「carrier injection」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To restrain a carrier injection amount from an anode p-layer without degrading reverse voltage or introducing a lifetime killer, and to improve the reverse recovery breakdown strength of a semiconductor device without increasing forward voltage.例文帳に追加

逆耐圧を低下させることなく、また、ライフタイムキラーを導入せずにアノードｐ層からのキャリア注入量を抑え、さらに順方向電圧を上昇させずに半導体装置の逆回復破壊耐量を向上させる。 - 特許庁

Simultaneously with beam illumination of a work piece, a deposition or etch precursor gas is co-injected or premixed with a purification compound and (optionally) a carrier gas prior to injection into a process chamber.例文帳に追加

加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス（任意選択）とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。 - 特許庁

To continuously perform steady, satisfactory image formation by preventing streak fog on an image, which is caused by abrasion of an image carrier, in an image forming device using an injection electrification, cleaner-less process.例文帳に追加

注入帯電、クリーナーレスプロセスの画像形成装置において、像担持体削れにともなう画像上のスジ状カブリの発生を防止して、安定した良好な画像形成を継続して行うこと。 - 特許庁

Thus, imbalance between a light intensity distribution in the longitudinal direction of the resonator and an injection carrier density distribution can be reduced by the unsymmetrical end face reflectivity, so that the semiconductor laser may be prevented from deteriorating the high power characteristics.例文帳に追加

これにより、非対称な端面反射率によって生じる共振器の長さ方向の光強度分布と注入キャリア密度分布のアンバランスを低減でき、高出力特性の低下が防止される。 - 特許庁

Then, the temperature of the single crystal substrate is decreased from 1,070 to 700°C and a surface protective film 20 is formed by a thermal CVD method without exposing the carrier injection layer to the ambient air.例文帳に追加

次に単結晶基板の温度を1,070℃から700℃まで降下させ、キャリア注入層を大気に触れさせないで表面保護膜20を熱CVD法で形成する。 - 特許庁

For example, injection volume ratio of the cleaning liquid to the carrier gas in the first step is 0.1/1000 to 3/1000 and the same ratio in the second step is 3/1000 to 20/1000 are employed.例文帳に追加

例えば、前記第１洗浄工程における搬送気体に対する洗浄液体の注入体積比を０．１／１０００〜３／１０００とし、第２洗浄工程における同体積比を３／１０００〜２０／１０００とする。 - 特許庁

Moreover, an LDD region 33 of the current controlling TFT 202 is formed to overlap a portion of a gate electrode 35, and formed into a structure focusing on prevention of hot carrier injection and reduction of an off-current value.例文帳に追加

さらに、電流制御用ＴＦＴ２０２のＬＤＤ領域３３は、ゲート電極３５と一部が重なるように形成され、ホットキャリア注入の防止とオフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。 - 特許庁

Thus, a process time of resin injection is shortened, and an RCSP wherein sizes of the chip and the carrier are equal is obtained.例文帳に追加

この発明により、樹脂注入の工程時間が短縮し、かつ、チップとキャリアのサイズが同一のＲＣＳＰ（リアルチップサイズパッケージ）が実現できる。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence (EL)element realizing excellent carrier injection efficiency and assuring higher light-emitting luminance with a drive voltage lower than that in the conventional art and also provide an organic EL display.例文帳に追加

優れたキャリア注入効率が実現され、従来よりも低駆動電圧で発光輝度が高い有機ＥＬ素子及び有機ＥＬディスプレイを提供する。 - 特許庁

Thereby in a transfer part, reverse charge injection from the transfer roller 6a to a charged body layer 2b of the image carrier 2 is prevented, and current exceeding the withstand voltage of an IC driver of high voltage is prevented from flowing to the write electrode 3b.例文帳に追加

これにより、転写部において転写ローラ６ａから像担持体２の帯電体層２ｂへの逆電荷注入が阻止され、高電圧のＩＣドライバ８の耐圧を超えた電流が書込電極３ｂに流れるのが防止される。 - 特許庁

