「inert」に関連した英語例文の一覧と使い方(75ページ目) - Weblio英語例文検索

Molding formed by mixing binders such as a petroleum system pitch or polyvinyl alcohol with powders of an ion exchange resin is calcinated at 200-300°C in the air, a fired material is carbonized at 600-700°C in an inert gas, and a carbide is activated at 800-1,000°C, and thus the adsorbent for nitrogen monoxide is manufactured.例文帳に追加

イオン交換樹脂の粉末を、石油系ピッチまたはポリビニルアルコール等のバインダーと混合して成型した成型物を、２００〜３００℃の空気中で焼成し、焼成物を６００〜７００℃の不活性ガス中で炭化し、炭化物を８００〜１０００℃で賦活して一酸化窒素用吸着材を製造する。 - 特許庁

The method for producing the silicon carbide sintered compact includes: a process of firing a mixture containing ethyl silicate and phenol resin under an inert atmosphere to extract powder of a silicon source that contains a silicon simple substance generated during the generation of a silicon carbide powder body; and a vapor deposition process of depositing the silicon source to a surface of the silicon carbide sintered compact.例文帳に追加

炭化ケイ素焼結体の製造方法は、不活性雰囲気下において、エチルシリケートとフェノール樹脂とを含む混合物を焼成し、炭化ケイ素粉体を生成する過程で生成され、ケイ素単体と一酸化ケイ素とを含むケイ素源の粉体を抽出する工程と、炭化ケイ素焼結体の表面に前記ケイ素源を蒸着させる蒸着工程を有する。 - 特許庁

To provide a material which can be cured in air without replacing the atmosphere by an inert gas at the time of ultraviolet irradiation, and which can achieve performances required for an optically biaxial film, such as a sufficiently large in-plane retardation, with respect to a polymerizable liquid crystal composition supplied as a material for an optically biaxial film.例文帳に追加

本願発明の目的は、二軸性フィルム用の材料として供される重合性液晶組成物において、紫外線照射時に不活性ガスで雰囲気を置換することなく、空気中で硬化が可能であり、かつ正面位相差が十分大きい等の二軸性フィルムとして求められる性能を実現できる材料を提供することにある。 - 特許庁

There is provided a method of producing the zinc oxide thin film having an average transmittance of 80% or more for visible light and a low volume resistivity of 1×10^-3 Ω cm or less, wherein spray coating is applied on the heated substrate surface under an inert gas atmosphere containing steam such as the composition containing the partial hydrolyzate of the organic zinc compound.例文帳に追加

有機亜鉛化合物の部分加水分解物を含む組成物等を水蒸気を含有する不活性ガス雰囲気下、加熱された基板表面にスプレー塗布することを含む、可視光線に対して８０％以上の平均透過率を有しかつ体積抵抗率が１×１０^-3Ω・ｃｍ未満の酸化亜鉛薄膜の製造方法。 - 特許庁

The process for producing the sputtering target comprises the steps of: forming a molded object comprising a mixed powder composed of an NaF powder and a Cu-Ga powder or a mixed powder composed of an NaF powder, a Cu-Ga powder and a Cu powder; and sintering the molded object in a vacuum atmosphere, an inert gas atmosphere or a reductive atmosphere.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、ＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末との混合粉末、又はＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末とＣｕ粉末との混合粉末からなる成形体を形成し、その後、真空、不活性ガスまたは還元雰囲気中で焼結する工程を有している。 - 特許庁

The base for the solar cell comprises a base film made of a thermoplastic crystalline resin and a coating layer provided on at least one surface thereof and containing inert particles, the coating layer having a center-surface mean surface roughness Ra of 1-150 nm and a mean interval S of 100-2.500 nm at a local peak of the surface.例文帳に追加

熱可塑性結晶性樹脂からなる基材フィルムおよびその少なくとも一方の面に設けられた不活性粒子を含有する塗布層からなる太陽電池用基材であって塗布層の中心面平均表面粗さＲａが１〜１５０ｎｍかつ該表面の局部山頂の平均間隔Ｓが１００〜２５００ｎｍであることを特徴とする太陽電池用基材。 - 特許庁

