1153万例文収録!

「junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(150ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > junctionの意味・解説 > junctionに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

junctionを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 9126



例文

To obtain a diode-type ultraviolet sensor which has a laminate structure for forming hetero junction, has no directivity, does not need an extraction electrode and further has flat spectral wavelength sensitivity characteristics over a wide wavelength range.例文帳に追加

ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサであって、方向性がなく、かつ引き出し電極が必要ではなく、さらに、広い波長範囲にわたって、分光波長感度特性がフラットなものを得る。 - 特許庁

The solar cell includes a substrate having a pn junction and the calcined silver electrode provided on the substrate, wherein from the calcined silver electrode, at least a part of the surface layer is removed.例文帳に追加

本発明の太陽電池セルは、pn接合を有する基板と、前記基板上に設けられた焼成銀電極とを備え、前記焼成銀電極は、その表面層の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする。 - 特許庁

Plasma treatment and ozone treatment for cleaning and activating the surface are performed to the junction surface between the single-crystal Si substrate 10 and a crystal substrate 20 where a hydrogen ion implantation layer 11 is formed for bonding.例文帳に追加

水素イオン注入層11を形成した単結晶Si基板10と石英基板20のそれぞれの接合面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施して貼り合わせる。 - 特許庁

To bury trenches formed in a semiconductor layer in manufacturing a semiconductor element having a repetitive p-n junction structure with epitaxial layers having no void nor crystal defect, but having uniform impurity concentration profiles in the depthwise direction.例文帳に追加

繰り返しpn接合構造を有する半導体素子を製造する際に、半導体層に形成したトレンチを、空隙や結晶欠陥がなく、深さ方向に均一な不純物濃度プロファイルを有するエピタキシャル層で埋めること。 - 特許庁

例文

Such metal electrode/ceramic junction is obtained by superposing a metal sheet having a prescribed uneven structure and a ceramic, and subjecting the metal sheet and the ceramic to heat treatment and/or voltage impression under prescribed conditions.例文帳に追加

このような金属電極/セラミックス接合体は、所定の凹凸構造を有する金属シートとセラミックスとを重ね合わせ、金属シートとセラミックスとを所定の条件下で加熱処理及び/又は電圧印加することにより得られる。 - 特許庁


例文

The second impurity layer 110 has a second peak in the impurity concentration distribution in the depthwise direction, and the second peak is located in a region deeper than the first peak but shallower than the junction depth of the source-drain region 108.例文帳に追加

第2の不純物層110は深さ方向の不純物濃度分布に第2のピークを持つと共に、該第2のピークは第1のピークよりも深く且つソース・ドレイン領域108の接合深さよりも浅い領域に位置している。 - 特許庁

The membrane electrode junction element 1 has an ion conductive membrane 2, a fuel electrode 3 arranged on one side in the thickness direction of the ion conductive membrane 2, and an oxidizer electrode 4 arranged on the other side in the thickness direction of the ion conductive membrane 2.例文帳に追加

膜電極接合体1は、イオン伝導膜2と、イオン伝導膜2の厚み方向の片側に配置された燃料極3と、イオン伝導膜2の厚み方向の他の片側に配置された酸化剤極4とをもつ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of distancing a silicide film formed on an epitaxial semiconductor layer from the junction formed between a source/drain region and a semiconductor substrate.例文帳に追加

エピタキシャル半導体層をチャネル領域から遠ざけることなく、エピタキシャル半導体層上に形成されるサリサイド膜と、ソース/ドレイン領域と半導体基板との間に形成される接合とを遠ざけることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A photocell has a hetero-junction structure obtained by laminating an electron supplying conductive polymer film 3 and an electron receiving fullerene polymer film 4 between a pair of electrode 1, 5 at least one of which is light-transmissible.例文帳に追加

少なくとも一方が光透過性である一対の電極1−5間に、電子供与性の導電性高分子膜3と電子受容性のフラーレン重合体膜4とが積層されてなるヘテロ接合構造体を有するフォトセル。 - 特許庁

例文

To provide a method of manufacturing a fuel cell film/electrode junction improving jointing characteristics between an electrolyte film and gas diffusion electrode by preventing shrinkage of hydrocarbon based polyelectrolyte film due to evaporation of moisture.例文帳に追加

水分の蒸発に基づく炭化水素系高分子電解質膜の収縮を防止し、もって電解質膜とガス拡散電極の接合性を向上させることができる燃料電池用膜・電極接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

On the Daini-Keihan-Doro Bypass, the distance marked on each respective sign originates from the Oguraike Interchange in the direction of Kadoma Junction, while on the Rakunan Renraku Road the distance on kilometer posts, for example “洛0.5,” which originates from the union with the Hanshin Expressway Route No. 8 Kyoto Line. 例文帳に追加