The medical solution injector is provided with the injection head 110 on which the syringes 200C and 200P with a data carrier 240 having data including the kind of the filled medical solution recorded therein are mounted.例文帳に追加

薬液注入装置は、充填されている薬液の種類を含むデータが記録されたデータキャリア２４０を備えたシリンジ２００Ｃ、２００Ｐが装着された注入ヘッド１１０を有する。 - 特許庁

To provide a charge injection type light emitting element provided with a protective film of a long service life with a sufficient heat radiating property and a high shielding property to oxygen and moisture to an organic luminescent layer, a carrier transport layer and an electrode.例文帳に追加

有機発光層、キャリア輸送層及び電極に対する酸素及び水分に対する遮蔽性が高く、放熱性の良い、寿命の長い保護膜を備えた電荷注入型発光素子を提供する。 - 特許庁

To suppress induced charge injection into a carrier due to a development field which acts on a development area where an image bearing member and a developer bearing member confront each other, and to form a high quality image.例文帳に追加

像担持体と現像剤担持体とが対向する現像領域に作用する現像電界に起因するキャリアへの誘導電荷注入を抑制し、良質な画像を形成することのできる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

When not carrying out the transfer operation, the opposite electric charge injection from the transfer roll 6a to the electrified body layer 2b of the image carrier 2 does not occur, and an electric current exceeding the breakdown strength of the integrated circuit driver 7 of the writing electrode 3b does not flow.例文帳に追加

転写動作を行わないときに、転写ローラ６ａから像担持体２の帯電体層２ｂへの逆電荷注入は起こらず、書込電極３ｂのＩＣドライバ７の耐圧を超えた電流が流れることはない。 - 特許庁

A buffer layer 15 having one or more layers of ultra-thin film lamination comprising a metallic/organic film to lower a carrier injection barrier is interposed between the organic layer 14 and the negative electrode 16.例文帳に追加

有機層１４と陰極１６との間にキャリア注入障壁を低下させるための金属／有機膜から成る超薄膜積層を１層以上有するバッファ層１５を介在させる。 - 特許庁

A flue gas branch line 39 branched from the flue gas line 10 on the upstream side of the stack 16 is connected to an injection nozzle 37 installed in the ash carrier conveyor 5.例文帳に追加

煙突１６上流側位置の排ガスライン１０より分岐させた排ガス分岐ライン３９を、灰搬送コンベヤ５に設けた注入ノズル３７に接続する。 - 特許庁

To make the charge of developer 31 left after transfer proper and to prevent electrification accelerating particles (m) from excessively adhering to the surface of an image carrier 1 in an injection-electrification and cleaner- less type image forming device using the particles (m).例文帳に追加

帯電促進粒子ｍを用いた注入帯電・クリーナレスの画像形成装置において、転写残の現像剤３１の電荷を適正にすると同時に、像担持体１表面に過剰に帯電促進粒子ｍが付着するのを防ぐ。 - 特許庁

According to laminate structure of the light emitting diode element 10, potential-jump barrier does not impede carrier injection even if bias voltage is applied, so that carriers can be injected with high efficiency into the i-type ZnO light emitting layer 2.例文帳に追加

この発光ダイオード素子１０の積層構造によれば、バイアス電圧を印加しても電位障壁がキャリア注入を阻害せず、ｉ型ＺｎＯ発光層２へ高効率にキャリアを注入できる。 - 特許庁

An LDD region for a current control TFT 4804 is so formed as to be partially or wholly superposed on a gate electrode and has a structure of giving a priority to the securement of the on current value and the prevention of hot carrier injection.例文帳に追加

電流制御用ＴＦＴ４８０４のＬＤＤ領域は、その一部又は全部がゲート電極に重なるように形成されており、オン電流値の確保と、ホットキャリア注入の防止に重点を置いた構造となっている。 - 特許庁

Moreover, an LDD region 33 of the current control TFT 202 is formed so as to overlap a portion of a gate electrode 35 to make a structure which imposes importance on prevention of hot carrier injection and reduction of OFF current value.例文帳に追加

