「element current」に関連した英語例文の一覧と使い方(137ページ目) - Weblio英語例文検索

The heating element (1) has at least two electrodes (5, 5') to supply current to the heating element (1) and includes a plurality of heating parts (11, 11', 11''), covering at least one part of a heating base material surface (4) and arranged between the electrodes (5, 5'), and connected with electric conductivity.例文帳に追加

本発明は、加熱要素（１）であって、該加熱要素（１）に電流を供給するための少なくとも２つの電極（５，５’）を特色として有すると共に、被加熱基材表面（４）の少なくとも一部を覆って前記電極（５，５’）間に配置されそれらに電気伝導で接続された複数の加熱部（１１，１１’，１１”）を含む前記加熱要素（１）に関する。 - 特許庁

The information is written by using the intrasurface component and the perpendicular component of the magnetic field which is generated by current flowing through the intrasurface perpendicular common writing line 5 and metallic wiring 11 as the recording magnetic field respectively for the intrasurface anisotropic tunnel magnetoresistive storage element 9 and the perpendicular anisotropic tunnel magnetoresistive storage element 6 in writing information.例文帳に追加

情報を書き込む際には、面内垂直共有書き込み線５及び金属配線１１に流れる電流により生じる磁界の面内成分及び垂直成分を、それぞれ面内異方性トンネル磁気抵抗記憶素子９及び垂直異方性トンネル磁気抵抗記憶素子６に対する記録磁界として用いることで情報を書き込む。 - 特許庁

The present invention provides a method of inspecting an electro-optic device having a step for impressing an alternating current voltage to the electro-optic substance, and a step for reducing a cell gap between a picture element electrode and a counter electrode, in the electro-optic device having constitution sandwiched with the electro-optic substance between the picture element electrode and the counter electrode.例文帳に追加

本発明は、画素電極と対向電極との間に電気光学物質を挟持した構成の電気光学装置において、前記電気光学物質に交流電圧を印加するステップと、前記画素電極と前記対向電極との間のセルギャップを減少させるステップとを有する電気光学装置の検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lamp lighting system capable of alleviating electric power loss through reduction of current flowing in a detection element during lamp lighting, in a system judging whether a lamp loaded matches or not by detecting an impedance value of a detection element and capable of preventing damages of the lamp or a lighting circuit in the case of false connection.例文帳に追加

検出用素子のインピーダンス値を検出することによって、装着されたランプが整合か否かを判定し、誤接続の場合にランプや点灯用回路の破壊を防止できるランプ点灯システムにおいて、ランプ点灯中に検出用素子に流れる電流を減らし、電力ロスを軽減することのできるランプ点灯システムを提供することを目的とする。 - 特許庁

To optimize the effect of a stacked-type photovoltaic element by restraining short circuit current of a defective region by inactivating defects of a first semiconductor layer in the stacked-type photovoltaic force element which is formed by stacking a first semiconductor layer/a first transparent conductive layer/a second semiconductor layer/a second transparent conductive layer on a substrate.例文帳に追加

基板上に第一の半導体層／第一の透明導電層／第二の半導体層／第二の透明導電層を積層してなる積層型光起電力素子において、第一の半導体層の欠陥を不活性化することにより欠陥領域の短絡電流を抑制し、積層型光起電力素子の効果を最大限に利用できるようにする。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit is provided with an electrically programmable fuse element 11 arranged between a voltage node for a program and a latch node, a latch circuit 15 for latching the voltage of the latch node and a current source 16 for controlling the scale of the operating currents of the latch circuit, and for deciding whether or not the fuse element has been already programmed.例文帳に追加

半導体集積回路は、プログラム用電圧ノードとラッチノードとの間に設けられた電気的にプログラム可能なヒューズ素子１１と、前記ラッチノードの電圧をラッチするラッチ回路１５と、前記ラッチ回路の動作電流の大きさを制御して、前記ヒューズ素子がプログラム済みか否かを判定する抵抗判別値を制御する電流源１６とを具備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the insulating film of a capacitive element formed on the same substrate as that of a sidewall insulating part of a MOS transistor at the time of forming the insulating part of the transistor so as not to damage it or to suppress a leakage current even when the film is damaged to hold the high reliability of the element and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのサイドウォール絶縁部の形成時に、これと同一基板上に形成される容量素子の絶縁膜が損傷を受けないように、あるいは損傷を受けてもリーク電流を抑制して容量素子の高信頼性を保てるようにした半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The optical head apparatus includes a laser driving circuit (9) supplying, to a laser element (20), a driving current regulated so that light output from the laser element includes continuous two or more peaks and each interval between two peaks is 200 ps (picosecond) or less, wherein the temperature of an information recording layer of an optical disk is increased in a short time to form a recording mark.例文帳に追加

