「junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(158ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate for a photoelectric transfer device which is effective for confinement of light in a photoelectric transfer layer and can ensure a good junction with the photoelectric transfer layer since there are few projections of large diameter and to improve the transfer efficiency of the photoelectric transfer device by using the substrate.例文帳に追加

光電変換層での光閉じ込めに効果があり、しかも径が大きい凸部が少ないために光電変換層との接合などを良好に確保できる光電変換装置用基板を提供し、これを用いて光電変換装置の特性を改善する。 - 特許庁

This invention may be also applicable to an electrical junction box 10 equipped with the circuit structure, a case 30 accommodating the circuit board 20 inside and having a signal processing section, and a connector for signal connection 21 that connects the circuit board 20 with the signal connection section.例文帳に追加

また、本発明は、上記の回路構成体と、信号処理部を有し、回路基板２０を内部に収容するケース３０と、回路基板２０と信号処理部を接続する信号接続用コネクタ２１とを備えた電気接続箱１０に適用してもよい。 - 特許庁

The first semiconductor region 12 and the second semiconductor region 13A are connected to the first exposure part 26 and the second exposure part 26 respectively so that the diode characteristics of the P-N junction can be measured through the first exposure part 26 and the second exposure part 26.例文帳に追加

第１露出部２６及び第２露出部２６を介してＰＮジャンクションのダイオード特性が計測可能なように、第１半導体領域１２及び第２半導体領域１３Ａがそれぞれ第１露出部２６及び第２露出部２６に接続される。 - 特許庁

To provide a multi-junction solar cell that holds maximum output as a solar cell constant for a long period and achieves stable output while suitably adjusting an increase and a decrease in maximum output in accordance with weather change etc., after installation.例文帳に追加

太陽電池としての最高出力を長期間に亘り一定に保持するとともに、設置時以降の気候変動などに応じて適宜最高出力の値の増減を調整し、安定した出力を行える多重接合型の太陽電池を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrical junction box with a new structure, capable of achieving a reinforcing structure which exhibits superior strength, without interfering with mounting of a connecting plate onto the connecting bolts, in a bolt support where a plurality of connecting bolts are juxtaposed thereon.例文帳に追加

複数の接続ボルトが並設されたボルト支持部において、それら複数の接続ボルトへの接続プレートの装着を阻害することなく優れた強度を発揮する補強構造を実現し得る、新規な構造の電気接続箱を提供することを、目的とする。 - 特許庁

Within each opposing surface R of a pair of discharge electrodes 2 and 3 forming the grow discharge of a gas laser oscillator, a low job function region 11a having the job junction which is smaller than that of the remaining region 10a within the opposing surface R is formed.例文帳に追加

ガスレーザ発振装置のグロー放電部を構成する一対の放電電極２及び３の各々の対向面Ｒ内に、その対向面Ｒ内における残余の領域１０ａよりも仕事関数が小さい低仕事関数領域１１ａを形成する。 - 特許庁

When the internal power voltage VDD of rectifier circuit 2 stops supply, the leak of charge accumulated in the capacitance element 8 can be prevented, since it becomes reverse bias by PN junction formed of a drain and an N-WELL of the transistor.例文帳に追加

整流回路２の内部電源電圧ＶＤＤが供給停止となった際、トランジスタのドレインとＮ−ＷＥＬＬによって形成されたＰＮ接合によって逆方向バイアスとなるので、静電容量素子８に蓄積された電荷のリークを防止することができる。 - 特許庁

The field effect transistor has a hetero-junction structure of a channel layer and a barrier layer made of nitride semiconductor, wherein a p-type InGaN layer is stacked on the barrier layer in a gate area.例文帳に追加

窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、ｐ型ＩｎＧａＮ層が、ゲート領域のバリア層に積層された層構造を有することを特徴とするヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

The magnetic sensor including the ferromagnetic tunnel junction having a layer structure of a magnetic layer/an insulating layer/a magnetic layer is characterized in that the aluminum nitride layer formed by applying a plasma nitriding method or a natural nitriding method to an aluminum layer is used as a material of the insulating layer.例文帳に追加

磁性層／絶縁層／磁性層の層構造をもつ強磁性トンネル接合を含む磁気センサに於いて、前記絶縁層の材料としてアルミニウム層にプラズマ窒化法或いは自然窒化法を適用して生成した窒化アルミニウム層を用いたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a highly reliable termination block for a LAN (Local Area Network) cable junction with which two LAN cables can be connected each other simply, and easier LAN cable connecting work and improved LAN cabling workability at a cabling work site become possible.例文帳に追加