さらに、電流制御用ＴＦＴ２０２のＬＤＤ領域３３は、ゲート電極３５と一部が重なるように形成され、ホットキャリア注入の防止とオフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。 - 特許庁

Moreover, an LDD area 33 of TFT 202 for current control is formed to partly overlap a gate electrode 35, and is structured placing importance on prevention of hot carrier injection and decrease in the off-current value.例文帳に追加

また、電流制御用ＴＦＴ２０２のＬＤＤ領域３３は、ゲート電極３５に一部が重なるように形成され、ホットキャリア注入の防止とオフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。 - 特許庁

The injection nozzle 10 has, on the outer surface 13 in the vicinity of the nozzle port 12, a turbulence generating recessed part 30 capable of disturbing the flow of carrier gas flowing along the outer surface 13 out of the injector 20.例文帳に追加

噴射ノズル１０は、インジェクタ２０から流出して外面１３に沿って流れる搬送ガスの流れを乱すことが可能な乱流発生用凹部３０を噴出口１２近傍の外面１３に有している。 - 特許庁

In an n-channel TFT 302, forming a drive circuit of a TFT structure which is resistant to hot carrier injection, is realized by arranging an Lov region 207 in the TFT 302.例文帳に追加

駆動回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴ３０２にはＬov領域２０７が配置され、ホットキャリア注入に強いＴＦＴ構造が実現される。 - 特許庁

A TFT structure, that is durable against degradation due to hot carrier injection, is realized by arranging an Lov region 207 in an n-channel TFT 302 which constitutes a drive circuit part.例文帳に追加

駆動回路部を形成するｎチャネル型ＴＦＴ３０２にはＬov領域２０７が配置され、ホットキャリア注入による劣化に強いＴＦＴ構造が実現される。 - 特許庁

A carrier injection layer 14 of the avalanche field effect transistor is formed by an InAlAs, an InAINAs, or a GaInNAs layer, thus enabling quick, efficient, and low-noise amplification operation.例文帳に追加

アバランシェ電界効果トランジスタのキャリア注入層１４をＩｎＡｌＡｓ層、ＩｎＡｌＮＡｓ層、あるいはＧａＩｎＮＡｓ層で形成することで、高速・高効率・低雑音の増幅動作が可能となる。 - 特許庁

Each injection hole 11 is inclined downward from the outer peripheral side to the inner peripheral side of the base metal 4, and therefore the injected grinding fluid passes through the base metal 4 of the rotating upper wheel 2 and drops to a central portion of the carrier 6.例文帳に追加

この注入穴１１は、台金４の外周側から内周側に向かって低くなる傾斜を設けた穴であり、注入された研削液は、回転する上側ホイール２の台金４を通ってキャリア６の中央部に落下する。 - 特許庁

To increase the injection efficiency of a hot carrier to a gate insulation film, increase the information-writing speed of a non-volatile memory, and at the same time improve the reliability of the gate insulation film.例文帳に追加

ホットキャリアのゲート絶縁膜３への注入効率を高め、不揮発性メモリの情報書込み速度を高速化するとともに、ゲート絶縁膜の信頼性を高める。 - 特許庁

The injection head 110 is provided with a reader for reading the data from the data carrier of the mounted syringes 200C and 200P and a multi-color LED 114 emitting the light of a plurality of colors.例文帳に追加

注入ヘッド１１０には、装着されたシリンジ２００Ｃ、２００Ｐのデータキャリアからデータを読み出すリーダと、複数色の色を発光可能なマルチカラーＬＥＤ１１４とを有する。 - 特許庁

An LDD area 33 of the current controlling TFT202 is formed so that its part overlaps a gate electrode 35 and has a structure focusing on prevention of hot carrier injection and reduction of the OFF state current value.例文帳に追加

さらに、電流制御用ＴＦＴ２０２のＬＤＤ領域３３は、ゲート電極３５と一部が重なるように形成され、ホットキャリア注入の防止とオフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。 - 特許庁

