「junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(155ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a structure for a magnetoresistive effect head for manufacturing ferromagnetic tunnel junction elements or magnetoresistive elements to be used in a CPP mode by mechanical polishing alone while assuring working quality and working accuracy and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子或いはＣＰＰモードで使用する磁気抵抗素子を加工品質及び加工精度を確保し機械研磨のみで製造するための磁気抵抗効果ヘッド構造及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a bathroom unit being easy to install and having a high watertight effect by making it easy to adjust the level of leg parts supporting a bathtub, and minimizing the area of junction between split parts where a bathtub side watertight pan and a washing space side watertight pan are combined.例文帳に追加

浴槽を支える脚部のレベル調整を容易にし、又、浴槽側防水パンと洗い場側防水パンを組み合わせる分割部分の接合面積を最小限にすることで、設置がし易く防水効果の高い浴室ユニットを提供すること。 - 特許庁

(3) A lid of a basin positioned at more downstream side than a junction of the drain pipes from all apparatuses, and a part of a wire frame of a receiving tool diverted from an insect net is deformed to correspond to the shape of the basin and is set and fixed in the basin.例文帳に追加

（３）全ての設備機器からの排水管が合流した点よりも下流に位置する枡の蓋をあけ、捕虫網を転用した受取具の針金製の枠の部分を枡の形状に対応するように変形し、枡に設置、固定する。 - 特許庁

A high withstand voltage junction terminal structure 34 comprising a RESURF (reduced surface field) structure in loop form is formed on a SOI substrate, and a horizontal IGBT13, a horizontal FWD14, an output stage device 15, and a driving circuit 16 are formed inside the region.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に、ループ状のリサーフ構造よりなる高耐圧接合終端構造３４を形成し、その内側領域に横型ＩＧＢＴ１３、横型ＦＷＤ１４、出力段素子１５および駆動回路１６を作製する。 - 特許庁

A terminal, for connection with a plurality of stripe junction parts 2 and 3 that are demarcated by a plurality of slits 1 which extend in the axial direction from the end part of a cylinder to a central part and a ground wire crimp part and a ground wire crimp part 4, is fitted to a shielding wire.例文帳に追加

円筒の端部から中央部にむけて軸方向に延びる複数のスリット１によって画定される複数の短冊状の接合部２、３とアース線圧着部４とを有する接続用端子をシールド線に装着する。 - 特許庁

The junction terminal 40 comprises a wire connection part 41 connected with a wire in the power distribution part 28 and a terminal connection part 42 connected with a terminal 15 of the injector 10 as the injector 10 is attached to or detached from the connector block body 20.例文帳に追加

中継ターミナル４０は、配電部２８内において電線が接続される電線接続部４１と、コネクタブロック本体２０に対するインジェクタ１０の脱着にともなってインジェクタ１０のターミナル１５が断続されるターミナル接続部４２とを有する。 - 特許庁

The crimp ball 3 is joined to a recessed section bottom face 2c of a probe trace 2 formed on the electrode pad 1 by wafer test, and the size of a junction region 4 between the recessed section bottom face 2c and the crimp ball 3 is equal to or smaller than that of the recessed section bottom face 2c.例文帳に追加

ウェハテストにより電極パッド１に形成されたプローブ痕２の凹部底面２ｃに圧着ボール３が接合され、凹部底面２ｃと圧着ボール３との接合領域４の大きさが凹部底面２ｃの大きさと等しい、または小さい。 - 特許庁

A groove 9a with a smooth bottom surface is formed from the side of the metal film 8 at the side of the glass pedestal 7 that is joined to the silicon wafer 2, thus directly observing the release of the junction surface and the presence or absence of void through the bottom surface of the groove 9a with a microscope or the like.例文帳に追加

シリコンウェハ２に接合されるガラス台座７の部位には、金属膜８側から底面の平らな溝９ａが形成されており、溝９ａの底面を通して接合面１３の剥離やボイドの有無を直接観察する。 - 特許庁

To provide an automatic high voltage switch device of compact construction to be installed at a junction point of a power distribution system by using only one power supply device for automatic operation, compared with a conventional arrangement in which one unit is provided for each of the systems on both sides as power supplies for automatic operation.例文帳に追加