この発明は、レーザ素子（２０）に、レーザ素子から出力される光が連続した２以上のピークを含み、そのピーク相互間の間隔が２００ｐｓ（ピコ秒）以下となるよう規定された駆動電流を供給するレーザ駆動回路（９）を含み、短期間で光ディスクの情報記録層の温度を昇温して記録マークを形成することを特徴とする。 - 特許庁

In a laminated piezoelectric element 1 constituted by alternately laminating a piezoelectric layer 11 and internal electrode layers 121, 122, defective goods are separated by monitoring a detection current which is generated by impressing a dc voltage to the laminated piezoelectric element 1 so that the internal electrode layers 121, 122 adjoining through the piezoelectric layer 11 may have different potentials.例文帳に追加

圧電層１１と内部電極層１２１、１２２とを交互に積層してなる積層型圧電体素子１において、圧電層１１を介して隣接する内部電極層１２１、１２２が異なる電位となるよう積層型圧電体素子１に直流電圧を印加することで発生する検出電流をモニタすることで不良品を分別する。 - 特許庁

A control circuit 1c detects step-out state from the time interval of a position detection signal S2, turns a switching element Q2 on continuously when the step-out state is detected, and turns a switching element Q5 on/off repeatedly by PWM control to feed motor drive coils 2w and 2u with a PWM controlled motor current containing a ripple component thus performing DC excitation.例文帳に追加

制御回路１ｃは位置検出信号Ｓ２の時間間隔から脱調状態を検出し、脱調状態検出時には、スイッチング素子Ｑ２を連続的にオンさせ、スイッチング素子Ｑ５をＰＷＭ制御でオン・オフを繰り返させることで、モータ駆動コイル２ｗ，２ｕにＰＷＭ制御されてリプル成分を含むモータ電流を流して直流励磁する。 - 特許庁

A part of an electrode for injecting a current into the light emitting element is constituted by jointing an electrode pad 6 provided on the first substrate 21 by leading out to a part of the light emitting element other than the functional part 8 with an electrode pad 13 on a wiring pattern formed on a second substrate 22 different from the first substrate 21 such that both pads are conducted electrically.例文帳に追加

発光素子へ電流を注入するための電極の一部は、発光素子の機能部８以外の部分に引き出して第１の基板２１に設けられた電極パッド６と、第１の基板２１とは異なる第２の基板２２に形成された配線パターン上の電極パッド１３とを電気的導通が得られる様に接合して成る。 - 特許庁

The controller charges/discharges the electrical storage device while changing current values under a condition that a voltage difference between plural electrical storage blocks be generated and, when the voltage difference is detected based on the output of the voltage sensor, detects that an electrical storage element in a capacity deteriorated state and an electrical storage element in an internally shorted state are contained in the electrical storage block.例文帳に追加

コントローラは、複数の蓄電ブロックの間で電圧差を発生させる条件で電流値を変化させながら蓄電装置の充放電を行い、電圧センサの出力に基づいて電圧差を検出したときには、蓄電ブロック内に容量劣化状態の蓄電素子および内部短絡状態の蓄電素子が含まれていることを検出する。 - 特許庁

In this case, when a voltage V_ESD based on electrostatic discharge is applied to the input terminal In, a discharge current Id not absorbed by the electrostatic discharge protection element 10a flows to the ground terminal GND via the electrostatic discharge protection element 20 and parasitic resistors (Rex2, Rch and Rex1) between the drain and the source of the Nch transistor N1 which has been turned on.例文帳に追加

ここで、入力端子Ｉｎに静電気放電による電圧Ｖ_ＥＳＤが印加された場合、静電気保護素子１０ａによって吸収できない放電電流Ｉｄが静電気保護素子２０およびオンとなったＮｃｈトランジスタＮ１のドレイン・ソース間の寄生抵抗（Ｒｅｘ２、Ｒｃｈ、Ｒｅｘ１）を介して接地端子ＧＮＤに流れる。 - 特許庁

