「element current」に関連した英語例文の一覧と使い方(136ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, in the semiconductor light-emitting element 1, occurrence of state change in the crystal can be suppressed even after conducting a comparatively large application current for a long time, and deterioration of the characteristics can be minimized.例文帳に追加

したがって、この半導体発光素子１では、比較的大きな印加電流を長時間通電させた場合であっても結晶内部に状態変化が生じることを抑制でき、特性の劣化を抑制することが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a tunnel insulation film in which a tunneling current is hard to flow in a low electric field and is easy to flow in a high electric field, and equipped with a memory element in which an electrical property is improved.例文帳に追加

低電界ではトンネル電流が流れ難く、かつ、高電界ではトンネル電流が流れ易いトンネル絶縁膜を有してなり、電気的特性の向上が図られた記憶素子を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, during use, the fuse will blow, in response to an excessive current resulting from a short-circuit discharge, which breaks the electrical connection with the capacitor element and limits the risk of fire or other damages that remain in the circuit elements.例文帳に追加

従って、使用中に、ヒューズは、短絡放電から生じる過剰な電流に応答して切れ、キャパシタ素子との電気的接続を遮断すると共に、回路素子に残留する発火のおそれ又は他の危険性を制限する。 - 特許庁

The light intensity controller 5 employs the light intensity fluctuation range stabilizing signal to generate a light emitting element drive control current for LD light intensity control, resulting in LD light intensity fluctuation range stabilization.例文帳に追加

発光強度制御部５は、その光強度可変幅安定化信号を利用して、ＬＤの発光強度を制御するための発光素子駆動制御用電流を作り出して、ＬＤの発光強度可変幅の安定化を図る。 - 特許庁

The switching element section 10 supplies a current I1 from the power supply voltage VDD to the exciting coil L1 when a drive signal S1 is turned on and generates flyback currents I2, I3 from the exciting coil L1 when the drive signal S1 is turned off.例文帳に追加

スイッチング素子部１０は、駆動信号Ｓ１のオンによって電源電圧ＶＤＤから励磁コイルＬ１に電流Ｉ１を供給し、駆動信号Ｓ１のオフによって励磁コイルＬ１からフライバック電流Ｉ２，Ｉ３を発生させる。 - 特許庁

To provide an easy-to-fabricate light receiving element having a small dark current in which middle infrared light in the range of 1.65-3.0 μm can be received by forming a light receiving layer of good crystallinity with little defect on an InP substrate.例文帳に追加

ＩｎＰ基板の上に結晶性の良い欠陥の少ない受光層を形成することによって１．６５μｍ〜３．０μｍの中赤外光を受光できる製造容易で暗電流の小さい受光素子を与えること。 - 特許庁

In a display body 17 configured by arranging a display element P including a plurality of color particles and a plurality of magnetic particles, a current is supplied to an induction circuit 174 formed under a display area to generate a magnetic field.例文帳に追加

複数の色粒子と、複数の磁性粒子とを含む表示素子Ｐが並べられて構成される表示体１７において、この表示領域の下方に設けられた誘導回路１７４に電流を供給して磁界を発生させる。 - 特許庁

To minimize electrode connection failure by improving a bad surface condition of a current breaking layer due to a ridge structure, so that crystallinity and a surface condition of a second conductive type cap layer are improved, in a method for manufacturing a semiconductor laser element.例文帳に追加

本発明は、リッジ構造による電流遮断層の不良な表面状態を改善することにより第2導電型キャップ層の結晶性及び表面状態を向上させ、電極接合不良を最少化する。 - 特許庁

On 1st and 2nd mounting surfaces 41, 42 where the 1st and 2nd photo-detectors of the optical branching element are mounted, 1st and 2nd wiring parts 27, 28 for passing current through the 1st and 2nd photo-detectors are formed.例文帳に追加

光分岐素子の第１および第２受光素子がそれぞれ装着される第１および第２装着面４１，４２には、第１および第２受光素子に通電するための第１および第２配線部２７，２８が形成される。 - 特許庁

The pressure to act on a second region through the projections in which the current amount becomes smaller than a first region of the storage element is made larger than the pressure to act on the first region through the projections.例文帳に追加

