「a V-R」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A resistance value r of the internal resistance of a secondary battery 4 being charged is measured, and then the secondary battery 4 is charged at constant current I, and charge is finished when voltage V between terminals of the secondary battery 4 reaches voltage Vf+r×I obtained by adding voltage r×I obtained by multiplying the resistance value r by the constant current I to full charge voltage Vf.例文帳に追加

充電しようとする二次電池４の内部抵抗の抵抗値ｒを測定し、その後この二次電池４を定電流Ｉで充電し、この二次電池４の端子間電圧Ｖがこの二次電池４の満充電電圧Ｖｆにこの内部抵抗の抵抗値ｒにこの定電流Ｉを乗算した電圧ｒ・Ｉを加算した電圧Ｖｆ＋ｒ・Ｉとなったときに充電を終了するようにしたものである。 - 特許庁

The current collecting electrode 27 for photocatalyst is brought into contact with the photocatalytic body causing the photoelectrochemical reaction by a photocatalytic action to be provided in a state that the index E (V) of dropped voltage prescribed by formula: (ρi/d)r is ≤0.2 V.例文帳に追加

光触媒用集電電極２７は、光触媒作用により光電気化学反応が生じる光触媒体に接触して、式：（ρｉ／ｄ）ｒによって規定される降下電圧の指標Ｅ（Ｖ）が０．２Ｖ以下とされる状態に設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

The method is provided with a step carrying out measuring of voltage V and current I of the secondary batter two or more times during discharging and charging of the secondary battery (step S01) and a step to carry out internal resistance operation R of the secondary battery based on the measured value of the voltage V and the current I (step S05).例文帳に追加

二次電池が放電又は充電し続けている間に、二次電池の電圧Ｖ及び電流Ｉを連続して複数回測定する段階（Ｓ０１段階）と、電圧Ｖ及び電流Ｉの測定値に基づいて二次電池の内部抵抗Ｒを演算する段階（Ｓ０５段階）とを有する。 - 特許庁

Luminance characteristics of a V-R curve in the reflection mode, which has characteristics different from those of a V-T curve in the transmission mode, is reflected to convert transmission mode gray data to reflection mode gray data, so that characteristics excellent in not only the transmission mode but also in the reflection mode can be provided.例文帳に追加

透過モードのＶ−Ｔ曲線と相異する特性を有する反射モードのＶ−Ｒ曲線の輝度特性を反映して透過モードグレイデータを反射モードグレイデータに変換して、透過モードだけでなく、反射モードでも優れている特性を提供することができる。 - 特許庁

The zoom lens is equipped with a variable power moving lens group V and the focusing moving lens group F2 constituting the partial system of a lens group R positioned nearer to an image side than the lens group V, and has the magnification conversion optical system which can be inserted and pulled out nearer to the image side than the focusing moving lens group.例文帳に追加

変倍移動レンズ群Ｖと、該変倍移動レンズ群Ｖより像側に位置するレンズ群Ｒの部分系を構成する合焦移動レンズ群Ｆ２を備えたズームレンズであって、前記合焦移動レンズ群より像側に挿脱可能な倍率変換光学系を有する構成とする。 - 特許庁

In this refrigerator sectioned into a refrigerating compartment R, a vegetable compartment V, and freezing compartments I, S, F successively from its upper portion, and comprising dew condensation preventing means respectively on opening peripheral edge portions of the storage compartments, the opening peripheral edge portion 3 at an upper side of the refrigerating compartment R is heated by an electric heater 10.例文帳に追加

上方から冷蔵室Ｒ、野菜室Ｖ、冷凍室Ｉ、Ｓ、Ｆの順に区画され、これらの各貯蔵室の開口周縁部に結露防止手段を備えた冷蔵庫において、冷蔵室Ｒの上側の前記開口周縁部３は、電気ヒータ１０によって加熱することとした。 - 特許庁

A periphery monitoring sensor device 21 is provided with a radar device to detect a distance Lx from a front object having a collision possibility and relative speed Vab by using a traveling direction R and speed V of a vehicle form an electronic control unit 20 for a collision prediction.例文帳に追加

