「element current」に関連した英語例文の一覧と使い方(141ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, in case that the voltage of the capacitor 70 is lower by a specified value than the voltage VD of the power source 60, it determines that a forward current is flowing to the diode Dp on the high potential side, and switches off the switching element Swp on the high potential side.例文帳に追加

また、コンデンサ７０の電圧が電源６０の電圧ＶＤよりも所定以上低い場合に、高電位側ダイオードＤｐに順方向電流が流れていると判断し、高電位側スイッチング素子Ｓｗｐをオフ状態とする。 - 特許庁

When the control terminal is set at high potential, the switching element 30 turns to an on-state, a connection point of a fuse with the relay 10 is forcefully dropped to a grounding potential, and a current exceeding an allowed value flows in the fuse 70 to have it blown out.例文帳に追加

制御端子が高電位になると、スイッチング素子３０はオン状態となり、ヒューズ７０とリレー１０の接続点が強制的に接地電位に落とされ、ヒューズ７０に許容値以上の電流が流れてヒューズ７０が溶断される。 - 特許庁

To provide a test circuit of a light receiving amplifier circuit for inspecting as well a resistance value of wiring connecting an output part of light receiving element and an input part of a current-voltage conversion circuit and reducing a chip cost; and an optical pickup device using the same.例文帳に追加

受光素子の出力部と電流電圧変換回路の入力部とを接続する配線の抵抗値も検査でき、チップコストを低くすることが可能な受光増幅回路のテスト回路、及びこれを用いた光ピックアップ装置を提供する。 - 特許庁

Then p-type InAsP current blocking layers 2 are formed to fill up the recessed sections of the diffraction grating surface by introducing the substrate 1 into an atmosphere containing a gas containing an element that becomes a p-type impurity, and raising the temperature of the substrate 1 up to 600°C.例文帳に追加

次に、基板を、ｐ型の不純物となる元素を含む気体を含む雰囲気中に導入して６００℃まで昇温することにより、ｐ型ＩｎＡｓＰからなる，回折格子面を埋めるｐ型電流阻止層２を形成する。 - 特許庁

To provide a discharge lamp lighting device which can adopt a Zener diode with wide range of dispersion used for bypassing a gate current of a switching element during a preheat timer period, capable of surely continue an oscillation despite the fluctuation of circumferential temperature.例文帳に追加

予熱タイマ期間に、スイッチング素子のゲート電流のバイパスに用いられるツェナ−ダイオ−ドにバラツキ範囲の大きい部品を採用でき、かつ、周囲温度の変動に対しても確実に発振が継続できる放電灯点灯装置を提供する。 - 特許庁

To provide an automatic switch securely controlling an inputting operation by protecting an element of a control circuit with a filter circuit and inputting a movable contact into a fixed contact through supply of sufficient current into an input coil at the inputting operation.例文帳に追加

フィルタ回路により制御回路の素子を保護すると共に、投入動作時に投入コイルに十分な電流を供給して可動接触子を固定接触子に投入させ、確実に投入動作を制御する自動開閉器を提供する。 - 特許庁

A noninverting input terminal of the comparator 25 is connected to a connection node of the current source 21 and the capacitor 22, the reference voltage Vref is applied to an inverting input terminal of the comparator 25, and an output signal of the comparator 25 is supplied to the switching element.例文帳に追加

比較器２５の非反転入力端子は電流源２１とキャパシタ２２の接続ノードが接続され、比較器２５の反転入力端子には基準電圧Ｖrefが印加され、比較器２５の出力信号がスイッチング素子に供給される。 - 特許庁

Further, the vapor is efficiently moved from the membrane 28 to a Peltier element 58 by the circulating current generated by the fan 66, and the cooled, condensed and recovered liq. is dropped into a pan 54, collected by a recovery tank 64 and reutilized.例文帳に追加

また、循環ファン６６が発生させる循環流により、蒸気が多孔質膜２８からぺルチェ素子５８へ効率よく移動し、冷却凝縮された回収液が受け皿５４に落ち、回収タンク６４で集水され、再利用される。 - 特許庁

To provide a switching power supply circuit in which a switching element and an inductive load can be protected against deterioration and breakdown, by preventing generation of a power supply in-rush current, when control of power supply starting process is switched in a self-bias switching power supply.例文帳に追加