蓄電素子のうち第１の領域よりも電流量が少なくなる第２の領域に対して突起部を介して作用する加圧力を、第１の領域に対して突起部を介して作用する加圧力よりも大きくしている。 - 特許庁

To provide a power unit which relieves the stress to a switching element caused by the charge current to a smoothing capacitor immediately after power on, without adding high breakdown strength and high-capacity parts, thereby suppressing increase in cost.例文帳に追加

電源投入直後における平滑コンデンサへの充電電流に起因して生じるスイッチング素子へのストレスを、高耐圧、高容量の部品を追加することなく軽減し、もってコスト増を抑制した電源装置を提供する。 - 特許庁

As for a video signal inputted to a pixel from a source signal line, a desired potential is applied to the gate electrode of a TFT 107 for supplying a current to an EL element 109 via a TFT 105 connected across the gate and drain.例文帳に追加

ソース信号線より画素に入力される映像信号は、ゲート・ドレイン間を接続したＴＦＴ１０５を経て、ＥＬ素子１０９に電流を供給するためのＴＦＴ１０７のゲート電極に所望の電位が印加される。 - 特許庁

To provide a circuit and a method for controlling a FET or the other transistor element, provided for supplying electric power to a circuit substrate capable of being inserted into an active back plane, and for enabling control of the through rate of a rush current.例文帳に追加

活性なバックプレーンに挿入可能な回路基板に電力を供給するために設けられたＦＥＴまたは他のトランジスタ素子を制御するための回路および方法であって、突入電流のスルーレートの制御を可能にする。 - 特許庁

To provide a current fusing type fuse array with which rise of a cost due to increase in manufacturing processes and increase in pattern occupied area can be suppressed even of a semiconductor device provided with neither ROM nor fuse element.例文帳に追加

ＲＯＭやヒューズ素子を備えていない半導体装置であっても、製造プロセスの増加によるコストの上昇やパターン占有面積の増加を抑制できる電流溶断型ヒューズアレイを提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide an economically and technically advantageous pressure and separation mechanism whose driving can be controlled by monitoring the current value of a driving means without using a special element such as an HP sensor, and an image forming device equipped with the mechanism.例文帳に追加

ＨＰセンサ等の特別な素子を用いず、駆動手段の電流値をモニタし、加圧・離間機構の駆動を制御可能とする経済的、技術的に有利な加圧・離間機構及び当該機構を備えた画像形成装置の提供。 - 特許庁

To provide a dense and highly-transparent brittle material film structure of the low leak current and the sub-micron order or nm order film thickness which is applicable to an optical waveguide device and a thin film capacitor element by using an inexpensive particle material for a raw material.例文帳に追加

原料として安価な微粒子材料を用い、光導波路素子や薄膜キャパシター素子に適用可能な緻密で高透明、低リーク電流のサブミクロンオーダー、ナノメーターオーダー膜厚の脆性材料膜構造体を提供する。 - 特許庁

The two arrangements have synergistic effect to more prevent the luminance from deteriorating owing to deterioration of the organic light emission layer and the current flowing to the light emission element can be held at a desired value without being affected by a characteristics of the TFT.例文帳に追加

上記２つの構成が相乗効果をもたらし、より有機発光層の劣化による輝度の低下を防ぐことができ、なおかつＴＦＴの特性に左右されずに発光素子に流れる電流を所望の値に保つことができる。 - 特許庁

A conductor is proximate the write element tip and first and second conductive leads are connected to the conductor and configured to deliver a current to the conductor to generate a second field that augments the first field.例文帳に追加

導体は、書き込み素子先端の近傍に位置し、第１及び第２の導電性リード線は、導体に接続し、第１の磁界を増大する第２の磁界を発生するために導体に電流を供給するように構成される。 - 特許庁

Thus, a laser, capable of reducing the fluctuation of the output current value of the monitor light-receiving element due to the switching of the mode can be provided, and to easily design the overall control circuit system, while precisely controlling the laser emission.例文帳に追加

モードの切り替えによるモニタ受光素子の出力電流値変動が小さいレーザ装置を提供することができ、レーザ発光を精密に制御しつつ制御回路系全体の設計を容易に行うことが可能となる。 - 特許庁

To provide an endoscopic system capable of supplying driving current to a light-emitting element of an illumination capsule existing in the body cavity of a subject through an AC magnetic field generated by an AC magnetic field apparatus installed on the outside of the body of the subject.例文帳に追加

被検者の体外に設置した交流磁界装置が生じる交流磁界を通じて、被検者の体腔内に存在する照明カプセルの発光素子に駆動電流を供給することができる内視鏡システムを、提供する。 - 特許庁

When the current flowing in the inductor at off time decreases to zero and the output capacitance of the switching element and the inductor resonate, the drain voltage of the switching element drops to almost zero volt, so that the series circuit 10, upon detecting this voltage drop, outputs a voltage between the terminals of the detection resistor R_1 as an on-switching timing signal.例文帳に追加

オフ時にインダクタを流れる電流が零になって、スイッチング素子の出力容量とインダクタとが共振すると、スイッチング素子のドレイン電圧がほぼ零ボルトまで低下するので、直列回路１０がこの電圧低下を検出して、検出用抵抗Ｒ_１の端子間電圧をオン切換のタイミング信号として出力するようになっている。 - 特許庁

For example, when the temperature reaches the temperature threshold set lower than the heatproof temperature of the molding resin 11, the operation of the semiconductor power element is stopped or the current flowing in the semiconductor power element is restricted to an extent not exceeding the temperature threshold, thereby preventing the degradation of the molding resin 11 due to high temperatures.例文帳に追加

例えば、この温度がモールド樹脂１１の耐熱温度よりも低く設定した温度閾値に達したときに、半導体パワー素子の動作を停止させるか、もしくは、その温度閾値を超えない程度に半導体パワー素子に流れる電流を制限する等により、高温によるモールド樹脂１１の劣化を抑制することが可能となる。 - 特許庁

The electrooptical device 2 includes an element substrate 12 having a pixel region 20 where a plurality of pixels each provided with a pixel transistor 38 are arranged and a plurality of heater layers 28 formed by using a wiring material of the pixel transistor 38 in a wiring layer on the element substrate 12, heated by current flow and electrically independent of each other.例文帳に追加

電気光学装置２は、画素トランジスタ３８を備えた画素が複数配列された画素領域２０が形成された素子基板１２と、素子基板１２上の配線層にて、画素トランジスタ３８の配線材料で形成され、電流が流れることによって加熱される各々が電気的に独立する複数のヒータ層２８と、を有する。 - 特許庁

In the measuring sensor, at least a partial area of the line of an electrode forming a signal is surrounded by an electroconductive shielding member and at least the most of a fault current generated based on a potential difference between the electrode line forming the signal and an electric element flows between the electric element and the shielding member.例文帳に追加

信号を形成する電極の線路の少なくとも一部の領域が導電性の遮蔽部材によって包囲されており、前記信号を形成する電極の線路と電気素子との間の電位差に基づいて発生する障害電流は少なくとも大部分が電気素子と遮蔽部材との間を流れる測定センサを構成する。 - 特許庁

To provide a high output, long lifetime, and high luminance organic electroluminescence semiconductor element by balancing charge recombination in the light emitting layer of the organic electroluminescence semiconductor element, and eliminating deviation in current distribution thereby preventing a hole injection layer from being deteriorated by electrons, improving hole mobility of a host layer and preventing oxidation of the host layer.例文帳に追加

本発明は、有機エレクトロルミネセンス半導体素子の発光層内における電荷再結合バランスを取り、電流分布の片寄りをなくして、ホール注入層が電子により劣化することを防ぎ、ホスト層のホール移動度を改善し、ホスト層の酸化を防止して高出力で、長寿命で、高輝度な有機エレクトロルミネセンス半導体素子を提供することにある。 - 特許庁

The relay 2 for turning on electricity to a motor accommodates in a contact chamber 39 a resistive element 7 controlling starting current flowing from a battery to the motor, and also accommodates inside the case the control circuit 31 (for example, IC) which sets the turn-on time to the resistive element 7 by controlling an excitation condition of a relay coil 19.例文帳に追加

モータ通電用リレー２は、モータを起動する際に、バッテリからモータに流れる起動電流を抑制する抵抗体７を接点室３９に配置すると共に、リレーコイル１９の励磁状態を制御することにより抵抗体７への通電時間を設定する制御回路３１（例えばＩＣ）を筐体内部に収容している。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element exhibiting high photoelectric conversion efficiency (high sensitivity) and low dark current and having high light selectivity (an absorption maximum wavelength in a thin film absorption spectrum of a photoelectric conversion layer is within a range between 400-520 nm) relative to B light for exhibiting a low color mixture rate, an image pickup device, and a method for driving the photoelectric conversion element.例文帳に追加

高光電変換効率（高感度）、低暗電流を示し、かつ、低い混色率を示すための高度なＢ光に対する光選択性（光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内）を有する光電変換素子、撮像素子、及び光電変換素子の駆動方法を提供すること。 - 特許庁

The construction is made so that the Zener diode ZD2 is disposed between the capacitor C1 and the ground and a resistance element R1 between the connection point of the capacitor C1 and the Zener diode ZD2 and the secondary coil L2 to feed a current from the ignition plug PG after completion of ignition discharge through the resistance element R1 into a Zener diode ZD2 being broken down.例文帳に追加

コンデンサＣ１とグランドとの間にツェナーダイオードＺＤ２を配置すると共に、コンデンサＣ１とツェナーダイオードＺＤ２との接続点と二次コイルＬ２との間に抵抗素子Ｒ１を配置し、点火放電を終えた点火プラグＰＧから、抵抗素子Ｒ１を経由して、降伏状態のツェナーダイオードＺＤ２に電流が流れ込むよう構成した。 - 特許庁

A laser beam detecting circuit 3 comprises a photodiode 10, a current-to-voltage converter circuit 11, a pre-amplifier circuit 12, a first amplifier circuit 13 of an output stage, a second amplifier circuit 14, a first output terminal 15, a second output terminal 16, an input terminal 17, a first switching element 24 and a second switching element 25.例文帳に追加

レーザ光検出回路３は、フォトダイオード１０、電流電圧変換回路１１、前段の増幅回路１２、出力段の第１の増幅回路１３、第２の増幅回路１４、第１の出力端子１５、第２の出力端子１６，入力端子１７、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５を含んで構成される。 - 特許庁

Each pixel circuit includes a light emitting element, a drive transistor controlling a current passing through the light emitting element, the memory provided between the data line and a gate electrode of the drive transistor to store potential difference, and a data line connecting switch connecting one end of the memory on the gate electrode side of the drive transistor to the data line.例文帳に追加

前記各画素回路は、発光素子と、前記発光素子を流れる電流を制御する駆動トランジスタと、前記データ線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に設けられ電位差を記憶する記憶容量と、前記駆動トランジスタのゲート電極側の前記記憶容量の一端と前記データ線とを接続させるデータ線接続スイッチと、を含む。 - 特許庁

A sensor node chip is provided with: a sensor element signal detection circuit 4 for shifting an output signal with a predetermined threshold according to the output of a sensor element part 3 which outputs a detection signal according to external vibration; and a power storage circuit 2 for accumulating charge output from an AC current generator 1 which generates AC currents according to the external vibration.例文帳に追加

センサノードチップは、外部の振動に応じて検知信号を出力するセンサ素子部３の出力に応じて所定の閾値で出力信号を遷移させるセンサ素子信号検出回路４と、外部の振動に応じて交流電流を発生させる交流電流発生器１から出力される電荷を蓄積する蓄電回路２とを備える。 - 特許庁

An antenna structure includes: a first antenna element 2 which resonates in a predetermined frequency band; a second antenna element 3 which resonates in a predetermined second frequency band different from the first frequency band; and a short-circuiting part 4 for guiding a current I of a predetermined third frequency band different from the first and second frequency bands to a ground G.例文帳に追加

所定の第１周波数帯域で共振する第１アンテナエレメント２と、第１周波数帯域とは異なる所定の第２周波数帯域で共振する第２アンテナエレメント３と、第１及び第２の周波数帯域とは異なる所定の第３周波数帯域の電流ＩをグラウンドＧに導く短絡部４とを備える。 - 特許庁