When the recording paper passes an installation location of the printing detecting sensor 78, the printed surface of the recording paper is reflected, and based on the difference in magnitude of a current occurring at a light receiving element, in proportion to the light quantity of laser beams incident on the light receiving element, detection signals different in type are transmitted from the printing detecting sensor 78 to a control device 92.例文帳に追加

そして、記録紙が印字検知センサ７８の設置位置を通過するときに記録紙の印刷面で反射して受光素子へ入射するレーザ光の光量に比例して受光素子で発生する電流の大きさの違いにより、印字検知センサ７８から制御装置９２へ異なる種類の検知信号が送信される。 - 特許庁

Thus, when a charged article is brought by static electricity into contact with or close to a reproducing magnetic head 13, terminals 15a and 15b, conductors 14a and 14b or the like, a discharge current flowing through an MR element 13c is suppressed, and electrostatic breakdown is prevented in the reproducing magnetic head 13 such as the MR element 13c.例文帳に追加

これによって、再生用磁気ヘッド１３や端子１５ａおよび１５ｂ、導線１４ａおよび１４ｂ等に対して静電気による帯電物が接触または接近し、静電気放電が生じた場合に、ＭＲ素子１３ｃに流れる放電電流が抑制され、ＭＲ素子１３ｃ等の再生用磁気ヘッド１３における静電破壊が防止される。 - 特許庁

The lorentz actuator has a conductive element for generating a force by the interaction of a main magnet system and an auxiliary magnet system which are disposed in a haulback configuration with a current carried by a conductive element, and a synthesized magnetic field of first and second magnetic fields generated by the main magnet system and the auxiliary magnet system respectively.例文帳に追加

ローレンツ・アクチュエータは、ホールバック構成で配置された主磁石システム及び補助磁石システムと、導電要素によって搬送される電流の相互作用及びそれぞれ主磁石システム及び補助磁石システムによって生成される第１及び第２の磁界の合成磁界を介して力を生成するための導電要素とを備えている。 - 特許庁

In this case, as the bias voltage is supplied via a direct current generating circuit 31 having a high impedance, a Q factor of an LCR consonant oscillation circuit comprised of the high impedance, and a capacity as a parasitic element of the bonding pad 13 and an inductance as a parasitic element of the bonding wire 12, can be reduced based upon the high impedance.例文帳に追加

この際、バイアス電圧が、高インピーダンスを有する直流電流発生回路３１を介して供給されるので、この高インピーダンスと、ボンディング・パッド１３の寄生要素である容量と、そのボンディング・ワイヤ１２の寄生要素であるインダクタンスと、からなるＬＣＲ共振回路のＱ値を、上記した高インピーダンスに基づいて小さくすることができる。 - 特許庁

The additional pn junction at the peripheral part of the light emission area is removed by making high the resistance of the whole semiconductor layer from an element surface to an active layer at the peripheral part of the light emission area and a current spread right below a contact electrode is minimized to actualize the low capacity and high-speed operation of the element.例文帳に追加

本発明は発光領域周辺部において、素子表面から活性層にいたるまでのすべての半導体層を高抵抗化することにより、周辺部での付加的なｐｎ接合を取り除くとともに、コンタクト電極直下での電流広がりを最小限にすることにより、素子の低容量化・高速動作が可能となる。 - 特許庁

When stress affected by the element separation region is considered, the distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where fluctuation of logical threshold voltage is to be suppressed so that fluctuation of current between the drain and the source by stress is balanced between a p-channel MOS transistor and an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

また、素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる論理閾値電圧の変動を抑制すべき回路には、そのようなストレスによるドレイン・ソース間電流の変動がｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタとｎチャンネル型ＭＯＳトランジスタとの間でバランスするようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁

An integrator 41 of the DC component removing circuit 4 makes a DC component, generated from a sunbeam etc., of an input current Ip generated by receiving light by the light receiving element 3 flow to the DC component removing circuit 4 and also makes only an AC component of high frequency generated by the light receiving element 3 by receiving the signal light flow to the feedback circuit 22.例文帳に追加

