectric semiconductor 22.例文帳に追加

ｐ形熱電半導体２１およびｎ形熱電半導体２２の熱電素子を用いて路面１０や屋根などの融雪処理を行なう。 - 特許庁

When the products A pass through a measuring point P during their transferring process, a length of the products A in their transferring direction is measured by a measuring device 30.例文帳に追加

製品Ａはその搬送過程にて、所定の計測地点Ｐを通過する際、計測ユニット３０によりその搬送方向への長さを計測される。 - 特許庁

To simplify a process of manufacturing an n-channel type MIS transistor and a p-channel type MIS transistor with gate electrodes consisting of a metal material.例文帳に追加

金属材料からなるゲート電極を有するｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタの製造工程を簡略化する。 - 特許庁

In the formation process of the as-grown-p-type active group III-V nitride compound layer, a board is introduced into a reaction chamber, and is heated.例文帳に追加

ａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物層の形成工程において、反応チャンバ内に基板を導入し、加熱する。 - 特許庁

The metal powder production apparatus (atomizer) 1 is used for powdering molten metal Q by an atomizing process to obtain many metal powders P.例文帳に追加

金属粉末製造装置（アトマイザ）１は、溶融金属Ｑをアトマイズ法により粉末化して、多数の金属粉末Ｒを得るために用いられるものである。 - 特許庁

The process of forming the trench 5 having the low aspect ratio in the n-type semiconductor layer 4 and burying the trench 5 with the p-type epitaxial layer 6 is repeated several times.例文帳に追加

このように、ｎ型の半導体層に低アスペクト比のトレンチを形成し、そのトレンチをｐ型エピタキシャル層で埋めるプロセスを複数回繰り返す。 - 特許庁

In the process of manufacturing an active matrix type liquid crystal panel P having a chiral smectic liquid crystal, an ageing voltage is applied on each pixel through a TFT 4.例文帳に追加

カイラルスメクチック液晶を有するアクティブマトリクス型液晶パネルＰを作製するに当たり、ＴＦＴ４を介して各画素にエージング用電圧を印加する。 - 特許庁

That is, in the process of the p-type semiconductor layer activation, the other parts in the semiconductor structure can be prevented from being affected more than necessary.例文帳に追加

言い換えると、本発明の方法はｐ型半導体層活性化の過程で、半導体構造のその他の部分に不必要な影響を与えない。 - 特許庁

In the crossing process, the axial other end side of the first coil wire bundle 50 is shifted, with the engaging point P as a fulcrum, and is crossed with the second coil wire bundle 60.例文帳に追加

交差工程は、係合部Ｐを支点として第１コイル線材束５０の軸方向他端側を移動させて第２コイル線材束６０と交差させる。 - 特許庁

Furthermore, with catalyst particles 6a formed in an activation process as nucleus, a thick Ni-P alloy layer 6b whose P-concentration is 4-8 wt.% is formed through nonelectrolytic plating, and an Au layer 3c is formed over it.例文帳に追加

さらに、活性化処理により形成された触媒粒子６ａを核として、無電解めっきにより、Ｐ濃度が４〜８ｗｔ％である厚いＮｉ−Ｐ合金層６ｂを形成し、さらに、その上にＡｕ層３ｃを形成する。 - 特許庁

A photodiode 12 is formed on a P-type silicon substrate 11 with an N-type epitaxial layer 14 as its cathode zone and a P-layer 30 formed thereon as its anode zone through a process same as that of an npn transistor 12.例文帳に追加

シリコンのＰ型基板11の上に形成されたフォトダイオード12は、Ｎ型エピタキシャル層14をカソード領域、その上に形成されたＰ層30をアノード領域として、ＮＰＮトランジスタ13と同じプロセスでＰ型基板11上に形成される。 - 特許庁

In a process in which the pipe P is compressed in the axial direction by the shaft pushing cylinders 72 and 73, the movable dies 15 and 16 are moved in the radial direction of the pipe P by the bending cylinder 35 in relation to the moving amount of the end holding tools 70 and 71.例文帳に追加

曲げシリンダ３５は、軸押しシリンダ７２，７３がパイプＰを軸方向に圧縮する過程で、端末保持具７０，７１の移動量に関連して、移動型１５，１６をパイプＰの径方向に移動させるようにしている。 - 特許庁

The p-type high resistance wafer is provided with a resistance rate of not less than 100 Ωcm and whose p/n converting unit due to the generation of the thermal donor in the manufacturing process of the device is in a depth not contacting with a device activating region or a depletion layer region.例文帳に追加

抵抗率が１００Ωｃｍ以上で、デバイスの製造工程でのサーマルドナー発生によるｐ／ｎ反転部が、デバイス活性領域や空乏層領域には接しない深さにあるｐ型の高抵抗ウェーハ。 - 特許庁

After the N well 7 and thermal oxide film 25 are formed ((c), (d)), boron 27 is ion-implanted in the P substrate 1 using the thermal oxide films 17, 25 as the mask (e) and the IP well and P well are formed simultaneously through the annealing process (f).例文帳に追加