The method of manufacturing metal silicon has a step of: forming silica ash containing mainly silica by firing the silicicolous plant; and a step of: adding aluminum into the resultant silica ash and heating it under an inert gas atmosphere to cause a reaction of formula: 4Al+3SiO_2→3Si+2Al_2O_3 to obtain the metal silicon.例文帳に追加

ケイ酸植物を焼成してシリカを主体として含むシリカ灰を形成する工程、次いで、得られたシリカ灰にアルミニウムを加え不活性ガス雰囲気中で加熱し、次式（１） ４Ａｌ＋３ＳｉＯ_２ → ３Ｓｉ＋２Ａｌ_２Ｏ_３ ・・・（１）の反応を生じさせて金属シリコンを得る工程とを有することを特徴とする金属シリコンの製造方法。 - 特許庁

The manufacturing apparatus of a semiconductor device includes a chamber 10 for bake processing a substrate 2 to be processed, a plurality of gas supply ports 12 provided on an internal surface of the chamber 10, and a moisture control unit 14 capable of supplying inert gases which differ in humidity, respectively to the plurality of gas supply ports 12.例文帳に追加

被処理基板２をベーク処理するチャンバー１０と、チャンバー１０の内面に設けられた複数のガス供給口１２と、複数のガス供給口１２のそれぞれに、湿度が異なる不活性ガスを供給可能な湿度制御部１４と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

Upon the sintering in this way, a singular spacer 10 is arranged inside the die 20, a plurality of spaces are partitioned between the upper punch 40 and the lower punch 30, and hafnium carbide powder is filled into the spaces, and is subjected to pulse conduction heating and sintered in a vacuum or in an inert atmosphere while performing pressurization by the upper punch 40 and the lower punch 30.例文帳に追加

このように焼結する際に、ダイ２０内には、単数のスペーサ１０を配置して、上パンチ４０と下パンチ３０間に複数の空間を区画形成し、この空間に炭化ハフニウム粉末を充填して、真空中又は不活性雰囲気中で上パンチ４０と下パンチ３０で加圧しながらパルス通電加熱して焼結する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high cleanliness steel which is low in the hydrogen concentration [H] in molten steel 3, the oxygen content [O] t in the molten steel and the total concentration of low grade oxides in slag, by optimizing flow rates from individual bottom blowing plugs and total flow rate thereof when conducting refining by blowing inert gas from two bottom blowing plugs.例文帳に追加

２つの底吹き用プラグから不活性ガスを吹き込むことによって精錬を行うに際し、各底吹き用プラグの流量や合計の流量を適正化することによって、溶鋼３中の水素濃度[Ｈ]、溶鋼中酸素量[Ｏ]ｔ、スラグ中の低級酸化物の合計濃度の低い高清浄度鋼を製造することができるようにする。 - 特許庁

In a self light-emitting device having a structure in which an EL layer 102 is sandwiched between a transparent electrode 103 and a cathode 101, each of the EL layer 102 and the transparent electrode 103 has a film thickness in which there is no occurrence of waveguide light, and an inert gas is filled between the transparent electrode 103 and a cover material 105 .例文帳に追加

透明電極１０３と陰極１０１との間にＥＬ層１０２を挟んだ構造を含む自発光装置において、前記ＥＬ層１０２の膜厚及び前記透明電極１０３の膜厚は導波光が生じない膜厚であり、かつ前記透明電極１０３とカバー材１０５との間に不活性ガスを有することを特徴とする自発光装置である。 - 特許庁

The method for producing the (poly)glyceryl ether by reacting alcohols (other than glycidol and glycerol) and glycidol comprises: adjusting the pressure inside a reaction system to 0.1-25 MPa (gauge pressure) with an inert gas; and carrying out the reaction while maintaining a reaction temperature of within 150-270°C and the pressure inside the reaction system within the pressure range.例文帳に追加