直流成分除去回路４の積分器４１は、受光素子３で光を受けて生成された入力電流Ｉｐのうち、太陽光等から生成される直流成分を直流成分除去回路４に流し、信号光を受けて受光素子３から生成される高周波の交流成分のみを帰還回路２２に流す。 - 特許庁

The current mode control DC-DC converter 1 of the invention inhibits a RS-FF 21 from being set for a predetermined time by using an inhibition means comprising a delay circuit 14 and a D-FF 13, and prevents the switching element M30 from being erroneously switched by the jitter generated when switching to turn on and off the switching element M30.例文帳に追加

発明の電流モード制御方式のＤＣ−ＤＣコンバータ1は、遅延回路１４とＤ−ＦＦ１３により構成される阻止手段により、所定時間、ＲＳ−ＦＦ２１がセットされるのを阻止し、スイッチング素子Ｍ３０のオン・オフの切換え時に発生するジッタによりスイッチング素子Ｍ３０が誤ってスイッチングされるのを防止するものである。 - 特許庁

When no input is applied to an input circuit 15, not only a gate drive circuit 23 to apply ON / OFF switching to the drive switching element 12 is deactivated to bring the drive switching element 12 into an OFF state but also the input circuit 15 brings each of the current interruption switching elements 33, 34 into an OFF state to interrupt the dark currents.例文帳に追加

入力回路１５に対する入力がオフ状態のときには、駆動スイッチング素子１２をオンオフ切り換えするためのゲート駆動回路２３がオフ状態となって駆動スイッチング素子１２がオフ状態になるだけでなく、入力回路１５から各電流遮断用スイッチング素子３３，３４をオフ状態にして暗電流を遮断する。 - 特許庁

The end part of secondary coil winding 146 of a transformer is connected directly to a rectification element chip 138 by a connection line 140, and at the same time the end part of an inductor coil 130 is directly connected to a rectifying element chip 138 via a soldering part 136, thus reducing the number of soldering parts and hence reducing unneeded power consumption when a current is supplied.例文帳に追加

変圧器の二次巻線１４６の端部を接続線１４０により整流素子チップ１３８に直接接続すると共に、インダクタコイル１３０の端部を半田部１３６を介して整流素子チップ１３８に直接接続し、半田部の数を削減して、電流が供給された時に不要な電力消費を減少させる。 - 特許庁

When an FET 13 is put in an ON state, constant currents I2 are supplied from a constant current source 2 to a resistance element 5 according to an input signal VIN, and currents running through the gate of an FET 13 are determined by an output side mirror pair 19.例文帳に追加

ＦＥＴ１３をＯＮ状態とする場合、入力信号ＶＩＮに応じて抵抗素子５に定電流源２による定電流Ｉ２を供給し、出力側ミラー対１９によりＦＥＴ１３のゲートを介して流れる電流を決定する。 - 特許庁

The power supply voltage Vdd is supplied via a power source line L to the other end of the capacitor element but in the write period, the driving current does not flow and therefore, the power supply voltage Vdd is not dropped by the wiring resistance of the power source line L.例文帳に追加

電源線Ｌを介して電源電圧Ｖｄｄが容量素子の他端に供給されるが、書込期間においては駆動電流が流れないので、電源線Ｌの配線抵抗によって電源電圧Ｖｄｄが降下することがない。 - 特許庁

To provide a light emitting device capable of suppressing variations in the luminance of a light emitting element among pixels due to characteristic variations of a driving transistor, without suppressing the off-current of a switching transistor to a low level and increasing the storage capacity of a capacitor.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタのオフ電流を低く抑え、容量素子の大容量化を図らずとも、駆動用トランジスタの特性のばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度ムラを抑えることができる発光装置の提案を課題とする。 - 特許庁

For this surface defect checking (S5), defect points on the magnetic disk are checked and registered by determing whether the thermal asperity phenomenon occurs or not based on a sense current applied to a magnetoresistive element included in the magnetic head.例文帳に追加

この表面欠陥検査（Ｓ５）では、ヘッドに含まれる磁気抵抗効果素子に印加されたセンス電流に基づいて、サーマルアスペリティ現象が生じたか否かを判断することで、磁気ディスクに生じている欠陥箇所を検査して登録する。 - 特許庁

