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P-processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 658件
In a base station corresponding to an LTE (Long Term Evolution) system, during the peripheral base station measuring process P, only when the base station corresponding to the 1x system used for the waiting of the incoming call does not correspond to the LTE system, an LTE receiving signal processing section 120b is activated to search for the base station.例文帳に追加
一方、LTE方式に対応する基地局については、上記周辺基地局測定プロセスPにおいて、着信の待ち受けに用いている1x方式に対応する基地局が、LTE方式に対応しない場合にのみ、LTE受信信号処理部120bを起動して、探索を行うようにしたものである。 - 特許庁
In an implantation process for manufacturing CMOS structure provided with an ESD (ESD HVnMOS), an (n) well area is covered with a mask, P-well is implanted to form a p-well.例文帳に追加
静電気放電(ESD)による劣化に対処する保護装置としての応用のための横型npnトランジスタの大電流能力は、アバランシェを起こしているpn接合からウエハの裏面コンタクト(10)へ流れるコレクタ電流が通る材料の電気抵抗値を調節することによって改善される。 - 特許庁
In a step S11, the stop time timer Tp is compared with a prescribed reference value Tref, and the process is returned to a step S5 and the above described processes are repeated when Tp is lower than Tref, and thereby, even when input of the pulse signal P from a crank pulser 19 is stopped, a main relay 15 can maintain a closed state.例文帳に追加
ステップS11では、停止時間タイマTpが所定の基準値Trefと比較され、Tp<Trefである限りは、ステップS5へ戻って上記した各処理が繰り返されるので、クランクパルサ19からのパルス信号Pの入力が途絶えていても、メインリレー15は閉成状態を維持できる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a GaN-based LED element that includes a process of partially increasing resistance between a p-type contact layer and a translucent element in a predetermined region after forming the translucent electrode of a TCO film on the p-type contact layer.例文帳に追加
p型コンタクト層上にTCO膜からなる透光性電極を形成した後に、このp型コンタクト層と透光性電極との間の抵抗を所定領域において部分的に増加させる工程を含む、GaN系LED素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
When an employee A inputs a unique personal code P(A) to carry out initializing process, the IC card therein executes arithmetic operations, based on a prescribed algorithm using the codes P(A), G(A), and stores data uniquely obtained from the arithmetic operations as encryption key information K(A).例文帳に追加
社員甲が、固有の個人コードP(甲)を入力して初期化プロセスを行うと、ICカード内部において、P(甲)とG(A)を用いた所定のアルゴリズムに基づく演算が行われ、当該演算により一義的に求まるデータが、暗号用鍵情報K(甲)としてICカードに格納される。 - 特許庁
Section management devices P are arranged in respective functional sections 1 to 4, terminal equipment T is arranged in each individual process of a prescribed functional section and bidirectional communication between each section management device P and each terminal equipment T through an intra-enterprise information communication network 5 is optionally executed.例文帳に追加
各職能部門1,2,3,4に部門管理装置Pを設置するとともに、所定の職能部門における個別工程毎に端末装置Tを設置し、これら部門管理装置Pと端末装置Tとを企業内情報通信網5によって双方向通信自在とする。 - 特許庁
In a process for forming a cylindrical formed body by pressing magnetic powder P in a die cavity C by means of an upper punch 14 while applying the magnetic field to the magnetic powder P by means of a lower coil 15 and an upper coil 16, the upper coil 16 is brought into contact with the upper surface 11b of a mortar-shaped mold 11.例文帳に追加
下部コイル15および上部コイル16によって磁場を印加しつつ、上パンチ14で金型キャビティC内の磁石粉Pを加圧することで円筒状の成形体を成形する過程において、上部コイル16を臼型11の上面11bに当接させる。 - 特許庁
