「P-process」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The protection tape P is integrally peeled with the peeling tape T from a direction where a groove (d) by dicing, which forms a pattern on the semiconductor wafer W, and a peeling line (h) becoming a boundary where the protection tape is peeled from the semiconductor wafer are not matched in a protection tape peeling process.例文帳に追加

半導体ウエハＷ上のパターンを形成するダイシングによる溝ｄと半導体ウエハから保護テープが剥離される境目となる剥離ラインｈとが保護テープ剥離過程で一致しない方向から保護テープＰを剥離テープＴと一体にして剥離してゆく。 - 特許庁

In a pre-amorphous process, an amorphous region is formed in a semiconductor region by performing the ion implantation of a IV group element, or an ion implantation of at least any one of arsenic (As), phosphorous (P), halogen, and inert gas elements, or an ion implantation under the conditions of a low temperature lower than -10°C.例文帳に追加

半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素（Ａｓ），リン（Ｐ），ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか１つのイオン注入、又は−１０℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁

When the heat-sensitive material 1,5-(3-oxopentene)=bis(3-3'-(p-toluensulfonyl)ureido)benzoate is used, the dispersing process is performed after a contained solvent, acetonitrile, is made 1.0 mass% or lower to the total weight for this manufacturing method for the dispersion liquid for the heat-sensitive recording material.例文帳に追加

感熱記録材料１，５−（３−オキソペンチレン）＝ビス（３−３’−（ｐ—トルエンスルホニル）ウレイド）ベンゾエートを用いる際に、含有する溶媒アセトニトリルを全重量に対して１．０質量％以下にした後に、分散処理を行う事を特徴とする感熱記録材料用分散液の製造方法。 - 特許庁

The ECF bleached pulp is preferably is bleached pulp produced by a multistage bleaching process including a chlorine dioxide stage at ≤70°C, wherein the chlorine dioxide additive rate to absolute dry mass of the pulp is ≤0.06 mass% per 1 kappa number before bleaching (JIS P 8211) as a first bleaching step.例文帳に追加

該ＥＣＦ漂白パルプは、温度７０℃以下、二酸化塩素添加率が絶乾パルプ質量に対し、漂白前カッパー価（ＪＩＳ Ｐ ８２１１）１当り０．０６質量％以下である二酸化塩素段を漂白初段として含む多段漂白工程による漂白パルプであることが好ましい。 - 特許庁

Since conduction type of the gate electrode 10n of the n-channel MISFET and conduction type of the gate electrode 10p of the p-channel MISFET are different from each other, isolation is performed in order to prevent the interdiffusion of dopant, and both are connected electrically through metal wiring formed in a later process.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１０ｎとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１０ｐは、互いの導電型が異なることから、不純物の相互拡散を防ぐために分離し、後の工程で形成する金属配線を介して両者を電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process for depositing n-type and p-type zinc oxide-based transparent conducting oxides (TCOs), which are excellent in optical and electrical properties, on glass or temperature-sensitive materials such as plastics and a polymers at a low temperature.例文帳に追加

ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、優れた光学的および電気的性質を有するｎ型およびｐ型酸化亜鉛系透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を低温で堆積させる、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスを提供する。 - 特許庁

The vertical drift layer 38 of such structure is formed by, for example, stacking an epitaxial growth layer while only a p-type impurity is inserted, and then diffusing the impurity fed in different stage into an epitaxial growth layer all at once in a thermal process.例文帳に追加

かかる構造の縦形ドリフト層３８は、例えば、ｐ型の不純物のみの導入を間挿しながらエピタキシャル成長層を積み増し形成した後、段違いに仕込んだ不純物を熱処理によりエピタキシャル成長層の中に一気に拡散させることで形成できる。 - 特許庁

To provide a red semiconductor laser in which impurity concentration of an active layer constituting an end face window structure is controlled to an appropriate value by preventing impurities in a p-type semiconductor layer from diffusing into the light emitting region of the active layer during a thermal process for end face disordering.例文帳に追加

端面無秩序化の熱プロセス中に、ｐ型半導体層中の不純物が活性層の発光領域へ拡散することを防止し、端面窓構造を構成する活性層中の不純物濃度が適切になるようにした赤色半導体レーザを提供する。 - 特許庁

