「first process」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

The disclosure includes an implant including a porous substrate having a film including a first hydrogel precursor applied to the porous substrate and a second hydrogel precursor applied to the porous substrate, and a method including a process to apply the first hydrogel precursor to the porous substrate, and a process to apply the film including the second hydrogel precursor to the porous substrate.例文帳に追加

多孔性基材へ塗布される第一ヒドロゲル前駆体、および該多孔性基材へ塗布される第二ヒドロゲル前駆体を含むフィルムを有する該多孔性基材を含むインプラント、ならびに、第一ヒドロゲル前駆体を多孔性基材へ塗布する工程；および、第二ヒドロゲル前駆体を含むフィルムを該多孔性基材へ塗布する工程を包含する方法。 - 特許庁

During the connection establishment process or in response to the completion of the connection establishment process, at least one of first and second communication equipment (10 and 20) is switched from a first mode to a second mode and the communication equipment switched to the second mode does not respond to the message transmitted for discovering the address of that communication equipment.例文帳に追加

接続確立プロセス中に、または、接続確立プロセスの完了に応答して、第１および第２の通信装置（１０、２０）の少なくとも一方が第１のモードから第２のモードに切り換わり、第２のモードに切り換わっている通信装置は、その通信装置のアドレスを発見するために送信されたメッセージに対して応答しない。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate for microarray 100, equipped with a substrate 10, a bulkhead 20 partitioning surface of the substrate 10 and an area 30 partitioned by the bulkhead, includes the process to form the first film by using the composition containing compound (A) such as C.I. pigment red 254, and the process to form the bulkhead through patterning of the first film.例文帳に追加

基板１０とその表面を区画する隔壁２０と隔壁により区画された領域３０とを有するマイクロアレイ用基板１００の製造方法において、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２５４等の化合物（Ａ）を含む組成物を用いて第１膜を形成する工程と、第１膜をパターニングして隔壁を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the multilayer substrate 400 includes: a process for of forming a junction layer 105 between substrates by bonding first and second crystal substrates 100, 200; and a process for of forming a thin part 205 by etching the first and/or second crystal substrates 100, 200 toward the junction layer 105.例文帳に追加

本発明の積層基板４００の製造方法は、第１及び第２の水晶基板１００，２００を接合し基板間に接合層１０５を形成する工程と、前記第１又は／及び第２の水晶基板１００，２００を前記接合層１０５に向かってエッチングして薄肉部２０５を形成する工程と、からなることを特徴としている。 - 特許庁

A CPU 56 executes, in a common processing routine (special symbol processing): a process from the start of variation of a first special symbol based on winning into a first start pocket 13 to the stop of a stopping symbol; and a process from the start of variation of a second special symbol based on winning into a second start pocket 14 to the stop of a stopping symbol.例文帳に追加

ＣＰＵ５６が、第１始動入賞口１３への入賞にもとづく第１特別図柄の変動開始から停止図柄の停止までの処理と第２始動入賞口１４への入賞にもとづく第２特別図柄の変動開始から停止図柄を停止するまでの処理とを共通の処理ルーチン（特別図柄プロセス処理）で実行する。 - 特許庁

This method consists of a process in which a first device 11 continuously transmits a dummy packet of an ARP(address resolution protocol) packet to a second device 12 in an interval shorter than a gap between minimum packets, and a process in which the first device 11 decides which the second device 12 is between full duplex and semi duplex by detecting the existence/ nonexistence of a collision.例文帳に追加

本方法は、第１の装置１１が、第２の装置１２に対して、最小パケット間ギャップよりも短い間隔でＡＲＰパケットのダミーパケットを連続的に送信する過程と、第１の装置１１がコリジョンの有無を検出することにより、第２の装置１２が全二重又は半二重の何れであるかを判定する過程と、からなる。 - 特許庁

In the cutting method for the wafer, a full-cutting process of cutting the wafer in a first direction and in a second direction orthogonal to the first direction is carried out and then a clean cutting process of floating a cutting blade which rotates at a high speed over the wafer and then moving it along a cutting line relatively to the wafer is performed.例文帳に追加

