a n aの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 35644件
Emergency broadcasting terminals 30-1 to 30-n are installed in individual subscribers' houses, and an optical transmission device 16 for communicating respective emergency broadcasting terminals and an emergency broadcast information management server 18 are installed in a center station 10.例文帳に追加
各加入者宅には緊急放送端末30−1〜30−nを設置し、センター局10には、各緊急放送端末との通信用の光送信装置16及び緊急放送情報管理サーバ18を設置する。 - 特許庁
Since the light emission from the plasma is detected without spectroscoping, the plasma density strongly depending on the intensity of the light emission from the plasma is controlled by ensuring a high S/N more than prior arts for controlling the plasma density through the spectroscoping.例文帳に追加
プラズマからの発光を分光せず検出するため、プラズマからの発光強度に強く依存するプラズマ密度を、分光を行なって制御する従来の方法と比べ、高いSN比を確保して制御することが可能となる。 - 特許庁
Also, for all the test patterns [n], the background region is displayed and driven by a driving level DDL_0.2 corresponding to the intensity level of 20% of the maximum intensity level so that it has the intensity level corresponding to 20% of the maximum intensity level.例文帳に追加
また、全てのテストパターン[n]について、その背景領域は最大輝度レベルの20%に対応する輝度レベルとなるように、最大輝度レベルの20%の輝度レベルに対応する駆動レベルDDL_0.2で表示駆動される。 - 特許庁
Next, an estimated value of an address generated from the information in the table 1 is corrected by searching an error value Err by searching the 2nd table, and using the error value Err and the position N where a value in the table 2, the 2nd table, coincides with the error value.例文帳に追加
次に、第2の表を探索して誤差値Errを探索し、誤差値Errと第2の表である表2内で一致した位置Nとを使用し、第1の表の情報から生成したアドレスの推定値を訂正する。 - 特許庁
To provide an interference image measuring instrument capable of extracting phase information at a satisfactory S/N ratio, even when portions different in light intensities exist within the same view field, in measurement of an interference fringe.例文帳に追加
本発明の目的は、干渉縞の測定に際し、光強度の異なる箇所が同一視野内に混在している場合においても、S/N比よく位相情報を抽出することができる干渉画像測定装置を提供することにある。 - 特許庁
A PTFE porous film having 0.25 N or higher and 60% or higher as tensile strengths and elongations in the flow direction (MD direction; longitudinal direction) and the direction orthogonal to the former (TD direction; width direction), respectively, is used.例文帳に追加
流れ方向(MD方向;長手方向)およびこれに直交する方向(TD方向;幅方向)についての引っ張り強度および伸び率がそれぞれ0.25N以上および60%以上であるPTFE多孔質膜を用いる。 - 特許庁
The concentration of an N-type intrinsic base diffusion area 23 adjoining to the emitter diffusion area 23 of an L-PNP transistor is made higher than that of a base buried layer 3B adjoining to the collector diffusion area 16B of an L-PNP bipolar transistor.例文帳に追加
L−PNPトランジスタのエミッタ拡散領域23に隣接するN型真性ベース拡散領域22の濃度を、L−PNPバイポーラトランジスタのコレクタ拡散領域16Bに隣接するベース埋め込み層3Bの濃度より高くする。 - 特許庁
The zirconium oxide hydrate particles of the present invention are represented by the general formula: ZrO_2*nH_2O, wherein the average primary particle diameter is 0.5 nm or more and 5 nm or less, and n in the general formula is a number exceeding 2.5.例文帳に追加
本発明の酸化ジルコニウム水和物粒子は、一般式ZrO_2・nH_2Oで表され、平均一次粒子径は、0.5nm以上5nm以下であり、前記一般式中のnは、2.5を超える数であることを特徴とする。 - 特許庁