After forming an oxide film 15 (silicide protection) and a sidewall 16 in the manufacturing process of the semiconductor device comprising a CMOS element and a resistor element, a p^+ source/drain area 14 is formed by injecting impurities into both sides of a gate electrode 7A in an n well 4.例文帳に追加

ＣＭＯＳ素子部と抵抗素子部とを有する半導体装置の製造工程において、酸化膜１５（シリサイドプロテクション）とサイドウォール１６とを形成した後に、Ｎウエル４内におけるゲート電極７Ａの両側に不純物を注入してＰ＋ソース／ドレイン領域１４を形成する。 - 特許庁

In the expression, W is wandering performance index calculated in an image analyzing process by the transfer of a tread pattern image and a rain groove image, p is pixel size (mm) used for image processing in calculating the wandering performance index, L is ground contacting length of the tire (mm) and "a" is a coefficient of 0.6 to 0.7.例文帳に追加

（式中、Ｗはトレッドパターン画像とレイングルーブ画像との転写による画像解析処理から算出されるワンダリング性能指数、ｐはワンダリング性能指数を算出する際の画像処理で用いた画素の大きさ（ｍｍ）、Ｌはタイヤの接地長（ｍｍ）、ａは係数で０．６〜０．７である。） - 特許庁

To solve the problem that a process for decreasing a leak current caused by an influence of defect in an implantation of a fluorine ion is required for a p-channel MOS transistor which suppresses diffusion of a boron ion to channel regions in a lateral direction by the fluorine ion to prevent an occurrence of a short channel effect.例文帳に追加

フッ素イオンによりボロンイオンのチャネル領域への横方向拡散を抑制して短チャネル効果の発生を防止するｐチャネル型ＭＯＳトランジスタには、フッ素イオン注入時の欠陥による影響起因のるリーク電流を減らすプロセスが必要となっている。 - 特許庁

Parasitic deposits are controlled in a deposition system (100) for depositing a film on a substrate (20), the deposition system of the type defining a reaction chamber for receiving the substrate and including a process gas (P) in the reaction chamber and an interior surface contiguous with the reaction chamber.例文帳に追加

基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。 - 特許庁

The manufacturing process of the flexible polyurethane foam includes reacting a polyol composition (P) containing a specific polyol (A) and a specific polyol (B) both obtained using caster oil or hydrogenated caster oil as a starter with a polyisocyanate compound (I) in the presence of a urethanizing catalyst, a foaming agent and a foam stabilizer.例文帳に追加

ウレタン化触媒、発泡剤、整泡剤の存在下、ヒマシ油または水添ヒマシ油を開始剤とする特定のポリオール（Ａ）と特定のポリオール（Ｂ）とを含むポリオール組成物（Ｐ）と、ポリイソシアネート化合物（Ｉ）とを反応させることを特徴とする軟質ポリウレタンフォームの製造方法。 - 特許庁

In the production process of the semiconductor device, a base 1 having a p-type semiconductor region 2 with nitrogen implanted in the upper face thereof is prepared, and a gate insulating film 5 and a gate electrode 6 are laminated in order sequentially on the base 1.例文帳に追加

本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法は、窒素が上面内に注入されたｐ型の半導体領域２を有する下地１を準備し、この下地１上にゲート絶縁膜５およびゲート電極６をこの順で積層して形成する。 - 特許庁

The method includes a process of pressing a welding press P on a sharp edge E for welding thereof while heat energy is given to the folded edge, the edge having been produced at a cut portion by cutting a drinking opening portion of a blow-molded container 1 closed by a mold.例文帳に追加

金型によって型締めされたブロー成形容器１の飲み口部11が切断されることによって切口に生ずる返り縁Ｅに対し、返り縁Ｅに熱エネルギーを与えて溶着せしめる溶着プレス体Ｐを圧接して当該返り縁Ｅを圧潰溶着せしめるという技術的手段を採用した。 - 特許庁

When foreign matters Z are left on the paper sheet P placed on the placing board 13, the foreign matter detection means 40 detects the presence of the foreign matters Z before the foreign matters Z are brought into contact with a frame 100 above the placing board 13 and stuffed in a process of elevating the placing board 13.例文帳に追加