ウエーハの切削加工方法であって、ウエーハを第１の方向と第１の方向に直交する第２の方向に切削してウエーハを複数のチップに分割するフルカット工程を実施した後、高速回転する切削ブレードをウエーハから浮かせてカットライン上を沿うようにウエーハに対して相対移動させるクリーンカット工程を実施する。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor device comprise a first process for adhering a first holding member 40 to one face of a wafer 10 on which an integrated circuit is formed and for dicing the wafer 10 from the other face, and a second process for grinding the face of the semiconductor chip 20 opposite to a face 22 on which the integrated circuit is formed.例文帳に追加

集積回路が形成されたウェーハ１０における一方の面に第１の保持部材４０を貼り付け、他方の面から前記ウェーハ１０をダイシングして、複数の半導体チップ２０に分割する第１工程と、前記半導体チップ２０における前記集積回路の形成された面２２とは反対側の面を研削する第２工程と、を含む。 - 特許庁

The control section 18 executes a first polishing process of polishing the object 14 to be polished while setting the temperature in the surface portion of the polishing pad 12 within a first temperature range, and then executes a second polishing process of polishing the object 14 to be polished while setting the temperature in the surface portion of the polishing pad 12 within a second temperature range.例文帳に追加

制御部１８は、研磨パッド１２の表面部の温度を第１の温度範囲内に設定した状態で被研磨物１４を研磨する第１の研磨工程を実行した後に、研磨パッド１２の表面部の温度を第２の温度範囲内に設定した状態で被研磨物１４を研磨する第２の研磨工程を実行する。 - 特許庁

This method for producing the organic sludge fuel of a suitable embodiment comprises a first process of mixing organic materials containing the organic sludge and a first thermoplastic plastic material to obtain a fuel mixture, and a second process of forming a product housing the fuel mixture in an outer shell consisting of a second thermoplastic plastic material.例文帳に追加

本発明の好適な実施形態の有機汚泥燃料の製造方法は、有機汚泥を含む有機物及び第１の熱可塑性プラスチックを混合して燃料混合物を得る第１工程と、第２の熱可塑性プラスチックからなる外殻内に燃料混合物が収容された生成物を形成する第２工程とを有している。 - 特許庁

In the collector for abrasives for collecting abrasives from the waste water of polishing process, this device has a first film-separating means for introducing and condensing the waste water of polishing process and a second film-separating means for introducing the condensed liquid separated by the first film-separating means and removing coarse solids in the condensed liquid.例文帳に追加

研磨工程排水から研磨材を回収する装置において、研磨工程排水が導入され濃縮される第１の膜分離手段と、第１の膜分離手段で分離された濃縮液が導入され、濃縮液中の粗大固形物が除去される第２の膜分離手段とを有することを特徴とする研磨材の回収装置。 - 特許庁

Compound A is mainly used for the material of compound B of the first related invention. Manufacture of compound B by reacting compound A of the specified invention with another compound is extremely appropriate in view of the characteristic and function of compound A. The process of the first related invention is the process of using the characteristic and function of compound A of the specified invention. 例文帳に追加

化合物Ａの主要な用途は、第1 の関連発明の化合物Ｂの原料であるから、特定発明の化合物Ａを他の化合物と反応させて化合物Ｂを製造することは、化合物Ａの性質・機能からみてきわめて適切であり、第1 の関連発明の方法は、特定発明の化合物Ａの性質・機能を利用する方法である。 - 特許庁

In a sequence where processes from a first through a fourth are performed retaining a semiconductor substrate 3 in the chamber 5, the magnitude of the RF power is selected from P1-P4 according to each process treatment and the process treatments from the first to the fourth processes are performed in consecutive steps of 21A-21D.例文帳に追加