By this setup, the image sensor can be manufactured even through a small number of masks when forming a wafer, so that its manufacturing cost can be reduced, and a process of injecting p-type impurities can be dispensed with, so that the manufacturing process of the image sensor can be made simpler and improved in productivity.例文帳に追加
これによれば、ウェーハファンドリー時に少数のマスクでも作製可能なので製造コストが節減される効果があるだけではなく、P型不純物を注入する工程を要しないためその製造工程が単純になることから生産性が向上される。 - 特許庁
The film pattern forming method, which forms a film pattern by locating a functional liquid on a substrate, includes a process which forms a bank B on the substrate P and a process which locate the functional liquid L in an area sectioned by the bank B.例文帳に追加
本発明の膜パターンの形成方法は、基体上に機能液を配置することにより膜パターンを形成する方法であって、基体P上にバンクBを形成する工程と、バンクBによって区画された領域に機能液Lを配置する工程とを有する。 - 特許庁
When the palette P reaches the top of the heating process chamber 38, the palette is carried from the palette support of the elevator through an upper opening 80a of a partitioning wall 80 to a palette support at the uppermost level of the belt driving mechanism of the elevator of a cooling process chamber 39.例文帳に追加
パレットPは加熱処理室38の上部に到達すると、昇降装置のパレット支持部から、仕切り壁80の上部開口80aを介して冷却処理室39の昇降装置のベルト駆動機構の最上位のパレット支持部に搬送される。 - 特許庁
To provide a process for synthesizing a diamond-like carbon film which can be synthesized at a low cost and can be applied, in a uniform thickness, onto a member having a surface of a given shape, and a process for synthesizing the diamond-like carbon film having a p- or n-type conductivity.例文帳に追加
低コストで合成でき、任意形状の表面を有する部材にも均一な厚さで被覆することができるダイヤモンド状炭素膜の合成方法並びにp型及びn型の導電性を有するダイヤモンド状炭素膜の合成方法を提供する。 - 特許庁
The new N-alkylhydroxylated secondary p-phenylenediamines, a composition for dyeing keratin fibers in particular human keratin fibers such as the hair which composition contains in a medium suitable for dyeing at least one such N-alkylamino secondary p-phenylenediamine, a process for dyeing keratin fibers which process consists in applying the composition, and the uses of the composition in particular in the form of a dyeing "kit", are provided.例文帳に追加
新規なN−アルキルヒドロキシル化第二パラ−フェニレンジアミン類を提供し、ケラチン繊維、特に毛髪等のヒトケラチン繊維を染色するための、染色に適した媒体中に少なくとも1つの前記N−アルキルヒドロキシル化第二パラ−フェニレンジアミンを含む組成物、この組成物を施すケラチン繊維染色方法、この組成物の特に染色用「キット」の形態での使用を提供する。 - 特許庁
The new N-alkylhydroxylated secondary p-phenylenediamines, a composition for dyeing keratin fibers (in particular human keratin fibers such as the hair) which composition contains in a medium suitable for dyeing at least one such N-alkylamino secondary p-phenylenediamine, a process for dyeing keratin fibers which process consists in applying the composition, and the uses of the composition (in particular in the form of a dyeing "kit"), are provided.例文帳に追加
新規なN−アルキルアミノ第二p−フェニレンジアミン、少なくとも1つのかかるN−アルキルアミノ第二p−フェニレンジアミンを染色に適する媒体中に含む、ケラチン繊維(特に毛髪などのヒトケラチン繊維)の染色のための組成物、かかる組成物を適用することからなるケラチン繊維の染色方法、およびかかる組成物の使用(特に染色”キット”の形での使用)を提供する。 - 特許庁
The sample analyzer 1 includes the pipette P, a pipette moving mechanism 160 for moving the pipette P, a position confirming member 210 disposed at a position, and a position confirming member for carrying out a position confirmation process to confirm that the pipette P is disposed at the position by moving the pipette to the position confirming member 210 with the pipette moving mechanism 160.例文帳に追加