載置台１３に載置された用紙Ｐの上に異物Ｚが放置された場合、載置台１３を上昇させる過程において、異物Ｚが載置台１３上方のフレーム１００に接触してつかえる前に、異物検知手段４０が異物Ｚの存在を検知する。 - 特許庁

This inkjet printer 1 abbreviates initializing processes of functions of a capping mechanism, a wiping mechanism, an idling ejection mechanism and a suction mechanism in maintenance/recovery unit provided on a home position of a carriage 5, and an initializing process of a conveyance belt 33 for attracting and conveying a paper sheet P.例文帳に追加

インクジェットプリンタ１は、省エネルギーモードにおいては、キャリッジ５のホーム位置に配設されている維持回復ユニットのキャッピング機構、ワイピング機構、空吐出機構、吸引機構の各機能の初期化処理及び用紙Ｐを吸着搬送する搬送ベルト３３の初期化処理を省略している。 - 特許庁

Parting lines (P/L) in both parts 11A, 11B of a crankshaft blank 11 formed with press die, are inclined from a horizontal direction to a twisting direction of a twist forging performed in a post-process [Figure 1 (A)] and the parting lines at these both end parts are positioned in the same plane after twist forging.例文帳に追加

プレス金型によって形成されるクランクシャフト粗材１１の両端部１１Ａ、１１Ｂのパーティングライン（Ｐ／Ｌ）が、後工程のツイスト加工の捩り方向へ水平方向から傾斜させられ（図１（Ａ））、当該両端部のパーティングラインがツイスト加工後に同一平面内に位置することになる。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Sn-P copper alloy sheet which can meet the recent demand for higher efficiency and higher speed in a press forming process for manufacturing connection parts such as automotive terminal-connector and has a satisfactory strength-ductility balance and also has excellent stress relaxation resistance and electric conductivity.例文帳に追加

前記高効率化、高速化した自動車用端子・コネクタなどの接続部品を製造するプレス成形工程に対応し、強度−延性バランスに優れ、同時に、耐応力緩和特性と導電率にも優れさせるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系の銅合金板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a laser annealer having a structure performing split irradiation to a substrate to be processed in a low temperature polysilicon (p-Si) TFT process in which split irradiation can be performed without increasing the size of the annealer and the costs of chamber windows can be reduced.例文帳に追加

低温ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴのプロセスにおいて、被処理基板に対してレーザ照射する際に分割照射する構造を有するレーザアニール装置において、分割照射を行うのに伴って装置が大きくならず、またチャンバウインドウにかかるコスト削減可能なレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

Because the Schottky electrode 24 is Schottky-connected with the N-silicon region 21, an electrode material compatible with a semiconductor process can be used, and therefore, it is possible to form the Schottky barrier diode 20 on a semiconductor substrate 11 identical to that of the vertical P-channel power MOSFET 10.例文帳に追加

ショットキー電極２４は、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続するため、半導体プロセスと整合性のある電極材料を用いることができるので、縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ１０と同一半導体基板１１上にショットキーバリアダイオード２０を形成することができる。 - 特許庁

To provide a cleaning device capable of performing complete cleaning to cope with a situation that untransferred toner caused when recording paper is jammed or toner of large adhesive amount such as a P sensor pattern remains on a toner carrier, and an image forming apparatus and a process cartridge which include the cleaning devices.例文帳に追加

トナー担持体上に、記録紙ジャム時の未転写トナーやＰセンサーパターン等のような高付着量トナーが残留している場合にはそれに対応した充分なクリーニングが出来るクリーニング装置ならびにこれを備えた画像形成装置およびプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

The production process for the hyperbranched polymer comprises producing a hyperbranched polymer having a core portion prepared by a living radical polymerization of chloromethyl styrene or the like, and an acid decomposition group such as p-tert-butoxy styrene, which is linked to the core portion and is present at the end of a molecule of the polymer.例文帳に追加

本発明のハイパーブランチポリマーの製造方法は、クロロメチルスチレン等のリビングラジカル重合により形成されるコア部に結合した、ｐ-ｔｅｒｔ-ブトキシスチレン等の酸分解性基をポリマー分子末端に有するハイパーブランチポリマーを製造することを特徴とする。 - 特許庁