Each heat source fluid and cooling fluid is allowed to flow through either the inside part or outside part of the conductive tubular base materials 11 and 21, so that a temperature difference can be generated on the inner and outer faces of the N-type semiconductor and the P-type semiconductor.例文帳に追加
熱源流体及び冷却流体の各々を導電性管状基材11、21の内部又は外部のいずれか一方に流通することにより、N型半導体及びP型半導体の内外面に温度差を設ける。 - 特許庁
The light emitting element is manufactured by using the epitaxial wafer for the light emitting element, and an electrode 7 is formed at the n-type GaAs substrate 1 side, and a non-alloy system p-electrode 8 is formed at the p-type InGaAs contact layer 6 side.例文帳に追加
発光素子は、この発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製され、n型GaAs基板1側にn電極7が、またp型InGaAsコンタクト層6側にノンアロイ系のp電極8が形成されている。 - 特許庁
The cellulose acylate film has an Re of ≥15 nm, an Rth of ≤-7.5 nm and a tensile stress of 15-100 N/mm^2, when the film is stretched by 20% at 240°C in the direction in which the tensile elasticity modulus becomes maximum in the plane.例文帳に追加
Reが15nm以上、Rthが−7.5nm以下で、引張り弾性率が面内で最大となる方向に240℃において20%伸ばしたときの引張り応力が15〜100N/mm^2であるセルロースアシレートフィルム。 - 特許庁
The mobile terminal 4 picks up an image of the flickering pattern of the optical beacons 11-1 to 11-n by an ID recognition camera 21 to receive the transmitted voice file and outputs corresponding voice data from a speaker 22.例文帳に追加
携帯端末4は、ID認識カメラ21により光ビーコン11−1乃至11−6の点滅パターンを撮像することにより、送信されてきた音声ファイルを受信し、対応する音声データをスピーカ22より出力する。 - 特許庁
Terminal parts 11B, 11G, of the scanning electrodes 11B, 11G formed the substrates 1B, 1G are arranged to face each other and are electrically connected with each other via n anisotropic conductive film 31 arranged on both sides of one end part of a flexible printed board 30.例文帳に追加
基板1_B,1_Gに形成された走査電極11_B,11_Gの端子部11_B’,11_G’は向き合うように配置され、フレキシブルプリント基板30の一端部の両面に設けた異方性導電フィルム31を介して電気的に接続される。 - 特許庁
The silicide layer 17 is provided at the total region of a source region S1 and the n^+ region BC1, that of the drain regions D1, D2, that of the source region S2 and the p^+ region BC2, and on the gate electrode 15.例文帳に追加
シリサイド層17は、ソース領域S1とN^+領域BC1の総合領域、ドレイン領域D1,D2の総合領域、ソース領域S2とP^+領域BC2の総合領域、及びゲート電極15上に設けられる。 - 特許庁
The projection part 42 is, provided with a first slanting part 44 rising up to the fixing roller 34 side, and the second slanting part 46 gradually lowering to the pressure roller 36 side in accompany with approach to the nip part N provided in connection with this first slanting part 44.例文帳に追加
隆起部42は、定着ローラ34側へ立ち上がる第1傾斜部44と、この第1傾斜部4に連設されニップ部Nに近づくにつれて徐々に加圧ローラ36側へ下がる第2傾斜部46を有している。 - 特許庁
This etching agent for the silicongermanium comprises an aqueous solution containing an oxo-acid ion represented by general formula (X_mO_n)-Y (wherein, X is Br or I; m is 1 or 2; n is 1, 3, 4, 6 or 9; and Y is 1, 4 or 5) and a hydrofluoric acid.例文帳に追加
一般式(XmOn)−Y (XはBrまたはI、mは1または2、nは1、3、4、6または9、Yは1、4または5)で表されるオキソ酸イオンとフッ化水素酸を含む水溶液からなる、シリコンゲルマニウムのエッチング剤。 - 特許庁
The laminated steel sheet is characterized in that a resin film having the peel strength of 0.01-10 N/15 mm and the tensile strength of 10-500 MPa is laminated at least to one side of the steel sheet and has easy-to-peel nature after it is formed into containers.例文帳に追加