第二京阪道路の距離標は巨椋池ICを起点に門真JCTに向かって付けられており、洛南連絡道路区間のキロポストは阪神高速道路8号京都線接続部を起点に「洛0.5」のように付けられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

At the section which connects Kitayama-dori Street after a junction, there was a steep slope with hairpin turns, called Kitsunezaka, but the Kitsunezaka bridge was completed in April 18, 2006, and it became a useful route to the Kokusaikaikan from the city. 例文帳に追加

分岐し北山通へと通じる区間では、狐坂と呼ばれるヘアピンカーブの急な坂が存在していたが、2006年4月18日には狐坂高架橋が完成し、市街地から国際会館へ向かう際のルートとして便利なものとなった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To enhance the yield by capturing residual high melting point metal easily and preventing it from being trapped in a non-silicide region thereby reducing junction leak at a diffusion layer in the non-silicide region.例文帳に追加

残留高融点金属を容易に捕獲でき、ノンシリサイド領域内に残留高融点金属がトラップされるのを防止してノンシリサイド領域における拡散層での接合リークを低減させて、歩留まりの向上を図ることにある。 - 特許庁

To provide a polyamide resin compsn, which hardly becomes warped, is excellent in resistances to heat and impact, exhibits a small change in dimension by water absorption, and is suitable for electric pats housing, such as connectors, relay boxes, junction boxes, and fuse boxes, of automobiles.例文帳に追加

ソリが少なく、耐熱性、耐衝撃性に優れ、吸水時の寸法変化が少ないポリアミド樹脂性のコネクター、リレーボックス、ジャンクションボックス、ヒューズボックスなど自動車電装部品ハウジングに好適なポリアミド樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A second inductor 12 is provided by magnetically coupling the first inductor, and one end of this inductor is connected to a control terminal of the FET through a capacitor 13 and the other end thereof is connected to a junction point between the resistive element 6 and the first inductor.例文帳に追加

第1のインダクタと磁気結合して第2のインダクタ12を設け、このインダクタの一端を、コンデンサ13を介してFETの制御端子に接続し、他端を抵抗素子6と第1のインダクタとの接続点に接続する。 - 特許庁

Thereby, the junction surface area in the bonding interface of the p^+ type bonding layer 4a and the n^+ type bonding layer 4b can be increased as compared with a flat structure like a conventional one, and carriers are made easy to pass therethrough by that amount.例文帳に追加

これにより、p^+型接合層4aとn^+型接合層4bとの接合界面での接合面積を従来のような平坦構造と比較して増大させることが可能となり、その分キャリアを通過させ易くなる。 - 特許庁

The shape of a TMR element 14 of ferromagnetic tunnel junction, which is formed in connection holes 12a and 17a of insulating layers 12 and 17 provided on a semiconductor substrate 1, is regulated by the shape of the connection holes 12a and 17a.例文帳に追加

半導体基板1上に設けられた絶縁層12、17の接続孔12a、17a内に形成された強磁性トンネル接合されたTMR素子14の形状を、接続孔12a、17aの形状によって規定する。 - 特許庁

The base of the control transistor Q2 is connected to the junction between a choke coil L1 and an output capacitor C2 through the series circuit of a diode D2 and a resistor R5, and a diode D3 is connected between the base and the emitter of the control transistor Q2.例文帳に追加

制御トランジスタQ2のベースをダイオードD2と抵抗R5の直列回路を介してチョークコイルL1と出力コンデンサC2の接続点に接続し、制御トランジスタQ2のベース、エミッタ間にダイオードD3を接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of a flip-chip junction or wafer-level CSP (Chip Scale Package) using an underfill resin, wherein an increase in mounting area due to variation in applying amount of the underfill resin, cracking of the semiconductor device, etc., are prevented.例文帳に追加

アンダーフィル樹脂を用いたフリップチップ接合又はウエハレベルCSPの半導体装置において、アンダーフィル樹脂の塗布量変動に伴う実装面積の増大及び半導体装置におけるクラックの発生等を防止する。 - 特許庁

To provide a voltage control oscillator in which abnormal oscillations of a resonator and a spurious component of an oscillation signal are removed even while imparting the linearity to the change of a junction capacity of a variable capacity element, and also, the occurrence of thermal noise is suppressed.例文帳に追加

可変容量素子の接合容量の変化に直線性を持たせながらも、共振器の異常発振や、発振信号のスプリアス成分を無くし、さらに熱雑音の発生を抑制した電圧制御発振器の提供を図る。 - 特許庁