A magnetic core 1 for use in a current sensor comprises a first open end face 3a having a first element holding hole 5a for holding a magnetoelectric transducer 20, and a second open end face 3b, opposed to the first open end face 3a, having a second element holding hole 5b for holding the magnetoelectric transducer 20.例文帳に追加

磁気コア１は、電流センサに用いられるものであって、磁電変換素子２０が保持されるための第１素子保持孔５ａが形成された第１開放端面３ａと、磁電変換素子２０が保持されるための第２素子保持孔５ｂが形成された、第１開放端面３ａに対向する第２開放端面３ｂと、を有することを特徴としている。 - 特許庁

In the optical head device 1 with the common receiving element 10 to monitor the laser light with different wavelength, a variable resistor 31 and a voltage dividing resistor 32 with a terminal 32 for selecting a resistance value are electrically connected in parallel on a current output line 38 of the receiving element 10 for monitoring in monitor generating circuit 30.例文帳に追加

波長の異なるレーザ光をモニターする共通のモニター用受光素子１０を備えた光ヘッド装置１において、モニター用信号生成回路３０では、モニター用受光素子１０の電流出力ライン３８において、可変抵抗３１と、抵抗値選択用端子３２を備える分圧抵抗３２とが並列に電気的接続されている。 - 特許庁

After that, when the value resulting from division of the output voltage Vo falls to the first threshold and the main switching element 9 is caused to start operation by the PWM signal from a control circuit 22, a drive detecting circuit 31 detects this start and allows the supply of the PWM signal to the rectification switching element 10, with the result that any subsequent flow-in of the sink current can also be inhibited.例文帳に追加

その後、出力電圧Ｖｏを分圧した値が第１の閾値にまで低下し、制御回路２２からのＰＷＭ信号によって主スイッチング素子９が動作し始めると、ドライブ検出回路３１がこれを検出して、整流スイッチング素子１０へのＰＷＭ信号の供給を許可するので、その後の吸い込み電流の流れ込みも阻止できる。 - 特許庁

The current detector 10 includes: a magnetic core 21 having a gap part 22; a core storage part 25 holding the magnetic core 21; a magnetoelectric conversion element 31 arranged in the gap part 22 and detecting a magnetic flux generating at the magnetic core 21; and a distribution member 40 connected to the magnetoelectric conversion element 31 and electrically connecting to an external equipment.例文帳に追加

本発明の電流検出装置１０は、ギャップ部２２を有する磁性体コア２１と、磁性体コア２１を収容するコア収容部２５と、ギャップ部２２に配置されて磁性体コア２１で生じる磁束を検出する磁電変換素子３１と、磁電変換素子３１に接続され外部機器と電気的に接続する配索部材４０と、を備える。 - 特許庁

This air conditioning device includes a heat exchanger 3b, a conductive heated body 2 for distributing the air passing through the heat exchanger 3b, a coil 5 for inductively heating the heated body 2, and a driving circuit 12 having the semiconductor element 9 for switching, and supplying high-frequency current to the coil 5, and heat generated by the semiconductor element 9 for switching is radiated through the heat exchanger 3b.例文帳に追加

熱交換器３ｂと、熱交換器３ｂを通過した空気を送風する導電性の被加熱体２と、被加熱体２を誘導加熱するコイル５と、スイッチング用半導体素子９を有し、コイル５に高周波電流を供給する駆動回路１２とを備え、スイッチング用半導体素子９の発熱が熱交換器３ｂを介して放熱される。 - 特許庁

An electronic substrate 8 has electric signal lines wired so that the current path A including an electric signal line 11 connecting with a surface that the electronic element 1 comes into contact with when surface-mounted and a heat radiation path C when a contact surface portion 6 of the electronic element is surface-mounted in contact with the metal 13 for heat radiation exposed on a surface 16 of the electronic substrate do not overlap each other.例文帳に追加

電子基板８は、電子素子１を面実装した際に電子素子が接する面に接続する電気信号線１１を含む電流経路Ａと、電子素子の接面部６が電子基板の面１６に露出する放熱用金属１３に当接して面実装した際の放熱経路Ｃと、が重複しないように、電気信号線を配線する。 - 特許庁