本発明の検体分析装置1は、ピペットPと、ピペットPを移動させるピペット移動機構160と、所定位置に配置された位置確認用部材210と、ピペット移動機構160により前記ピペットを位置確認用部材210に移動させ、ピペットPが所定位置に配置されたことを確認する位置確認処理を実行する位置確認実行手段と、を備える。 - 特許庁
The process is gentle with the environment, generates finely separated calcium carbonate suitable for industrial application from a calcium carbonate enriched by-product 1 in a nitrophosphate fertilizer plant, and comprises processes for heat treatment purification S_1, S_2, and S_3, a grinding process P, and a process T for coating with an emulsion of a fatty acid or its derivative.例文帳に追加
ニトロリン酸塩肥料プラントの炭酸カルシウム富化副生成物1から、産業適用に適切な細かく分離された炭酸カルシウムを生成するための環境にやさしいプロセスであり、熱処理の精製プロセスS_1、S_2、S_3、粉砕Pおよび脂肪酸またはその誘導体のエマルジョンを使用するコーティングを行うプロセスTからなる。 - 特許庁
This organic electroluminescent element manufacturing method includes a surface treatment process of using at least one kind of non-oxidizing gas to surface-treat an anode, and a hole-injection layer forming process of forming a p-doped hole-injection layer on the surface of the anode which is surface-treated by the surface treatment process.例文帳に追加
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、少なくとも、非酸化性ガスの少なくとも1種を用いて陽極の表面処理を行う表面処理工程と、前記表面処理工程により表面処理された陽極の表面にpドープされた正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
In a washing process step after a polishing process step of the aluminum substrates subjected to Ni-P plating, the aluminum substrates are treated for a required time by function water of plus or minus oxidation reduction potential, by which the surfaces of the substrates are reformed and the corrosion resistance is improved.例文帳に追加
Ni−Pメッキを施したアルミニウム基板の研摩工程を経た後の洗浄工程において、酸化還元電位がプラス又はマイナスの機能水により所要時間処理することにより、前記基板の表面を改質し、耐食性能を向上させるようにした。 - 特許庁
The liquid crystal resin P remaining in a molten state at an outlet 3c of the polymerization vessel 3 is re-ejected from the polymerization vessel 3 by a gauge pressure higher than 0.005 MPa after the resin ejecting process for each lot and before the resin producing process of the subsequent lot.例文帳に追加
各ロットに対する樹脂吐出工程の後であって次のロットに対する樹脂生成工程の前に、重合容器3の吐出口3cに溶融状態で残存している液晶樹脂Pを0.005MPaを超えるゲージ圧で重合容器3から再吐出する。 - 特許庁
The process for producing a phosphonium compound cocatalyst, specifically, the process for producing a cocatalyst composed of a salt compound having a phosphonium includes reacting a protic phosphonium compound represented by [(R_1)-P(R_2)_a(R_2')_b]HX with a salt compound represented by [C][Ani].例文帳に追加
ホスホニウム化合物助触媒製造方法に係り、詳細には、[(R_1)−P(R_2)_a(R_2’)_b]HXで表示されるプロティック(Protic)ホスホニウム化合物と、[C][Ani]で表示される塩化合物との反応により、ホスホニウムを有する塩化合物からなる助触媒を製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a p-type GaN series semiconductor element which enhances productivity and reduces a cost while reducing an operating voltage of the element, by manufacturing the GaN series semiconductor element without executing a separate heat treating process after a lamination process of a semiconductor layer.例文帳に追加
半導体層の積層工程後に別途の熱処理工程を行うことなくp型GaN系半導体を作製することで、生産性の向上およびコストの低下を図りつつ、素子の動作電圧を低くすることが可能な、GaN系半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The solar battery is manufactured by shallowly boring a substrate for maintaining mechanical strength beforehand, injecting melt pulverized silicon having P-type and N-type conductivity through a mask on the substrate, after forming a PN-junction, and combining an activating process and an electrode forming process.例文帳に追加