To provide a method by which a semiconductor element which is increased in withstand voltage and current capacity and reduced in on resistance by remarkably improving the trade-off relation between the on resistance and withstand voltage can be manufactured easily with high mass productivity.例文帳に追加

オン抵抗と耐圧とのトレードオフの関係を大幅に改善させ、高耐圧であり、且つオン抵抗を低減させて電流容量を増大させた半導体素子を、簡易に量産性良く製造し得る半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor (FET), chief of which is diamond, which can accommodate high-frequency operation and an increase in current density and has an excellent controllability for threshold voltage, and has little variation in element characteristics in the plane of a wafer and little variation among lots.例文帳に追加

ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいＦＥＴの提供。 - 特許庁

As an external lead terminal for electrically connecting an electrochemical cell element and an external circuit, an exposed part in which a metal reed which is an extension of a part of a metal current collector is drawn out to the outside of the cell from a sealing part of the outer package is used.例文帳に追加

電気化学セル素子と外部回路とを電気的に接続する外部リード端子として、金属集電体の一部が延長された金属リードが外装体の封止部からセル外部に引き出された露出部を用いる構造とする。 - 特許庁

Before the solenoid valve 2 is operated, a CPU 11 switches a rated voltage control circuit 15 to the ON-state or the OFF-state with a predetermined period, applies the dither current to the solenoid valve 2, and vibrates a valve element of the solenoid valve 2 with a small amplitude in the vicinity of the returning position.例文帳に追加

電磁弁２の作動前に，ＣＰＵ１１は，定格電圧制御１５を一定周期でオン状態とオフ状態に切り換えて，ディザ電圧を電磁弁２に印加し，電磁弁２の弁体を復帰位置付近で微振動させる。 - 特許庁

To protect an inverter quickly, while reducing the size and capacity of a protector by short-circuit the output section of an inverter, when a load circuit is abnormal rather than lowering the DC intermediate voltage of the inverter through a switching element rated for a high current.例文帳に追加

大電流対応のスイッチング素子によってインバータの直流中間電圧を低下させる方法によらず、負荷回路異常時にインバータ出力部を短絡させるようにしてインバータ保護装置の小型化、小容量化、迅速な保護を図る。 - 特許庁

When current is supplied to a two layered actuator coil in the recording head 100, a slider element is displaced according to displacement operation of a rod constituted of a magnetostrictive material since the rod is displaced in a direction orthogonal to an air bearing surface 60.例文帳に追加

記録ヘッド１００において２層アクチュエータコイルに電流が供給されると、磁歪材料により構成されたロッドがエアベリング面６０と直交する方向において変位することにより、そのロッドの変位動作に応じてスライダ素子が変位する。 - 特許庁

To improve the planarity of a capacitor lower electrode surface and to prevent the increase of the leakage current of a dielectric capacitor, when preparing a capacitor element, using a dielectric to be crystallized by heat treatment at a high temperature over a long period of time.例文帳に追加

高温で長時間にわたる熱処理によって結晶化する誘電体を用いたキャパシタ素子を作成する場合に、キャパシタ下部電極表面の平坦性を改善し、ひいては誘電体キャパシタのリーク電流の増加を防止する。 - 特許庁

In the magnetic head using a magnetoresistance effect element, the magnetization of two free magnetic layers is set to be in mutually opposite directions and at nearly 45° to a surface facing a medium by a current magnetic field for detection, thus obtaining reproduction output approximately two times larger than before.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおいて、感知用の電流磁界により二つの自由磁性層の磁化を、互いに反対方向であって、媒体対向面に対し凡そ45°とすることで、従来に比べて約2倍の再生出力を得る。 - 特許庁

Consequently, the holding capacitor C1 is reset to a reset voltage above Vdd-Vth and a driving transistor Qd is turned off to cut off current supply to the organic EL element 21, which therefore stops emitting light.例文帳に追加

これにより、保持キャパシタＣ１はＶｄｄ−Ｖｔｈ以上のリセット電圧にリセットされて、駆動用トランジスタＱｄはオフ状態となり、有機ＥＬ素子２１への電流の供給が遮断されるので、有機ＥＬ素子２１の発光が停止する。 - 特許庁

