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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > element currentに関連した英語例文

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element currentの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 7999



例文

In this EL display device, gradation display is executed by a time division drive method controlling luminescence/nonluminescence of an EL display element 109 provided in a pixel 104 by time to prevent influence by unevenness in a characteristic of a current controlling TFT(Thin Film Transistor) 108.例文帳に追加

画素104に設けられたEL素子109の発光、非発光を時間で制御する時分割駆動方式により階調表示を行い、電流制御用TFT108の特性バラツキによる影響を防ぐ。 - 特許庁

In an electric instantaneous water heater, power sources of a D.C. power current, a single-phase 100 V/200 V, and three-phase 200 V are introduced as shown in Fig.1 from conductive wires 6 in Fig.1, and connected to a linear planer heating element 12 in Fig.2.例文帳に追加

本発明の電気式瞬間湯沸器、図1に直流電源電流、単相100V・200V、3相200Vの電源を図1の導線6から取り入れ、図2の線状面状発熱体12に接続する。 - 特許庁

In the operational amplifier 34, an element with the characteristic features of decreasing an output voltage from the voltage follower or a gate voltage Vg, when an input signal power S1 added to the gate increases resulting in an increase of a gate current Ig.例文帳に追加

演算増幅器34は、ゲートに加えられる入力信号電力S1が増加して、ゲート電流Igが増加したとき、ボルテージフォロワの出力電圧、すなわちゲート電圧Vgが低下する特性の素子が選択されている。 - 特許庁

The protective element is provided with low-melting-point metal 5 which is blown out by heating, and a heating resistor 4 which heats the low-melting-point metal 5 with Joule heat generated by current conducted by being thermally coupled with the low-melting point-metal 5.例文帳に追加

保護素子は、加熱すると溶断される低融点金属5と、この低融点金属5に熱結合されて、通電される電流で発生するジュール熱で低融点金属5を加熱する加熱抵抗4とを備える。 - 特許庁

例文

Then, the sampling transistor 10A is brought into a non-conducted state, while the first and the second switching transistors 10D, 10F are brought into conducted states, a current is supplied to a light emitting element 10G by driving the drive transistor 10E.例文帳に追加

さらに、その後サンプリングトランジスタ10Aを非導通状態にするとともに第1および第2スイッチングトランジスタ10D,10Fを導通状態として、駆動トランジスタ10Eを駆動して発光素子10Gに電流を供給する。 - 特許庁


例文

Since the light emitting element is driven, even if the subcarrier does not exist, by the same electric power as that available when the subcarrier exists and can emit the direct current light, a base band spectrum of low frequency that is not needed for the data communication can be reduced.例文帳に追加

副搬送波がなくても発光素子は副搬送波があるときと同じ電力で駆動されて直流光を発光するので、データ通信には不要な低い周波数のベースバンドスペクトラムを低減させることができる。 - 特許庁

When the transistor controlling the supply of the current to the light emitting element is an n-channel type, on the other hand, the level of a higher potential supplied to the gate and the level of the potential of the power supply line are made different by colors of corresponding light emitting elements.例文帳に追加

逆に発光素子への電流の供給を制御するトランジスタがnチャネル型の場合、ゲートに与えられる高電位側の電位の高さと、前記電源線の電位の高さとを、対応する発光素子の色毎に変える。 - 特許庁

To provide a method for predicting deterioration of a semiconductor device in a short period of time and and a method for predicting deterioration of a semiconductor device with high accuracy by finding a correlation between deterioration prediction of an actual semiconductor device and a DC (Direct Current) stress test method for a simple body TEG (Test Element Group).例文帳に追加

本発明により、実際の半導体装置の劣化予測と単体TEGのDCストレス試験法との相関を求めることにより、短時間で半導体装置における劣化予測を行う方法を提供する。 - 特許庁

This tool is provided with a motor 2 as power, switch part 3 controlling carrying of a current in the motor in accordance with operation of a trigger lever 7, and a switching element 50 connected in series between the motor 2 and a power source to control a rotational speed of the motor 2.例文帳に追加

動力としてのモータ2と、トリガーレバー7の操作に応じてモータへの通電を制御するスイッチ部3と、モータ2と電源との間に直列接続されてモータ2の回転速度制御を行うスイッチング素子50とを備える。 - 特許庁