鋼板の少なくとも片面にピール強度が0.01〜10N/15mm、かつ引張強度が10〜500MPaの樹脂フィルムがラミネートされていることを特徴とする容器に成形後に易剥離性を有するラミネート鋼板。 - 特許庁
Data transmission parts 11 installed in unmanned stores 1 to (n) automatically transmit sale state data regarding how many articles are in stop at the unmanned stores and the numbers of change coins to a sale state management center 2 each time the data are updated.例文帳に追加
無人店舗1〜nのそれぞれに備えられているデータ送信部11は、無人店舗内の商品の在庫数及び釣り銭残数に関する販売状況データをデータの更新毎に販売状況管理センタ2に自動送信する。 - 特許庁
The decomposer-controlling part 34 starts up a number of decomposers which are determined by the start-up number determination part 33 from among the n pieces of decomposers 40_1-40_n and executes data-converting processing to the printing data stored in an inputting image-storing part 35.例文帳に追加
デコンポーザ制御部34は、n個のデコンポーザ40_1〜40_nのうち、起動数決定部33により決定された数のデコンポーザを起動して、入力イメージ保存部35に保存されている印刷データのデータ変換処理を実行する。 - 特許庁
When the antenna switch is turned on within a prescribed time after warning (S4:Y), use of equipment is permitted there after (S5), but if it is not turned on within the prescribed time (S4:N), operation in the key operation part is invalidated to inhibit subsequent operations (S6).例文帳に追加
警告後、所定時間以内にアンテナスイッチがオンされると(S4;Y)、その後の使用を可能とし(S5)、所定時間が経過してもオンされなかったときには(S4;N)、キー操作部の操作を無効化しその後の動作を禁止する(S6)。 - 特許庁
To prevent degradation of performance caused by occurrence of trap and defect due to movement of electrons in a tunnel oxide film with respect to an AND type flash memory in which memory cells consisting of nMOS transistors are arranged in (m) rows and (n) columns.例文帳に追加
n型のMOSトランジスタからなるメモリセルがm行n列に配列されているAND型フラッシュメモリにおいて、電子の移動によりトンネル酸化膜にトラップや欠陥が発生して性能が低下することを防止する。 - 特許庁
In the formula (I), Q is an atom of C or N, Ar^1 to Ar^3 are each an aromatic hydrocarbon group, Ar^4 is an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, and J^1 is a direct bond, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.例文帳に追加
(QはCまたはN原子。Ar^1〜Ar^3は芳香族炭化水素基。Ar^4は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基。J^1は、直接結合、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基。) - 特許庁
Memory capacity being referred by an LUT processing section is set as m-th power/S word×N bit of 2, and a correction value being used actually in correction is calculated using two discrete correction values corresponding to an input M bit data value.例文帳に追加
LUT処理部が参照するメモリ容量を2のM乗/Sワード×Nビットとして構成し、入力Mビットデータ値に対応する2つの離散的補正値を使用して、実際に補正に使用する補正値を算出する。 - 特許庁
By the embedded insulating film 4 and the n^+-type diffusion layer 5, the p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging device region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of an outside where a chip end surface F exists is separated electrically.例文帳に追加
埋め込み絶縁膜4およびn^+拡散層5により、撮像素子領域Arとなる内側のp型エピタキシャル層3aと、チップ端面Fが存在する外側のp型エピタキシャル層3bとが電気的に分離される。 - 特許庁
A section from the second intermediate layer 22 to an upper section (the p-type contact layer 37) is brought to the N polarity, and the active layer 34 has the indium composition ratio, and the crystal quality higher than the active layer 34 is formed on the layer having the Ga polarity.例文帳に追加