開示される半導体装置の製造方法は、半導体基板３をプロセスチャンバ５内に保持したままで第１〜第４のプロセス処理を施す場合、それぞれのプロセス処理に応じてその都度高周波電力Ｐ１〜Ｐ４の大きさを切り替えて、第１〜第４のプロセス処理を連続した第１〜第４のステップ２１Ａ〜２１Ｄのステップで行う。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent for a freezing process being applied to the first resist pattern in a double patterning method and satisfying the requirements for preventing line width and LWR of the first resist pattern from fluctuating owing to the freezing process and the formation of the second resist pattern, and also to provide a pattern formation method by use of it.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅とＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれおよびそれを用いたパターン形成方法を提供すること - 特許庁

When a two-staged liquid phase oxidation is carried out with molecular oxygen in the presence of bromine or a catalyst consisting of bromine and a heavy metal at 180-280°C in an aqueous solvent, the first stage is carried out in a continuous process and the second stage is carried out in a continuous or batch process, and the bromine is dividedly added to the first stage and the second stage.例文帳に追加

水溶媒中で１８０〜２８０℃の温度において、臭素または臭素と重金属からなる触媒の存在下、分子状酸素によって２段階で液相酸化する際に、第１段階を連続式で行ない、第２段階を連続式または回分式で行ない、臭素を第１段階と第２段階に分割して添加する。 - 特許庁

The method for manufacturing an SiC substrate includes a step of removing at least a part of a process-modified layer 3a from the SiC substrate by vapor phase etching, the SiC substrate having first and second principal faces and having the process-modified layer 3a produced by mechanical plane processing or cutting on the first principal face.例文帳に追加

本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層３ａを前記第１の主面に有するＳｉＣ基板１から、前記加工変質層３ａの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。 - 特許庁

This method for processing a semiconductor compries a process for forming a first insulating film (24) containing silicon on the surface of a GaN system semiconductor layer (20) and a process for removing the first insulating film (24) formed on the surface of the GaN system semiconductor layer (20), and a semiconductor device and its manufacturing method are provided with this method for processing a semiconductor.例文帳に追加

本発明は、ＧａＮ系半導体層（２０）の表面にシリコンを含有する第１絶縁膜（２４）を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層（２０）の表面に形成された第１絶縁膜（２４）を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体の処理方法、半導体装置およびその製造方法である。 - 特許庁

An insulating film is formed on a substrate; after forming a photoresist pattern on the insulating film, a trench, having a first dimension, is formed on the insulating film through a first etching process using the photoresist as a mask; and the insulating film, including the trench, is etched through a second etching process and an expanded trench, having a second dimension, is formed.例文帳に追加

基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンをマスクとして利用する第１食刻工程を通じて絶縁膜に第１寸法を有するトレンチを形成し、トレンチを含む絶縁膜を第２食刻工程を通じて食刻し、第２寸法を有する拡張されたトレンチを形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a strip electrode with electrode pastes 21, 22 coated on either surface of a strip collector sheet 10, respectively, includes a first coating process coating the electrode paste 21 on a first surface 11 of the collector sheet 10, and a second coating process coating electrode paste 22 on a second surface 12 of the collector sheet 10.例文帳に追加

帯状の集電体シート１０の両面に電極ペースト２１、２２が塗工された帯状電極の製造方法において、集電体シート１０の第１面１１に電極ペースト２１を塗工する第１塗工工程と、集電体シート１０の第２面１２に電極ペースト２１を塗工する第２塗工工程とを有している。 - 特許庁

To improve reliability by electrically detecting completion of fitting of first and second connectors and confirming completion of fitting of the first and second connectors even in the fitting process of a compact and low-profile substrate-to-substrate connector, thereby surely preventing the occurrence of incomplete fitting in the fitting process.例文帳に追加

第１コネクタと第２コネクタとの嵌（かん）合完了を電気的に検出することによって、小型化及び低背化された基板対基板コネクタの嵌合工程においても、第１コネクタと第２コネクタとの嵌合完了を正確に確認することができ、嵌合工程における不完全嵌合の発生を確実に防止することができ、信頼性が高くなるようにする。 - 特許庁