例文

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator capable of having a low threshold current on a semipolar surface of a support base body in which a c-axis of hexagonal group III nitride is tilted toward an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のc軸がm軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

例文

An anode 10 includes an anode active material layer 102 in which a first layer 1 and a second layer 2 respectively containing silicon and a metal element as anode active materials are alternately layered on an anode current collector 101.例文帳に追加

負極10は、負極集電体101上に、珪素および金属元素を負極活物質として各々含有する第1および第2の層1,2が交互に積層されてなる負極活物質層102を有する。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor laser element with a laser resonator, allowing a low-threshold current on a semipolar surface of a supporting base wherein the c-axis of a hexagonal group-III nitride is tilted toward the a-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のc軸がa軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor laser element 11 includes a laser waveguide extending in a direction of a line of intersection of the m-n plane and semipolar plane 17a so as to utilize light emission of band transition allowing a low threshold current.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子11は、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用するために、m−n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。 - 特許庁

A deterioration detecting part 63 to detect the deterioration of the micromotion actuator 52 by using an electric current flowing in the piezo-electric element which constitutes the micromotion actuator 52, and a performance recovery part 64 to recover the deterioration when the deterioration is detected are provided.例文帳に追加

微動アクチュエータ52を構成するピエゾ素子に流れる電流により、微動アクチュエータ52の劣化を検出する劣化検出部63、劣化が検出されたときにその劣化を回復させるための性能回復部64を具備する。 - 特許庁

In the scribe region SAR, there is an N channel field effect transistor TSm(m=1 to 2M) which is switched between ON/OFF according to a control signal, and generates a current for disconnecting the fuse element Fm(m=1 to 2M) when switched to be ON.例文帳に追加

スクライブ領域SARには、制御信号に応じてON/OFFが切り換わり、ONとなることによりヒューズ素子Fm(m=1〜2M)を断線させる電流を発生するNチャネル電界効果トランジスタTSm(m=1〜2M)がある。 - 特許庁

When the switch element Q1 is changed from the on-state to the off-state, a voltage formed by adding the voltage of induced electromotive force generated by passing the current to the secondary winding to the voltage V1 of the low-voltage power source is applied to the primary winding N1.例文帳に追加

スイッチ素子Q1がオンからオフに変化すると、低電圧電源の電圧V1に2次巻線に電流が流れることにより生じる誘導起電力の電圧が加わった電圧が1次巻線N1に印加される。 - 特許庁

The two voltage signals are compared, and when there is a big difference between them, it is determined that a primary insulating layer is broken and is brought into a short-circuited state, and a current supply to the heating element (1) is stopped by actuating a temperature fuse (12) to guarantee the safety.例文帳に追加

(ハ)この2個の電圧信号を比較して、大きな差があるときは、一次絶縁層(5)が破壊され短絡状態にあると判断し、温度ヒューズ(12)を動作させ発熱体(1)への通電を停止し、安全性を保障する。 - 特許庁

Further, a constant-current circuit 12 which has a diode (D2) inserted as a temperature compensating element between a TR2 and the source (S) and gate(G) of the TR2, between the input power (Vin) and the cathode side of the Zener diode D1.例文帳に追加

また、入力電源(Vin)とツェナーダイオード(D1)のカソード側との間には、TR2とそのTR2のソース(S)/ゲート(G)間に温度補償用素子としてのダイオード(D2)を挿入した定電流回路12を具備している。 - 特許庁

To provide an electrochemical element of high-energy density which has superior output and cycle characteristics and shows a large capacity, due to electric double layer, even at a high current density, as a hybrid cell system comprising both redox capacity and electrostatic capacity.例文帳に追加

レドックス容量と電気二重層による静電容量を併せ持つハイブリッド型のセルシステムとして、出力やサイクル特性にすぐれ、高電流密度下でも高い容量を示すエネルギー密度の高い電気化学素子を提供する。 - 特許庁

To provide an LED, which is enhanced in brightness and luminous performance by a method where an element drive current is uniformly diffused throughout an open light-emitting region, where the LED is equipped with a light-emitting layer, a window layer of oxide, and a wiring pedestal electrode.例文帳に追加

発光層、酸化物からなる窓層、および結線用台座電極を有する半導体発光ダイオードにおいて、素子駆動電流を開放発光領域に均一に拡散させ、高輝度、高発光効率のLEDを提供する。 - 特許庁