アルコール類（但し、グリシドール及びグリセリンを除く）とグリシドールを反応させる（ポリ）グリセリルエーテルの製造方法であって、不活性ガスで系内圧力を０．１〜２５ＭＰａ（ゲージ圧）に調整した後、反応温度を１５０〜２７０℃で、かつ系内圧力を当該範囲に維持して反応させる、（ポリ）グリセリルエーテルの製造方法である。 - 特許庁

The valve metal foil having an arithmetic mean surface roughness Ra of 0.040 to 0.10 μm is prepared, a mixed thin film comprising a valve metal and a different-phase component is formed on a surface thereof, and only the different-phase component in the mixed thin film is removed after a heat treatment in a vacuum or in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

表面の算術平均粗さＲａが０.０４０μｍ以上０.１０μｍ以下のバルブ金属箔を準備し、その表面上にバルブ金属と異相成分とからなる混合薄膜を形成し、真空中又は不活性ガス雰囲気中において熱処理を施した後、混合薄膜中の異相成分のみを除去する。 - 特許庁

In addition, a fire extinguishing agent 60 is housed in the fire extinguishing agent storage container 10 and at least light one inert gas selected from a group consisting of argon gas and nitrogen gas and at least one light element gas selected from a group consisting of helium gas and hydrogen gas are sealed in the fire extinguishing agent storage container 10 by closing the opening part of the fire extinguishing agent storage container 10.例文帳に追加

加えて、蓄圧式消火器１００は、消火剤貯蔵容器内１０に、消火剤６０が収容されるとともに、その開口部を閉塞することによりアルゴンガスと窒素ガスからなる群から選択される少なくとも１つの不活性ガス及びヘリウムガスと水素ガスとからなる群から選択される少なくとも１つの軽元素ガスが封入されている。 - 特許庁

The method for manufacturing a boron nitride nanotube is characterized in that a mixed powder material containing a boron oxide (B_2O_3) powder and a magnesium (Mg) powder is heated to a predetermined reaction temperature in a horizontal reactor to generate a reaction gas containing a boron element, and that an ammonia gas introduced there with an inert gas is reacted with the reaction gas for a predetermined time.例文帳に追加

横型反応器内にて、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）粉末とマグネシウム（Ｍｇ）粉末を含む混合粉末原料を、所定の反応温度まで加熱することによりホウ素元素を含む反応ガスを発生させ、そこへアンモニアガスを不活性ガスと共に導入して前記反応ガスと前記アンモニアガスを所定の時間反応させることを特徴とする、窒化ホウ素ナノチューブの製造方法。 - 特許庁

Hafnium carbide powder F is filled into a cylindrical die 20 whose both edges are provided with opening parts 20a, 20b, and the hafnium carbide is subjected to pulse conduction heating and sintered in a vacuum or in an inert gas atmosphere while performing pressurization in a state of being held between an upper punch 40 and a lower punch 30 arranged at the opening parts 20a, 20b.例文帳に追加

両端に開口部２０ａ，２０ｂが設けられた筒状のダイ２０内に炭化ハフニウム粉末Ｆを充填し、真空中又は不活性雰囲気中で炭化ハフニウムを、開口部２０ａ，２０ｂに配置された上パンチ４０と下パンチ３０で挟んだ状態で加圧しながら、パルス通電加熱して焼結する。 - 特許庁

A rhenium tungsten filament 22 having a light emitting part 221 and a non-light emitting part 222 locally in a longitudinal direction and inert gas are sealed in a quartz glass bulb 21 having sealing parts 231, 232 at both ends, and external lead-in wires 251, 252 connected to the filament 22 is lead out of the sealing parts 231, 232 to structure the halogen lamp L2.例文帳に追加

両端に封止部２３１，２３２が形成された石英ガラス製のバルブ２１内の長手方向に局部的に発光部２２１および非発光部２２２を有するレニウムタングステン製のフィラメント２２および不活性ガスを封入し、封止部２３１，２３２からフィラメント２２に接続した外部導入線２５１，２５２が導出してハロゲンランプＬ２を構成する。 - 特許庁