二つのＬＡＮケーブルを簡単に中継接続できることにより、配線作業現場でのＬＡＮケーブルの容易な中継作業を可能とし、ＬＡＮ配線の作業性を向上させることのできる信頼性の高いＬＡＮケーブルの中継用成端ブロックを提供する。 - 特許庁

To prevent dew condensation of a board mounting the substrate of a multi-chip module, pins in the inside of the substrate and multi-chip module without substantially influencing the junction temperature of LSI by uniformly efficiently heating the substrate mounting LSI.例文帳に追加

ＬＳＩの搭載されている基板をむらなく効率的に加熱できるようにして、ＬＳＩのジャンクション温度にほとんど影響を与えることなく、マルチチップモジュールの基板や基板内のピンおよびマルチチップモジュールが搭載されているボードの結露を防止できるようにする。 - 特許庁

To enable a semiconductor device and its manufacturing method to realize an ultra high-speed semiconductor device, wherein using Si/SiC Hetero junction in an active region, a suitable strain for n-channel transistor and p-channel transistor respectively is made to be applicable by SiC.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、動作領域にＳｉ／ＳｉＣのヘテロ接合を用い、ＳｉＣに依ってｎチャネル・トランジスタ及びｐチャネル・トランジスタそれぞれに好適な歪みを印加できるようにして超高速の半導体装置を実現しようとする。 - 特許庁

In annealing, the thermal diffusion of impurity is inhibited by the impurity diffusion inhibition layer, electrical junction depth becomes shallower, and at the same time impurity concentration becomes higher at a region being shallower than the impurity diffusion layer, thus reducing resistance in the impurity diffusion layer.例文帳に追加

アニール時における不純物の熱拡散がこの不純物拡散抑制層により抑制され、電気的接合深さが浅くなるとともに、不純物拡散層より浅い領域では不純物濃度が高濃度となり、不純物拡散層の抵抗を下げる。 - 特許庁

As a result, each semiconductor region has a plurality of uneven shapes aligned in the extension direction D1, the Zener diode has a perimeter length not only in the horizontal direction D1 but also a vertical one D3, and pn junction area in the Zener diode is increased.例文帳に追加

このため、各半導体領域は延在方向Ｄ１に配列した複数の凹凸形状を有することになり、ツェナーダイオードは横方向Ｄ１のみならず縦方向Ｄ３にも周囲長を有し、ツェナーダイオード内のｐｎ接合面積が増大する。 - 特許庁

Loops of magnetic flux transfer devices 101 comprising superconductors are joined to each other at a Josephson junction field effect transistor (JOFET) 102 which uses a carbon nanotube 110 as an antenna to turn on/off a supercurrent flowing to the magnetic flux transfer device 101.例文帳に追加

超伝導体から構成された磁束転送器１０１のループを、カーボンナノチューブ１１０をチャネルとしたジョセフソン接合電界効果トランジスタ（ＪＯＦＥＴ）１０２で接合し、磁束転送器１０１に流れる超伝導電流を、ＪＯＦＥＴ１０２でオンオフする。 - 特許庁

Each chiclet module has a slender and nearly parallel passage arranged with the first and the second distance and a card housing concave part to house a flat plate card having an opposite surface being equipped with the junction member.例文帳に追加

各チクレットモジュールは、その中に、第１及び第２の間隔をおいて配置されたほぼ平行な細長通路および導電性接点部材を備えた対向表面を有する平面カードの第１及び第２通路間内に収容するためのカード収容凹部を有している。 - 特許庁

After a plurality of these insulating plates 10 are laminated, they are subjected to sintering, the insulating junction material 14 and the through-hole parts 18 which exist between the plurality of the laminated insulating plates 10 are fused, and a multilayer board is formed through mechanical and electrical jointing.例文帳に追加

こうした絶縁性平板１０を複数枚積層した後、焼成し、積層された複数枚の絶縁性平板１０間に介在する絶縁性接合材１４及びスルーホール部１８を溶融し、機械的及び電気的に接合して、多層基板を形成する。 - 特許庁

By the negative bias, positive holes are distributed unevenly in an n^+-type embedded region 3 and an n-type semiconductor layer 4 close to the trench insulation film 5, so that the center of the flow of electrons is shifted not only to the center of a pn junction but also to the side of the trench insulation film 5.例文帳に追加

この負バイアスにより、トレンチ絶縁膜５に近いｎ＋型埋め込み領域３及びｎ型半導体層４内に正孔が偏在し、これにより電子の流れの中心はｐｎ接合の中心だけではなく、トレンチ絶縁膜５側にシフトする。 - 特許庁