The V/III ratios at the time of growing the intermediate layer 15 and current diffusing layer 16 are set so that the number of crystal defects observed on the crystalline surface of the light emitting element may become20 defects.例文帳に追加

上記中間層15の成長時のV/III比および電流拡散層16の成長時のV/III比を、結晶表面に観察される結晶欠陥の数が半導体発光素子1個当り20個以下となるような値に設定する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 10 includes: a lower electrode layer 11; a semiconductor substrate 12; a lower clad layer 13; an active layer 16; a cap layer 17; a level difference confinement layer 19; current constriction structures 21A and 21B; and an upper electrode layer 23.例文帳に追加

半導体発光素子10は、下部電極層11、半導体基板12、下部クラッド層13、活性層16、キャップ層17、段差閉じ込め層19、電流狭窄構造21A,21B、および上部電極層23を含む。 - 特許庁

According to this device, the switching rate can be controlled and production of a surge current and a surge voltage is suppressed within the rating of the switching element 2 by slowing down the switching rate within a sufficient margin with respect to the specification.例文帳に追加

本発明によれば、スイッチング速度を制御可能となり、仕様に対して十分な範囲でスイッチング速度を遅くすることによって、サージ電流やサージ電圧の発生をスイッチング素子の定格内に抑圧することができる。 - 特許庁

As the temperature protection element unit is constructed so that the current flows through it only when charging, but does not flow when discharging, discharge with a high rate at high temperatures is possible.例文帳に追加

二次電池に温度保護素子と直列に接続されたダイオード及びこれらと逆方向に並列に接続されたダイオードが接続され、充電時には前者の経路を、放電時には後者の経路を通じで電流が流れる構造にする。 - 特許庁

Since the access of heat of the semiconductor laser element 3 is carried out through the carrier 1 of high heat conductivity; a thermal resistance in a heat-transmission path is decreased, and the maximum optical output to a certain injected current can be increased.例文帳に追加

半導体レーザ素子3の熱の出入りが、高熱伝導性のキャリア1を介して行われるため、伝熱経路の熱抵抗が小さくなり、ある注入電流に対する最大光出力を増大させることができる。 - 特許庁

To provide a current collecting electrode for photocatalyst which is provided in contact with a photocatalytic body and is capable of efficiently collecting produced carriers, a photoreaction element, photocatalytic reaction apparatus and a photoelectrochemical reaction execution method.例文帳に追加

光触媒体に接触して設けられ、生成されるキャリアを効率よく収集することのできる光触媒用集電電極、光反応素子、光触媒反応装置および光電気化学反応実行方法の提供。 - 特許庁

To provide a drive unit of a light-emitting display panel for accurately supplying a drive current of a previously set value and suppressing waste of drive power for an EL element in a scanning state.例文帳に追加

走査状態のEL素子に対して、予め設定された値の駆動電流を正確に供給することができると共に、駆動電力の浪費を抑制することができる発光表示パネルの駆動装置を提供すること。 - 特許庁

With the second form, pushd returns 0 unless the directory stack is empty, a non-existent directory stack element is specified, or the directory change to the specified new current directory fails. 例文帳に追加

2 番目の形式を使った場合にも、pushdは基本的には 0 を返します。 ただし、ディレクトリスタックが空の場合・ディレクトリスタックの存在しない要素が指定された場合・指定された新しいカレントディレクトリへのディレクトリ変更が失敗した場合は除きます。 - JM

For polarizing this laminated piezoelectric element 1 produced by alternatively laminating a piezoelectric ceramics layer 2 and an internal electrode layer 3, by applying a direct current voltage, a DC polarization is performed and thereafter, by applying a pulse voltage, a pulse polarization is performed.例文帳に追加

圧電セラミック層2と内部電極層3とが交互に積層されてなる積層型圧電素子1を分極するに際し、直流電圧を印加してDC分極を行った後、パルス電圧を印加してパルス分極を行う。 - 特許庁

To prevent malfunction immediately after the chip selection even when not only off-leak current is reduced but also leak element other than the off-leak exists in the decoder circuit of semiconductor memory device.例文帳に追加

本発明は、半導体記憶装置のデコーダ回路において、オフリーク電流を削減するのみでなく、オフリーク以外のリーク成分がある場合でも、チップ選択直後の誤動作を防止できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