周辺監視センサ装置２１は、レーダ装置を備え、衝突予知用電子制御ユニット２０からの車両の進路方向Ｒおよび車速Ｖを用いて、衝突可能性のある前方物体との距離Ｌｘおよび相対速度Ｖａｂを検出する。 - 特許庁

The bidirectional photothyristor test device 21 serially connects a second connection terminal 27, a power source V, a first switch SW1, a resistor R, a second switch SW2 and a first connection terminal 26, and is constituted to interpose a capacitor C between the second connection terminal 27 and a node 25.例文帳に追加

双方向フォトサイリスタテスト装置２１を、第２接続端子２７，電源Ｖ，第１スイッチＳＷ１，抵抗Ｒ，第２スイッチＳＷ２，第１接続端子２６を直列に接続し、第２接続端子２７とノード２５との間にコンデンサＣを介設して構成する。 - 特許庁

A vehicle 100 is equipped with gas tanks 3 hung at the frame 2 of the body, and the space V around them is bounded with the under-part left open so that a refrigerant vessel 42 containing a liquid refrigerant R can be fitted loosely.例文帳に追加

車両１００は、車体のフレーム２に吊設されたガスタンク３，３を備えており、それらの周囲の空間Ｖは、液体冷媒Ｒを含む冷媒容器４２が遊挿可能なように下方に開放して画成されている。 - 特許庁

Using a lookup table 21 (R, G, B) storing data taking white valance of image data in each color converts the data in each color into gradation data able to take white balance including a V-T characteristic of a liquid crystal display panel.例文帳に追加

各色の画像データはホワイトバランスが取れるようなデータが格納されるルックアップテーブル２１（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって液晶パネルのＶーＴ特性を含めてホワイトバランスがとれるような階調データが変換される。 - 特許庁

A projected bead 7 extending to a car width direction is formed on the position of the more rear R side of the car body than the bolt 6 of the seat belt anchor 2 and a V letter shape bead 8 extending so as to hold the seat belt anchor 2 is installed in parallel with the projected bead 7.例文帳に追加

シートベルトアンカー２のボルト６より車体後方Ｒ側の部位に、車幅方向に延在する凸ビード７を形成し、凸ビード７に、シートベルトアンカー２を挟むように延在したＶ字ビード８を連設する。 - 特許庁

The error signal generating circuit 40 removes a pseudo audio signal r(k-1) equivalent to a voice signal v(k) of a speaking person from the echo canceling signal p(k), thereby generating an error signal s(k-1).例文帳に追加

誤差信号生成回路４０は、通話者の音声信号ｖ（ｋ）に相当する擬似音声信号ｒ（ｋ−１）をエコー除去信号ｐ（ｋ）から除去することにより、誤差信号ｓ（ｋ−１）を生成する。 - 特許庁

The actual voltage current characteristic V=Vo-(R+αβ)I into which a temperature change due to a Peltier effect of a thermal generation module is taken is estimated when the thermal generator generates power, and a target current value Ip=Vo/2(R+αβ) corresponding to the maximum power in the actual voltage current characteristic is obtained.例文帳に追加

熱電発電装置の発電時に熱電発電モジュールのペルチェ効果による温度変化を考慮した実際の電圧電流特性Ｖ＝Ｖｏ−（Ｒ＋αβ）Ｉが推定され、また、実際の電圧電流特性における最大電力に対応する目標電流値Ｉｐ＝Ｖｏ／２（Ｒ＋αβ）が求められる。 - 特許庁

The first reel receiving support part 25a is swingably provided between a reel insertion/desertion position where opening direction R of the reel receiving opening 24 is tilted from vertical axis V to a direction within a revolution surface of the reel 23 and a reel support position where the opening direction R of the reel receiving opening 24 is more upward than that of the reel insertion/desertion position.例文帳に追加

第１リール受容支持部２５ａは、リール受容口２４の開口方向Ｒが鉛直軸Ｖからリール２３の回転面内方向に傾斜したリール挿脱位置と、リール挿脱位置にある場合よりもリール受容口２４の開口方向Ｒが上方を向いたリール支持位置との間で揺動自在に設けられる。 - 特許庁

A styrene derivative is reacted with carbon monoxide in the presence of a palladium compound catalyst and a catalyst comprising a heteropoly acid or an oxoacid containing an element of P or Si and an element selected from V, Mo and W, to obtain the 1(4H)-naphthalenone derivative represented by formula (2) (wherein, R^1 to R^5 indicate each hydrogen or a group containing a nonmetal element).例文帳に追加

パラジウム化合物触媒と、ヘテロポリ酸若しくはＰ又はＳｉの元素と、Ｖ、Ｍｏ及びＷから選択された元素とを含むオキソ酸からなる触媒の存在下、スチレン誘導体を一酸化炭素と反応させて、式（２）（Ｒ^１〜Ｒ^５は水素又は非金属原子含有基を示す）で表される１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体を得る。 - 特許庁

A growth speed of 10 μm/Hr or over is obtained by decreasing a V/III ratio under a prescribed condition by the MOVPE method, and this is applied to the growth of an a-plane nitride group semiconductor layer on an r-plane sapphire substrate so as to apply the growth method to a light emitting element and an electron transit element using the a-plane nitride group semiconductor.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でＶ／ＩＩＩ比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをr面サファイア基板上のａ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子走行素子への応用を行うこと。 - 特許庁

A power source voltage V, the capacity of the capacitor C and the resistance of the resistor R are set so that a high voltage higher than a punch-through voltage and breaking an abnormal gate oxide film can be applied instantaneously when the capacitor C charged with the power source V is discharged.例文帳に追加

電源電圧Ｖ，コンデンサＣの容量および抵抗Ｒの抵抗は、電源Ｖによって充電されたコンデンサＣを放電させた際に、テストの対象となるＭＯＳＦＥＴ２２のゲート電極Ｇに、パンチスルー電圧よりも高く異常ゲート酸化膜を破壊できる高電圧を瞬間的に印加できるように設定する。 - 特許庁

In the MOVPE method there is obtained a growth speed of 10 μm/Hr or higher by lowering the group V/III ratio under a definite condition, and by applying this to the growth of an A surface nitride-based semiconductor layer on an R surface sapphire substrate, an application to a light emitting element and an electronic device using the A surface nitride-based semiconductor is executed.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でV／III比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをＲ面サファイア基板上のＡ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、Ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子デバイスへの応用を行う。 - 特許庁

The saturation C' subjected to the saturation processing, the unprocessed hue H and the brightness V of high sensitivity image data are combined with those of the low sensitivity image data, respectively (S5), and the combined saturation C', the hue H and the brightness V are converted into R, G and B signals to generate a wide dynamic range image (S6).例文帳に追加

そして、高感度画像データと低感度画像データの彩度調整処理済みの彩度Ｃ’、未処理の色相Ｈ・明度Ｖを各々合成し（Ｓ５）、合成された彩度Ｃ’・色相Ｈ・明度Ｖを、Ｒ・Ｇ・Ｂ信号に変換して広ダイナミックレンジ画像を生成する（Ｓ６）。 - 特許庁

While a voltage of 3.3 V is supplied to the 3.3 V system circuit (the control parts, the small signal parts, and the like), to which an ample voltage can be supplied by the supply voltage of one cell, from the cell 101b on the ground side via the resistor R and the LC filter 103.例文帳に追加

一方、１つのセルの供給電圧によって十分な電圧を供給可能な３．３Ｖ系の回路（制御部や小信号部等）に対しては、グランド側のセル１０１ｂから抵抗ＲおよびＬＣフィルタ１０３を介して３．３Ｖの電圧が供給される。 - 特許庁

A VGR motor 22 is operated to the subtraction side when the vehicle speed is not less than the preset vehicle speed V0, the steering ratio R is controlled to be reduced according to the increase in the vehicle speed V, and the phase lag dm of the VGR motor 22 is controlled to be increased according to the increase in the vehicle speed V.例文帳に追加

設定車速Ｖ０以上のときにＶＧＲモータ２２を減算の側に作動させ、操舵比Ｒを車速Ｖの上昇に応じて小さくなるように制御するとともに、ＶＧＲモータ２２の位相遅れｄｍを車速Ｖの上昇に応じて大きくなるように制御する。 - 特許庁

A NIC 10 set as a master device includes a power source control part 16 calculating an ON ratio R being the ratio of a time to turn on a transmission MAC 13 at a current link speed V, based on the predetermined maximum speed Vmax and ON ratio Rmax.例文帳に追加

マスターに設定されたＮＩＣ１０において、予め設定された最大速度Ｖmax及びオン比率Ｒmaxに基づいて、電源制御部１６が、現在のリンク速度Ｖにおける、送信ＭＡＣ１３をオンにする時間の割合であるオン比率Ｒを算出する。 - 特許庁

The cleaning apparatus 18 reduces SOx contained in combustion exhaust gas G1 generated by combustion, and is provided with a gas passage R passing the combustion exhaust gas G1, and an SO_2 oxidizing catalyst V disposed in the gas passage R.例文帳に追加

燃焼により発生した燃焼ガスＧ１に含まれるＳＯ_Ｘを削減するための浄化装置１８であって、前記燃焼ガスＧ１が通過可能とされるガス流路Ｒと、前記ガス流路Ｒに配置されたＳＯ_２酸化触媒Ｖとを備えてなることを特徴とする。 - 特許庁

Rendition data (R) having a browsing format generated from each version data is stored by linking with the version data, and the information (V) of which rendition data is disclosed is stored.例文帳に追加

各バージョンデータから生成された、閲覧用形式としてのレンディションデータ（Ｒ）は、各バージョンデータとの関連して保持されるとともに、どのレンディションデータを公開対象とするかの情報が保持される（Ｖ）。 - 特許庁

The wire inserting/fitting grooves 17, 18 and 19 alternately recessed from pulley front and rear surfaces F and R are bent along one plane perpendicular to a rotary shaft C including the V-groove 15 to facilitate the length control of the wire 13.例文帳に追加

プーリ前後面Ｆ，Ｒから交互に凹設したワイヤ挿嵌溝１７，１８，１９は、Ｖ溝１５を含む回転軸Ｃに直角な一平面に沿って屈曲させ、ワイヤ１３の長さ管理を容易にする。 - 特許庁

A conversion processing section 23 converts the value of the luminance signal Y and the values of the color difference signals U, V finally recognized by each pixel into values of primary color signals R,G,B.例文帳に追加

変換処理部２３は、各画素の輝度信号Ｙの値、ならびに最終的に認識された各画素の色差信号Ｕの値および色差信号Ｖの値を原色信号Ｒ，Ｇ，Ｂの値に変換する。 - 特許庁

An image composition display means 70 reads image data stored in a hard disk HD on the vehicles in which the members were during trip periods and composes it to a vehicle symbol V indicating a present location in route data R.例文帳に追加

画像合成表示手段７０により、ハードディスクＨＤに記憶させた旅行期間中に乗車していた車両の画像データを読み出し、経路データＲにおける現在地を示す車両シンボルＶに対して合成する。 - 特許庁

The quinacridone derivative compound bears in the molecule both a group represented by general formula (I) (wherein the phenyl group may bear a substituent group) and a group represented by general formula (V) (wherein n is a natural number; and R is an alkyl group).例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）で表わされる基 （ただし、フェニル基は置換基を有していても良い）および、下記一般式（Ｖ）で表わされる基 （ただし、ｎは自然数、Ｒはアルキル基）を分子内に共に有することを特徴とするキナクリドン誘導体化合物。 - 特許庁

The voltage generated at a resistor R by the current supplied to a three-phase coil 2 from a driver 3 is inputted into the positive input terminal of a current limit circuit 8, and a differential signal to the voltage V inputted into a negative input terminal is transmitted to an OR circuit 9 as a voltage signal.例文帳に追加

ドライバ３から３相コイル２に供給される電流によって抵抗Ｒに発生する電圧が、カレントリミット回路８の正の入力端子に入力され、負の入力端子に入力される電圧Ｖとの差動信号が電圧信号としてＯＲ回路９に送出される。 - 特許庁

A CPU 21 outputs a second level control signal VCT 1 and an address signal VA for a correction period, and a switching circuit 18 selects a test pattern signal V 16 (R, G, B) providing one measuring fixed image stored in a circuit 16, resulting that the measuring display section 3 displays a test pattern.例文帳に追加