第2中間層22より上部(p側コンタクト層37まで)がN極性となり、活性層34は、Ga極性の層上に形成された場合に比べて、インジウム組成比が高く結晶品質の高いものとなる。 - 特許庁
To provide an error correction circuit and an error correcting method to decode data with no generation of cosets by means of a trellis decoder that has (n) types of states, i.e., can perform the decoding operations in plural different types of states.例文帳に追加
n種類の状態のトレリスデコーダ、つまり異なる複数種類の状態において復号を行い得るトレリスデコーダを用いて、コセットを生成せずに、データを復号する誤り訂正回路及び誤り訂正方法を提供する。 - 特許庁
The voltage supply means in the developing device applies the n-phase voltage to the carrying electrodes so that the surface potential on the carrier member is included between the potential of an image part of the latent image carrier and the potential of a non-image part.例文帳に追加
そして、本発明の現像装置における電圧供給手段は、搬送部材上の表面電位が潜像担持体の画像部の電位と非画像部の電位との間となるように、搬送電極にn相の電圧を印加する。 - 特許庁
The branched CATV optical signal includes a monitoring control signal, an optical coupler 109 in the hub couples the branched CATV optical signal with an incoming CATV optical signal or the branched CATV optical signal is inputted to an unused wavelength port of an N wave WDM filter.例文帳に追加
分岐したCATV光信号には上り監視制御信号が含まれており、ハブ内の光結合器109にて上りCATV光信号と結合するか、N波WDMフィルタの未使用の波長ポートに入力する。 - 特許庁
As a result, the frequency of wiping by the arbitrary portion 116 of the wiping member 10A is n-1 times or less.例文帳に追加
ワイピング部材10Aの任意の部分116は、吐出口列105Aの配列方向に対して、所定の角度θをもってワイピングを行うことで、ワイピング部材10Aの任意の部分116は、ワイピングにおいてn−1回以下の回数で払拭を行う。 - 特許庁
The lower semiconductor multilayer 4 further includes an extension strain stress addition layer 14 that has tensile strain and is provided between the active layer 12 and the ridge 5, and has a negative lattice mismatch degree with respect to the n-type InP substrate 3.例文帳に追加
下部半導体積層部4は、引っ張り歪みを有し活性層12とリッジ部5との間に設けられた伸張歪応力付加層14を更に含み、n型InP基板3に対して負の格子不整合度を有する。 - 特許庁
The separating section 37 further electrically isolates the back gate of the p-type MOS transistor 11 and the back gate of the n-type MOS transistor 21 from each other to such a degree that the current is prevented from flowing at least between the two back gates.例文帳に追加
分離部37は、さらに、p型MOSトランジスタ11のバックゲートおよびn型MOSトランジスタ21のバックゲートを、少なくとも双方のバックゲート間に電流が流れるのを阻害する程度に互いに電気的に分離している。 - 特許庁
As the photosensitive layer 72 is formed to have a surface smoothness of 0.30 to 0.90 [N] and Vickers hardness of 26.7 to 34.2 [gf μm^-2] on the surface, the photoreceptor drum 30 is free from generation of filming.例文帳に追加
感光層72は、その表面の滑り性が、0.30〜0.90[N]であり、且つその表面のビッカース硬度は、26.7〜34.2[gf・μm^−2]であるように形成されているので、フィルミングの発生しない感光体ドラム30が実現できる。 - 特許庁
The film 12 is arranged at the reference position to read the image of the frame n by calculating an amount dn of displacement between an end part 322 and an end part 301 of a reading area 321 and further feeding the film 12 for the amount dn of displacement after detection.例文帳に追加
検出後、読み取り領域321の端部322と端部301とのズレ量dnを算出し、ズレ量dn分だけさらに給送することで、フィルム12をコマnの画像を読み取るための基準位置に配置する。 - 特許庁
To provide an FM detection method by a pulse count method in which an S/N ratio of an FM demodulating signal is increased by 6 dB and an intermediate frequency component of an FM intermediate frequency signal does not affect the FM demodulating signal.例文帳に追加
