「element pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, in the step of the character string extraction, the elements of the character string corresponding to each element included in the range of the arrangement are specified, then, with putting each element of the character string on the tops, a partial character string consisting of the elements of the same number as the number of elements of the pattern is extracted.例文帳に追加

次に、文字列抽出ステップにおいて、当該接尾辞配列の範囲に含まれる各要素に対応する文字列の要素を特定し、この文字列の各要素を先頭としてこのパターンの要素数と同じ数の要素からなる部分文字列を抽出する文字列抽出ステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition with which a dry film having sufficient sensitivity and developability and sufficient flexibility can be formed and a positive photosensitive element can be obtained, and to provide a photosensitive element, a method for forming a resist pattern, and a method for manufacturing a printed wiring board using the above composition.例文帳に追加

十分な感度及び現像性を有するとともに十分な可とう性を有するドライフィルムを形成でき、ポジ型感光性エレメントの実現を可能とするポジ型感光性樹脂組成物、並びに、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Or a masking guide formed to be a pipe to conduct masking for vapor- deposition at a prescribed pitch is used to apply masking with a masking tape so as to expose only a surface of a dielectric body that becomes a helical element of the dielectric pipe and a prescribed metal is vapor-deposited to form the helical radiation element pattern.例文帳に追加

あるいは、パイプ状に形成されあらかじめ所定のピッチを持ち蒸着の際のマスキングを行うマスキングガイドを使用して、誘電体パイプのヘリカル素子となる部分の誘電体表面のみが露出するようマスキングテープによりマスキングを施し、所定の金属を蒸着してヘリカル放射素子パターンを形成する。 - 特許庁

Since white streaks caused by "end kink" in the first recording element array C1 can be interpolated by the recording elements of the second recording element array SC2, streaks caused by "end kink" can be corrected effectively even if the recording rate distribution of mask pattern in multipass recording is not biased.例文帳に追加

これにより、第１の記録素子列Ｃ１で生じる「端部よれ」に起因する白スジを、第２の記録素子列ＳＣ２の記録素子によって補間することができるので、マルチパス記録のマスクパターンの記録率分布に偏りを持たせなくとも、「端部よれ」に起因する白スジを効果的に補正することが可能となる。 - 特許庁

The semiconductor circuit parasitic capacitive element extracting device 1 is provided with a means 2 for correcting the permittivity of the dielectric body existing between circuit wires in response to insertion of the metal dummy pattern, and a means 3 for extracting a parasitic capacitive element between the circuit wires on the basis of the corrected permittivity and a circuit layout.例文帳に追加

半導体回路寄生容量素子抽出装置１が、回路配線間に存在する誘電体の誘電率を、メタルダミーパターンの挿入に対応して補正する手段２と、補正された誘電率と回路レイアウトに基づいて、回路配線間の寄生容量素子を抽出する手段３とを備える。 - 特許庁

A semiconductor wafer before a dicing comprises a silicon substrate 50 with its surface divided into a element forming region 42 and a scribing line region 43, with a passivation film 55 and a polyimide film 56 covering the element forming region 42, and with the accessary pattern 53 comprising a top layer interconnection layer 52 exposing to the scribing line region 43.例文帳に追加

ダイシング前の半導体ウェーハは、シリコン基板５０上が素子形成領域４２とスクライブ線領域４３とに分けられ、パッシベーション膜５５及びポリイミド膜５６が素子形成領域４２を覆い、最上層配線層５２からなるアクセサリパターン５３がスクライブ線領域４３に露出しているものである。 - 特許庁

The electric charge/discharge section forms the first and second drive signals for which a voltage change pattern is determined so that the electric charge period of the element made by the N-th waveform part of the first drive signal side and the electric charge period of the element made by the N-th waveform of the second drive signal side may not overlap each other.例文帳に追加

充放電制御部は、第１駆動信号側のＮ番目の波形部による素子の充電期間と第２駆動信号側のＮ番目の波形部による素子の充電期間とが重ならないように電圧変化パターンが定められた第１駆動信号及び第２駆動信号を生成する。 - 特許庁

When a recorder 1 is at the time of standby status, power supply from a power supply 18 to each element belonging to a first section 10 is continuously stopped, and execution and stoppage of power supply from the power supply 18 to each element belonging to a second section 20 are repeated according to an intermittent operation pattern.例文帳に追加