The junction surface 15A has an end 15A-1 having a curved surface of a radius R1 formed in a diametric direction on the gap side, and an end 15A-2 having a curved surface of a radius R2 formed in the diametric direction on the side opposite to the gap side.例文帳に追加

接合面15Aは半径R1の曲面が径方向に形成された端部15A−1を空隙側に有し、半径R2の曲面が径方向に形成された端部15A−2を空隙側とは反対側に有する。 - 特許庁

To provide a fuse holding construction and an electric junction box equipped with the same, which can prevent prying or half-fitting from occurring and can commonly accommodate a plurality of kinds of fuses with different heights.例文帳に追加

この発明は、こじりや半嵌合が起きるのを防止することができるとともに、高さが異なる複数種のヒューズが共用できるヒューズ保持構造及びヒューズ保持構造を備えた電気接続箱の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an MESFET of a developing BP-LDD structure can be formed, while avoiding a substantially increased number of manufacturing steps and suppressing reduction of a breakdown voltage in a Schottky junction, and also provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

製造工程を大幅に増加することなく、ショットキー接合部の耐圧低下を抑止しつつ、発展型BP−LDD構造のMESFETを形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

One side wheel guide part is continuously formed of the wheel guide part in another route direction side out of the pair of let/right wheel guide parts in a branch junction part branching from and joining to another route 2 relative to a fixed route 1.例文帳に追加

一定経路1に対して分岐合流される別経路2への分岐合流部では、左右一対の車輪案内部のうち別経路方向側の車輪案内部により片側の車輪案内部を連続して形成した。 - 特許庁

The heating film 12 is formed in a cylindrical shape in which a junction part 14, jointed by superposing end-side parts that are on the side of one pair between the sides of two pairs opposing to each other, has a spiral shape by using a member having an almost parallelogram shape.例文帳に追加

加熱フィルム12は、ほぼ平行四辺形状の部材を用いて、二組の対辺のうちで一方側の組にかかる端辺部を重ね合わせて接合する接合部14がスパイラル状となるような筒状に形成する。 - 特許庁

A plurality of such frames are arranged linearly in the condition that their ends face confront each other, and a junction rail 180 is installed between guide rail portions in the mutually confronting part 179 in such a way as continued to the up-facing guide surface 18a of the guide rail part.例文帳に追加

フレーム体は、端面どうしを相対向させた状態で複数を直線状に配設し、相対向部分179のガイドレール部間に中継レール体180を、ガイドレール部の上向きのガイド面18aに連ねて設けた。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device with a pn junction diode incorporated thereinto so as to be capable of detecting the temperature of a transistor element provided in an SOI (silicon on insulator) layer surrounded by trench separation on an SOI substrate upon operation with excellent sensitivity and response.例文帳に追加

SOI基板におけるトレンチ分離で囲まれた1つのSOI層に設けるトランジスタ素子の動作時温度を感度良くかつ応答性良く検出できるようにPN接合ダイオードを組み込んだ半導体装置を得ること。 - 特許庁

As a result, the optical fiber cable holder which can exactly hold various kinds of the optical fiber cables in putting these cables into and out of the junction box, can reduce the number of components and can easily deal with the change in the optical fiber cables.例文帳に追加

これにより、種々の光ファイバケーブル類を光接続箱に入出線する際に的確に保持でいるものであり、部品点数を少なくできるばかりでなく、光ファイバケーブル類の変更にも容易に対応できるものである - 特許庁

In an (i) layer of a pin junction, quantum wave interference layers Q1-Q4, made by stacking a first layer W and a second layer B having a broader band width than the first layer W at a multiple cycle and carrier confinement layers C1-C3, are formed.例文帳に追加

pin接合のi層において、第1層Wと第1層Wよりもバンド幅の広いバンドを有する第2層Bとを多重周期で積層した量子波干渉層Q_1〜Q_4とキャリア閉込層C_1〜C_3を設けた。 - 特許庁

To attain an improvement in the reliability of an electro-mechanical apparatus in such a way as to operate stably for a long time, an electro-mechanical element air-tightly sealed with a supporting substrate and a sealing substrate via a junction layer.例文帳に追加

支持基板と封止基板とで接合層を介して気密封止された電気機械素子を、長期間にわたって安定して動作させることができるように、電気機械装置の信頼性の向上を図ることを可能とする。 - 特許庁

The p-electrode 6 is formed of such a material that cannot form ohmic junction between the p-type layer 4 and itself, so that a current does not flow from the p-electrode 6 to a part with which the p-electrode 6 of the p-type layer 4 is in direct contact.例文帳に追加

p電極6は、p型層4との間にオーミック接合が得られない材料で形成されており、p型層4のp電極6が直接に接触している部分には、p電極6から電流が流れない。 - 特許庁