FM復調信号のS/N比が6dB増大し、FM中間周波信号の中間周波数成分がFM復調信号に影響を与えることのないパルスカウント方式によるFM検波方式の提供を目的とする。 - 特許庁
P-channel type MOS transistors MP1, MP2 and N-channel type MOS transistors MN1, MN2 constituting a current mirror generate first and second currents I1, I2 on an equal basis or in predetermined mutually proportional relationship.例文帳に追加
カレントミラーを構成するPチャネル型のMOSトランジスタMP1,MP2、およびNチャネル型のMOSトランジスタMN1,MN2は、第1,第2の電流I1,I2を等しく、あるいは互いに所定の比例関係となるように生成する。 - 特許庁
The control sections of the sample machines generate relative gamma curves corresponding to respective colors from a single color to n-order color for correcting gradation of inputted image data, so as to obtain density indicated by the gradation characteristics of the respective patches of the target machine.例文帳に追加
サンプル機の制御部は、ターゲット機の各パッチの階調特性が示す濃度が得られるように、入力した画像データの階調を補正するための1次色からn次色までの各色に対応する相対ガンマカーブを生成する。 - 特許庁
The slide door 6 is supported on the position that a backing metal plate 16 of the magnet is connected to the magnet 15 and no clearance exists between the magnet 15 and the backing metal plate 16 of the magnet then the deviation of n upper end position of the sliding door 6 doesn't occur.例文帳に追加
スライドドア6はマグネット受金16がマグネット15に当接する位置に保持され、マグネット15とマグネット受金16の間に遊びが存在しないので、スライドドア6の上昇端位置にばらつきが生じることはない。 - 特許庁
By adding m continuous unit images 21 (m is 1 to n), an image 22 for synthesization can be obtained of which an exposure time is m-times as long as the unit exposure time and an imaging term is a total imaging term of the added unit images 21.例文帳に追加
連続する単位画像21のm枚(m=1〜n)を加算することによって、露光時間が単位露光時間tのm倍で、撮像期間が、加算した単位画像21の撮像期間の合計となる合成用画像22が得られる。 - 特許庁
A comparator 65 compares an integrated difference value, obtained by subtracting an accumulated amount of generating code CG from an accumulated objective code amount TG of picture frames from the top of an n-th period to an m-th period, with the reference differential value D_n-1.例文帳に追加
比較部65は、第n期間の先頭からm番目までのピクチャフレームの累積目標符号量TGから累積発生符号量CGを減算して得られる累積差分値と基準差分値D_n−1とを比較する。 - 特許庁
This processing is electronically scanned in an array arrangement direction and further mechanically scanned in the normal line direction of array arrangement to form the inspection image of a high S/N ratio using the reflection signal from the inside of the inspection target 100.例文帳に追加
この処理をアレイ並び方向には電子的に走査し、さらにアレイ並びの法線方向には機械走査することで、検査対象100の内部からの反射信号を用いて高SN比の検査画像を生成する。 - 特許庁
The drain of this first N-type transistor N1 is connected to the another terminal of the capacitor, the source is connected to the drain of the second transistor N2, further, the gate is connected to a second voltage Va which is higher than the first voltage.例文帳に追加
この第1のN型トランジスタN1は、ドレインをコンデンサの他方の端子に接続し、ソースを前記第2のN型トランジスタN2のドレインに接続し、さらに、ゲートを第1の電圧よりも高い第2の電圧Vaに接続している。 - 特許庁
The first semiconductor region (the p-layer 6), the intrinsic region (the i-layer 7), the second semiconductor region (the p-layer 8), and the third semiconductor region (the n-layer 9) are arranged in line in order along a surface direction of the silicon film 11.例文帳に追加