レコーダ１において、スタンバイ状態時には、電源１８から第１セクション１０に属する各構成要素への電力供給を継続的に停止し、かつ電源１８から第２セクション２０に属する各構成要素への電力供給の実行と停止とを間歇稼働パターンに従って繰り返す。 - 特許庁

In branch point detection processing that finds a branch point of a line element within an original image 15a including an irregular linear pattern composed of linear elements of an irregular shape, a binarized image 15b is obtained from the original image 15a, and padding processing that eliminates noises in the line element is subsequently performed to obtain a padding image 15c.例文帳に追加

不規則形状の線要素より構成される不規則線状パターンを含む原画像１５ａ内の線要素の分岐点を求める分岐点検出処理において、原画像１５ａより２値化画像１５ｂを得た後に線要素内の野路図を除去する穴埋め処理を行って穴埋め画像１５ｃを得る。 - 特許庁

Furthermore, the padding image 15c is subjected to thinning processing to find a thinned image 15d in which the line width of the line element is one pixel, and a branch point of the line element of the irregular linear pattern is detected by collating a plurality of preregistered branch patterns 30 with the thinned image 15d.例文帳に追加

更に穴埋め画像１５ｃに対して細線化処理を行って前記線要素の線幅が１画素の細線化画像１５ｄを求め、この細線化画像１５ｄに対して予め登録されている複数の分岐パターン３０を照合することにより不規則線状パターンの線要素の分岐点を検出する。 - 特許庁

The mobile communication terminal 1 is configured to include: a circuit board 2 on which a conductor pattern is formed and electronic components D are mounted, so as to form an electronic circuit; an antenna element 3 solely acting as an antenna; and an enclosure 4 for storing the circuit board 2 and the antenna element 3.例文帳に追加

移動体通信機１を、導体パターンが形成されるとともに電子部品Ｄが実装されてこれらによって電子回路が形成される回路基板２と、単独でアンテナとして機能するアンテナ素子３と、これら回路基板２及びアンテナ素子３とが収納される筐体４とを有する構成とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process.例文帳に追加

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A light-receiving optical system 4 for adjusting the aspect ratio of the image through the use of at least either refraction or reflection is arranged in front of the imaging element 2 so that an image of a light-projected pattern formed in the surface of an object by the slit light is projected, according to the size of a light-receiving surface of the imaging element 2.例文帳に追加

また、撮像素子２の前方には、スリット光により物体表面に形成される投光パターンの像が撮像素子２の受光面のサイズに合わせて投影されるように屈折と反射との少なくとも一方を利用して当該像のアスペクト比を調節する受光光学系４が配置される。 - 特許庁

To provide an edge detection method for digital image capable of increasing information amount of a picture element pattern to be processed in the periphery of a picture element under notice by adding required elements of non-integer order as each coefficient matrix to improve a degree of distinguishing an image edge concerning Sobel filter operation.例文帳に追加

本発明は、ゾーベルフィルタ演算に関して、各係数行列として所要の非整数オーダの要素を付加することにより注目画素周辺における被処理画素パターンの情報量を増やし、以て、画像エッジの識別度を向上させたデジタル画像のエッジ検出方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The headlamp 10 includes an irradiating unit 30 for scanning and emitting the light from a semiconductor laser element 21 (a semiconductor laser device 20), a control part 41 for determining the light distribution pattern formed by the light emitted from the irradiating unit 30, and an output adjusting part 40 for adjusting output of the semiconductor laser element 21 by interlocking with scanning of the irradiating unit 30 based on the light distribution pattern determined by the control part 41.例文帳に追加

この前照灯１０は、半導体レーザ素子２１（半導体レーザ装置２０）からの光を走査して出射する照射ユニット３０と、照射ユニット３０から出射する光により形成される配光パターンを決定する制御部４１と、制御部４１により決定された配光パターンに基づいて、照射ユニット３０の走査に連動して半導体レーザ素子２１の出力を調節する出力調節部４０とを備える。 - 特許庁

Within a range 10 where a square having one side of 1 μm and including the element region 11 is remarked as a unit, occupation rate of the total pattern area of the element region 11 and a dummy element region 13 is set at 25% or above.例文帳に追加

Si基板上に形成した不純物拡散層または多結晶Si上にNiとの反応生成物を形成する際に、反応時のSi中でのNiの拡散係数を考慮して反応領域を規定し、素子領域11を含む一辺１μｍの正方形を単位として着目する範囲10内で素子領域11のパターン面積およびダミー素子領域13のパターン面積の合計が占有する率が25％以上になるように形成されている。 - 特許庁