補正期間において、ＣＰＵ２１は第２レベルの制御信号ＶＣＴ１及びアドレス信号ＶＡを出力し、切換回路１８は回路１６が保有する測定用固定１画面を与えるテストパターン信号Ｖ１６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を通し、その結果、テストパターンが測定用表示部３に表示される。 - 特許庁

For example, this is obtained by copolymerizing a vinyl-polymerizable silicone of formula IV with an Si-bonded hydrogen containing vinyl-polymerizable siloxane of formula V and, optionally, other polymerizable vinyl monomers.例文帳に追加

一般式（Ａ）： -(COO)_a-A-SiR_m[(OSiR_2)_pOSiR_2X]_3-m 一般式（Ｂ）： -(COO)_a-A-SiR_2O-[ R_2SiO ]_n -SiR_2-A^ -(OOC)_a- ［式中、Aは二価炭化水素基またはアルキレンオキシアルキレン基であり、Rは脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基であり、ａは０または１であり、ｎは１０以上の整数であり、ｐは０〜３０の整数であり、ｍは０〜２の整数であり、Ｘは水素原子または式：-A-(SiR_2O)_a-SiR_m[(OSiR_2)_pOSiR_2H]_3-m（式中、A，R，ａ，ｐおよびｍは前記と同じである。）で示される一価有機基である。 - 特許庁

When the semiconductor device using a nitride-based group III-V compound semiconductor is manufactured, the nitride-based group III-V compound semiconductor layer 12, forming the device structure, is grown directly on the sapphire substrate 11 having a principal surface which is -0.5 to 0° off an R surface, in a C-axial direction without making a buffer layer grow.例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体素子を製造する場合に、Ｒ面からＣ軸方向に−０．５°以上０°以下オフした主面を有するサファイア基板１１上に、素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１２をバッファ層を成長させることなく直接成長させる。 - 特許庁

The control method and system are intended to reduce a common mode current in a power converter which comprises a rectifier stage 1 connected to a number of input phases R, S, T and an inverter stage 2 connected to a number of output phases U, V, W.例文帳に追加

複数の入力相Ｒ、Ｓ、Ｔに接続された整流器段１と、複数の出力相Ｕ、Ｖ、Ｗに接続されたインバータ段２と、を備える電力変換装置のコモンモード電流を低減するように意図された制御方法およびシステムに関する。 - 特許庁

A position display information record control means 40b records display data V indicating a position, reference position information R indicating a position of a reference of the display, and its capacity amount A in a position display information storage area 41b as position display information corresponding to an originator's telephone number.例文帳に追加

位置表示情報記録制御手段４０ｂが、発信者の電話番号に対応づけて、位置表示情報として、位置を示す表示データＶと、この表示の基準の位置を示す参照用位置情報Ｒと、その許容量Ａを、位置表示情報記憶エリア４１ｂに記録しておく。 - 特許庁

In this case the coins 5 pass through coin sorting parts 14 to 17; in one of the coin sorting parts, the peripheral surface R of each coin 5 is supported by a V-shaped coin supporting face 13 to position the coin 5 in a stable state.例文帳に追加

このとき、硬貨５は、各硬貨選別部１４〜１７を通過することになるが、一の硬貨選別部において、硬貨５の周面ＲをＶ字状の硬貨支持面１３で支持させ、硬貨５を安定した状態で位置決めさせる。 - 特許庁

In areas (between O and P, between Q and R, between S and U, between V and W and between X and Y) where the moving speed of the carriage 21 changes, a current value to a scanner motor M1 is raised from (i) to I, and the torque of the scanner motor M1 is increased.例文帳に追加

キャリッジ２１の移動速度が変化している領域（ＯＰ間、ＱＲ間、ＳＵ間、ＶＷ間、ＸＹ間）では、スキャナモータＭ１への電流値をｉからＩに上昇させ、スキャナモータＭ１のトルクを増加する。 - 特許庁

The recovery voltage Vr in the aging processing process S3 is set between the maximum reverse voltage R in actually driving the organic EL element 7 and a breakdown voltage V of the organic EL element 7 depending on a capacitance component of the organic layers 5.例文帳に追加

エージング処理工程Ｓ３の修復電圧Ｖｒは、有機ＥＬ素子７の実駆動時の最大逆電圧Ｒと、有機層５の静電容量成分に依存する有機ＥＬ素子７の破壊電圧Ｖとの間に設定される。 - 特許庁