The capacity of the the waste toner container 17a of the process cartridge Pa having the toners of the first color forming the images first to an intermediate transfer member 28 for primarily transferring the toner images and the capacity of the waste toner container 27a of the process cartridge Pd having the toners of the Bk color having the highest frequency of use are made greater than the capacity of the other waste toner containers 27b and 27c.例文帳に追加

トナー像を一次転写する中間転写体２８に最初に画像を形成する第１の色のトナーを有するプロセスカートリッジＰａの廃トナー容器２７ａの容量と、最も使用頻度の高いＢｋ色のトナーを有するプロセスカートリッジＰｄの廃トナー容器２７ａの容量とを、他の廃トナー容器２７ｂ，２７ｃの容量より大きくする。 - 特許庁

The method includes the first cleaning process for cleaning the object by the first detergent containing the additive and a hydrocarbon, the second cleaning process for rinsing the object to which the detergent is adhered by using a hydrocarbon, and the third cleaning process for making the rinsed object contact the second detergent containing a cyclic fluorohydrocarbon or an organic solvent and the cyclic fluorohydrocarbon.例文帳に追加

被洗浄物を、添加剤と炭化水素とを含む第１の洗浄剤で洗浄する第１の洗浄工程と、前記洗浄剤が付着した被洗浄物を炭化水素を用いてすすぐ第２の洗浄工程と、及び前記炭化水素を用いてすすいだ被洗浄物を、環状フッ化炭化水素または有機溶剤と環状フッ化炭化水素とを含有する第２の洗浄剤と接触させる第３の洗浄工程を有する被洗浄物の洗浄方法。 - 特許庁

The treatment method of decomposing crude glycerol produced as a by product together with alkyl ester of fatty acid provided by a product particularly when the biodiesel fuel using the waste edible oil and alcohol as a raw material is produced employs means comprising a first process of mixing an organic waste material containing a microorganism with the crude glycerol and a second process of carrying out the changeover of a mixture obtained in the first process.例文帳に追加

特に、廃食用油及びアルコールを原料とするバイオディーゼル燃料の製造時に、製品となる脂肪酸のアルキルエステルと共に副生される粗製グリセリンを、微生物を利用して分解する処理方法であって、前記微生物を有する有機性廃棄物と前記粗製グリセリンを混合する第１の工程と、前記第１の工程で得られる混合物に対して切り返しを行う第２の工程とからなる手段を用いる。 - 特許庁

In the production plan preparation system, the target number of objects processed in a process in each of a plurality of first stage periods is set by a computer about at least one process executed so as to produce a product, and the target number of the objects processed in the process is set by the computer in a second stage period including the plurality of first stage periods.例文帳に追加

製品を生産するために実行される少なくともいずれかの工程について、第１の複数の第１段階期間のそれぞれにおいて前記工程で処理する対象物の目標数をコンピュータにより設定し、前記第１の複数の第１段階期間を包含する第１の第２段階期間において前記工程で処理する対象物の目標数をコンピュータにより設定することを特徴とする生産計画作成システムが提供される。 - 特許庁

This particle forming method comprises a process for forming liquid droplets containing a first material, a process for heating and pyrolyzing the liquid droplets in a reaction vessel to form core parts, and a process for heating and pyrolyzing a raw material gas containing a second material different from the first material in the reaction vessel to form shell parts for coating the core parts.例文帳に追加

第１の材料を含有する液滴を形成する工程と、反応容器の中で前記液滴を加熱し熱分解させることによりコア部を形成する工程と、前記反応容器の中で、全体第１の材料とは異なる第２の材料を含有する原料気体を加熱し熱分解させることにより前記コア部を被覆するシェル部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする粒子形成方法を提供する。 - 特許庁

The second monitor control server 20 detects the control signal 53 which has been transmitted or received by the first monitor control server 10 immediately before the first monitor control server 10 is stopped, and can control the control signal from the process based on the control signal 53 which is scheduled to be succeedingly transmitted or received by the first monitor control server 10.例文帳に追加