Further, the method for producing the sputtering target includes: a step of hot-pressing a powder mixture of Na_2S powder and Cu-Ga alloy powder or a powder mixture of Na_2S powder, Cu-Ga alloy powder and pure Cu powder in vacuum or an inert gas atmosphere; or a step of sintering the powder mixture according to a hot isostatic pressing method.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、Ｎａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末との混合粉末、又はＮａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程、または、熱間静水圧法で焼結する工程を有している。 - 特許庁

In the method of manufacturing the light-emitting device by mounting a light-emitting element 2 on an element mounting substrate 3 and sealing the light-emitting element 2 on the element mounting substrate 3 with heated glass 51, the light-emitting element 2 is sealed in an atmosphere of inert gas containing oxygen, thereby preventing a reduction action of the glass 51 during sealing.例文帳に追加

発光素子２を素子実装基板３に実装し、素子実装基板３上の発光素子２を加熱されたガラス５１により封止する発光装置の製造方法において、発光素子２の封止は、酸素含有の不活性ガスの雰囲気にて行うようにし、封止時におけるガラス５１の還元作用を抑制した。 - 特許庁

The carbon material suitable for the electrode catalyst for the fuel cell and the like is obtained by firing a wholly aromatic polybenzimidazole comprising a specific repeating unit and having a characteristic viscosity of 0.05-200 dL/g (methanesulfonic acid solvent, sample concentration: 0.03 g/100 mL, measuring temperature: 25°C) at 500-1,500°C in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

特定の繰り返し単位からなり、特有粘度が０．０５〜２００ｄＬ／ｇ（メタンスルホン酸溶媒、試料濃度０．０３ｇ／１００ｍＬ、測定温度２５℃）である全芳香族ポリベンゾイミダゾールを、不活性ガス雰囲気下、５００〜１，５００℃において焼成することにより、燃料電池用電極触媒等に好適な炭素材料を得る。 - 特許庁

The method for producing a moisture content-reduced solvent ink composition comprises subjecting an ink composition containing a pigment dispersion containing a metal pigment and a dispersion medium, or the pigment dispersion and an organic solvent to a bubbling treatment for ≥4 hours using an inert gas containing a steam content of ≤2.0 mg/L, to thereby reduce a moisture content contained in the pigment dispersion or the ink composition.例文帳に追加

金属顔料及び分散媒を含む顔料分散液、又は前記顔料分散液及び有機溶剤を含むインク組成物を、水蒸気含有量が２．０ｍｇ／Ｌ以下の不活性ガスを用いて４時間以上バブリング処理することにより、前記顔料分散液又は前記インク組成物に含まれる水分量を低下させることを含む、水分量低減溶剤インク組成物の製造方法である。 - 特許庁

After a porous body with nickel as a main constituent is coated with aluminum, the porous body is heat-treated under an inert atmosphere or a reducing atmosphere, an electrode material with active carbon as a main constituent is filled into a collector for a capacitor, namely a nickel aluminum alloy porous body, to form an electrode for a capacitor, and the problem is solved by a capacitor using the electrode.例文帳に追加

ニッケルを主成分とする多孔体にアルミニウムを被覆した後、不活性雰囲気あるいは還元性雰囲気で熱処理を行い、ニッケルアルミニウム合金多孔体としたキャパシタ用の集電体に、活性炭を主成分とする電極材料を充填してキャパシタ用電極とし、これを用いたキャパシタにより解決される。 - 特許庁

A tungsten filament 12 having a light emitting part 121 and a non-light emitting part 122 locally in the longitudinal direction and inert gas are sealed in a quartz glass bulb 11 having sealing parts 131, 132 at both ends, and external lead-in wires 151, 152 connected to the filament 12 are lead out of the sealing parts 131, 132 to structure the halogen lamp L1.例文帳に追加

両端に封止部１３１，１３２が形成された石英ガラス製のバルブ１１内の長手方向に局部的に発光部１２１および非発光部１２２を有するタングステン製のフィラメント１２および不活性ガスを封入し、封止部１３１，１３２からフィラメント１２に接続した外部導入線１５１，１５２を導出してハロゲンランプＬ１を構成する。 - 特許庁