In controlling the frequency of an alternating magnetic field for heating the fixation film by the on-time of a switching element, an alternating frequency of an alternating current is varied by avoiding a frequency band from f1 to f2 including a resonance frequency band of the fixation film.例文帳に追加

定着フィルムを加熱する交番磁場の周波数をスイッチング素子のオン時間によって制御する際に、定着フィルムの共振周波数帯を含むｆ1からｆ2までの周波数帯を避けて交番電流の交番周波数を可変させる。 - 特許庁

Since the transistor has extremely low off current, the transistor is turned off after data is input to a node, which is a connection point between the transistor and the capacitor element, and can hold the data for a long time even after the stop of power supply voltage.例文帳に追加

当該トランジスタは、オフ電流が極めて低いため、トランジスタと容量素子の接続点であるノードにデータが入力された後、トランジスタがオフ状態となり、電源電圧の供給が停止しても、長期間にわたりデータを保持することができる。 - 特許庁

This structure facilitates setting of the density of current supplied to an EL element corresponding to each emissive region to substantially the same value among the different emissive regions, which allows for realization of uniform rate of degradation of luminance, that is, lifetime in each emissive region.例文帳に追加

これにより、各発光領域に対応するＥＬ素子に供給する電流密度を各発光領域で実質的に等しくすることが容易となり、輝度の劣化速度つまり寿命をどの発光領域においても揃えることができる。 - 特許庁

A negative resistance R being a cause of a starting time delay and a starting circuit part 5 (switch element) for improving the shortage of determined impact (exciting current) with load capacity are provided to obtain relatively large oscillation excitation by short circuit of capacitors 34 and 35 for a certain fixed period.例文帳に追加

起動時間遅延の原因でもある負性抵抗Ｒ、負荷容量で決定の衝撃（励振電流）不足を改善する起動回路部５（スイッチ素子）を設け、ある一定期間コンデンサ３４，３５の短絡により、比較的大きな発振励起を得る。 - 特許庁

To provide a high frequency switch device and communication apparatus in which a gate leak current of a field effect transistor is suppressed small and further, characteristics of the field effect transistor integrated into an MMIC as an element unit can be inspected from the outside.例文帳に追加

電界効果型トランジスタのゲートリーク電流を小さく抑え、しかもＭＭＩＣに組み込まれた電界効果型トランジスタの素子単体としての特性を外部から検査することができる高周波スイッチ装置及び通信機を提供する。 - 特許庁

The protecting element has an elastic member 20 fixed via a solder 21 to a second conductor layer 15 and energizing electrode terminals 16, 17 formed on a predetermined substrate 11 to divide an energizing passage into a plurality of current cut-off parts.例文帳に追加

保護素子は、通電経路を複数に分割して電流遮断部とするように所定の基板１１の上に形成された第２の導体層１５及び通電電極端子１６，１７に弾性部材２０が半田２１を介して固着されている。 - 特許庁

To provide a non-contact power supply device that can keep constant an output voltage at a secondary side at all times when a voltage fluctuation occurs, without causing thermal concentration and current concentration to a switching element that excites a secondary-side winding.例文帳に追加

２次側巻線を励磁するスイッチング素子に熱集中や電流集中を生じさせることなく、電圧変動発生時において、２次側の出力電圧を常に一定に維持することのできる非接触電源装置を提供する。 - 特許庁

In the concrete, mobility correction processing is quickly completed by setting the second driving transistor 26 conductive to increase a current supplied to an organic EL element 21 when the signal voltage Vsig is at a low luminance gray tone equal to or lower than a predetermined level.例文帳に追加

具体的には、信号電圧Ｖｓｉｇが所定レベル以下の低輝度階調のときに、第２駆動トランジスタ２６を導通状態にして有機ＥＬ素子２１に流す電流を増加させることで、移動度補正処理を早く収束させる。 - 特許庁

An insulating side wall spacer 50 is formed on an side surface of the step formed between an upper surface of an element region and an upper surface of the trench isolation structure 41, and blocks a current leakage path between the source/drain region 34 and the electrode plug 49.例文帳に追加

素子領域の上面とトレンチ分離構造４１の上面との間に形成された段差の側面に絶縁性サイドウォールスペーサ５０が形成され、ソース／ドレイン領域３４と電極プラグ４９との間の電流リークパスを遮断している。 - 特許庁