第２監視制御サーバ２０は、第１監視制御サーバ１０が停止する直前に第１監視制御サーバ１０が送信または受信した制御信号５３を検知し、第１監視制御サーバ１０がその次に送信または受信予定の制御信号５３に基づく工程から、制御可能である。 - 特許庁

This method comprises for offering a first mechanism capable of performing exclusive access to the first part of a cache memory and a process for offering a second mechanism capable of performing exclusive access to the second part of the cache memory, and the exclusive access to the first pat is made independent of the exclusive access to the second part.例文帳に追加

キャッシュメモリの第１の部分への排他的アクセスを可能とする第１の機構を提供する工程と、キャッシュメモリの第２の部分への排他的アクセスを可能とする第２の機構を提供する工程と、を有し、第１の部分への排他的アクセスは第２の部分への排他的アクセスと独立である。 - 特許庁

After the first resist pattern is formed using the resist composition containing a thermal base generator as a chemically-amplified resist composition in the first patterning, a hard bake process is performed before the second patterning, for baking the first resist pattern under a bake condition that a base is generated from the thermal base generator.例文帳に追加

１回目のパターニングの際、化学増幅型レジスト組成物として、熱塩基発生剤を含有するレジスト組成物を使用して第一のレジストパターンを形成した後、２回目のパターニングを行う前に、第一のレジストパターンを、前記熱塩基発生剤から塩基が発生するベーク条件にてベークするハードベーク工程を行う。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method which, in double patterning, can form a second resist pattern while retaining a first resist pattern without dissolving the first resist agent in the second resist agent, and which can suppress a line width variation of the first resist pattern and is suitably adopted even for a liquid immersion exposure process.例文帳に追加

ダブルパターニングにおいて、第二のレジスト剤に第一のレジスト剤が溶解することなく、第一のレジストパターンを保持したまま第二のレジストパターンを形成することができ、更には第一のレジストパターンの線幅変動を抑制することができ、液浸露光プロセスにも好適に採用されるレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

A drawing process part 31 and an auxiliary plate 30 forming a bearing hole 33 of a shaft part 16br of a first reduction gear 16b, are arranged in the thrust direction around the bearing 13a for supporting the shaft part 12a in the load sheave 12 of the first main frame 11a so as to be attached to the first main frame 11a.例文帳に追加

第１主フレーム１１ａのロードシーブ１２における軸部１２ａを支持する軸受１３ａ周囲には、前記第１主フレーム１１ａに付設するように、スラスト方向に絞り加工部３１と、第１減速ギヤ１６ｂの軸部１６ｂｒの軸受孔３３を形成した補助プレート３０を配置する。 - 特許庁

In a welding process, the first cylindrical portion 41 is irradiated with a laser to heat the first cylindrical portion 41 such that the temperature of the fitting surface 80 converges at a second temperature which is equal to or higher than the melting points and by melting the vicinity of the fitting surface 80 through this heating, the fuel passage member 30 and the first cylindrical portion 41 are joined together.例文帳に追加

溶接工程では、第１筒部４１にレーザを照射することで嵌合面８０の温度が前記融点以上の第２温度に収束するよう加熱し、当該加熱により嵌合面８０近傍を溶融させることで燃料通路部材３０と第１筒部４１とを接合する。 - 特許庁

In one embodiment, a pressing mechanism applies pressure to a substrate 102 to hold the substrate 102 by the first tray 106 when a substrate 102 is mounted to a first tray 106, the first tray 106 is mounted onto a second tray 107, and the substrate-transferring mechanism transfers the second tray 107 to a process chamber 109 in the condition that the second tray 107 is held inclined.例文帳に追加

本発明の一実施形態では、第一のトレイ106に基板102が搭載された際に与圧機構が基板102に圧力を与えて第一のトレイ106が基板102を保持した状態とし、この第一のトレイ106を第二のトレイ107に装着し、第二のトレイ107を斜めの姿勢にして搬送機構がプロセスチャンバー109に搬送する。 - 特許庁