A management server 3 is cooperated with a ZM process computer 4, and when a blank region capable of storing the pallets 200 is generated at the real stock conveyors 63, a roll shop P is controlled to carry the real pallets 200 mounted with the roll 100 from an automatic warehouse 70 to the blank region.例文帳に追加

管理サーバ３はＺＭプロコン４と連携して、実ストックコンベア６３にパレット２００を収容可能な空き領域が発生した場合に、ロール１００を搭載した実パレット２００を自動倉庫７０から当該空き領域に搬送するようにロールショップＰを制御する。 - 特許庁

Such a nitride-based light emitting element and its manufacturing method improves an ohmic contact characteristic with the p-type clad layer, hence increases the emission efficiency, and expands the life of the element, and at the same time, can omit an activation process after growth of a wafer and thus can simplify the manufacturing processes.例文帳に追加

このような窒素物系発光素子とその製造方法は、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されているため発光効率及び素子寿命を向上させ、かつウェーハ成長後の活性化工程を省略できて、製造工程を単純化させうる。 - 特許庁

Products P yielded by a cutting process using a shearing machine 1 and carried out onto a conveyor 5 are photographed from above by a CCD camera 7 under control of a control device 51, and the position of the center of gravity of each item and its direction are analyzed by an image processing device 59.例文帳に追加

シャーリングマシン１により切断された製品Ｐはコンベア５の上に搬出されるので、制御装置５１の制御により、この製品Ｐを上方からＣＣＤカメラ７で撮像して、画像処理装置５９により製品Ｐの重心位置および向きを解析する。 - 特許庁

The both ends of the shafts 31 and 32 and/or slide contact members 11-14 and 21-24 provided adjacent thereto are provided with covers 4 and water storage tanks 6 or dripping means 7 are provided as particle intrusion preventing means 4, 6, and 7 for preventing the intrusion of the particles P into the process tank S.例文帳に追加

シャフト３１、３２の両端および／またはその近傍に設けられた摺接部材１１〜１４、２１〜２４に対し、処理槽Ｓ内へのパーティクルＰの侵入を防ぐパーティクル侵入防止手段４、６、７として、カバー４、貯水槽６または滴下手段７が設けられている。 - 特許庁

By utilizing a high concentration impurity leading process for forming source-drain areas of TFTs 30, 80, 90 on the same substrate 10b, the high concentration n-type area 52 and the high concentration p-type area 53 of a diode element 50 are formed and an intrinsic area 51 is formed between these areas 52, 53.例文帳に追加

同一基板１０ｂ上にＴＦＴ３０、８０、９０のソース・ドレイン領域を形成するための高濃度不純物導入工程を利用して、ダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２および高濃度Ｐ型領域５３を形成し、かつ、それらの間に真性領域５１を形成する。 - 特許庁

In the process of mechanical mixing and granulation by applying a mechanical alloying method, carbides such as WC, Mo2C and TiC are incorporated into a metal such as Co, Ni and Ni-P so as to exceed the degree of solid solution thereof in a nonequilibrium state to form a carbide-based composite powder alloy entered into solid solution in an oversaturated state.例文帳に追加

メカニカルアロイング法を適用して、機械的に混合して造粒する過程で、ＷＣ、Ｍｏ_２Ｃ、ＴｉＣ等の炭化物をＣｏ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐ等の金属中にその固溶度を越えて非平衡状態で含有せしめ、過飽和に固溶せしめた炭化物系複合粉末合金とする。 - 特許庁

A heavily doped N type region 52 and a heavily doped P type region 53 of a diode element 50 are formed utilizing a high concentration impurity introduction process for forming the source-drain region of TFTs 30, 80 and 90 on the same substrate 10b, and an intrinsic region 51 is formed between.例文帳に追加

同一基板１０ｂ上にＴＦＴ３０、８０、９０のソース・ドレイン領域を形成するための高濃度不純物導入工程を利用して、ダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２および高濃度Ｐ型領域５３を形成し、かつ、それらの間に真性領域５１を形成する。 - 特許庁

To lower the manufacture cost of an electrode substrate for a liquid crystal device, which is used for a p-Si type TFT-LCD by performing high- precision OS inspection, without causing increase in the area of a row electrode driving circuit or the facility investment amount and decreasing defective substrates moving into cell process.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ型ＴＦＴ−ＬＣＤに用いられる表示装置用電極基板において、行電極駆動回路の面積増や設備投資額の増加を招くことなしに高精度なＯＳ検査を可能とし、不良基板のセル工程への流れ込みを低減して、製造コストを削減する。 - 特許庁