自己バイアス方式のスイッチング電源において、電源起動過程の制御切り換え時に電源突入電流の発生を防止して、スイッチング素子や誘導性負荷の劣化・破壊からの保護が可能なスイッチング電源回路の提供を行う。 - 特許庁

To solve a problem associated with the appearance of variation of applied voltage-transmittance characteristics in the lapse of time influenced by a bias voltage in MDL (monodomain layer) treatment of a CDR (continuous director rotation) type liquid crystal display element with application of a direct current voltage which results in display unevenness and lowering of display quality.例文帳に追加

ＣＤＲ方式の液晶表示素子を直流電圧を印加してＭＤＬ処理すると、バイアス電圧の影響で印加電圧−透過率特性の経時変化が現れ、表示ムラが発生して、表示品位が低下する。 - 特許庁

A current-carrying circuit element structure with a wholly or partially small thickness, which undergoes abrasion-resistant and electric leakage-resistant treatment, is installed on the inner surface of a bracket 2, so that an accident causing damage to the wiring can be prevented and so that labor for construction work and the space can be saved.例文帳に追加

ブラケット２，内面に、耐磨耗耐漏電処理を施した全面、又は部分的に厚みの少ない通電回路素子構造体（図７、図８、図１１等）を設置する事により、・配線損傷事故 ・工事省力化 ・少ペース化をはかる。 - 特許庁

The mobility correcting means executes a mobility correcting operation for negative-feeding back a drive current to the holding capacity C1 to be corrected in response to the mobility μ of the drive transistor T5, when the light emitting element EL is in an off-state in one part of the writing period.例文帳に追加

移動度補正手段は、書き込み期間の一部で且つ発光素子ＥＬがオフ状態にあるとき、駆動電流を保持容量Ｃ１に負帰還して駆動トランジスタＴ５の移動度μに応じた補正をかける移動度補正動作を行う。 - 特許庁

To obtain a spin valve type thin-film magnetic element which has bias conductive layers, is capable of controlling the direction of the fluctuation magnetization of a free magnetic layer by impressing current to these bias conductive layers and has excellent heat resistance and reliability.例文帳に追加

バイアス導電層を備え、前記バイアス導電層に電流を印加することによりフリー磁性層の変動磁化の方向を制御することができ、耐熱性、信頼性に優れ、アシンメトリーの小さいスピンバルブ型薄膜素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a highly reliable constricted oxide layer type surface emission semiconductor laser element, by reducing a stress being applied to the boundary of an Al oxide layer and a current injection region, i.e., the forward end of the Al oxide layer (central side of mesa post).例文帳に追加

Ａｌ酸化層と電流注入領域との境界、つまりＡｌ酸化層の先端部（メサポスト中央部側）に加わる応力を低減して素子信頼性の良好な酸化層狭窄型の面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

This element is equipped with a ridge waveguide part, into which a current is injected and a step part provided by this ridge waveguide part, and is so structured that the step part is made shorter than the ridge waveguide part, by providing an InGaAs contact layer 10 only at the ridge waveguide part.例文帳に追加

電流が注入されるリッジ導波路部と、このリッジ導波路部脇に設けられた段差部とを備え、ＩｎＧａＡｓコンタクト層１０をリッジ導波路部のみに設けて、段差部の高さがリッジ導波路部よりも低い構造とする。 - 特許庁

To use a low-capacity, inexpensive electromagnetic drive unit as a switching element for regenerating energy and improve change-over response of a current direction, in an electromagnetic device for engine valve that uses an induced electromotive force generated in an electromagnetic coil to regenerate energy.例文帳に追加

電磁コイルに生じる誘導起電力を利用してエネルギー回生を行う機関弁の電磁駆動装置において、エネルギー回生に用いるスイッチング素子として低容量で安価なものを使用でき、かつ、電流方向の切り替え応答を改善する。 - 特許庁

Consequently, when applying electric current to an LED made from a compound semiconductor under a high temperature and high humidity condition, lowering of the light emitting output of the light emitting element over time can be prevented and luminance efficiency can be improved.例文帳に追加

これにより、化合物半導体を材料とするＬＥＤにおいて高温、高湿度下の状況で通電した場合の当該発光素子の時間経過における発光出力の低下を防ぐとともに発光効率の向上を図ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element such as a MOSFET provided with parallel pn layers wherein an n-type region and a p-type region are alternately arranged as a drift layer that prevents concentration of current in a reverse recovery process of a built-in diode so as to enhance the reverse recovery breakdown.例文帳に追加