機械的強度を維持する為の基盤に予め浅く穿孔し、当該基板上に、溶融微粉化シリコンにP型及びN型伝導性を付与してマスクを介して噴射し、PN接合を形成した後、活性工程、電極形成工程を組み合わせて作成された、太陽電池。 - 特許庁
The renewal process of obtaining a new gained point PN by adding a point P corresponding to the value of a random number RN to a previous gained point PN and subtracting damage D and the renewal process of obtaining new damage DN by adding previous damage DN to damage D are performed (S120).例文帳に追加
前回の獲得ポイントPNに乱数値RNの値に対応する図6に示すポイントPを加算し、ダメージDを減算して新たな獲得ポイントPNとする更新処理と、前回のダメージDNにダメージDを加算して新たなダメージDNとする更新処理とがなされる(ステップS120)。 - 特許庁
Dummy patterns used in a CMP process are arranged in a field dummy area, separated by a separation insulating film in a p- well 23 which is potential-fixed by a ground electrode.例文帳に追加
接地電極により電位固定されているp^-ウェル23領域内の分離絶縁膜によって分離されたフィールドダミー領域には、CMP工程において利用されるダミーパターンが配置されている。 - 特許庁
In an S/D extension region forming process which is carried out after a gate electrode 4 is formed, a PMOS region is covered with a resist 5, As or P ion implanted into an NMOS region at a low acceleration speed.例文帳に追加
ゲート電極4が形成された後のS/Dエクステンション領域形成工程において、pMOS領域をレジスト5で覆い、nMOS領域にAsまたはPの低加速注入を行う。 - 特許庁
When a phase difference P becomes zero for a certain period of time, an operational unit 105 determines that it is in a phase-locked process, and the digital input value VD at the time is stored in a digital input storage 106.例文帳に追加
位相差Pがある一定期間0になった場合に、演算部105は位相同期過程と判断し、その時のデジタル入力値VDをデジタル入力値記憶部106にて記憶する。 - 特許庁
A non-SiN-based insulating film, such as a P-SiO film having N-H groups on its surface generated by an HMDS process may be uses as the CU anti-diffusion layer and/or etching stopper layer.例文帳に追加
HMDS処理などにより表面にN−H基を生成したP−SiO膜などの非SiN系絶縁膜をCuの拡散防止層および/またはエッチングストッパー層として用いてもよい。 - 特許庁
An evaluation following actual operation is therefore ensured by implementing an evaluation test while keeping the process chamber P and the vacuum chamber R at atmospheric pressure, so that it is possible to sharply save a labor of an adjustment.例文帳に追加
従って、プロセス室Pと減圧室Rとを大気圧に維持したままで評価試験を行うことで、実動作時に即した評価を行えるため、調整の手間を格段に省くことができる。 - 特許庁
When this state is kept for a time period T3b, the whole paper P is fully fed to the image process section 10 by continuing driving of the registration roller 43 while also driving the transporting roller 42a.例文帳に追加
この状態を時間T3bの間行なったら、レジストローラ43の駆動を継続し、搬送ローラ42aも駆動することにより、用紙Pの全体を本格的に画像プロセス部10へ送り出す。 - 特許庁
The mixed powder P is pressurized from the direction in which the density distribution is high and the coil 3 is buried to the direction in which the density distribution is low to form an integral core 2 in which the coil 3 is buried by the pressure formation process.例文帳に追加
加圧成形工程により、混合粉末Pをその密度分布が高くコイル3が埋設された方から密度分布が低い方向に加圧して、コイル3を埋設した一体のコア2を成形する。 - 特許庁
A coil 3 is accommodated at the lower section inside a die 12 in a pressure forming machine 11, and mixed powder P in which magnetic powder and binder are mixed is filled into the die 12 for burying the coil 3 by the setting process.例文帳に追加
セット工程により、コイル3を加圧成形機11のダイ12内の下部に収容した後に、磁性粉末とバインダーとを混合した混合粉末Pをダイ12内に充填してコイル3を埋める。 - 特許庁
A checker 16 arranged on the front surface side of the retainer 12 is pushed by a collar part 4 when the retainer 12 is extended as a coming off stop projection 134 is pushed up in a passing process of the collar part 4 of the piping P.例文帳に追加