When shield gas is supplied from the vicinity of a steel plate clamp surface, a front surface of a clamp member becomes a wall by allowing the front surface (a surface having a shield gas supply hole) of the clamp member to have a sufficient height, the air entrainment is suppressed, and a relatively narrow space surrounded by the steel plate and the clamp member can be replaced with an inert gas.例文帳に追加

鋼板クランプ面近傍からシールドガスを供給する際に、クランプ部材の前面（シルードガス供給孔がある面）に十分な高さを持たせることにより、クランプ部材の前面が壁となり、大気の巻き込みが抑制され、鋼板とクランプ部材で囲まれた比較的狭い空間を不活性ガスで置換することができる。 - 特許庁

In the method for producing an inert gas A, comprising applying a deoxidation-denitration treatment to a mixture W composed of a mixed gas containing oxygen and a combustible gas K, a boiler exhaust gas G is used as the mixed gas, and the mixture W is allowed to pass through a plurality of catalytic combustion parts 12-15 so as to be subjected a plurality of times to the deoxidation-denitration treatment.例文帳に追加

酸素を含む混合ガス、および可燃ガスＫからなる混合体Ｗに、脱酸・脱硝処理を施して不活性ガスＡを製造する不活性ガスの製造方法であって、前記混合ガスはボイラー排ガスＧとされるとともに、混合体Ｗは、複数の燃焼触媒部１２〜１５を通過して複数回脱酸・脱硝処理される。 - 特許庁

The quantity of the inert gas to be supplied by a gas supply means 18 is gradually reduced with the reduction of the volume in the drawing furnace 11 by being partitioned by the partition plates 12-16 by a control means 21 so that the pressure of the drawing furnace 11 is kept constant according to the measured value by the furnace internal pressure measuring instrument 20.例文帳に追加

そして、炉内圧測定器２０の測定値に応じて線引炉１１内の圧力を一定に保つように、仕切板１２〜１６によって仕切られることによる線引炉１１内の容積の減少に従い、ガス供給手段１８による不活性ガスの供給量を制御手段２１によって徐々に減少させる。 - 特許庁

The fluorescent lamp 1 includes a glass-bulb 2 in which a pair of electrodes are arranged at both ends and an inert gas together with mercury are sealed inside, a transparent conductive membrane 3 formed on the inner face of the glass-bulb 2, a protective layer 4 formed on the transparent conductive membrane 3, and a light-emitting layer 5 composed of a phosphor formed on the protective layer 4.例文帳に追加

蛍光ランプ１は、両端に一対の電極が配置されて、内部に不活性ガス及び水銀が封入されるガラスバルブ２と、ガラスバルブ２の内面に形成される透明導電膜３と、透明導電膜３の上に形成される保護層４と、保護層４の上に形成される蛍光体よりなる発光層５とを備えている。 - 特許庁

The solid-state image pickup device is characterized in that the closed space 11 of the light receiving region formed on a solid-state image pickup element as an upper layer of a silicon substrate 1 with a frame wall 6 and a sealing glass plate 7 is filled with transparent inert oil 10 of ≤1.3 in refractive index, especially, fluorine-based oil typically of perfluoro-polyester oil.例文帳に追加

シリコン基板１上層の固体撮像素子の上に枠壁６と封止ガラス板７により形成された受光領域の閉鎖空間１１に、屈折率１．３以下の透明不活性オイル１０、特に、パーフルオロポリエーテル油を代表とするフッ素系オイルが充填されていることを特徴とする固体撮像装置である。 - 特許庁

In the method for producing the metal-ceramics joined substrate in which molten metal is brought into contact with a ceramics substrate 22, and is thereafter cooled and solidified to join metal plates 24, 26 to the ceramics substrate 22, the molten metal is brought into contact with the ceramics substrate 22 in an inert gas atmosphere, and thereafter, the molten metal is cooled and solidified in an oxidizing gas atmosphere.例文帳に追加