The nonvolatile memory element includes: an oxide of fluorite structure including cerium and a metal element which can be trivalent differing from cerium; and a recording layer in which transition is made possible between a plurality of states having mutually different resistances according to at least either voltage to be applied or current to be energized.例文帳に追加

セリウムと、３価を取り得る金属元素であってセリウムとは異なる金属元素と、を含む蛍石型構造の酸化物を含み、印加される電圧及び通電される電流の少なくともいずれかによって互いに異なる抵抗を有する複数の状態の間を遷移可能な記録層を備えたことを特徴とする不揮発性記憶素子が提供される。 - 特許庁

While a voltage is applied between one end and the second electrode so that potential is higher at one end in the case that the voltage between one end and the other end exceeds a threshold voltage of the light emitting element according to a change in potential applied to the third electrode, an electric current flows between one end and the other end to cause the light emitting element to emit light.例文帳に追加

そして、一端部と第２電極との間に一端部の方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、第３電極に付与される電位の変化に応じて、一端部と他端部との間の電圧が発光素子の閾値電圧を超える場合は、一端部と他端部との間に電流が流れて発光素子が発光する。 - 特許庁

In the CPP type thin film magnetic head wherein a thin film magnetic head element is provided between a lower shield layer and an upper shield layer and a current flows vertically to the film surface of the thin film magnetic head element, a plurality of division parts magnetically divided in a track width direction are provided in at least one of the lower shield layer and the upper shield layer.例文帳に追加

下部シールド層と上部シールド層の間に薄膜磁気ヘッド素子を備え、該薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して垂直に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、下部シールド層及び前記上部シールド層の少なくとも一方に、トラック幅方向に磁気的に分断された複数の分割部を備える。 - 特許庁

A power control means 21 applies feedback control to the switching action of a switching element 3 while monitoring an input voltage and an input current to an inverter circuit 2 based on reference data to determine a correlation between power output to a heating coil 4 and a switching-on time of the switching element 3, and stably outputs preset power to the heating coil 4.例文帳に追加

電力制御手段２１は、加熱コイル４に出力する電力とスイッチング素子３のオン時間との相関を決定付ける基準データを基にして、インバータ回路２への入力電圧と入力電流を監視しながら、スイッチング素子３のスイッチング動作をフィードバック制御し、加熱コイル４に設定した電力を安定して出力する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a plurality of evaluated elements (TEG) 2, a monitoring element 4 for monitoring a current value or voltage value applied to the plurality of evaluated elements 2 respectively, a plurality of first electrode pads 1 connected to respective one ends of the plurality of evaluated elements 2, and a second electrode pad 3 connected to one end of the monitoring element 4.例文帳に追加

半導体装置は、複数の被評価素子（ＴＥＧ）２と、複数の被評価素子２のそれぞれに印加される電流値又は電圧値をモニタするモニタ用素子４と、複数の被評価素子２のそれぞれの一端と接続された複数の第１の電極パッド１と、モニタ用素子４の一端と接続された第２の電極パッド３とを有している。 - 特許庁

To prevent micro-crack of an optical waveguide due to current collection in polishing the end face of a wavelength conversion element and to prevent increase in propagation loss due to the micro-crack in a wavelength conversion element where a wavelength conversion substrate including a Z plate formed of ferroelectric single crystal and provided with a periodic polarization reversal structure and a support substrate are adhesively bonded to each other.例文帳に追加

強誘電性単結晶からなるＺ板からなり、周期分極反転構造が形成された波長変換用基板と支持基板とを接着する波長変換素子において、素子の端面を研磨するときの焦電に起因する光導波路のマイクロクラックを防止し、これによる伝搬損失の増大を防止する。 - 特許庁

An optical semiconductor sensor 10 has a light-emitting element 10 that emits light by applying a forward voltage to at least the junction sections of two semiconductors whose conductivity types are different with each other, and detects visible light according to the current or voltage from the light-emitting element 10 based on the wavelength of the visible light which illuminates the light-emitting device 10.例文帳に追加

本発明による光半導体センサ１００は、導電型が互いに異なる少なくとも２つの半導体の接合部に順電圧を印加することにより発光する発光素子１０を備え、発光素子１０へ照射された可視光の波長に基づいた該発光素子１０からの電流または電圧により該可視光を検出する。 - 特許庁