配電系統の連係点に設置する高圧自動開閉装置において、自動操作用電源として両側の系統に各１台ずつ必要だった電源装置を１台として、コンパクトな高圧自動開閉装置を実現する。 - 特許庁

To provide a tine plate of a structure that a connector pin is soldered to a substrate, and that even if the tine plate is expanded or contracted by temperature changes when adopted for a product, stress is not applied to a soldered junction part, and a connector using this.例文帳に追加

コネクタピンが基板にはんだ付けされ、製品に適用されて温度変化によりタインプレートが膨張又は収縮しても、はんだ接合部に応力がかからない構造のタインプレート及びこれを用いたコネクタを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a junction type beam splitter using an Ag layer, capable of preventing moisture permeation from a base material and an adhesive to an Ag film, and appearance deterioration while maintaining the characteristics of desired transmittance and reflectance under an environment of high temperature and high humidity.例文帳に追加

Ａｇ層を用いた接合タイプのビームスプリッタにおいて、基材、接着剤からのＡｇ膜への透湿を防ぎ、高温高湿環境下においても所望の透過率、反射率の特性を維持したまま、外観劣化を生じないビームスプリッタを得る。 - 特許庁

To provide a driving force control device for a vehicle, which reduces uncomfortable feeling given to a driver when driving force of the vehicle is controlled in running on a junction road joined to a main line of an automobile road.例文帳に追加

自動車専用道路の本線に対して接続される接続道路を走行するに際して車両の駆動力を制御する場合に、運転者に対する違和感を抑制することが可能な車両用駆動力制御装置を提供すること。 - 特許庁

In the junction box for the solar module, a core wire end part sleeve 19 is provided on the end part of the connection conductor 15 inserted inside the housing 11, and a contact foot 14 of the bypass diode 13 is directly arranged to the core wire end part sleeve 19.例文帳に追加

ソーラーモジュール用の接続ボックスは、ハウジング１１の内部へ挿入された、接続導線１５の端部に、心線端部スリーブ１９が設けられており、その心線端部スリーブ１９にバイパスダイオード１３の接触足１４が直接配置されている。 - 特許庁

Even if the width of the frame part is made narrower, the electronic component housing package 4, having high reliability, can be provided because the lamination property of the base part 1a and the frame part 1b is improved and the airtightness of the junction is ensured.例文帳に追加

フレーム部分１ｂの幅が狭くなったとしても、ベース部分１ａとフレーム部分１ｂとの積層性を向上させ、気密性を確保できる接合を有することで、高信頼性の電子部品収納用パッケージ４を提供することができる。 - 特許庁

A conductive region 15 is provided between the collector electrode 10 and the gate electrode 8 closest to it to a position deeper than the pn junction surface of a base region 4 and a drift region 3, potential is made to float and it is turned to a field plate.例文帳に追加

コレクタ電極１０とこれに最も近いゲート電極８との間に、ベース領域４とドリフト領域３とのＰＮ接合面よりも深い位置まで、導電性領域１５を設け、その電位をフローティングにしてフィールドプレートとする。 - 特許庁

The device is provided with structures 13 which become resistance components when avalanche current flows in a sub-area if an area where current density is uniform is set to be a main area, and an area where it is not uniform to be the sub-area at the time of forward conduction along pn junction.例文帳に追加

ｐｎ接合に沿って順方向通電の際に、電流密度が均等な領域をメインエリアとし、不均等な領域をサブエリアとした場合に、サブエリア内にアバランシェ電流が流れた際に抵抗成分となる構造１３を設ける。 - 特許庁

By hooking windings A and B on the engagement parts 7a and 7b, the slack of the windings due to the stretch of a conductor at the time of conductor junction is suppressed, and the generation of a gap between a pair of conductors in one turn of winding start or winding end is prevented.例文帳に追加

巻線Ａ、Ｂを係止部７ａ、７ｂに引っ掛けることにより、導線接合時の導線の伸びに起因する巻線の弛みを抑えて、巻始めまたは巻終わりの１ターンの一対の導線の間に隙間が生じるのを防ぐ。 - 特許庁