The use of side release needles and, optionally, a carrier, sealant or film prevents the leakage of the injected agent flowing back out of the injection site.例文帳に追加

側部放出針、および必要に応じて、キャリア、封止剤もしくはフィルムの使用は、注射された薬剤の注射部位から逆流する漏出を防止する。 - 特許庁

An impurity adjustment region 119 with P-type impurities introduced in the heavily doped part 115b is formed in a collector region 116 side part, and carrier (electron) concentration of the part is reduced, whereby the efficiency of minority carrier injection into the buffer region 115 and the drift region 104 from the collector region 116 is improved, and the on-voltage is reduced.例文帳に追加

一方、高不純物濃度部分１１５ｂ中にＰ型不純物を導入した不純物調整領域１１９をコレクタ領域１１６側部に設け、この部分のキャリア（電子）濃度を低減させることで、コレクタ領域１１６からバッファ領域１１５、ドリフト領域１０４への少数キャリア注入効率を向上させ、オン電圧を低減させる。 - 特許庁

The deburring equipment 1 comprises a carrier jig J which performs masking by covering a portion other than the burr removal object portion of the work W and which is carried by a carrier device 2 and a media mixed liquid injection apparatus 3 for injecting a mixed liquid in which a high pressure treatment liquid and a media are mixed to the surface of the burr removal object portion of the work W to remove the burr.例文帳に追加

このバリ取り装置１は、ワークＷのバリ除去対象部以外の部位を覆ってマスキングし、搬送装置２により搬送される搬送治具Ｊと、ワークＷのバリ除去対象部の表面に対して、高圧処理液とメディアとを混合した混合液を噴射してバリを除去するメディア混合液噴射装置３と、を備えている。 - 特許庁

The method for producing the external preparation comprises the injection step of dissolving a pharmaceutically effective chemical ingredient in any one medium selected from among a supercritical fluid, a subcritical fluid, and liquid water of a temperature above 100°C and bringing the medium in which the chemical ingredient is dissolved into contact with a carrier to inject the chemical ingredient together with the medium into the carrier.例文帳に追加

薬学的に有効な化学成分を、超臨界流体、亜臨界流体、又はその温度が１００℃を超える液体状態の水のいずれかより選択される媒体に溶解させ、該化学成分を溶解した該媒体を担体に接触させることにより、該化学成分を該媒体と共に、担体に注入する注入工程を含むことを特徴とする外用剤の製造方法。 - 特許庁

In a fuel pump fitting structure of a fuel injection type engine to perform the cam-drive of a fuel pump 41 to feed the fuel to a fuel injection valve 40 by a cam shaft 8, the fuel pump 41 is passed through a fitting hole 3d formed in a head cover 3, and fixed to a cam carrier 11 of a cylinder head 2 via a bracket 42.例文帳に追加

燃料噴射弁４０に燃料を供給する燃料ポンプ４１をカム軸８によりカム駆動するようにした燃料噴射式エンジンの燃料ポンプ取付け構造において、上記燃料ポンプ４１を、ヘッドカバー３に形成された取付け孔３ｄを挿通してシリンダヘッド２のカムキャリア１１にブラケット４２を介して固定する。 - 特許庁

A resin-made protective container 3 with electromagnetic wave permeability which stores a non-contact type identification information carrier 4 is set to a predetermined position of a die, and molten resin to form an injection-molded product body 2 is injected in the die to integrate the resin-made protective container 3 with the injection-molded product body 2.例文帳に追加

非接触型識別情報担体４を収容した電磁波透過性を有する樹脂製保護容器３を金型の所定位置にセットした状態で金型内に射出成形品本体２となる溶融樹脂を射出して樹脂製保護容器３と射出成形品本体２とを一体成形することを特徴としている。 - 特許庁

To realize stable and excellent injection electrification over a long term by stably and uniformly supplying conductive particles (electrification accelerating particles) 45 to an electrifying part (a) in an image forming device having no cleaner or an image forming device having a cleaning device where an image is formed by electrifying a body to be electrified (image carrier) 1 by direct injection electrification using the particles 45.例文帳に追加