金属溶湯をセラミックス基板２２に接触させた後に冷却して固化させることにより、金属板２４、２６をセラミックス基板２２に接合する金属−セラミックス接合基板の製造方法において、不活性ガス雰囲気中において金属溶湯をセラミックス基板２２に接触させた後に、酸化性ガス雰囲気中において金属溶湯を冷却して固化させる。 - 特許庁

The light-emitting device includes a light-transmitting substrate 10, the organic EL element 20 formed on one surface side of the light-transmitting substrate 10, a sealing member 50 arranged by separating from one surface rather than the organic EL element 20 on one surface side of the light-transmitting substrate 10, and an inert liquid 90 intervened between the sealing member 50 and the organic EL element 20.例文帳に追加

発光装置は、透光性基板１０と、透光性基板１０の一表面側に形成された有機ＥＬ素子２０と、透光性基板１０の上記一表面側において有機ＥＬ素子２０よりも上記一表面から離れて配置された封止部材５０と、封止部材５０と有機ＥＬ素子２０との間に介在する不活性液体９０とを備える。 - 特許庁

There is provided a biomass pyrolysis/gasification system 10 for sewage sludge or woody biomass, wherein a mixed gas of an inert gas of an oxygen concentration of 5-13 vol.% with oxygen is passed through a pipe 12 interconnecting between a pyrolysis/gasification furnace 11 and a combustion furnace 13 and a pyrolysis deposit deposited on the inside wall of the pipe 12 is burnt and removed under conditions of a gas temperature of 500°C or higher.例文帳に追加

下水汚泥や木質バイオマスなどのバイオマスの熱分解ガス化システム１０において、熱分解ガス化炉１１と燃焼炉１３との間に設けられる配管１２に、酸素濃度が５体積％以上１３体積％以下の不活性ガス及び酸素の混合ガスを流通させ、ガス温度５００℃以上の条件で、前記配管１２の内壁に付着した熱分解付着物を燃焼させて除去する。 - 特許庁

The method for producing terpene hydrocarbons comprises bringing limonene or a derivative thereof into contact with zeolite at ≥40°C in an organic solvent in an inert gas atmosphere, thereby selectively producing the terpene hydrocarbons represented by formula (2) (wherein R^1 is hydrogen atom, alkyl group or alkoxy group; R^2 is hydrogen atom, alkyl group or alkoxy group; and the hydrogen atoms in the alkyl group and the alkoxy group are optionally substituted).例文帳に追加

リモネン又はその誘導体を、不活性ガス雰囲気下に、有機溶媒中でファージャサイト型アルミノシリケート又はモルデナイト型アルミノシリケートから選ばれるゼオライトと４０℃以上で接触させて下記一般式（２）（式中、Ｒ^１は水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を示し、Ｒ^２は水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を示す。 - 特許庁

The silicon wafer heat-treating method is of the type of heat-treating the silicon wafer by a vertical heat treatment furnace, wherein the inert gas flow rate immediately after the start of putting the silicon wafer into the furnace is ≥30 L/min and ≤45 L/min and the thickness of an oxide film formed on the silicon wafer surface when the wafer is put into the furnace is ≤16 Å.例文帳に追加

本発明にかかるシリコンウエハの熱処理方法は、縦型熱処理炉を用いてシリコンウエハを熱処理する熱処理方法であって、前記シリコンウエハの炉入れ開始直後の不活性ガス流量を３０Ｌ／ｍｉｎ以上４５Ｌ／ｍｉｎ以下とし、炉入れ時にシリコンウエハ表面に形成される酸化膜厚を１６Å以下になすことを特徴とする。 - 特許庁

The gas passage switch device 90 repeats reciprocal movement of moving in the same direction as the hopper 31 while connecting a gas supply port 91 of the gas passage switch device 90 with the gas passage opening end 37 by coming into contact with the hopper 31 so as to supply the inert gas to the gas passage opening end 37 and moving reversely to the hopper 31 away from the hopper 31 to return to a position before the contact.例文帳に追加