リテーナ12が、配管Pの鍔部4が通過する過程で抜け止め突起13が押し上げられて拡開すると、リテーナ12の前面側に配されたチェッカー16が鍔部4によって押される。 - 特許庁
An output voltage value of the power source D2 constant-current controlled in a process in which the recording material P is conveyed by 100 to 110 mm after the rush-in is brought in by a voltage detection circuit V2.例文帳に追加
そして、突入から100mm〜110mm記録材Pを搬送する過程で定電流制御される電源D2の出力電圧値を電圧検知回路V2により取り込む。 - 特許庁
In the device, a pre-transfer exposing means 10A to expose a photoreceptor drum 10 before a transfer process of a toner image formed on a photoreceptor drum 10 to a transfer belt 14a or to transfer material P is provided.例文帳に追加
感光体ドラム(10)上に形成したトナー像の転写ベルト(14a)又は転写材(P)への転写工程の前に感光体ドラム(10)を露光する転写前露光手段(10A)を設ける。 - 特許庁
Then, as a second winding process W2, during the back-and-forth movement M3 of the nozzle 4 between the outside winding position P and the first intermediate winding position R, a winding operation for the remaining winding amount is performed.例文帳に追加
次に、第2巻線工程W2として、ノズル4を外側巻線位置Pと第1の中間巻線位置Rとの間で前後動M3させながら、残りの巻線量の巻線を行う。 - 特許庁
Then, following the insertion process of the punch 12b, the side die 21 is contacted to the open end of expanding part of the round pipe P, and pressed in the same direction with the insertion direction of the punch 12b.例文帳に追加
そして、パンチ12bを挿入していく工程に合わせて、丸鋼管Pの拡管部分の開口端部に対してサイド金型21を当接させ、パンチ12bの挿入方向と同じ方向に押圧する。 - 特許庁
In this process for activating the p-type semiconductor layer by using plasma, the other parts in the semiconductor structure can be prevented from being affected by plasma, and any side reaction can be prevented from being generated.例文帳に追加
このほか、本発明によると、プラズマを使用してp型半導体層を活性化する過程で、半導体構造中のその他の部分が上述のプラズマの影響を受けて副反応を発生しない。 - 特許庁
Further, the amplifier circuit for the AM broadcast signal is composed of the P channel MOSFET so that flicker noise is reduced and the semiconductor integrated circuit is manufactured by the same CMOS process as the CMOS digital circuit.例文帳に追加
さらに、AM放送信号の増幅回路をPチャネルMOSFETで構成することで、フリッカ雑音を低減し、かつCMOSデジタル回路と同じCMOSプロセスで製造することができる。 - 特許庁
Thereafter, the silicide process (including at least a kind of Ni, Ti, Co, Pd, Pt, and Er) is conducted to each gate electrode, source region and drain region of the n-channel MISFET and p-channel MISFET.例文帳に追加
その後、Nチャネル型MISFETおよびPチャネル型MISFETの各ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にシリサイド化(Ni,Ti,Co,Pd,Pt,Erのうち少なくとも一種類を含む)を行う。 - 特許庁
The bottle member is formed by applying backward extrusion processing to a portion to be worked for diameter-shrinkage in a post-process, so that the inner diameter in this portion becomes from R to P(<R).例文帳に追加
後工程で縮径加工すべき部分(図面左側の部分)に対して、当該部分の内径がRからP(>R)になるよう後方押し出し加工を施すことにより、ボトル部材を形成する。 - 特許庁
Since the P contact 11 and N contact 12 are exposed through the washing process, exhaust heat property is good, a service life still becomes longer, the gold line is not disconnected, and the occurrence of halation is also prevented.例文帳に追加
水洗過程によってPコンタクト11とNコンタクト12とは露出するので、排熱性がよく、使用寿命も更に長くなり、金線は破断することなく、光暈け現象の発生も避けられる。 - 特許庁
The thin-film transistor formed on a substrate is composed of only a P type and the highest processing temperature in the manufacturing process for the thin-film transistor is ≤450°.例文帳に追加
基板上に形成された薄膜トランジスタがP型のみで構成され、かつ、前記薄膜トランジスタの製造工程における最高処理温度が450度以下であることを特徴とする薄膜トランジスタとする。 - 特許庁