ドリフト層としてｎ型領域とｐ型領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を備えるＭＯＳＦＥＴ等において、内蔵ダイオードの逆回復過程における電流集中を防止し、逆回復耐量を向上させる。 - 特許庁

Since the stress from the insulating film 9 is centralized to the defective region 8 in the post-process, an occurrence of the defective region in the vicinity of an upper surface of the substrate 1 on which the current flows at the time of operation of the semiconductor element is prevented.例文帳に追加

後工程において絶縁膜９から受けるストレスを、欠陥領域８に集中させることができるので、半導体素子の動作時に電流が流れる基板１の上面近傍に欠陥領域が生じるのを防ぐことができる。 - 特許庁

The plurality of rectifier element parts 15 (25) for inspection are connected between each of a plurality of connection terminals 14 (24), and positive power supply interconnects 13a (23a) and ground interconnects 13b (23b), and include rectifier elements 15a, 15b (25a, 25b) to emit light with current.例文帳に追加

複数の検査用整流素子部１５（２５）は、複数の接続用端子１４（２４）のそれぞれと正電源配線１３ａ（２３ａ）及び接地配線１３ｂ（２３ｂ）との間に接続され、整流素子１５ａ，１５ｂ（２５ａ，２５ｂ）を含み電流により発光する。 - 特許庁

After an element temperature of the air-fuel ratio sensor is raised to some degree and reaches a first prescribed temperature equivalent to an exhaust gas temperature (S2, S3), a bypass side valve of the switching valve device is opened, and the exhaust gas is bypassed, and conducting a current to a heater is started (S5, S6).例文帳に追加

空燃比センサの素子温度がある程度上昇して、排気温度相当の第１の所定温度に達した後は（Ｓ３，Ｓ４）、切換弁装置のバイパス側バルブを開いて、排気をバイパスさせると共に、ヒータへの通電を開始する（Ｓ５，Ｓ６）。 - 特許庁

The above two configurations bring a synergy effect, so that the brightness is prevented from farther lowering due to deterioration of the organic light emitting layer, and also keeping the current flowing through the light emitting element at a desired value without being influenced by the characteristic of the TFT.例文帳に追加

上記２つの構成が相乗効果をもたらし、より有機発光層の劣化による輝度の低下を防ぐことができ、なおかつＴＦＴの特性に左右されずに発光素子に流れる電流を所望の値に保つことができる。 - 特許庁

By inputting a detection signal (current value) of the magnet 14 by the hole element 12 to a controller 9, the controller 9 determines a rotation amount and a rotation direction of the spool 4 to drive/control an electric motor 6 for rotating the spool 4.例文帳に追加

ホール素子１２によるマグネット１４の検出信号（電流値）がコントローラ９に入力されることで、コントローラ９はスプール４の回転量および回転方向を判断して、スプール４を回転するための電動モータ６を駆動制御する。 - 特許庁

To provide a transistor of a static electricity protective circuit of a semiconductor element and its manufacturing method for preventing a junction leak current when an electrostatic discharge (ESD) voltage is applied to the static electricity protective circuit to improve the ESD characteristic.例文帳に追加

本発明は、静電気保護回路でＥＳＤ電圧印加の際に発生する接合漏洩電流を防止し、ＥＳＤ特性を向上させることができる半導体素子の静電気保護回路のトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The lead-out 1 has a lead 2 which is electrically connected to a module 11 (superconducting part) composed of a superconducting current limiting element for electric conduction between parts inside and outside the cooling medium tank 12a, and an insulator 3 provided on an outer periphery of the lead 2.例文帳に追加

引出部１は、超電導限流素子からなるモジュール１１(超電導部)に電気的に接続されて冷媒槽１２ａの内外で電気的導通をとるリード部２と、このリード部２の外周に設けられる絶縁部３とを有する。 - 特許庁

To provide a current-carrying control circuit of a heater which does not cause breakdown of a switching element by output from an AC generator caused by engine rotation, even when operating an engine in a battery removed state and a regulator troubled state.例文帳に追加