A chip 120 has a plurality of bumps 121, and by flip-chip junction onto the substrate 110, a bump group 121 is joined to a pad group 113, and a mold flow gap S is formed between the chip 120 and the substrate 110.例文帳に追加

チップ120は複数個のバンプ121を有し、かつ基板110上にフリップチップ接合されることで、バンプ群121をパッド群113に接合させ、チップ120と基板110との間にモールド流れ間隙Sを形成する。 - 特許庁

To provide a construction method of a tile, for not generating a crack at a joint part which is a junction between base materials and not generating a crack on a tile even when the tile is constructed over the joint part.例文帳に追加

本発明の目的は、下地材どうしの接合部である目地部にひび割れや亀裂を生ずることなく、目地部に跨ってタイルを施工しても、タイルにひび割れや亀裂を生ずることがないタイルの施工方法を提供することにある。 - 特許庁

With respect to the circular pattern, junction parts J between linear parts and curved parts in an arbitrary round are located so as to more project than those in more inner rounds in extension directions of linear parts.例文帳に追加

周回パターンは、任意の周の直線部分と曲線部分との結合部Jが、それよりも内側の周の直線部分と曲線部分との結合部よりも、直線部分の延びる方向において突出して位置付けられている。 - 特許庁

A semiconductor storage device has two magnetic tunnel junction elements MTJ1 (30A) and MTJ2 (30B) connected in series, which take complementary resistance when being applied by a writing current to both ends of a source and drain of a transistor (Tr).例文帳に追加

半導体記憶装置は、トランジスタ(Tr)のソース・ドレインの両側に、書き込み電流印加時に相補的な抵抗状態をとる2つの磁気トンネル接合素子MTJ1(30A)とMTJ2(30B)が直列に接続されている。 - 特許庁

The ferromagnetic tunnel junction part 21 is formed by laminating a first ferromagnetic film 211 and a second ferromagnetic film 212 via an insulating film 210 and is arranged between the first magnetic shielding film 51 and the second magnetic shielding film 52.例文帳に追加

強磁性トンネル接合部21は、第1の強磁性膜211と第2の強磁性膜212とが絶縁膜210を介して積層され、第1の磁気シールド膜51及び第2の磁気シールド膜52の間に配置されている。 - 特許庁

In a junction structure wherein an electronic part 1 is bonded to a bed 3 with an adhesive material 2 between, protrusions 4 are formed on the electronic part 1 and/or the bed 3.例文帳に追加

電子部品1と台座3との間に接合材料2を介在させ、電子部品1を台座3に接合する電子部品の接合構造において、電子部品1あるいは台座3の少なくとも一方の接合面に突起部4を形成する。 - 特許庁

The pn junction diode 22a for temperature detection is formed with an n-type diffusion layer 21 formed in the p-type diffusion layer 20 as a cathode region, and a P^+ diffusion layer 19b formed in the n-type diffusion layer 21 as an anode region.例文帳に追加

温度検出用PN接合ダイオード22aは、P型拡散層20内に形成されるN型拡散層21をカソード領域とし、N型拡散層21内に形成されるP+拡散層19bをアノード領域とする。 - 特許庁

As the other configuration, narrow wall surfaces of other waveguides are subjected to face junction to one narrow wall surface of the power feed waveguide, slots that are long in the direction of the tube axis are formed on both the wide wall surfaces, thus forming the horizontal polarization omni-waveguide slot antenna.例文帳に追加

他の構成として給電導波管の片側狭壁面に他の導波管の狭壁面を面接合し、その両広壁面に管軸方向に長いスロットを設けて水平偏波オムニ導波管スロットアンテナを形成する。 - 特許庁

To maintain performance for a long time with an efficient maintenance of the pH sensor by detecting a drop in electromotive force and degrading of response as caused by the 1 adhesion of scale to a glass electrode part, clogging of a liquid junction and the like.例文帳に追加

pHセンサーにおいて、ガラス電極部へのスケールの付着、液絡の目詰まり等により生じる起電力の低下、応答性の劣化を検知し、効率的なpHセンサーのメンテナンスを行い性能を長期に渡り維持する。 - 特許庁

The printed wiring substrate with a BGA package mounted thereon has high junction strength to peeling due to external force, by providing an extension line 4 with a pad 3 and a through hole 2 linearly in almost the same line width as a pad diameter.例文帳に追加

本発明のBGAパッケージを実装するプリント配線基板は、引き出し線4がパッド3とスルーホール2をパッド径と略同じ線幅で且つ、直線に設けられることで外力による剥がれに対して高い接合強度を有している。 - 特許庁