In this optical semiconductor element, a light emitting layer 22 having a p-n junction is formed on the upper surface 25 of a transparent substrate 21 having translucency to a light emitting wavelength, and upper- and lower-surface electrodes 23 and 24 are respectively formed on the upper and lower surfaces 25 and 26 of the substrate 21.例文帳に追加

発光波長に対して透光性を有する透明基板２１の上面にｐｎ接合を有する発光層２２を形成し、透明基板２１の上面２５および下面２６に上面電極２３および下面電極２４をそれぞれ形成している。 - 特許庁

To provide, at a low cost a semiconductor device in which highly reliable bumps are formed on a semiconductor chip, by manufacturing at a low cost a transfer bump sheet that can transfer a bump assuring highly reliable junction for a semiconductor chip and then using the same transfer bump sheet.例文帳に追加

半導体チップに接合信頼性の高いバンプを転写可能な転写バンプシートを、低コストで製造・提供し、さらにはこの転写バンプシートを使用して、半導体チップに信頼性の高いバンプを形成した半導体装置を、低コストで製造・提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of accurately disposing a junction between a semiconductor element and a member and efficiently conducting by reducing a waste in a manufacturing process, and to provide a method for manufacturing the same, an electrooptic device and an electronic apparatus.例文帳に追加

製造プロセスにおける無駄を低減し、半導体素子と部材との接合を高精度な位置決めでかつ効率的に実行することを可能とする半導体集積回路、半導体集積回路の製造方法、電気光学装置、電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide an integrated thin film solar cell which prevents an intermediate junction layer between a plurality of laminated photoelectric conversion layers from short-circuiting with a contact region and lowering F.F., and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

積層された複数の光電変換層の相互間に生じる中間接合層がコンタクト領域と短絡してＦ．Ｆ．を低下させることを防止し、光電変換効率を向上することが可能な集積型薄膜太陽電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This junction structure 1 comprises a female joint 4 comprising two plate-shaped base parts 5 disposed apart from each other to form a roughly C-shaped cross section, and a male joint 3 comprising two plate-shaped base parts 5 facing each other to form a roughly T-shaped cross section.例文帳に追加

この発明の接合構造１では、断面略Ｃ字状とすべく板体状の基部５を二枚離した位置に配した雌型継ぎ手４と、略Ｔ字状とすべく板体状の基部５を二枚当面させて配した雄型継ぎ手３とを用いる。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, a solder layer 25 having a melting point lower than that of solder bumps 23 is formed on a land 24, and temporary fixing between the semiconductor chip 21 and the mounting substrate 22 is obtained by melting junction of the solder layer 25.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、はんだバンプ２３よりも低融点のはんだ層２５をランド２４上に形成し、半導体チップ２１と実装基板２２との間の仮固定を当該はんだ層２５の溶融接合によって得るようにしている。 - 特許庁

A method for producing the hetero-junction bipolar transistor includes forming an etching mask (96) on an emitter cap layer (118), forming a reentry shape (100) by selectively etching the exposed portion the cap layer, and exposing a portion of the cap layer, and exposing a portion of an emitter layer (116).例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタを形成する方法は、エミッタキャップ層(118)上にエッチングマスク(96)を形成して、該キャップ層の一部を露出し、該キャップ層の露出した部分を選択的にエッチングしてリエントリ形状(100)を形成すると共にエミッタ層(116)の一部を露出させる。 - 特許庁

To provide a heat exchanger for easily positioning a side plate when mounting the side plate, further mounting the side plate without causing working fluid to leak, and easily judging whether the junction state of the side plate is appropriate or not.例文帳に追加

サイドプレートの組付けの際に該サイドプレートの位置決めを容易に行うことができ、更に作動流体の漏出が発生することなくサイドプレートが組み付けられ、しかもサイドプレートの接合状態の良否判定を容易に行うことができる熱交換器を提供すること。 - 特許庁

After that, a mesa groove 8 is formed by etching the P-type semiconductor layer 3, a PN junction JC, the N-type semiconductor layer 2 and a partial thickness of the semiconductor substrate 1 so that a width of the mesa groove grows from a surface of the P-type semiconductor layer 3 toward the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

その後、Ｐ型半導体層３の表面から、ＰＮ接合部ＪＣ、Ｎ−型半導体層２、半導体基板１の厚さ方向の途中にかけてエッチングし、半導体基板１に近づくに従って幅が大きくなるメサ溝８を形成する。 - 特許庁

In the super-junction structure wherein an n-type column and a p-type column are repeated, the width of a column where a carrier passes through is 4.5 μm or less, and the concentration of impurity of the column where the carrier passes through is adjusted to be lower than a concentration satisfying the reduced surface field.例文帳に追加