Signal lights 10, 10, 10, 10 are installed on posts which are disposed at a junction, then each of SSUs 200 is disposed near each signal light 10, and the traffic signal controller 100 for controlling lighting etc. of each signal light 10 is disposed near a post.例文帳に追加

交差点に設置された柱に信号灯器１０、…を据え付け、各信号灯器１０の近傍にＳＳＵ２００、…を設置し、各信号灯器１０の点灯等の制御を行う交通信号制御機１００を１つの柱の近傍に設置する。 - 特許庁

The main component members are a near-ultraviolet ray luminance p-n junction ZnO semiconductor element, a liquid crystal spatial modulation element, and a phosphor substrate, with near-ultraviolet ray stimulated three primary color luminous excitation spatially modulated by a liquid crystal cell.例文帳に追加

近紫外線発光ｐ−ｎ接合ＺｎＯ半導体素子、液晶空間変調素子、蛍光体基板を主要構成部材とし、近紫外線励起３原色発光励起を液晶セルにより空間変調することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a transistor of a static electricity protective circuit of a semiconductor element and its manufacturing method for preventing a junction leak current when an electrostatic discharge (ESD) voltage is applied to the static electricity protective circuit to improve the ESD characteristic.例文帳に追加

本発明は、静電気保護回路でＥＳＤ電圧印加の際に発生する接合漏洩電流を防止し、ＥＳＤ特性を向上させることができる半導体素子の静電気保護回路のトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suitable for restraining a diffusion layer from increasing in sheet resistance due to segregation of impurities and forming an impurity diffusion layer of shallow junction depth without contaminating a substrate.例文帳に追加

基板の汚染を発生させることなく、不純物の偏析に起因する拡散層のシート抵抗値の増大を抑制することができ、浅い接合深さの不純物拡散層を形成するのに好適な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

As to a semiconductor device containing power MOSFET section having a super junction structure formed in the active cell section by the trench philharmonic system, the upper part of the base epitaxy layer is so made that it has a multilevel structure having high impurity concentration.例文帳に追加

本願の一つの発明は、アクティブセル部にトレンチフィル方式によって形成されたスーパジャンクション構造を有するパワーＭＯＳＦＥＴ部を含む半導体装置において、ベースエピタキシ層を上方が不純物濃度の高い多段構造としたものである。 - 特許庁

The pn-junction generated by the two-dimensional electron gas generated at the interface between the undoped AlGaN layer 104 and the undoped GaN layer and by the p-type GaN layer 105 is formed at a gate region to be capable of enlarging the gate voltage.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層１０４とアンドープＧａＮ層との界面で発生する２次元電子ガスとｐ型ＧａＮ層１０５とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。 - 特許庁

A part of the shaft can be inserted in the sleeve element, and includes an actuable elastic spacer element 20 movable between an expanded position engaged in the sleeve element and a rest position extractable from the sleeve element by a reversible junction means 30.例文帳に追加

シャフトの一部分が、スリーブ要素内に挿入可能であり且つ可逆式接合手段３０によってスリーブ要素内に嵌まり込む拡張位置とスリーブ要素から引き抜き可能な休止位置との間で作動可能な弾性スペーサ要素２０を含む。 - 特許庁

The organic thin-film solar cell is manufactured by forming fine grooves with a nano-scale width on a layer on which a bulk hetero junction by a donor and an acceptor is formed by applying nano-imprint processing by using an imprint frame, and forming electrodes in the fine grooves.例文帳に追加

インプリント型を用いてナノインプリント加工することによりドナーとアクセプターによるバルクへテロ接合が形成された層にナノスケール幅の微細な溝を形成し、該微細な溝に電極を形成して有機薄膜太陽電池を製造する。 - 特許庁

The junction interconnecting the electrodes 11 of the electric double layer capacitor cells 10 is made by lapping the flat plate electrodes 11 to connect them by riveting and further forming a welded part 12 by TIG welding.例文帳に追加

電気二重層キャパシタセル１０どうしの電極１１間を継ぐ接続部は、板状に形成される電極１１どうしを重ね合わせると共に、これら板厚間をリベット１３による結合に加えて、ＴＩＧ溶接により溶着部１２を生成する。 - 特許庁