The process further includes: applying a second layer 114 in contact with the alkaline surface of the first resist pattern to expose the second layer to the active radiation (Fig. 1D), developing it (Fig. 1F), and removing a region of the second layer near to the first resist pattern to define an opening 118 between the first resist pattern and the second resist pattern.例文帳に追加

第２の層１１４を第１のレジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し第２の層を活性化放射線に露光（図１Ｄ）、現像（図１Ｆ）して、第１のレジストパターンの近傍の第２の層の領域が除去されて、前記第１のレジストパターンと第２のレジストパターンとの間に開口１１８を画定する。 - 特許庁

Mobile mode receivers use a single RF chain with a controllable filter to receive and process a signal within a first selected carrier band including a first signal component identified within the first currently selected band and a second signal component identified within a second alternative band.例文帳に追加

移動体受信機は、制御可能なフィルタを有する単一ＲＦチェーンを使用して、第１の現在選択された帯域内で識別される第１の信号成分及び第２の選択肢の帯域内で識別される第２の信号成分、を含んでいる第１の選択されたキャリア帯域の範囲内の信号を受信しそして処理する。 - 特許庁

On receiving a first reset signal, the reset circuits reset the first and second interrupt causes, and include a circuit that implements a process to reverse the interrupt mask value matching the interrupt cause of the higher priority between the first and second interrupt causes.例文帳に追加

前記リセット回路は、第１のリセット信号を受けると、前記第１の割り込み要因及び第２の割り込み要因のリセットを行い、第１の割り込み要因と第２の割り込み要因のうち優先順位の高い方の割り込み要因に対応した割り込みマスク値を反転させる処理を行う回路を含む。 - 特許庁

When the pressure detected by a pressure sensor 33 is lower than a preset pressure value P_set, after a lapse of a first time T1 has passed since the boil-keeping process started, a controller 27 shifts the heating pattern from a first heating pattern by an induction heating coil 6 to a second heating pattern having higher outputs than the first heating pattern.例文帳に追加

コントローラ２７は、沸騰維持工程開始から第１の時間Ｔ１が経過した時の圧力センサ３３の検出圧力が圧力設定値Ｐ_set未満であれば、誘導加熱コイル６の加熱パターンを第１加熱パターンから第１加熱パターンよりも高出力である第１加熱パターンに変更する。 - 特許庁

The method of performing selective growth of a semiconductor material by a semiconductor process, includes providing a patterned substrate 10 comprising a first region 11 and a second region 12, where the first region 11 comprises an exposed first semiconductor material and the second region 12 comprises an exposed insulator material.例文帳に追加

半導体プロセスで半導体材料の選択成長を行う方法が、第１領域１１と第２領域１２とを含むパターニングされた基板１０を提供する工程を含み、第１領域１１は露出した第１半導体材料を含み、第２領域１２は露出した絶縁材料を含む。 - 特許庁

The cash register settlement system includes a first commodity register device 10 for registering purchased commodities, and a customer-operated cash settlement device 15 separated at a distance from the first commodity register device 10, for a purchasing customer to perform a process for settling the payment of a purchased commodity registered in the first commodity register device 10.例文帳に追加

レジ精算システムは、購入商品の登録を行う第一商品登録装置１０と、第一商品登録装置１０と離れた場所に設けられ、第一商品登録装置１０で登録された購入商品の代金決済処理を購入顧客が行う顧客操作型現金決済装置１５と、を備えている。 - 特許庁

A control part 90 compares a printing rate bmn of each area Rm with a first reference printing rate C1 in every print sheet, and calculates a printing length Lmn in every area, using a difference between the first reference printing rate C1 and a printing rate bmn, as to the area of Bmn<C1, to execute a first process for delivering toner.例文帳に追加