バッテリーを外された状態やレギュレーターが故障した状態等においてエンジンを作動した場合でも、エンジン回転に伴う交流発電機からの出力でスイッチング素子が破壊されないヒーターの通電制御回路を提供すること。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device that is provided with an organic photoelectric conversion element for applying a voltage to an electrode and that is capable of reducing injection of charges (electron and hole) from an intermediate level to a photoelectric conversion layer to effectively reduce dark current.例文帳に追加

電極に電圧を印加するタイプの有機光電変換素子を備える固体撮像素子において、中間準位からの電荷（電子，正孔）の光電変換層への注入を抑制して、暗電流を効果的に減少させること。 - 特許庁

In the stress impedance element, when an AC current is applied, an impedance is changed by depending on an external stress, a core is formed as a core wire 11 composed of a conductive material, and its outer circumferential part is formed as a magnetostrictive layer 12 comprising magnetostriction.例文帳に追加

本発明の応力インピーダンス素子は、交流電流を印加するときインピーダンスが外部応力に依存して変化するもので、芯部を導電性材料から成る芯線11とし、その外周部を磁歪を有する磁歪層12としたものである。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

The super-junction semiconductor element makes a current flow in an ON state, and provides an n^-high-resistance layer 32a located between a semiconductor substrate region 32 which becomes depletion in an OFF state and a low-resistance layer 31, for having the same conductivity type as the low-resistance layer 31 and a low impurity concentration.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する半導体基体領域３２と低抵抗層３１との間に低抵抗層３１と同じ導電型で、かつ不純物濃度が低いｎ^-高抵抗層３２aを設ける。 - 特許庁

To solve the problem that the occurrence of short-circuit between pixel electrodes and between bumps of a driving IC chip due to aggregation of conductive particles for use for connection between a substrate of a display and the driving IC chip increases current consumption and causes poor display and element deterioration.例文帳に追加

表示装置の基板と駆動ＩＣチップ接続に使用する導電性粒子の凝集により、画素電極間や駆動ＩＣチップのバンプ間でショートが発生し、消費電流の増大や表示不良および素子劣化の原因となっている。 - 特許庁

To provide a means which reduces contact resistance generated by direct jointing of metals at the time of taking out electric current from a battery element to an outside circuit and thereby, reduces internal resistance of the battery and can improve output characteristics.例文帳に追加

電池要素から外部回路へと電流を取り出す際に金属同士の直接的な接合により生じる接触抵抗を低減させ、これにより電池の内部抵抗を低減させ、出力特性を向上させうる手段を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the device capable of eliminating a potential instability at a body part of a MOS transistor formed on an element forming region and assuring a current large enough for a size of the formed transistor.例文帳に追加

素子形成領域に形成したＭＯＳトランジスタのボディ部における電位不安定を解消するとともに、形成したトランジスタのサイズに見合った電流を確保することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing an organic EL element has a pasting process of pasting by overlapping, heating, and pressurizing an organic layer including a light-emitting layer and a cathode electrode layer, or an organic layer including a light-emitting layer and an anode electrode layer, and further, electric current is applied at the time of the heating and pressurizing.例文帳に追加

発光層を含む有機物層と陰電極層、または、発光層を含む有機物層と陽電極層とを重ね合わせ、加熱・加圧して貼り合わせを行う貼り合わせ工程を有し、上記加熱・加圧時にさらに通電を行う。 - 特許庁

The above-described two means multiply such practical effects to more securely prevent the luminance from being lowered by the possible degradation of organic light emitting layers, and make it possible to hold on such a current flowing into the light-emitting element at a desired value without being affected by electrical characteristics of TFTs.例文帳に追加

上記２つの構成が相乗効果をもたらし、より有機発光層の劣化による輝度の低下を防ぐことができ、なおかつＴＦＴの特性に左右されずに発光素子に流れる電流を所望の値に保つことができる。 - 特許庁

Therefore, a current having a steep rising waveform is supplied to the semiconductor laser 132, and laser light represented by a steep rising waveform is output to a wavelength conversion element 134 from the semiconductor laser 132.例文帳に追加

従って、半導体レーザ１３２には、急峻な立ち上がりを有する波形の電流を供給でき、半導体レーザ１３２から、急峻な立ち上がりのピーク波形により表されるレーザ光が波長変換素子１３４に対して出力される。 - 特許庁

A writing end detection circuit 3 detect the end of the data writing in the memory element 1 by detecting the stopped flowing of the drain current Ids during writing, and sends a stop signal S2 to the writing power source circuit 2.例文帳に追加

書き込み終了検出回路３は、書き込み中にドレイン電流Ｉｄｓが流れなくなったことを検出することで、メモリ素子１へのデータの書き込みが終了したことを検出し、書き込み用電源回路２に停止信号Ｓ２を送る。 - 特許庁

A waveguide suspension 2 and a module-type mechanism to an acoustic waveguide 4 have a damping element 6 to be used with the waveguide 4 for generating torsional strain waves or longitudinal strain waves by transmitting current pulses.例文帳に追加

音響導波管４に対する導波管サスペンション２及びモジュール式構造であり、電流パルスを伝送することによってねじれ歪波あるいは縦歪波を発生する導波管４と共に使用するための減衰素子６を有している。 - 特許庁

By using the voltage-limiting element, when an MOSFET controlling the current of a light-emitting diode module goes into an off-state, the potential of a drain electrode of the MOSFET becomes limited, and a withstand voltage requirement of the MOSFET is lowered.例文帳に追加

本発明は電圧制限素子を利用することで、発光ダイオードモジュールの電流を制御するＭＯＳＦＥＴがオフの状態になるとき、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極の電位を制限し、ＭＯＳＦＥＴの耐電圧要求を低くする。 - 特許庁

At this time, the driving current of a DBR 40 of a DBR semiconductor laser 21a is varied and the oscillation wavelength of the semiconductor laser 21a is adjusted to the phase matching wavelength of the light wavelength converting element 22 to control the generated harmonics P2 fixedly.例文帳に追加

その際に、ＤＢＲ半導体レーザ２１ａのＤＢＲ部４０の駆動電流を変化させ、半導体レーザ２１ａの発振波長を光波長変換素子２２の位相整合波長に合わせて、発生する高調波Ｐ２を一定に制御する。 - 特許庁

Target concentration criteria (to be called “target concentration” 2 ) of respirable dust for the improvement of work place environment where ITO, etc., are handled is set as 0.01 mg/m3（as element indium）by taking account of the current control level at plant sites.例文帳に追加

ＩＴＯ等の取扱い作業における当面の作業環境の改善の目標とすべき濃度基準（以下「目標濃度」2という。）は、事業場における現行の管理水準を考慮し、吸入性粉じんとして0.01mg/m3（インジウムとして）とする。 - 厚生労働省

Even if the power frequency element in the difference current signal is not less than a relay set value, a judgment mean 7 judges it as being an external accident and prevents unnecessary operation of the relay, if the output of the difference operation means 6 is below a fixed value.例文帳に追加

判定手段７においては、差電流信号中の電源周波数成分がリレー整定値以上であったとしても、差分演算手段６の出力が一定値以下であれば、外部事故であると判定しリレーの不要動作を防ぐ。 - 特許庁

Since the polarizer and the polarized light separating element are constituted of the waveguide type optical parts formed on the same substrate, the number of parts of an optical system and adjustment places of an optical path are reduced, and the inexpensive and reliable optical fiber current sensor is provided.例文帳に追加

偏光子及び偏光分離素子が、同一基板上に作製された導波路型光部品で構成されるため、光学系の部品数と光路の調整箇所を低減でき、低コストで信頼性の高い光ファイバ電流センサが提供できる。 - 特許庁

If it is determined that the difference between the element withstand voltage and the surge current exceeds a predetermined threshold voltage and the surge voltage has a margin, the gate voltage control section 22 receives a command of a gate voltage higher than a normal value (reference value) to reduce steady loss.例文帳に追加

素子耐圧とサージ電圧との差分が所定のしきい電圧を超えておりサージ電圧に余裕があると判定した場合、ゲート電圧制御部２２に対して通常値（基準値）よりも高いゲート電圧を指令して定常損失を低減する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a FinFET which can prevent loss of an element isolation film and improve current driving capability without causing deterioration of off-leakage characteristic, even if three faces working as a channel of a fin active region pattern are released.例文帳に追加

素子分離膜の損失を防止し、フィンアクティブ領域パターンのチャネルとして機能する３つの面が開放されても、オフ漏れ特性が低下することなく電流駆動能力を向上させることができるＦｉｎＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