The semiconductor element of the present invention includes a semiconductor substrate 1; an interlayer insulating film 2 and 3 in which a damascine pattern is formed on the semiconductor substrate 1; a diffusion prevention film 4 which is formed in the damascene pattern and is made of CoFeB which is a ternary system material; a seed film 5 which is formed on the diffusion prevention; and copper wiring 7 which is filled on the seed film.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１；前記半導体基板１上にダマシンパターンが形成された層間絶縁膜２、３；前記ダマシンパターン内に形成され、三元系物質であるＣｏＦｅＢからなる拡散防止膜４；前記拡散防止膜上に形成されるシード膜５；及び、前記シード膜上に充填される銅配線７を含む。 - 特許庁

To provide a sealant for a liquid crystal one-drop-fill process, which is not repelled even when being applied on an alignment layer with hydrophobicity imparted thereto and which prevents disconnection in a sealing pattern even when a fine sealing pattern is drawn, and to provide a vertical conduction material and a liquid crystal display element.例文帳に追加

滴下工法による液晶表示素子の製造において、疎水性が付与された配向膜上に塗布された場合であっても弾かれることがなく、また、微細なシールパターンを描いた場合であっても、シールパターンに断線が生じることのない液晶滴下工法用シール剤、上下導通材料、及び、液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for an electron beam, an X-ray or EUV light simultaneously satisfying requirements for high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, and good line-edge roughness in solving problems associated with performance improving techniques in micro processing of a semiconductor element using the electron beam, the X-ray or the EUV light, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足する電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using an electron beam, X-ray or EUV light and simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness, high contrast, prevention of conversion to a negative resist composition, and surface roughness, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、高コントラスト、ネガ化防止、表面ラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting device includes a resin substrate 14 having thermal conductivity of 1.0-9.0 [W/m K], a white insulating layer 15 formed on the resin substrate, a circuit pattern layer 16 formed on the insulating layer, and a light emitting element 13 which is formed on the insulating layer and is electrically connected with the circuit pattern layer.例文帳に追加

請求項１の発明は、熱伝導率１．０〜９．０［Ｗ／ｍ・Ｋ］を有する樹脂基板14と；樹脂基板上に設けられた白色の絶縁層15と；絶縁層上に設けられた回路パターン層16と；絶縁層上に配設されるとともに回路パターン層に電気的に接続された発光素子13と；を具備していることを特徴とする。 - 特許庁

In the electrooptical apparatus 1a, when a substrate crack is not generated at an element substrate 10 and a conductive pattern 83 for diagnosing a substrate crack is not disconnected, a signal outputted from a diagnostic part 58 to a bump 55 is inputted in the diagnostic part 58 as it is via a pad 45, the conductive pattern 83 for diagnosing the substrate crack, a pad 46 and a bump 56.例文帳に追加

電気光学装置１ａにおいて、素子基板１０に基板割れが発生せず、基板割れ診断用導電パターン８３が切断していない場合には、診断部５８からバンプ５５に出力された信号は、そのまま、パッド４５、基板割れ診断用導電パターン８３、パッド４６、バンプ５６を経由して診断部５８に入力される。 - 特許庁

A photomask is provided in which a light-blocking film pattern 111 is formed on a translucent substrate 100, and by keeping the residue amount of sulfate ions and sulfate on at least a surface of the photomask on the side of which the light-blocking film pattern 111 is formed should be less than 0.30 ppb, a variation in element size can be suppressed.例文帳に追加

透光性基板１００上に遮光性膜パターン１１１が形成されたフォトマスクであって、少なくとも遮光性膜パターン１１１が形成された側のフォトマスク表面における硫酸イオンや硫酸塩の残渣量を０．３０ｐｐｂ未満とすることによって素子寸法変動を抑制させられることが確認できた。 - 特許庁

A plurality of capacitors having different areas are formed in an active area in a semiconductor element manufacturing process, voltages are applied to the respective capacitors to detect respective capacitor currents, and pattern conversion differences of the active area are calculated from the areas of the capacitors corresponding to detected current values, thereby determining the manufacture precision based upon the pattern conversion differences.例文帳に追加

複数の異なる面積を有するキャパシタを、半導体素子生成工程においてアクティブエリアに形成し、各キャパシタに電圧を印加して、夫々のキャパシタ電流を検出し、検出された電流値と対応するキャパシタの面積とからアクティブエリアのパターン変換差を算出し、パターン変換差に基づき製造精度を判定する。 - 特許庁