制御部９０は、印刷１枚毎に各領域Ｒｍの印字率ｂｍｎと第１の基準印字率Ｃ１とを比較し、ｂｍｎ＜Ｃ１である領域についてＣ１とｂｍｎとの差を用いて領域毎の印字長さＬｍｎを算出してトナーの吐出を行う第１の工程を実行する。 - 特許庁

On the basis of the target temperature of the first medium and the temperature of the first medium and the temperature of the second medium at the entrance side of the heat exchanger detected in the detection process, the flow rate of the second medium is adjusted and the temperature of the first medium at the exit side of the heat exchanger is controlled.例文帳に追加

前記第１の媒体の目標温度と、前記検出工程で検出した前記熱交換器の入口側における第１の媒体の温度と前記第２の媒体の温度に基づいて、前記第２の媒体の流量を調整して、前記熱交換器の出口側における第１の媒体の温度を制御する。 - 特許庁

The method for manufacturing the nozzle sheet used for an ink-jet head of an ink-jet printer adopts a process of exposing a first photosensitive resin sheet 20 on which a photosensitive liquid repelling film 21 is formed and patterning first nozzles 21a, 20a at the same time on the photosensitive liquid repelling film 21 and the first photosensitive resin sheet 20.例文帳に追加

インクジェットプリンタのインクジェットヘッドに用いられるノズルシートは、感光性撥液膜２１が形成された第１感光性樹脂シート２０に露光し、感光性撥液膜２１及び第１感光性樹脂シート２０に一度に第１ノズル２１ａ、２０ａのパターニングを行う工程を採り入れた製造方法とする。 - 特許庁

The device and manufacturing method of the device, wherein a first conductive layer contacting a semiconductor area is formed, an insulating layer is formed on the first conductive layer in a coating process, a mask pattern is formed by radiating a laser beam to a part of the insulating layer, etching is performed with the mask pattern as a mask to form a divided first conductive layer.例文帳に追加

本発明は、半導体領域に接する第１の導電層を形成し、第１の導電層上に絶縁層を塗布法により形成し、絶縁層の一部にレーザ光を照射してマスクパターンを形成し、前記マスクパターンをマスクとしてエッチングして、分割された第１の導電層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The ultrasonic welding horn is equipped with a first pointed projection 12 and second projections 16 and 18 which are lower than the first projection 12 and provided so as to surround the first projection 12, and a method of manufacturing the electrolytic capacitor comprises a process of bonding the terminal rivet 34 to the tab 36 by ultrasonic welding.例文帳に追加

係る電解コンデンサ用超音波溶接ホーンは、尖鋭部を持つ第１の突部１２と、この第１の突部を包囲して形成され、第１の突部より高さの低い第２の突部１６、１８とを備えたものであり、電解コンデンサの製造方法は、係るホーンを用いてターミナルリベットとタブとの超音波溶接を行う。 - 特許庁

A constant current charging process is divided into a plurality of stages having different charging current values, a first constant current charge is conducted at a first charging current value of 0.08 C or higher, and then a second constant current charge is conducted at a second charging current value higher than the first charging current value.例文帳に追加

定電流充電過程を充電電流値の異なる複数の段階に分け、充電開始時に、０．０８Ｃ以上の第１の充電電流値で第１の定電流充電を行ったのちに、第１の充電電流値よりも大きい第２の充電電流値で第２の定電流充電を行う。 - 特許庁

A first to fourth load boats 102, 114, 116, and 118, where cassettes 106 can be placed and a device 150 for positioning an object to be processed, are arranged around the first transfer chamber 122 of atmospheric pressure, and a first to fourth vacuum process chambers 158, 160, 162, and 164 are arranged around the second transfer chamber 133 of a reduced pressure.例文帳に追加

大気圧雰囲気の第１搬送室１２２の周囲にはカセット１０６を載置可能な第１〜第４ロードポート１０２，１１４，１１６，１１８と被処理体位置合わせ装置１５０が配置され，減圧雰囲気の第２搬送室１３３の周囲には第１〜第４真空処理室１５８，１６０，１６２，１６４が配置される。 - 特許庁