To provide a reliable and long-life zener zap PROM circuit used for a long time even when a zener zap element including a thin Al filament formed by zapping at a low current of about 10 to 20 mA is used.例文帳に追加

10〜20mA程度の低電流でザップして形成した細いAlフィラメント線から成るツェナーザップ素子を用いても、信頼性的に長寿命で、長期間にわたって使用が可能なツェナーザップPROM回路を提供する。 - 特許庁

According to this control, an excess current from the photoelectric conversion element PD is quickly discharged when the input signal level is high so as to quicken the trailing of the I-V conversion output waveform thereby suppressing distortion (thickened waveform) in the output waveform.例文帳に追加

この制御により、大信号時は、光電変換素子PDからの余剰電流を速く放電させ、I−V変換出力波形の立ち下がりを速くして、出力波形の歪み(太り)を押さえることが可能となる。 - 特許庁

The storage element stores information by reversing magnetization of the storage layer by utilizing spin torque magnetization reversal generated in association with a current flowing in a lamination direction of a layer structure having the storage layer, the intermediate layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which electrostatic breakdown of a switching transistor due to surge voltage can be prevented, an element with low breakdown strength can be used in an electrostatic breakdown device and switching of output current can be performed at high speed.例文帳に追加

サージ電圧によるスイッチングトランジスタの静電破壊を防止でき、静電破壊装置に耐圧の低い素子を用いることができ、且つ、出力電流のスイッチングを高速に行うことができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The active element 20 is provided with a semiconductor layer 13 to turn on/off a current between electrodes (11 and 12), and the semiconductor layer 13 is formed of a synthetic resin composition having a dispersed organic semiconductor material.例文帳に追加

半導体層13を介して電極(11,12)間に流れる電流のON/OFFを行うようにした能動素子20において、該半導体層13を、有機半導体材料が分散された合成樹脂組成物で構成する。 - 特許庁

As a result, the external in-rush current occurring outside the semiconductor device 21 can be taken in from the second lead 26, and thus the semiconductor device and its manufacturing method capable of protecting the semiconductor element can be provided.例文帳に追加

そのことで、半導体装置21外部で発生する外部突入電流を第2のリード26から取り込むことができ、半導体素子を保護することができる半導体装置およびその製造方法を提供することができる。 - 特許庁

To provide a piezoelectric film in which leakage current is very small even when a crystal having a perovskite structure with piezoelectricity is obtained by a sol-gel method, a piezoelectric element and an inkjet recording head each characterized by including the piezoelectric film.例文帳に追加

ゾルゲル法で圧電性を有するペロブスカイト構造の結晶を得た場合にも、リーク電流のきわめて少ない圧電体膜、圧電体膜を含むことを特徴とする圧電体素子及びインクジェット記録ヘッドの提供を目的とする。 - 特許庁

From the treatment outcomes in the database is calculated an average difference between the preoperative prescription and the postoperative profile for at least some of the previously treated patients having a classification element in common with the current patient.例文帳に追加

上記データベースにおける上記治療結果から、現在の患者と共通の分類要素を有する少なくとも幾人かの先行治療患者に対する術前処方と術後プロフィルとの間の平均差が算出される。 - 特許庁

After the demagnetization of the solenoid valve, while a movable core 112 and the pusher element 113 are displaced in a direction opposite to the moving direction generated by a magnetic field of the solenoid 111, a braking current is applied to the solenoid 111 of the solenoid valve.例文帳に追加

可動コア112とプッシャー要素113がソレノイドバルブの消磁に続いてソレノイド111の磁界により生成される移動方向と反対方向に変位する段階の間、ソレノイドバルブのソレノイド111にブレーキ電流を印加する。 - 特許庁

To provide an on-chip detector using a resistor shunt inherent Josephson junction device making use of an integrated resistive element (shunt resistor) that splits current flowing into the inherent Josephson junction of copper oxide high-temperature superconductor.例文帳に追加

銅酸化物高温超電導体の固有ジョセフソン接合に流れる電流を分流する抵抗素子(シャント抵抗)を内蔵させ、それを利用する抵抗シャント固有ジョセフソン接合装置を用いたオンチップ検出器を提供する。 - 特許庁

The data driver 2 further includes a selective supply means including a drive switch for selectively supplying the drive current from the one power source to an anode terminal of each light-emitting element constituting the one display pixel.例文帳に追加