There is provided a process of wiring a second conductive membrane DP electrically isolated from the conductive membrane EP by discharging liquid drops on the outside of the predetermined pattern formation area PI on the substrate P.例文帳に追加
基板P上の所定のパターン形成領域PIの外側に液滴を吐出して、導電性膜EPと電気的に分離された第2導電性膜DPを配線する工程を有する - 特許庁
A paper P outgoing from a pair of resist rollers is guided between the casing 50 and the right side cover 51 of a process cartridge as a guide member and advances to a transfer nip between a photoreceptor drum 6 and a transfer roller 16.例文帳に追加
レジストローラ対を出た用紙Pは、ガイド部材としてプロセスカートリッジのケーシング50と右サイドカバー51との間を案内され、感光体ドラム6と転写ローラ16の間の転写ニップに進入する。 - 特許庁
A print station 3 includes an boundary layer removing mechanism 20 disposed above a cleaning tank 15c in a process tank unit developing an image formed on a print surface of a print paper P.例文帳に追加
プリントステーション3では、印画紙Pのプリント面に形成された画像の現像処理を行う処理槽ユニット15のうち洗浄処理槽15cの上部に、境界層除去機構20を配置している。 - 特許庁
The manufacturing method of the proton conductor 30 includes a process for forming the proton conductor formed of AB_2O_7 type electrolyte in which an A site contains Sn and a B site contains P by using a physical vapor deposition method.例文帳に追加
プロトン伝導体(30)の製造方法は、物理蒸着法を用いて、AサイトがSnを含みかつBサイトがPであるAB_2O_7型の電解質からなるプロトン伝導体を成膜する工程、を含む。 - 特許庁
To provide a diode adapted for an optoelectronic device, which comprises a P-type semiconductor substrate and an N-type transparent amorphous oxide semiconductor layer, to simplify a fabrication process, and to decrease production costs.例文帳に追加
P型半導体基板とN型透明非結晶酸化物半導体層とを含む、光電デバイス用に採用されるダイオードを提供し、製作プロセスを簡単にするとともに、製造コストを低減する。 - 特許庁
These trapezoidal protruded parts 7a and 7b are formed by patterning the surface of a p-AlGaInP clad layer 5 with the same photoresist etching process as for the pattering of the current mesa stripe 6.例文帳に追加
この台形凸部7a、7bはp−AlGaInPクラッド層5の表面を電流メサストライプ部6のパターニングと同一のフォトレジスト・エッチング工程によりパターニングすることによって形成されている。 - 特許庁
To provide a process for producing polyphenylene sulfide which effectively reutilizes unreacted p-dichlorobenzene generated in producing polyphenylene sulfide and reduces the amount of disposal of halides putting a heavy load on the environment.例文帳に追加
ポリフェニレンスルフィド製造時に発生する未反応p−ジクロロベンゼンを有効に再利用すると共に、環境負荷の高いハロゲン化物の廃棄量を低減化するポリフェニレンスルフィドの製造方法を提供する。 - 特許庁
A parameter B according to the size in a P direction inclined with respect to the X direction is specified with respect to each of the plurality of spot areas S formed by each of light emitting elements E in the first process.例文帳に追加
第1過程においては、各発光素子Eが形成する複数のスポット領域Sの各々について、X方向に対して傾斜するP方向の寸法に応じた変数Bが特定される。 - 特許庁
The new secondary p-phenylenediamines having a carboxy group, a composition for dyeing keratin fibers particularly human keratin fibers such as the hair which composition contains at least one secondary p-phenylenediamine in a medium suitable for dyeing, a process for dyeing keratin fibers which process consists in applying the composition, the uses of the composition in particular in the form of a dyeing "kit", are provided.例文帳に追加
新規なN−アルキルヒドロキシル化第二パラ−フェニレンジアミン類、染色に適した媒体中に前記オルト−及び/又はメタ−置換N−アルキルヒドロキシル化第二パラ−フェニレンジアミンの少なくとも1つを含む、ケラチン繊維、特に毛髪等のヒトケラチン繊維を染色するための組成物、前記組成物を施すことからなるケラチン繊維の染色方法、また前記組成物の、特に染色用「キット」の形態での使用も提供する。 - 特許庁
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