This stent 1 has a connection part in which wire parts including a stent main wire 2, a strut 4 and a stabilizer hook 5 are connected to each other through a junction pipe 7, wherein the diameters of the strut 4 and the stabilizer hook 5 are larger than that of the stent main wire 2.例文帳に追加

ステント主線２、ストラット４、スタビライザー用フック５を含む線状部品を接合パイプ７を介して接続した接続部を有するステント１に於いて、ストラット４及び記スタビライザー用フック５の直径がステント主線２の直径より大きい。 - 特許庁

To enhance the junction strength of an external electrode in a multilayer ceramic electronic component, equipped with a ceramic laminate formed of a ferrite layer having at least a surface made of ferrite and an external electrode formed on the surface of the ceramic laminate.例文帳に追加

少なくとも表面がフェライトからなるフェライト層をもって構成されるセラミック積層体と、セラミック積層体の表面に形成される外部電極とを備える、積層型セラミック電子部品において、外部電極の接合強度を高める。 - 特許庁

Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加

また、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ｇａ_XＩｎ_1-XＰ（０≦Ｘ≦１）でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Ｘを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁

The THz band electromagnetic wave oscillating apparatus is formed of a single crystal material of a superconducting BSCCO structure including a multilayered intrinsic Josephson-junction, and utilizes the high order harmonics of the basic wave of the THz band electromagnetic wave oscillated by the single crystal material.例文帳に追加

多重積層型固有ジョセフソン接合を有する超伝導体ＢＳＣＣＯ構造の単結晶体により形成され、前記単結晶体が発振するテラヘルツ帯域電磁波の基本波の高次調波を利用することを特徴とする。 - 特許庁

The vertical junction FET 1a comprises an n^+-type drain semiconductor 2, an n-type drift semiconductor 3, a p^+-type gate semiconductor 4, an n-type channel semiconductor 5, an n^+-type source semiconductor 7 and a p^+-type gate semiconductor 8.例文帳に追加

本発明に係る縦型ＪＦＥＴ１ａは、ｎ^＋型ドレイン半導体部２と、ｎ型ドリフト半導体部３と、ｐ^＋型ゲート半導体部４と、ｎ型チャネル半導体部５と、ｎ^＋型ソース半導体部７と、ｐ^＋型ゲート半導体部８とを備える。 - 特許庁

In this case, respective polarization reversed domains generated through electrodes adjacent in a breadthwise direction are not joined in the breadthwise direction to suppress junction of polarization reversed domains in a lengthwise direction, which has occurred conventionally.例文帳に追加

その際、幅方向に隣接する電極を介して発生したそれぞれの分極反転領域が、幅方向に接合させないことにより、従来生じていた長さ方向における隣接する分極反転領域との接合を抑制する。 - 特許庁

To provide a beam-column connection structure being capable of joining a beam and a column by simple works on the construction field of a building while enabling a junction so that a tensile force and a shearing force in the axial direction of the column can be transmitted.例文帳に追加

建築物の構築現場では簡単な作業で梁と柱とを接合することができるとともに、柱の軸線方向の引張力及びせん断力の伝達が可能となるように接合することが可能な柱梁接合構造を提供する。 - 特許庁

When the existing mobile cable 18 is to be replaced in association with modification of an elevator device, first the cable 18 is removed from the part between the junction box 16 and the car side control device, and between them a new mobile cable is connected.例文帳に追加

エレベータ装置の改修にともなって既設の移動ケーブル１８が取り換えられる場合には、まず、既設の移動ケーブル１８を、中継箱１６及びかご側制御装置間から取り外すとともに、それらの間に新規の移動ケーブルを接続する。 - 特許庁

Since the grooves 10 serve as passages for allowing an adhesive to permeate it, the adhesive permeates it to the center of the inner flank of the gap 8, and it makes the spacer bond all over the surface of the inner flank of the gap 8, so that it becomes the one of high junction strength.例文帳に追加

溝１０が接着剤を浸透するための流路となるため、接着剤がギャップ８の内側面の中心部にまで浸透し、ギャップ８の内側面の全面でスペーサ９と接着するようになり、接合強度が強いものとなる。 - 特許庁