第1の半導体領域(p層6)、真性半導体領域(i層7)、第2の半導体領域(p層8)、及び第3の半導体領域(n層9)は、シリコン膜11の面方向に沿って、順に一列に配置されている。 - 特許庁
The tag indicating a result of the operation by the intermediate representation data operating means 109 is described by means of an XML language corresponding to the plurality of image data, and accumulated in an after- processing tag data accumulating means 111 as n-kinds of tag datum.例文帳に追加
中間表現データ演算手段109の演算結果を示すタグを、複数の画像データに対応してXML言語で記述して、n種類のタグ・データとして後処理タグ・データ蓄積手段111に蓄積する。 - 特許庁
The optical transmission system is constructed by providing spare pumping light sources 11, 12 for redundant use to a light source 1_n for Raman amplification used after n times of relaying while no spare pumping light source for redundant use is provided to light sources 1_1 to 1_n-1 for Raman amplification.例文帳に追加
ラマン増幅用光源1_1から1_n−1には冗長用の予備励起光源は設けられておらず、n個中継後のラマン増幅用光源1_nには冗長用の予備励起光源11,12が設けられている。 - 特許庁
On the other hand, if the same data do not exist in the file 3b, the TAG register of TAG data 0 is retrieved, the data are rewritten into the value N and simultaneously the parameter data written in a TEMP register 3f are copied into the register 3b.例文帳に追加
一方、レジスタファイル3bに同一データが存在しない場合にはTAGデータ0のTAGレジスタを検索し、そのデータを最大値Nに書き換え、併せて、TEMPレジスタ3fに書き込んであるパラメータデータを該当のレジスタにコピーする。 - 特許庁
The game machine counts the number of winning in an ordinary chucker provided in the specified area from among ordinary chuckers and computes the total number N of shot pachinko balls per reference time T1 and a winning rate P when the reference time T1 elapses.例文帳に追加
通常チャッカーのうち、特定された領域に設けられた通常チャッカーへの入賞数をカウントし、基準時間T1が経過したときに、基準時間T1当たりのパチンコ球の総打出数N、入賞率Pを算出する。 - 特許庁
The first and second under-crotch adhesive areas G1, G2 for fixing the elastic members 71, 72 forming the leg gathers 70 are formed in the under-crotch part C of the diaper 1A and a non-adhesive area N is formed therebetween.例文帳に追加
おむつ1Aの股下部Cには、レッグギャザー70を形成する第1及び第2弾性部材71,72を固着する第1,第2股下接着領域G1,G2が形成され、その間には非接着領域Nが形成されている。 - 特許庁
A domain score correcting section 230 uses N domains as processing targets, respectively, to correct the domain scores to be processed from the value of Ad_1/2 to Ad_2/2 based on relationship between the domain scores of the processing target and the whole of the plurality of domains.例文帳に追加
ドメインスコア補正部230は、N個のドメインを1つずつ処理対象とし、処理対象のドメインスコアと複数のドメイン全体との関係に基づいて、処理対象のドメインスコアを値Ad_1/2からAd_2/2に補正する。 - 特許庁
Then, Hall currents IH components crossing the N-type layer 1 in the neighborhood of the source wiring layer 8a, in the trench 20 in which the high magnetic flux density B is generated, are increased so that the Hall-voltage VH generated in a Hall-element H can be increased.例文帳に追加
この高い磁束密度Bが発生しているトレンチ20内のソース配線層8a近傍のN型層1を横切るホール電流IH成分を増やし、ホール素子Hに発生するホール電圧VHを高くする。 - 特許庁
The autonomous positioning device 100 can acquire positional information, by using an arrangement place of an optical beacon 102 as a reference spot by allowing the vehicle 101 to pass the optical beacon 102 (102-1 to 102-n) arranged on the road.例文帳に追加
また、自律測位装置100は、車両101が道路に配置された光ビーコン102(102−1〜102−n)を通過することによって、光ビーコン102の配置場所を基準地点として位置情報を取得することができる。 - 特許庁
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