To enhance the degree of freedom of an apparatus arrangement layout of a fuel cell vehicle by saving a space of a solid polymer electrolyte type fuel cell, and to avoid the occurrence of a liquid junction and an earth fault in the solid polymer electrolyte type fuel cell.例文帳に追加

固体高分子電解質型燃料電池の省スペース化を図って燃料電池車の機器配置レイアウトの自由度を高めるとともに、該固体高分子電解質型燃料電池において液絡や地絡が起こることを回避する。 - 特許庁

To provide a structurally-simple mounting fitting which enables a support formed of shape steel, and a beam member such as a horizontal member and a brace member to be easily connected together, even in the case of orthogonal connection or scissor junction, and which enables weight reduction and cost reduction.例文帳に追加

形鋼からなる支柱と横材やブレス材等の梁材等の連結が直交あるいは斜め交差であっても簡単に行え、しかも構造的に簡単で、軽量化、コストダウンを図ることができる取付け金具を提供する。 - 特許庁

Since the lead is processed before the introduction of the substrate into the case, it is not necessary to form a bending part of the lead and to fix the lead to the substrate inside the case of a narrow space, thus simplifying the junction operation.例文帳に追加

ケース内への基板の導入前にリード線への加工を行うので、スペースの狭いケース内でリード線の屈曲部の成形及びリード線の基板への固着を行う必要はなく、接合作業を簡素化することができる。 - 特許庁

To provide a multi-junction thin-film photoelectric converter, having high conversion efficiency and which has a high open-circuit voltage, by balancing the short-circuit current value at a high value, by serially connecting silicon-based and CIS-based thin-film photoelectric conversion units.例文帳に追加

シリコン系およびCIS系薄膜光電変換ユニットを直列接続することにより短絡電流値を高い値でバランスさせ、高い開放電圧を有する、変換効率の高い多接合型光電変換装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, as the strong lamination body block which can resist sufficiently for processing by cutting, grinding, heat treatment, or the like is formed, looseness and peeling of a junction part is not caused, a magnetic head having high quality and high processing yield is obtained.例文帳に追加

このことによって、切断、研磨、熱処理等による加工にも十分耐え得る強固な積層体ブロックが形成されるので、接合部の緩みや剥離が生じなく、高品質、高加工歩留まりな磁気ヘッドが得られる。 - 特許庁

As a result, it can be prevented that a large current flows into the second joint part of the ground electrode side or that an arc is generated at the time of opening and closing, and the inexpensive junction material whose durability is not high can be used.例文帳に追加

その結果、開閉時に接地極側の第2接点部に大電流が流れたりアークが発生するのを防ぐことができ、接地極側の第2接点部に耐久性の高くない安価な接点材料が使用できる。 - 特許庁

A leakage determination means 17 determines whether the gas is leaked from the junction between the nozzle tip and the tip mount based on air pressure detected by a pressure sensor 16 for detecting the air pressure within the nozzle tip after the process for pressurizing the nozzle tip.例文帳に追加

漏れ判定手段17は、ノズルチップ内加圧工程以後にノズルチップ内の気圧を検出する圧力センサ16により検出された気圧に基づいて、ノズルチップとチップ装着部との接合部からの気体の漏れの有無を判定する。 - 特許庁

Since a barrier, which is formed by the depletion region, enhances more the current stopping power of the P-N junction part between a body and the drain, a P-type body region can be shallow formed by a low-concentration doping, without generating the problem of punch through.例文帳に追加

空乏領域によって生成されるバリヤがボディ−ドレイン間PN接合部の電流阻止能力を一層高めるので、P型ボディ領域を、パンチスルーの問題を生じさせずに低濃度ドープで浅く作ることができる。 - 特許庁

例文

This magnetic sensor for measuring a magnetic field with high precision in a high temperature ranging from 200°C to 600°C is provided with a group III nitride semiconductor layer, and an Al_xGa_1-xN layer configuring the group III nitride semiconductor layer and hetero junction.例文帳に追加

200℃〜600℃程度の高温で磁界を高精度に測定するための磁気センサは、III族窒化物半導体層と、前記III族窒化物半導体層とヘテロ接合を構成するAl_xGa_1−xN層とを有する。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
本サービスで使用している「Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス」はWikipediaの日本語文を独立行政法人情報通信研究機構が英訳したものを、Creative Comons Attribution-Share-Alike License 3.0による利用許諾のもと使用しております。詳細はhttp://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/ および http://alaginrc.nict.go.jp/WikiCorpus/ をご覧下さい。
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS