「junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(159ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide the manufacturing method of a semiconductor device and the semiconductor device, wherein an Ni silicide having a lower resistance and preventing junction leak is formed, even when a phase transition temperature of NiSi into NiSi_2 is raised and a heat treatment condition higher than 600°C is experienced.例文帳に追加

ＮｉＳｉがＮｉＳｉ_２に相転移する温度をより高くし、６００℃以上の熱処理条件を経たとしても、より低抵抗、かつ接合リークを防ぐＮｉシリサイド形成が可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit which can be suitably used for a measurement device, such as a semiconductor integrated circuit testing set and the like, in which junction temperature and jitters hardly fluctuate, even if the frequency of an inputted clock fluctuates, and high accuracy is demanded on time.例文帳に追加

入力されるクロックの周波数が変動してもジャンクション温度及びジッタが殆ど変動せず、時間的に高い精度が要求される半導体集積回路試験装置等の測定装置で用いて好適な半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To obtain an exchange bias ferromagnetic tunnel junction element which has a high magnetoresistance change rate and is never deteriorated in characteristics due to a thermal treatment which is required to be carried out at high temperatures for many hours when an Mn ordered alloy is used as an anti-ferromagnetic body.例文帳に追加

交換バイアス型強磁性トンネル素子において、Ｍｎ系規則合金を反強磁性体として用いる際に必要とされる高温、長時間の熱処理によっても特性の劣化がなく、高い磁気抵抗変化率を示す強磁性トンネル接合素子を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a semiconductor element and a circuit substrate jointed together, using Pb-free solder in the form of a flip chip, which can realize a highly reliable solder junction, eliminate thickness control of an electrode/barrier metal layer, and contribute to reduction of the manufacturing cost.例文帳に追加

Ｐｂフリーはんだで半導体素子と回路基板をフリップチップ接合してなる半導体装置において、信頼性の高いはんだ接合を実現すると共に、電極／バリヤメタル層の膜厚の制御を不要とし、製造コストの削減に寄与することを目的とする。 - 特許庁

The bag body 2 is joined with the packing material 3 in junction members 4a, 4b in a state that the bag body 2 is stored in the packing material 3, and the insertion port 21 is opened interlockingly with unsealing operation to unseal the packing material 3 to allow the insertion of the medical device 20.例文帳に追加

そして、袋体２は、包材３に収納された状態で、包材３と接合部材４ａ、４ｂにて接合されており、包材３を開封する開封操作に連動して、挿入口２１が開口して医療装置２０を挿入可能となる。 - 特許庁

To provide a light receiving element for optical communication that can improve light receiving efficiency and reduce the junction capacitance of a light receiving part by forming a light receiving surface shape by a plurality of projecting surfaces or inclined surfaces with an obtuse angle to each other in a side incident type light receiving element.例文帳に追加

側面入射型受光素子において、受光面形状を凸状あるいは互いに鈍角をなす複数の斜面で構成することにより、受光効率を高め、受光部の接合容量を低減できる光通信用受光素子を提供する。 - 特許庁

Since the end part of the sheet-like member 14 is covered with the holding layer 16, the sheet-like member 14 can be held under such condition as the outer peripheral surface of the pipe body 12 is covered with it, with no junction between the end parts of the sheet-like member 14 required.例文帳に追加

これにより、シート状部材１４の端部が保持層１６によって覆われるので、シート状部材１４の端部同士の接合を行わなくても、このシート状部材１４を管体１２の外周面を覆った状態で保持することができる。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the insulation region in the internal section of the second well, coupled with the first conductivity-type diffusion region of the first well, makes up a bipolar junction transistor which blocks an electric current from flowing from the first well to the third well.例文帳に追加

前記第２ウェルの内部の前記絶縁領域は、前記第１ウェルの前記第１導電型拡散領域と共にバイポーラジャンクショントランジスタを形成して前記第１ウェルから前記第３ウェルに流れる電流を遮断することを特徴とする。 - 特許庁

A flow passage branch part in an upstream end of the heat radiating branch flow passage or a flow passage junction part in a downstream end of the heat radiating branch flow passage is provided with correcting means 51 and 52 for correcting a ratio of flow passage resistance of each of the heat radiating branch flow passages.例文帳に追加

前記放熱用分岐流路の上流端の流路分岐部、又は、前記放熱用分岐流路の下流端の流路合流部に、前記各放熱用分岐流路の流路抵抗の比率を補正する補正手段(51)(52)が設けられていること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for reducing the transmission loss of an input signal, while preventing latchup by a parasitic element caused, when forming a control circuit on the same semiconductor substrate as that of an IGBT (insulating gate bipolar transistor), by using a junction isolation technology.例文帳に追加

接合分離技術を用いてＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）と同一半導体基板上に制御回路を形成する際に発生する寄生素子によるラッチアップを防止しつつ、入力信号の伝送損失を低減する半導体装置を提供する。 - 特許庁

On the surface of a first-conductivity epitaxial layer 2b formed on a first-conductivity semiconductor substrate 1, an anode electrode 5 for forming a Schottky junction is provided, and a second-conductivity guard ring 6 is formed, so that the lower region of the anode electrode is surrounded.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板１上に形成された第一導電型のエピタキシャル層２ｂ表面に、ショットキー接合を形成するアノード電極５が設けられ、アノード電極の下部領域を包囲するように第二導電型のガードリング６が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a contact plug for connecting the source-drain of a transistor with an interconnection by polysilicon in which junction leak current can be reduced, especially, by reducing defects remaining in a diffusion layer.例文帳に追加

本発明はトランジスタのソース・ドレイン拡散層と配線を多結晶シリコンによって接続したコンタクトプラグを有する半導体装置に関し、特に拡散層中に残留する欠陥を低減して接合リーク電流を減少できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a fastener capable of uniformly pressurizing a power generating part formed by alternately laminating a junction body comprising an electrolyte sandwiched by a pair of electrodes and a separator, and to provide a fuel cell wherein the power generating part is uniformly pressurized.例文帳に追加

本発明は、一対の電極により挟まれる電解質からなる接合体とセパレータを交互に積層させた発電部を均一に加圧することができる締結装置及び発電部が均一に加圧された燃料電池を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-temperature single electron pair tunnel element using a layered oxide superconducting material which is provided with a tunnel junction layer of sub-micron square order or smaller and can operate at a temperature equal to that of liquid helium (4.2 K) or higher.例文帳に追加

サブミクロン平方オーダー以下のトンネル接合層を備え、その接合数を可変にすることにより液体ヘリウム温度（４．２Ｋ）以上で動作可能な層状酸化物超伝導体を用いた高温単電子対トンネル素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form an alignment mark for mask matching which is utilized when forming a MOSFET etc. in forming a trench at a first conductive semiconductor layer and epitaxially growing a second conductive semiconductor layer in it for forming a parallel pn junction structure.例文帳に追加

第１導電型半導体層にトレンチを形成し、その中に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させて並列ｐｎ接合構造を形成する際に、ＭＯＳＦＥＴ等の形成時に利用されるマスク合わせ用のアライメントマークを形成すること。 - 特許庁

To provide a packaging method for a semiconductor element for manufacturing a semiconductor circuit with high productivity, which moderates any strain produced at a junction part of the semiconductor element and a substrate owing to a temperature change, and also to provide the semiconductor circuit manufactured by the packaging method.例文帳に追加

温度変化により半導体素子と基板との接合部に発生する歪みを緩和することができる半導体回路を生産性高く製造する半導体素子実装方法及び該半導体実装方法により作製された半導体回路を提供する。 - 特許庁

To provide a solid oxide fuel cell stack that can resist deformation and mechanical impact owing to the junction of metallic members via a flexible and electrically insulating bonding layer, and to provide a bonding material that can implement such a bonding layer.例文帳に追加

柔軟でしかも電気絶縁性を有する接着層を介して金属部材同士が接合され、変形や機械的衝撃に耐えうる固体酸化物形燃料電池スタックと、このような接着層を得ることができる接着用材料を提供すること。 - 特許庁

The manifold holes 64C and 66C and the manifold holes 54C and 56C are formed to offset each other in the direction orthogonal to the expanding direction for correcting deformation of the fuel cell separator junction 40 and has inner periphery sections 42 and 44 which protrude alternately.例文帳に追加

マニホールド穴６４Ｃ，６６Ｃと、マニホールド穴５４Ｃ，５６Ｃとは、燃料電池用セパレータ接合体４０の変形を矯正する伸び方向と直交する方向に、互いにオフセットして形成されており、互い違いに突出している内周縁部４２，４４を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which has ridges that are to become protrusions and which will not damage the ridges, when mounted by a junction-down mounting method, and to provide a semiconductor device constituted of the semiconductor element and a method of manufacturing them.例文帳に追加

本発明は、凸部となるリッジ部を備え、ジャンクションダウンマウント方式でマウントした場合、リッジ部を損傷することのない半導体素子、又、当該半導体素子から構成される半導体装置、及び、それらの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an electrical junction box for unfailingly attaching a cassette block to a box body by unfailingly engaging each engaging part of the cassette block without damaging a connection part between an electric cable and a terminal metal fitting or an engaging lance for engaging the terminal metal fitting.例文帳に追加

電線と端子金具の接続部分や端子金具を係止する係止ランス等を損傷させることなく、カセットブロックの各係止部を確実に箱本体に係止させて、カセットブロックを箱本体に確実に取り付けることができる電気接続箱を提供する。 - 特許庁

To form an alignment mark for mask registration which is utilized when forming a MOSFET etc. in forming a trench on a first conductivity type semiconductor layer and epitaxially growing a second conductivity type semiconductor layer in it to form a parallel pn junction structure.例文帳に追加

第１導電型半導体層にトレンチを形成し、その中に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させて並列ｐｎ接合構造を形成する際に、ＭＯＳＦＥＴ等の形成時に利用されるマスク合わせ用のアライメントマークを形成すること。 - 特許庁

This hot-cathode electron emission source is constituted to form at least a junction portion of the heat-resistant metal support needle contacting with the rare-earth hexaboride single crystal nanofiber, of a heat resistant material not reacting chemically with the nanofiber even at a high temperature.例文帳に追加

少なくとも耐熱金属支持針の希土類六ホウ化物単結晶ナノファイバとの接合箇所が当該ナノファイバに対して高温でも化学反応しない耐熱材料よりなる熱陰極電子放出源を構成することにより、上記問題を解決する。 - 特許庁

The organic thin-film solar cell has a structure in which the surface of a layer with a bulk hetero junction by a donor and an acceptor formed thereon is formed into a number of island-like structures surrounded by fine grooves of a nano-scale width, and electrodes are formed in the fine grooves.例文帳に追加

有機薄膜太陽電池がドナーとアクセプターによるバルクへテロ接合が形成された層の表面がナノスケールの幅の微細な溝に囲まれた多数の島状構造に形成され、該微細な溝に電極が形成された構造を有するようにする。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device, and a method and apparatus for manufacturing the same, capable of conducting an ultrasonic junction between metal electrodes on a resin substrate without damaging the resin substrate.例文帳に追加

樹脂基材上で、樹脂基材を破損させずに金属電極間の超音波接合を行うことができる電力用半導体装置、電力用半導体装置の製造方および電力用半導体装置の製造装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

A gate line 7 is formed of a semiconductor material different from that of the channel layer 3 and making a PN junction with the channel layer 3 (a semiconductor material mainly composed of polysilicon) and the need for forming a gate diffusion layer by ion implantation is eliminated.例文帳に追加

ゲート配線７は、チャネル層３にＰＮ接合するチャネル層３とは異種の半導体材料（ここではポリシリコンを主成分とした半導体材料）によって形成されており、イオン注入によるゲート拡散層の形成を不要とした構成である。 - 特許庁

A hetero junction is formed by providing a first region comprising an electronic system defined by quantum chaos and a second region comprising an electronic system defined by integrability, while being adjacent to each other under a condition where electrons between them are transferable.例文帳に追加

量子カオスによって特徴付けられる電子系を有する第１の領域と、可積分性によって特徴付けられる電子系を有する第２の領域とを、それらの間で電子の授受が可能な状態で互いに隣接して設けてヘテロ接合を形成する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode junction element for direct methanol type fuel cell (MEA for DMFC) capable of improving diffusion performance of fuel in the catalyst layer of the anode and discharge performance of CO_2 generated, and to provide a DMFC that uses the MEA.例文帳に追加

アノードの触媒層における燃料の拡散性および生成したＣＯ_２の排出性を向上させることが可能な直接メタノール形燃料電池用膜／電極接合体（ＤＭＦＣ用ＭＥＡ）およびそのＭＥＡを用いたＤＭＦＣを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that reduces the anode electrode area, while ensuring a Schottky junction area, suppresses the increase in the reverse leakage current accompanying the reduction in the anode electrode area by an isolation embedded layer, and further can appropriately maintain linearity in the forward direction.例文帳に追加

ショットキー接合面積を確保しながらアノード電極面積を縮小し、それに伴う逆方向リーク電流の増大を分離埋め込み層により抑制し、しかも、順方向の直線性を良好に維持することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor light receiving element having a high response rate and a high photoelectric conversion efficiency owing to multiple reflection effect of light by decreasing the pin junction area sufficiently and forming a p-side electrode stably.例文帳に追加

半導体受光素子に関し、ｐｉｎ接合面積を充分に小さくして、且つ、ｐ側電極を安定に形成することができるようにして、応答速度が速く、また、光の多重反射効果に依る高い光電変換効率をもつ受光素子を実現しようとする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate in which the generation of void on a junction interface is effectively suppressed by optimizing the thickness of two wafers to be bonded, the semiconductor substrate being constituted by directly bonding two semiconductor wafers.例文帳に追加

２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、貼り合せる２枚のウェーハの厚さを最適化することにより、接合界面でのボイドの発生を効果的に抑制する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a superconducting tunnel junction element wherein the magnitude of a critical current and step voltage required for applied electronics is accurately controlled using an oxide superconductor which does not require a very low temperature, with well and designed characteristics provided.例文帳に追加

極低温を必要としない酸化物超伝導体を用いて、エレクトロニクス応用に必要な臨界電流値やステップ電圧の大きさの正確な制御が可能であり、かつ良好かつ設計通りの特性を有する超伝導トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

The drain saturation current IDSS of the junction field effect transistor and the lowest resonant frequency F0 of the vibrating film are then actually measured and polarizing processing is applied to the back electrode plate with the target charge voltage Vc corresponding to these two measured values.例文帳に追加

そして、接合型電界効果トランジスタのドレイン飽和電流ＩＤＳＳおよび振動膜の最低共振周波数Ｆ０を実測して、これら２つの実測値に対応する目標チャージ電圧Ｖｃで背面電極板に対する分極処理を行う。 - 特許庁

An n- doped GaN diode is provided on the n+ doped GaN diode patterned in a plurality of slender fingers, a metal layer is provided on the n- doped GaN layer to form Schottky junction between the n- GaN layer and the metal layer.例文帳に追加

１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a surface emitting semiconductor laser element having a tunnel junction layer with a C-added p-type semiconductor layer on a GaInNAs containing active layer and attaining favorable optical characteristic and element characteristics and high element reliability.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓを含む活性層上にＣ添加のｐ型半導体層を有するトンネル接合層を備えており、良好な光学特性及び素子特性を実現でき素子信頼性の高い面発光半導体レーザ素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The toner cartridge has a toner storage part 1 like a bottle for storing toner and an attachment base part 2 made attachable to and detachable from the developing device and has a cylindrical toner discharge part 11 of the toner storage part thrust and joined to a cylindrical junction part 21 provided in the attachment base part.例文帳に追加

トナーを収容する瓶状のトナー貯蔵部１と、現像装置に対して着脱が可能となった取付基部２とを有し、トナー貯蔵部の筒状となったトナー排出部１１を取付基部に設けられた筒状の接合部２１にねじ込んで接合する。 - 特許庁

The photodiode is formed in a semiconductor substrate, and the PN junction includes a portion which extends in the direction inclining with respect to the depth direction of the semiconductor substrate, and a portion which extends below at least one of a plurality of pixel transistors formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板内にフォトダイオードが形成され、ＰＮ接合部が半導体基板の深さ方向に対して傾斜する方向に延在する部分と、半導体基板に形成される複数の画素トランジスタの少なくとも１つの下方に延在する部分とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a semiconductor element (thin film transistor, a thin film diode, a photoelectric converter made of a PIN junction of a silicon or a silicon resistance element) which is thin in overall thickness and flexible (bendable) and has a light weight.例文帳に追加

全体の厚さが薄く、軽量、且つ、フレキシブルな（湾曲することが可能な）半導体素子（薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子）を有する半導体装置およびその作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a switching circuit employing a wideband gap Schottky barrier diode which can reduce turn on loss of a switching element while controlling ringing caused by junction capacitance of a diode and stray inductance even if a feedback diode consisting of a wideband gap semiconductor is used.例文帳に追加

帰還ダイオードにワイドバンドギャップ半導体によるものを使用しても、該ダイオードの接合容量と浮遊インダクタンスによるリンギングを抑制しつつ、スイッチング素子のターンオン損失も低減できるワイドバンドギャップショットキバリアダイオードを用いたスイッチング回路を提供する。 - 特許庁

A photoelectric conversion device comprises: a first semiconductor layer having a compound semiconductor containing a group I element, a group III element, and a group VI element; and a second semiconductor layer that is disposed on the first semiconductor layer and forms a pn junction with the first semiconductor layer.例文帳に追加

Ｉ族元素、III族元素およびVI族元素を含む化合物半導体を有する第１の半導体層と、該第１の半導体層上に配置された、該第１の半導体層とともにｐｎ接合を形成する第２の半導体層とを備えている。 - 特許庁

In a method of manufacturing a compound semiconductor epitaxial substrate having a pn junction by a selective growth method, the manufacturing method of the compound semiconductor epitaxial substrate uses a source substrate with the mean value of residual strain of 1.0×10^-5 or below.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板を選択成長法により製造する方法であって、残留歪の平均値が１．０×１０^-5以下である元基板を用いることを特徴とする化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法。 - 特許庁

The variable-resistance nonvolatile memory element can memorize information with the resistance change by the application of electrical stress, and consists of at least an electrode 2 formed on a substrate 1 and an oxide pn junction formed on the electrode 2.例文帳に追加

電気的ストレスの印加によって電気抵抗が変化することで情報を記憶可能な抵抗変化型不揮発性メモリ素子であって、基板１上に形成された電極２と、電極２上に形成された酸化物ｐｎ接合を少なくとも備えてなる。 - 特許庁

The microstructure regarding a junction part of a tunnel magneto-resistance film 12 is formed by a lithography process using focused ion beam(FIB) drawing to prevent the problems of deterioration in shape caused by reflected electrons and electrostatic breakdown due to charging-up.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗膜１２の接合部に関わる微細構造を集束イオンビーム（ＦＩＢ）描画を用いたリソグラフィプロセスにより形成することにより、反射電子による形状の劣化や、チャージアップによる静電破壊という問題を防ぐことが可能となる。 - 特許庁

To provide a polishing device capable of preventing oxidation on a wafer surface after a polishing process and preventing the occurrence of a photoelectromotive force in a pn junction beneath the wafer surface to prevent the adsorption of different kinds of molecules or particles.例文帳に追加

研磨加工後のウエーハ表面の酸化を防止することが可能な研磨装置、並びにウエーハ表面下のｐｎ接合部において光起電力の発生を防止して異種分子の吸着やパーティクル吸着を予防することが可能な研磨装置を提供する。 - 特許庁

Cells (2b) of columns (4b) are provided respectively with a magnetic tunnel junction having row terminals connected to a row conductor (5) and column terminals connected to a first column conductor (6ab) coupled to the column (4b) and the adjacent first column (4a) by a transistor.例文帳に追加

列（４ｂ）のセル（２ｂ）はそれぞれ、行導線（５）に接続された行端子と、トランジスタによって、前記列（４ｂ）および隣接する第１の列（４ａ）に結合された第１の列導線（６ａｂ）に接続された列端子とを有する磁気トンネル接合を備えている。 - 特許庁

To inspect a composite member including a front board member, a rear board member and a junction to be arranged between the front board member and the rear board member even when ultrasonic probes can be attached only from the side of the front board member in a ultrasonic inspection system.例文帳に追加

超音波検査システムにおいて、表板部材と裏板部材とこれらの間に配置される接合部とを含む複合部材について、表板部材側からのみしか超音波探触子を取り付けられなくても検査を行うことを可能とすることである。 - 特許庁