導電粒子（帯電促進粒子）４５を用いた直接注入帯電により被帯電体（像担持体）１を帯電して画像形成を実行する、クリーナレスの画像形成装置あるいはクリーニング装置がある画像形成装置において、帯電部ａに対する安定・均一な導電粒子４５の供給を行い、長期にわたり、安定した良好な注入帯電を実行ささせること。 - 特許庁

To provide an image forming member which has a number of advantages, such as substantially free from or a minimum of dark injection, wherein a photoconductive member has, for example, excellent photoinduction discharge characteristics, cycle and environmental stability, and the frequency of the charge deficiency points of a charge carrier generated by the dark injection is in the permissible extent.例文帳に追加

暗流入（ｄａｒｋ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ）が殆んどないか最小であるなど、多くの長所を備え、これにより光導電性部材が、例えば、優れた光誘導放電特性、サイクル及び環境安定性を持ち、一般に電荷キャリヤの暗流入によって生じる電荷欠乏点の頻度が許容できる程度であるような画像形成部材を提供する。 - 特許庁

For the organic electroluminescent element obtained by laminating a hole injection layer composed of organic compound laminated in contact with an anode, an luminous layer composed of organic compound, an electron carrier layer composed of organic compound, and a cathode, the luminous layer includes phosphorescent material and the hole injection layer includes porphyrin compound.例文帳に追加

陽極、陽極と接して積層された有機化合物からなる正孔注入層、有機化合物からなる発光層、有機化合物からなる電子輸送層及び陰極が積層されて得られる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、発光層はリン光材料を含み、正孔注入層はポルフィリン化合物からなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that enables carrier injection characteristics to be improved as compared with conventional semiconductor devices, such as Schottky barrier diodes and PiN diodes, and consequently, enables improvement in tradeoff between forward voltage drop (Vf) and reverse recovery charge (Qrr).例文帳に追加

従来のショットキーバリアダイオードやＰｉＮダイオード等の半導体装置と比べてキャリア注入特性を改善することができ、その結果、順方向電圧降下（Ｖｆ）と逆回復電荷（Ｑｒｒ）との間のトレードオフを改善することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve characteristics of a high breakdown voltage semiconductor device by embedding an emitter trench between trench gates to reduce a saturation voltage, to increase a carrier injection to a semiconductor substrate, and to increase the breakdown voltage.例文帳に追加

トレンチゲート間にエミッタトレンチを埋込むことにより、飽和電圧を減少させ、また半導体基板へのキャリア注入を増加させ、さらに若干降伏電圧を増加させることにより、高耐圧半導体装置の特性の向上を図ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a ceiling crane with a temporarily installed hopper carrier that allows one crane to simultaneously perform the reloading work of refuse and the injection work into an incinerator hopper, and can improve working efficiency of the ceiling crane.例文帳に追加

１台のクレーンにて同時にごみの積み替え作業と焼却炉ホッパー内への投入作業とを行うことができ、天井クレーンの作業能率を向上させることができるようにした仮置ホッパー台車付天井クレーンを提供すること。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor substrate, in order to enhance carrier injection properties thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

半導体基板のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁

The high nitrogen concentration preventing boron contained in a gate electrode 106b of the p-type transistor from diffusing, and halogens contained in the gate insulating film increase the conductance of the transistor, resulting in enhanced reliability for hot-carrier injection.例文帳に追加

ゲート絶縁膜に窒素濃度が１×１０^20(／ｃｍ^3)以上含まれるためにｐ型トランジスタのゲート電極に含まれるボロンがチャネルに拡散せず、ゲート絶縁膜にパロゲン元素が含まれるため、トランジスタのコンダクタンスが増大し、ホットキャリア注入に対する信頼性が向上する。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor layer in order to enhance carrier injection properties, thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

半導体層のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯の底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor layer in order to enhance carrier injection properties, thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

また、半導体層のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