There is provided the loudspeaker comprising an arched diaphragm 1, which has a half vertical angle of 45°or smaller at a junction with a voice coil 3 and has a top in a position anterior to its inner and outer attaching portions and further whose outside-diameter portion is attached to a frame 5.例文帳に追加

ボイスコイル３との接合部の半頂角が４５゜以下であり、内径、外径取り付け部より前方に頂部をもつ弓なりに屈曲した振動板１により構成され、かつ、振動板１の外径部がフレーム５に取り付けられたスピーカである。 - 特許庁

To provide a rectangular sealed battery in which conductive connecting bodies are connected to each other without being attached by a sealing material, the presence of liquid junction caused by such a connection can be detected easily in a delivery inspection or the like after manufacturing.例文帳に追加

シール材が装着されずに導電性接続体同士が接続されたような場合であれ、そのことに起因する液絡の有無を製造後の出荷検査等において容易に検知することのできる角形密閉式電池を提供する。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

The super-junction semiconductor element makes a current flow in an ON state, and provides an n^-high-resistance layer 32a located between a semiconductor substrate region 32 which becomes depletion in an OFF state and a low-resistance layer 31, for having the same conductivity type as the low-resistance layer 31 and a low impurity concentration.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する半導体基体領域３２と低抵抗層３１との間に低抵抗層３１と同じ導電型で、かつ不純物濃度が低いｎ^-高抵抗層３２aを設ける。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion function element having high strength and emitting light stably by employing a compound semiconductor crystal substrate of group 12(2B) and 16(6B) elements and forming a pn junction by thermal diffusion.例文帳に追加

周期表第１２（２Ｂ）族元素及び第１６（６Ｂ）族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、熱拡散によりｐｎ接合を形成し、強度が高く、かつ安定した光を発光する光電変換機能素子を提供する。 - 特許庁

A third portion 21c of a second region 15b of the n^- type gallium nitride family semiconductor portion 15 is surrounded by the insulator 17 positioned on a first portion 21a, and a Schottky junction 23 is formed at a first conductive portion 19a of the first electrode 19.例文帳に追加

ｎ^−型窒化ガリウム系半導体部１５の第２の領域１５ｂの第３の部分２１ｃは、第１の部分２１ａ上の絶縁体１７に囲まれていると共に、第１の電極１９の第１の導電部１９ａにショットキ接合２３を成す。 - 特許庁

In the structural panel, a surface material 11 is reinforced by junction reinforcing materials 12 and 13 having base panels 12a and 13a extended in a direction parallel with a surface of the surface material 11 and vertical panels 12b and 13b extended in a thickness direction of the surface material 11.例文帳に追加

面材１１を、面材１１の表面に平行な方向に延設された基板１２ａ、１３ａと面材１１の厚さ方向に延設された垂直板１２ｂ、１３ｂとを有する接合補強材１２、１３で補強した構造用パネル。 - 特許庁

In the protection film 20, a p-type semiconductor layer 21 and an n-type semiconductor layer 22 are laminated in this order from a side of the magnet element assembly 10, and a pn junction is formed between the p-type semiconductor layer 21 and the n-type semiconductor layer 22.例文帳に追加

保護膜２０はｐ型半導体層２１とｎ型半導体層２２とを磁石素体１０の側からこの順に積層しており、ｐ型半導体層２１とｎ型半導体層２２との間にはｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

The solder 2 is melted to perform fused junction with a bump 5 using a bonding head 7, after the circuit substrate 3 and a semiconductor element 6 where the bump 5 is provided at an electrode 4 are positioned so as to allow an electrode 1 and the electrode 4 to be opposed to each other (b).例文帳に追加

回路基板３と、電極４にバンプ５を設けた半導体素子６とを、電極１及び電極４が対向するように位置合わせした後、ボンディング用ヘッド７を用い、はんだ２を溶融させてバンプ５とはんだ２とを接合する（ｂ）。 - 特許庁

To provide a semiconductor radiation detector that uses a surface-barrier type or pn junction type InSb single crystal, which has small leakage current at a temperature of 10K or higher, has few electron or hole trappings, and has large amount of charge formation.例文帳に追加

１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