A method of manufacturing the surface emitting laser element includes: laminating a transparent dielectric layer 111a with an optical thickness of λ/4 on an upper surface of a laminated body; forming, on an upper layer thereof, a first resist pattern 120a defining an outer shape of a mesa structure and a resist pattern 120b protecting a region corresponding to a low reflection rate part included in an emitting region; and etching the dielectric layer 111a.例文帳に追加

積層体の上面に、光学的厚さがλ／４の誘電体層１１１ａを積層し、その上面に、メサ構造体の外形を規定するレジストパターン１２０ａ及び出射領域における反射率が低い部分に対応する領域を保護するレジストパターン１２０ｂを形成・硬化させた後、誘電体層１１１ａをエッチングする。 - 特許庁

The connection configuration switching device 3 has a matrix switch, controls an ON/OFF state of an intersection point of the matrix switch according to the connection configuration switching pattern from the connection configuration switching pattern generator 2, and changes a connection configuration of a register group 4 and a computing element group 5 to perform calculation according to the calculation kind information set in the instruction field.例文帳に追加

接続構成切替器３は、マトリクススイッチを有しており、接続構成切替パターン生成器２からの接続構成切替パターンに従って、マトリクススイッチの交点のオンオフ状態を制御し、レジスタ群４、演算器群５の接続構成を変更することにより、命令フィールドに設定されている演算種別情報に従った演算を行う。 - 特許庁

Regarding a plane sensor S with a mechanical part having at least one structure pattern element ST1 or ST2 of temperature dependent electric conductivity for measuring the temperature and/or elongation of a length measurement device or an angle measurement device, at least two tracks SP1 to SP4 are formed out of the structure pattern elements ST1 and ST2 connected to each other.例文帳に追加

温度依存性の電気伝導度を持つ少なくとも一つの構造パターン要素ＳＴ1,ＳＴ2 を備えた機械部分、または測長装置、または測角装置の温度および／または伸び測定に対する面状センサにあって、互いに接続された構造パターン要素ＳＴ1,ＳＴ2 から成る少なくとも二つのトラックＳＰ1 〜ＳＰ4 が設けてある。 - 特許庁

To provide a multilayer film for forming a wiring pattern of a wiring board which can maintain high resolution of a photosensitive resin film, can form a wiring pattern of 30 μm or less, has high adhesiveness between the photosensitive resin film and a resin film, and is suited to mobile communication equipment, semiconductor element storing packages, etc., and to provide a wired multilayer film.例文帳に追加

感光性樹脂膜の解像度を高く維持し、３０μｍ以下の配線パターン形成が可能で、感光性樹脂膜と樹脂フィルムとの密着性が良好な移動体通信機や半導体素子収納用パッケージなどに適した配線基板の配線パターン作製用の多層フィルムおよび配線付き多層フィルムを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a phase inversion mask which can improve the yield and reliability of a semiconductor element by equalizing the limit sizes of a light transmission pattern formed on a wafer in respective directions by using conventional exposure wavelength when the pattern of a light transmission area formed on the phase inversion mask is different in array pitch with the direction and its manufacturing method.例文帳に追加

位相反転マスクに形成される透光領域のパターンの各方向の配列ピッチが異なる場合に、従来の露光波長を使用して、ウエハに形成される透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにし、半導体素子の歩留まり及び信頼性を向上し得る位相反転マスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by which fine patterning with a metal oxide can directly be carried out on a substrate by treatment at ordinary temperature or treatment at a relatively low temperature and to inexpensively provide various high density electronic devices having a high degree of integration, a high functional optical element and a photocatalytic member to markets by utilizing the pattern forming method.例文帳に追加

常温処理或いは比較的低温での処理により基板上に直接金属酸化物による微細形状のパターニングを行うことを可能としたパターン形成方法を提供し、また、このパターン形成方法を利用することで、高密度、高集積度の各種電子デバイス、高機能の光学素子、光触媒性部材を安価に市場に提供する。 - 特許庁

To provide a curable sheet composition, which is capable of following a metal mold shape by heating and pressurizing and of polymerizing to cure by means of photoirradiation and of fixing an optical element molding pattern, and which can mold a lens pattern directly on a glass substrate or the like and is excellent in the adhesiveness to the substrate, and further has the high transparency and weatherability.例文帳に追加

加熱加圧により金型形状に追従し、光照射により重合硬化し光学素子成型パターンを固定化することが出来る硬化性シート組成物であって、ガラス基板などの上に直接レンズパターンを成型でき、基板への密着性に優れ、さらに透明性、耐候性の高い硬化性シート組成物を提供する。 - 特許庁

The semiconductor chip has an area which comprises only a dummy pattern for restricting a dishing caused when levelling by a chemical machining polishing method, in at least a portion of the conductor wiring layer of an uppermost layer, and the dummy pattern is laid out so as to present the specific position of a semiconductor element located in a lower layer than the conductor wiring layer of the uppermost layer.例文帳に追加

最上層の導体配線層の少なくとも一部分に、化学機械研磨法により平坦化を行なう際に生じるディッシングを抑えるためのダミーパターンのみからなる領域を有しており、前記ダミーパターンは前記最上層の導体配線層よりも下層に位置する半導体素子の特定の位置を提示するようレイアウトされている。 - 特許庁

The projection optical system for projecting a pattern formed on a first object onto a second object has a field diaphragm provided on the nearest optical element to the second object in the projection optical system, for shielding the outside of a region of the second object, where the pattern is projected during projection.例文帳に追加

第一の物体に形成されたパターンを第二の物体に投影する投影光学系において、当該投影光学系の前記第二の物体に最も近い光学素子に設けられ、前記投影時に前記第二の物体の前記パターンが投影される領域の外部を遮蔽するための視野絞りを有することを特徴とする投影光学系を提供する。 - 特許庁

The pattern 5 is made by copper; i.e., a shape corresponding to the pattern 5 is printed onto the surface of the base 3 using catalytic element containing liquid, and metal component containing liquid including copper is brought into contact with the place where the printing is done to separate out the copper by an electroless plating method.例文帳に追加

パターン５は、銅によって形成されたもので、パラジウム化合物を含有する触媒成分含有液を用いて、パターン５に相当する形状の印刷を基体３の表面に施すとともに、当該印刷が施された箇所に銅を含有する金属成分含有液を接触させて、無電解めっき法にて銅を析出させることによって形成されている。 - 特許庁

Part of the array wiring pattern formed in the light emitting element array board 20 is a plurality of data line patterns sequentially alternately drawn out to both ends of the subsidiary scanning direction B of the light emitting elements of a 2^N array from one end of a main scanning direction A every other pattern and a plurality of data line patterns are connected with the first and second flexible boards 60A and 60B.例文帳に追加

発光素子アレイ基板２０に形成されたアレイ配線パターンの一部は、主走査方向Ａの一端より順次一つおきに、２^Ｎ列の発光素子の各々から副走査方向Ｂの両端の端部に交互に引き出される複数のデータ線パターンであり、複数のデータ線パターンが第１，第２のフレキシブル基板６０Ａ，６０Ｂに接続される。 - 特許庁

In manufacturing an organic EL element by a roll-to-roll process, a mask formed of a sheet-like flexible film having an adhesive surface and a predetermined opening pattern is stuck to a sheet-like substrate, and a second electrode is formed over the mask, and thereafter the mask is peeled off to form a second electrode having a predetermined pattern.例文帳に追加

ロールトゥロールにより有機ＥＬ素子を製造するのに際し、粘着面および所定の開口パターンを有するシート状のフレキシブルフィルムからなるマスクを、シート状の基板に対して貼り合せ、上記マスクの上から上記第２電極を形成した後、上記マスクを剥離して所定パターンを有する第２電極を形成するようにした。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus that accurately detects toner image density of a reference density pattern and carries out image formation with preferable density, irrespective of characteristics of a photoreceptor drum that carries a reference density pattern or the surface of an intermediate transfer belt, after use of a light-emitting element that constitutes a toner density sensor for a long period, which results in decrease in brightness.例文帳に追加

基準濃度パターンを担持する感光体ドラム、あるいは中間転写ベルトの表面の特性に依らずに、トナー濃度センサを構成する発光素子が長時間点灯し光度が低下したときでも基準濃度パターンのトナー像濃度を正確に検出し、好ましい濃度の画像形成を行うことができる画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a TEG pattern, and a testing method of a semiconductor element using the pattern capable of confirming a leakage current level generated by erroneously aligned landing to an active region of M1C through silicon substrate data in a viewpoint of an active extension design rule to the M1C in a manufacturing method of a semiconductor device of 90 nm class or below.例文帳に追加