ガス流路切替装置９０は、ホッパー３１に当接することにより該ガス流路切替装置９０のガス供給口９１と前記ガス流路開口端３７とを連通させつつホッパー３１と同方向に移動してガス流路開口端３７に不活性ガスを供給し、ホッパー３１から離れてホッパー３１と逆方向に移動して当接前の位置に戻る往復運動を繰り返す。 - 特許庁

A material containing a compound having a high heat-resistant temperature and an impurity having a sublimation temperature lower than the heat-resistant temperature of the compound is heated at the high heat-resistant temperature or lower in an inert gas atmosphere having reduced pressure, the impurity having a low sublimation temperature is diffused into the atmosphere, comparison is made with the content of the impurity in the material, and the content of an impurity is reduced.例文帳に追加

耐熱温度の高い化合物と、化合物の耐熱温度より低い昇華温度の不純物と、を含む材料を、減圧された不活性ガス雰囲気において耐熱温度以下で加熱して、昇華温度の低い不純物を雰囲気中に拡散させ、材料における不純物の含有率と比較して、不純物の含有率を低減させる。 - 特許庁

This film-forming apparatus has a differential pressure chamber having an exhaust means provided between a CVD film-forming chamber and an upstream or downstream treatment chamber, and introduces an inert gas and/or gases supplied to both of the film-forming chamber and the treatment chamber into the differential pressure chamber to make the pressure of the differential pressure chamber higher than that of either chamber having a higher pressure between the both chambers.例文帳に追加

ＣＶＤ成膜室と上流もしくは下流の処理室との間に排気手段を有する差圧室を設けて、この差圧室に、不活性ガスおよび／または両室に供給されるガスを導入することにより、成膜室および処理室の高圧な方よりも高い圧力とすることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

An inlet unit 12 for introducing a liquid or gas into a vaporization chamber 11 is disposed on an upper wall 11a of the vaporization chamber with the center axes aligned to each other, and is configured to include a first inlet tube 121 for spraying a source solution from the top end into the vaporization chamber and a second inlet tube 122 concentrically disposed outside the first inlet tube and for introducing an inert gas into the vaporization chamber.例文帳に追加

気化室１１内に液体又は気体を導入する導入部１２を、気化室の上壁１１ａに中心軸を一致させて設けられ、先端部から前記気化室内に向けて原料溶液を噴霧する第１導入管１２１と、この第１導入管の外側に同心状に設けられ、気化室内に向けて不活性ガスを導入する第２導入管１２２とを有する構成とする。 - 特許庁

The mildew-proofing aerosol device 1 contains: mildew-proofing microorganisms that form spores under prescribed conditions and proliferously grow on a surface of an object for a mildew-proofing treatment to suppress proliferous growth of other fungi; a liquid in which the mildew-proofing microorganisms are mixed; an aerosol container 2 housing the mildew-proofing microorganisms and the liquid; and an inert compressed gas with low chemical reactivity, which fills the aerosol container 2.例文帳に追加

防カビ用エアゾール装置１は、所定条件下で芽胞を形づくり、防カビ対象物の表面で増殖して他の菌の増殖を抑制する防カビ微生物と、防カビ微生物が混合される液体と、防カビ微生物及び液体を収容するエアゾール容器２と、エアゾール容器２内に充填された化学反応性の低い不活性な圧縮ガスとを含んでいる。 - 特許庁

The process for producing an unsaturated aldehyde and an unsaturated carboxylic acid comprises using a catalyst obtained by supporting a catalytically active component on an inert carrier in the form of a ring at a first layer of a raw material gas inlet, the outer peripheral portion of the carrier curving in the lengthwise direction of the carrier, in a plurality of reaction zones provided by diving the catalyst layer within each reaction tube into two or more layers in the tubular axis direction.例文帳に追加