Hereupon, R (diffuse regular reflection intensity) is the intensity of a diffuse regular reflection direction, and V is the total of diffuse reflection intensities measured at every degree from -θ to +θ° to the diffuse regular reflection direction when irradiating the optical sheet with a visible light beam.例文帳に追加

０．１９＜Ｒ／Ｖ＜０．７６（Ｉ）Ｒ（拡散正反射強度）；拡散正反射方向の強度Ｖ；光学シートに可視光線を照射した際の拡散正反射方向に対して−θ度〜＋θ度まで１度ごとに測定した拡散反射強度の総和 - 特許庁

When the number of tags R to be read is larger than a setting value Rth (S5: Yes), an output voltage V of transmission radio waves is set to the minimum output voltage V1 (S6), and an identification information request signal is transmitted to a tag 20 (S8).例文帳に追加

読み取りたいタグ数Ｒが設定値Ｒｔｈよりも多い場合は（Ｓ５：Ｙｅｓ）、送信電波の出力電圧Ｖを最小出力電圧Ｖ１に設定し（Ｓ６）、識別情報要求信号をタグ２０へ送信する（Ｓ８）。 - 特許庁

A cone-shaped vertical angle of the rotating tool is substantially determined as 70°32' and an angle between the direction of the V-shaped groove and the rotary shaft of the rotating tool is substantially determined as 54°44', so that a corner made by an intersection at a right angle is cut to R 0.3 or less.例文帳に追加

回転工具の円錐形頂角を実質的に７０°３２′としＶ溝方向と回転工具回転軸とのなす角を実質的に５４°４４′としたことにより、直角に交差して出来る角をＲ０.３以下に切削加工できる。 - 特許庁

In a group of elliptic curves, whether a value representing the point R corresponds to a total sum of two separate points uG and vQ or not is verified by developing integer numbers w, z representing reduced bit lengths so that the expression v=w/z is true.例文帳に追加

楕円曲線群においては、点Ｒを表現する値が、２つの別の点ｕＧとｖＱの合計に対応するかという検証は、縮小ビット長の整数ｗ、ｚを、ｖ＝ｗ／ｚとなるように導出することにより行われる。 - 特許庁

Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加

また、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ｇａ_XＩｎ_1-XＰ（０≦Ｘ≦１）でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Ｘを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁

In an elliptic curve group, verification that a value representative of a point R corresponds to the sum of two other points uG and vQ is obtained by deriving integers w and z of a reduced bit length so as to meet v=w/z.例文帳に追加

楕円曲線群においては、点Ｒを表現する値が、２つの別の点ｕＧとｖＱの合計に対応するかという検証は、縮小ビット長の整数ｗ、ｚを、ｖ＝ｗ／ｚとなるように導出することにより行われる。 - 特許庁

A coil conductor 41E constituting turns in the V-phase and W-phase coils 3V, 3W of the other two phase is arranged between a first coil conductor 41A and a second coil conductor 41B in the radial direction R of the U-phase coil 3U.例文帳に追加

Ｕ相のコイル３Ｕにおける第１コイル導体４１Ａと第２コイル導体４１Ｂとの径方向Ｒの間には、他の２相であるＶ相及びＷ相のコイル３Ｖ、３Ｗにおけるターンを構成するコイル導体４１Ｅが配置してある。 - 特許庁

In the case wherein shift is changed to a position R (YES in S102) during the travelling in a position D (YES in S100) and vehicle speed V is higher than V(1) (YES in S104), an ECU executes reverse inhibit control for setting an automatic transmission to a neutral condition (S108).例文帳に追加

ＥＣＵは、Ｄポジションでの走行中（Ｓ１００にてＹＥＳ）、Ｒポジションに切り換えられると（Ｓ１０２にてＹＥＳ）、車速ＶがＶ（１）よりも高い場合（Ｓ１０４にてＹＥＳ）、オートマチックトランスミッションをニュートラル状態とするリバースインヒビット制御を実行し（Ｓ１０８）、車速ＶがＶ（１）よりも低下すると（Ｓ１１０にてＹＥＳ）、リバースインヒビット制御を停止する（Ｓ１１２）。 - 特許庁