High-frequency energy is given to a gas introduced into the processing chamber 2D by a gas inlet means 6 from a high-frequency power supply 71 through the intermediary of a matching device 72 to produce a plasma P, and the surface of a substrate 9 held by the substrate holder 5 located at a closing position is subjected to pre-process etching.例文帳に追加

ガス導入手段６が導入したガスに、基板ホルダー５と一体に移動する整合器７２を介して高周波電源７１から高周波エネルギーが与えられてプラズマＰが形成され、閉位置にある基板ホルダー５に保持された基板９の表面が前工程エッチング処理される。 - 特許庁

To obtain an optical semiconductor device having an electrode pad surface, whose size makes improvement of light leading-out efficiency and high efficiency of a bonding process compatible with each other, without causing troubles in that a P-N junction is shorted by alignment deviation when an electrode pattern is formed, and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

電極パターン形成時のアラインメントずれによりＰＮ接合間がショートされるといったトラブルを起こさず、光取出効率の向上とボンディング工程の効率化を両立させる大きさの電極パッド面を持つ光半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The oven apparatus carries out a heating process to an object to be processed put on the hot plate in the oven furnace P by arranging a lower heat source 5 with a gas-burner structure to heat the hot plate itself below the hot plate, wherein the oven is provided with a shift adjusting means 31 to shift and adjust the lower heat source 5.例文帳に追加

オーブン窯Ｐ内の熱板上に置いた被加工物に対し加熱処理を行うよう熱板下方に当該熱板自体を加熱するガスバーナー構造の下部熱源５を配置し、この下部熱源５を移動調整する移動調整手段３１を設ける。 - 特許庁

The rigid, aromatic polyimide composition is prepared using a solution imidization process from an aromatic tetracarboxylic dianhydride and a diamine which is greater than 60 mol% to about 85 mol% p-phenylene diamine and 15 mol% to less than 40 mol% m-phenylene diamine.例文帳に追加

前記硬質の芳香族ポリイミド組成物は、芳香族テトラカルボン酸ニ無水物と、６０モル％を越え約８５モル％までのｐ−フェニレンジアミンおよび１５モル％から４０モル％未満のｍ−フェニレンジアミンであるジアミンとから、溶液イミド化方法を用いて調整される。 - 特許庁

Then, a p-type conductive diffusion preventing layer 31 for preventing the diffusion of a diffusion layer 23a is configured to be formed by CB Halo Ion Implantation process using the second interlayer film 35 as a mask while a first side wall insulation film exposed within the contact hole 25a is separated.例文帳に追加

そして、コンタクト孔２５ａ内に露出する第１の側壁絶縁膜を剥離した状態で、第２の層間膜３５をマスクに、ＣＢハロー・Ｉ／Ｉにより、拡散層２３ａの拡散を防止するためのｐ導電型の拡散防止層３１を形成する構成となっている。 - 特許庁

Thus, a decouping capacitor formed of the field dummy areas, the gate insulating film dummy patterns 21a and the gate electrode dummy patterns 31a in the p- well 23 is connected to a main electronic circuit in parallel, by using the dummy pattern used in the CMP process.例文帳に追加

上記の構成により、ＣＭＰ工程において用いられるダミーパターンを利用することによって、ｐ^-ウェル２３内のフィールドダミー領域、ゲート絶縁膜ダミーパターン２１ａおよびゲート電極ダミーパターン３１ａからなるデカップルコンデンサが主たる電子回路に並列に接続されることとなる。 - 特許庁

To provide a process for producing a phosphorus-containing epoxy resin excellent in flame retardancy in a manner that a phosphorus compound having at least one P-H bond in the molecule can be efficiently incorporated into the skeleton of an epoxy resin, and side reactions such as three-dimensional crosslinking of epoxy groups can be inhibited.例文帳に追加