９０ｎｍ級以下の半導体素子の製造において、Ｍ１Ｃのアクティブ領域に対するミスアラインされたランディングによって発生する漏洩電流水準をＭ１Ｃに対するアクティブエクステンションデザインルールの観点でシリコン基板データを通じて確認可能にすることができるテグパターン及びそのパターンを利用した半導体素子検査方法を提供する。 - 特許庁

The circuit pattern is made to have such a structure that it can be peeled off from the base of the printed board, and a conductor pattern or solder is separated from base of the printed board, thus making a form easy for recovery and recycling route of metal by increasing metallic element rate and preventing harmful heavy metals such as lead or the like from being disposed in the natural environment.例文帳に追加

回路パターンについてもプリント基板のベース部分から引き剥がすことが可能な構造とすることにより、導電パターンやはんだをプリント基板のベース部分と分離することにより、金属成分割合を増加させ金属の回収・リサイクルルートに乗せ易い形態とするとともに、鉛等の有害重金属が自然環境に放出されることを防ぐ。 - 特許庁

To provide a polymerizable composition which has high light-shielding properties in an infrared region and high translucency in a visible light region, and with which a pattern having excellent resolution in alkali development can be formed, and which has excellent temporal stability, as well as photosensitive layer, a permanent pattern, a wafer level lens, a solid state imaging element and a pattering method using the composition.例文帳に追加

赤外領域における遮光性が高く、可視光領域における透光性が高く、かつ、アルカリ現像による解像性に優れたパターンを形成可能であり、更には、経時安定性に優れた重合性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

An image processing unit is provided with an entry means that enters image data, a selection means that selects any of a plurality of pattern arrangements in response to the print condition of the image data, and an imbedding means that imbeds electronic watermark information by applying gradation conversion to the image data according to each element constituting the pattern arrangement selected by the selection means.例文帳に追加

画像データを入力する入力手段と、前記画像データの印刷条件に応じて複数のパターン配列の１つを選択する選択手段と、前記選択手段で選択されたパターン配列を構成する各要素に応じて、前記画像データを階調変換することにより電子透かし情報を埋め込む埋め込み手段とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the element substrate 100 includes: a process for forming a sacrifice layer having a first pattern on a substrate 10; a process for forming a metal layer at the upper portion of the formation and non-formation regions of the sacrifice layer; and a process for forming a metal layer 34 having a second pattern by removing the sacrifice layer by heating.例文帳に追加

本発明にかかる素子基板１００の製造方法は、基板１０上に第１のパターンの犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層の形成領域および非形成領域の上方に金属層を形成する工程と、加熱することにより、前記犠牲層を除去して、第２のパターンの金属層３４を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

Thereafter, a thin film resistance element where the heat sink 2 for heat dissipation is formed just under a resistance film 6 is attained by forming a pattern of insulation film 5 on the flat surface of the heat sink 2 and insulation layer 4, forming a pattern of resistance film 6 from above the insulation film 5 and then connecting the end faces of both patterns respectively on the electrodes 3.例文帳に追加

しかる後、ヒートシンク部２と絶縁体層４の平坦な上面に絶縁膜５をパターン形成し、この絶縁膜５の上から抵抗膜６をパターン形成してその両端部をそれぞれ電極部３上に接続することにより、抵抗膜６の真下に放熱用のヒートシンク部２が存在する薄膜抵抗素子を得る。 - 特許庁

To provide a laser radiating device capable of transferring an organic film layer pattern when forming it by using LITI (laser induced thermal imaging), capable of reducing damage to the organic film layer, and capable of enhancing the quality of the transferred organic film layer pattern, a patterning method, and a manufacturing method of an electroluminescent element using the patterning method.例文帳に追加

本発明は，ＬＩＴＩを用いて有機膜層パターンを形成する時，低い強度を有するレーザーで転写が可能であって，有機膜層の損傷を減らすことができ，転写される有機膜層パターンの質も向上させることができるレーザー照射装置，パターニング方法，およびパターニング方法を用いる有機電界発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electric solid device by which even when an aperture pattern is formed by dry-etching an overlay conductive film on an insulating film, an insulating film with an appropriate film thickness can be left in a region overlapping the aperture pattern, and to provide an electric solid device and a liquid crystal device having the electric solid device as an element substrate.例文帳に追加

絶縁膜上で上側導電膜にドライエッチングを行って開口パターンを形成する場合でも、開口パターンと重なる領域に適正な膜厚の絶縁膜を残すことのできる電気的固体装置の製造方法、電気的固体装置、および該電気的固体装置を素子基板として備えた液晶装置を提供すること。 - 特許庁