Ｎウエル７及び熱酸化膜２５を形成した後（（ｃ），（ｄ））、熱酸化膜１７，２５をマスクにしてＰ基板１にボロン２７のイオン注入を行ない（ｅ）、アニール処理を施してＩＰウエル５とＰウエル９を同時に形成する（ｆ）。 - 特許庁

A printer includes the skew correction device for correcting position of sheet P in a process in which a tip of the sheet P to be conveyed in accordance with the turn of a conveyance roller is abutted on registration rollers 29A, 29B, 29C and is bent and deformed.例文帳に追加

プリンターは、搬送ローラーの回動に伴って搬送されるシートＰの先端をレジストローラー２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃに当接させて撓み変形させる過程でシートＰの位置補正を行うスキュー補正装置を備える。 - 特許庁

To provide a new poly(p-xylylene)-based polymer useful as a low loss insulating material having a low dielectric constant, low loss characteristics, and excellent process characteristics, and to provide an insulating material, a printed circuit board, and a functional element using the poly(p-xylylene)-based polymer.例文帳に追加

低誘電率、低損失特性、及び優れた工程性を有する低損失絶縁材として有用である新規なポリｐ−キシリレン系重合体、及びこれを用いた絶縁材、印刷回路基板、機能性素子を提供する。 - 特許庁

By a second liquid growth process in other process, a conductivity type of the upper layer of the light emitting layer forming part 4, i.e., a second epitaxial growth layer 5 composed of a P-type GaP layer is subjected to thick liquid growth.例文帳に追加

そして、さらに別工程の第２の液相成長工程により発光層形成部４の上層の導電形、すなわちｐ形のＧａＰ層からなる第２のエピタキシャル成長層５を厚く液相成長する。 - 特許庁

A direct dye is added just before the entrance 61A of a chest 6A in a raw material pulp-preparation process for a surface layer A of a liner, and a basic dye is added into a seed box 71A just before a paper making process P.例文帳に追加

ライナーの表層Ａの原料パルプ調成工程におけるチェスト６Ａの入口直前６１Ａで直接染料を添加し、抄紙工程Ｐ直前の種箱７１Ａで塩基性染料を添加する。 - 特許庁

This pattern forming method has the first process for coating a substrate P having a lyophilic part Pa with liquid droplets containing a liquid repelling material to form the liquid repelling part H and the second process for coating the lyophilic part Pa with the functional liquid.例文帳に追加

親液部Ｐａを有する基板Ｐに対して、撥液材料を含む液滴を塗布して撥液部Ｈを形成する第１工程と、親液部Ｐａに機能液を塗布する第２工程とを有する。 - 特許庁

The production method for the glass product P includes a process step of spraying the polishing material to the eroded part 22 so as to continuously change the depth thereof and a process step of subjecting the sprayed surface to brush polishing treatment or heat treatment.例文帳に追加

このガラス製品Ｐの製法は、研磨材を浸食部の深さが連続的に変化するように吹き付け加工する工程と、前記吹き付け加工面をブラシ研磨処理又は加熱処理する工程を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of a substrate comprises: a substrate preparation process S100 for preparing an epitaxial substrate having a GaN layer containing p-type impurities; and a laser irradiation process S300 for applying laser beams to the GaN layer containing p-type impurities in the epitaxial substrate while the epitaxial substrate is dipped into a solvent.例文帳に追加

この発明に従った基板の製造方法は、ｐ型不純物を含むＧａＮ層を備えるエピ基板準備する基板準備工程（Ｓ１００）と、エピ基板を溶媒中に浸漬した状態で、エピ基板のｐ型不純物を含むＧａＮ層にレーザ光を照射するレーザ照射工程（Ｓ３００）とを備える。 - 特許庁

In this manufacturing process of a semiconductor light-emitting element made of a III nitride semiconductor, a manufacturing process is adopted which makes null the number of times of covering a contact layer surface with dielectric films in a step of forming a p-type electrode, and thereby the electrical characteristics of the p-type electrode can be made to have a lower resistance.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体発光素子の製造プロセスにおいて、ｐ型電極を形成する工程におけるコンタクト層表面への誘電体膜の被覆回数を０回とする製造プロセスを採用することにより、ｐ型電極の電気特性を低抵抗化することができる。 - 特許庁

The repair method includes a process of removing a part of a cable or repeater causing a fault in the gradient-matched type cable system and a process of manufacturing a cable part for replacement from two N-P cable lengths having a fiber group of negative dispersion and a fiber group of positive dispersion and a P cable length having a fiber group of positive dispersion.例文帳に追加

勾配整合型ケーブル・システムで故障を生じたケーブルまたはリピータのいずれかである部分を除去する工程、負の分散のファイバ群と正の分散のファイバ群を有する２本のＮ−Ｐケーブル長さおよび正の分散のファイバ群を有するＰケーブル長さから交換用ケーブル部分を作製する工程を含む。 - 特許庁