各反応管内の触媒層を管軸方向に２層以上に分割して設けた複数の反応帯において、原料ガス入口部の１層目にリング形状を有し、外周縁部が担体長さ方向に湾曲した不活性担体に触媒活性成分を担持した触媒を使用することを特徴する不飽和アルデヒド及び不飽和カルボン酸の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method includes the steps of: preparing a mixture powder of an R-Co alloy powder which is an alloy powder of Co and R that is a rare-earth metal and a Ta powder so that the composition of the target comprises 5-10 atom% R, 5-10 atom% Ta and the balance Co with unavoidable impurities by a ratio; and hot-pressing the mixture powder in a vacuum or an inert-gas atmosphere.例文帳に追加

希土類金属をＲとしてＲ：５〜１０原子％、Ｔａ：５〜１０原子％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなるターゲット組成となる割合で、ＣｏとＲとの合金粉末であるＲ−Ｃｏ合金粉と、Ｔａ粉と、の混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有している。 - 特許庁

A manufacturing method for metal-oxide semiconductor thin films comprises a process of so sticking on a substrate the solution made of an organic metal and an organic solvent and so subjecting the solution to a heating decomposition as to form a thin film on the substrate by baking, and a process of subjecting thereafter the thin film to heat treatment inside an inert gas.例文帳に追加

この発明の金属酸化物半導体薄膜の製造方法は、有機金属と有機溶媒とから成る溶液を基板に付着させ加熱分解し基板上に薄膜を焼成成膜させ、その後不活性ガス中で熱処理を行うことにより金属酸化物半導体薄膜を製造する、ことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a filter capable of being regenerated even in a line that is used in a production process for a semiconductor or liquid crystal and can remove basic compounds such as ammonia contained as impurities in high pressure gases of a low dew point such as compressed air and a compressed inert gas without causing secondary pollution by the filter itself.例文帳に追加

半導体や液晶を製造する工程で使用され、圧縮空気や圧縮不活性ガス等の、低露点高圧ガス中に不純物として含まれるアンモニア等の塩基性化合物を除去可能なフィルタで、フィルタ自体からの二次汚染の問題がなく、インラインでも再生可能なフィルタを提供する。 - 特許庁

This fixing device 16 fixing a toner image formed on a sheet on the sheet is equipped with a radiant heat source consisting of the radiation heater 23 having a glass tube 28 in which a filament 29 and enclosed gas including inert gas are hermetically enclosed, and a heating member consisting of a heating roller 18 housing the radiant heat source inside.例文帳に追加

シート上に形成されたトナー画像を当該シートに定着装置１６は、フィラメント２９と不活性ガスを含む封入ガスとを密閉したガラス管２８を有する輻射ヒータ２３からなる輻射熱源と、内部に前記輻射熱源を収納した加熱ローラ１８からなる加熱部材を備えている。 - 特許庁

By the use of the capacitance type precision pressure meter 3, inert gas is introduced into the chamber 4 to make the pressure of the chamber 4 larger that the atmospheric pressure, and the gate valve of the chamber 4 is opened so that the flow of air introduced into the chamber 4 is controlled to prevent the refuse from being whirled up with the introduced air.例文帳に追加

精度の高い静電容量型の圧力計３を用いて、外気に対しチャンバ４の圧力を陽圧になるように不活性ガスをチャンバ内に導入しチャンバのゲ−トバルブを開くことによって、チャンバ内に流れ込む空気の流れを抑制し、流れ込む空気によるゴミの舞上がりを防止する。 - 特許庁

The device having a function of removing SiO includes a carbon heater in a sealed tank having a gas flow inlet and a gas flow outlet; and the device heats the inert gas containing SiO to a predetermined temperature to vaporize SiO, allows the vapor to react with carbon such as carbon fibers or solid graphite to obtain SiC, deposits the SiC on carbon such as carbon fibers or solid graphite to remove it.例文帳に追加

前記ＳｉＯ除去機能を持つ装置は、ガス流入口及びガス流出口を設けた密閉槽にカーボンヒーターを内蔵しており、ＳｉＯを含む不活性ガスを所定温度に加熱してＳｉＯを蒸発させ、炭素繊維類又は固形の黒鉛類等の炭素に反応させてＳｉＣとなし、前記ＳｉＣを炭素繊維類又は固形の黒鉛類等の炭素に付着させて除去する。 - 特許庁