分子内に少なくとも１個のＰ−Ｈ結合を有するリン化合物をエポキシ樹脂骨格に効率よく組み込み、しかも、エポキシ基の３次元架橋等の副反応を抑制して、難燃性に優れたリン含有エポキシ樹脂を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The Pb-free soldering alloy with Zn as a principal component comprises 1.0-9.0 mass% Al, preferably 3.0-7.0 mass%, 0.002-0.800 mass% P, preferably 0.005-0.500 mass% and the balance being Zn and other elements inevitable during production process.例文帳に追加

Ｚｎを主成分とするＰｂフリーはんだ合金であって、Ａｌを１.０〜９.０質量％、好ましくは３.０〜７.０質量％含有し、Ｐを０.００２〜０.８００質量％、好ましくは０.００５〜０.５００質量％含有し、残部が製造上、不可避的に含まれる元素を除きＺｎから成る。 - 特許庁

In the heat treatment process 36 or heat treatment equipment 40, a resin precursor P coated on one surface of a sheet metal 12 is allowed to generate polycondensation by being heated with far infrared rays, and a polyimide film 14 is produced on one surface of the sheet metal 12.例文帳に追加

熱処理工程３６或いは熱処理装置４０において、金属薄板１２の一面に塗着された樹脂前駆体Ｐが遠赤外線を用いて加熱されることによりその樹脂前駆体Ｐに縮重合を発生させ、金属薄板１２の一面にポリイミド樹脂フィルム１４が生成される。 - 特許庁

In this way, the thread root in the fine screw groove having the pitch P is not necessary to be formed by adjusting the sharp edge tip of a tool often as in the case of using the conventional thread-rolling flat dies, and the working process in the screw part 2 of the thread-rolling flat dies 1 is simplified accordingly and then, the working cost can be reduced.例文帳に追加

よって、従来品の転造平ダイスのように、工具の鋭い刃先を何度も調整してピッチＰの細かいねじ溝の谷底を形成する必要がなく、その分、転造平ダイス１のねじ部２の加工工程を簡素化して加工コストを低減することができるのである。 - 特許庁

The laser beam machining method is provided with a process wherein a laser beam L is radiated by matching a conversing point P to the inside of the machining object 1, and a cutting predetermined part by a reforming region is formed inside the machining object 1 along the cutting predetermined line 5 of the machining object 1 and a process of air-cleaning the machining object cut and separated along the cutting predetermined part.例文帳に追加

本発明に係るレーザ加工方法は、加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射し、加工対象物１の切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に改質領域による切断予定部を形成する工程と、切断予定部に沿って切断分離された加工対象物をエアー洗浄する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

This forming method of a chip breaker includes a process of forming a three-dimensional shaped chip breaker pattern 24 on the surface 26 of the hard sintered body made of diamond and/or cubic boron nitride by revolving and moving a beam spot P around an illumination axis at high speed, using a Femtosecond pulsed laser 30.例文帳に追加

本発明のチップブレーカの形成方法は、フェムト秒パルスレーザ３０を用いて、そのビームスポットＰをビームの照射軸周りに高速で公転させながら移動させることでダイヤモンド及び／又は立方晶窒化硼素からなる硬質焼結体表面２６に三次元形状のチップブレーカパターン２４を形成することを特徴とする。 - 特許庁

In the relative displacement process where continuous small bags 1 cross an optic axis P between light projecting and receiving parts 13, 14, when light from the projecting part 13 irradiates the joint 6 of the bags 1, the light goes through the bags and the light amount detected at the light receiving part 14 becomes more than a predetermined level of detection.例文帳に追加

投受光部１３，１４の間の光軸Ｐを横切るように連続小袋体１が相対移動する過程で、投光部１３からの光が連続小袋体１の継ぎ目６に照射されているときには、その光が連続小袋体１を通過するから、受光部１４の受光量が所定の検出レベル以上になる。 - 特許庁

As a result, the hard components H are crushed almost completely with a curved blade part with a curved blade and a small blade part with a small blade formed with a high-speed tool steel and subjected to the mincing process so as to produce the feed P for animals suitable for feeding pet animals such as dogs.例文帳に追加

これにより、高速度工具鋼によって形成された曲刃を有する曲刃部及び小刃を有する小刃部によって、硬質成分Ｈがほぼ完全に粉砕され、さらに、ミンチ化処理をすることにより、犬などの愛玩動物が摂食するのに適した動物用飼料Ｐを製造することができる。 - 特許庁