前記データドライバ2には、1つの表示画素を構成する各発光素子のアノード端子に対して、前記1つの電源より選択的に駆動電流を供給するドライブスイッチを含む選択供給手段が備えられている。 - 特許庁

The number of stators straddled by a movable element of the linear motor is determined, current instructions of a plurality of the linear motors are simultaneously changed in a ramp shape by an estimated position obtained from a speed instruction, and a thrust ripple and the speed ripple are reduced.例文帳に追加

リニアモータの可動子が跨っている固定子数を判別すると同時に速度指令から得られる推定位置により複数のリニアモータの電流指令をランプ状に変化させ推力リプル、速度リプルを小さくする。 - 特許庁

To provide a highly reliable non-volatile memory element and a manufacturing method thereof, in which the generation of a leakage current between cells is prevented by suppressing the generation of a void in a device isolation layer when forming a conductive layer for a floating gate.例文帳に追加

フローティングゲート用導電膜の形成時に、素子分離膜内のボイドの生成を抑制することで、セルとセル間の漏れ電流を防止して信頼性の高い不揮発性メモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a first impedance element for removing noise is connected electrically to a transmission line, a current peak position of a noise frequency which lies beyond a prescribed limiting value are measured or selected by simulated calculation (step S5).例文帳に追加

第1のノイズ除去用インピーダンス素子を伝送線路上に電気的に接続しても所定の限度値から外れているノイズ周波数の電流ピーク位置を、測定あるいはシミュレーションによる算出で選定する(ステップS5)。 - 特許庁

When a shutter button 50 is fully pressed down, a main controlling part 111 writes an image picked up by a two-dimensional image pickup element 30 to a memory part 102 and also obtains a current gravity direction from a gravity direction sensor 112.例文帳に追加

シャッターボタン50の全押しが発生したならば、主制御部111は、二次元撮像素子30で撮像された画像をメモリ部102に書き込ませると共に、重力方向センサ112から現在の重力方向を取り込む。 - 特許庁

An overshoot circuit (4), whose positive and negative power sources have the same potential, is provided at an H-bridge circuit (3) for making light current flow through the light coil (182) of a light element (18-1) according to a light drive signal, to make the flyback voltage vertically symmetrical.例文帳に追加

ライト素子(18−1)のライトコイル(182)に、ライトドライブ信号に応じてライト電流を流すHブリッジ回路(3)に、プラス、マイナス電源が同電位であるオーバーシュート回路(4)受け、フライバック電圧を上下対称とする。 - 特許庁

To provide a magnetic storage element, a magnetic storage device and a magnetic memory which can reduce a current density necessary for transiting a magnetic domain wall from a stationary state to a movement state and stably transit the magnetic domain wall.例文帳に追加

磁壁が静止した状態から移動状態に遷移させるために必要な電流密度を低減化することができるとともに、磁壁の移動を安定に行うことができる磁気記憶素子、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。 - 特許庁

When the magnet switch 2 and the starter relay 4 are turned off, since an energizing circuit from the starter motor 1 side to the pull-in coil 2c is shut off by turning the switching element 6 off, generation of surge electric current can be controlled and generation of noise can be suppressed.例文帳に追加

さらに、マグネットスイッチ2やスタータリレー4がOFF する際は、スイッチング素子6のOFF によってスタータモータ1側からプルインコイル2cへの通電回路が遮断されているため、サージ電流の発生が抑制され、ノイズの発生が抑えられる。 - 特許庁

To stop a current from flowing from the power source of a module which is not powered off between a main module and a sub module which operate with the same source voltage and are connected to each other to the power source of the other module even through a resistance element when the latter module is powered off.例文帳に追加

同じ電源電圧で動作し相互に接続されているメインモジュールおよびサブモジュールにおいて、サブモジュールの電源がオフの場合、メインモジュールの電源からサブモジュールのプルアップ抵抗を通じて電流が流れてしまう。 - 特許庁

例文

When the current of the inverter is reset to a sound state, the output 71 is stopped, and the counter 62 counts down a down counter reference signal 72 based on a reference decided by considering a temperature of the switching element of the inverter.例文帳に追加

インバータ電流が健全状態へ復帰すると出力71が停止され、インバータのスイッチング素子の温度を考慮に入れて決定された基準に基づくダウンカウンタ基準信号72により、カウンタ62をダウンカウントする。 - 特許庁




  
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