ｎ型コラムとｐ型コラムが繰返されているスーパージャンクション構造において、キャリアが通過するコラムの幅は４．５μｍ以下であり、かつキャリアが通過するコラムの不純物濃度がリサーフ条件を満たす濃度よりも低濃度に調整する。 - 特許庁

To provide a joint structure for improving a tensile resistance property so that the junction end face of a concrete structure cannot be pulled each other even if tensile force is applied between the connected structures.例文帳に追加

連結したコンクリート構造物間に引張力が作用しても、コンクリート構造物の接合端面が互いに引き離されることがないように耐引張性を高めることができ、また、コンクリート構造物の亀裂が発生するのを未然に防ぎ得る継手構造を提供することにある。 - 特許庁

The first component 31 is subjected to rising voltage by an electric power supply (1) between an initial time and t_1, reaches the position of a junction relay at t_1, moves onto the anode 23-2 from 23-1, and is subjected thereafter to a constant voltage V between t_1 and t_2 by an electric power supply (2).例文帳に追加

最初の部品３１はスタート後ｔ_1 までは電源（１）より昇圧電圧が掛けられ、ｔ_1 で接続リレー２６の位置へ到達し、ここで陽極２３−１から２３−２へ乗り移り、以降電源（２）によりｔ_1 〜ｔ_2 間では一電圧Ｖが印加される。 - 特許庁

In the method for forming an SiGe layer of a solar energy cell, in order to promote the growth of the Ge of high quality on an Si substrate, Si^+ is poured on the Si substrate to reinforce the softening of distortion at the junction between the transformed Ge_xSi_1-x buffer layer 103 and the Si substrate 101.例文帳に追加

Ｓｉ基板上での高品質Ｇｅ成長を促進するため、変成Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層１０３とＳｉ基板１０１との間の接合部における歪緩和を強化するため、Ｓｉ^＋をＳｉ基板上へ注入する。 - 特許庁

To provide an eco-friendly rust-preventing composition which has such performance as to satisfy a rust-preventing quality and operation quality required to suspension parts of a carboy, a sack structure of the carboy and a junction of plates, and contains a volatile organic solvent in a reduced amount of 10 mass% or less.例文帳に追加

車体の足回り部品、車体の袋構造部、板合わせ部等に対する防錆要求品質や作業品質を満足する性能を備え、揮発する有機溶剤を１０ｍａｓｓ％以下にした環境にやさしい防錆組成物を提供する。 - 特許庁

In a junction structure, P+type base regions 3 located on the both sides of a trench 5 are positioned at the lower part than the lowest position of an oxide film 8, and an N-type channel layer 6 is pinched between the two P+type base regions 3 from the both sides on the bottom of the trench 5.例文帳に追加

トレンチ５の両側に位置するＰ＋型ベース領域３を酸化膜８の最下方位置よりも下方に位置させ、トレンチ５の底面においてＮ−型チャネル層６を２つのＰ＋型ベース領域３で両側から挟みこんだジャンクション構造とする。 - 特許庁

An electrical junction box 1 is constituted of a main cover 23 that covers a top part, a bottom cover 29 that is fit to the main cover 23 and covers a bottom part, a power circuit board 11 that forms the wiring of a power circuit, and a joint connector 19 to which external wire harness are connected.例文帳に追加

電気接続箱１は、上部を覆うメインカバー２３と、このメインカバー２３と係合し下部を覆うアンダーカバー２９と、電源回路の配線を形成する電源配線板１１と、外部のワイヤーハーネスを接続するジョイントコネクタ１９とを有して構成される。 - 特許庁

In the mesh screen 25 wound around the outer peripheral face of the plate cylinder 18 having a porous supporting plate 24, the junction portion of an ink-permeable member 25a passing through ink and an ink-impermeable member 25b not passing through the ink is covered with a covering member 26.例文帳に追加

多孔性支持板２４を有する版胴１８の外周面に巻装されるメッシュスクリーン２５において、インキを通過させるインキ透過性部材２５ａとインキを通過させないインキ不透過性部材２５ｂとの接合部を被覆部材２６で覆う構成とした。 - 特許庁

In the method for performing the soldering of the electrode junction of a wide-gap semiconductor chip by a lead-free solder in a vacuum environment, a pressure reducing state is so created in the case of the melting state of the lead-free solder by heating it as to combine this pressure reducing state with the ordinary-pressure state.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体チップの電極接合を鉛フリー半田で真空環境にて半田付けする方法であって、加熱による鉛フリー半田の溶融状態時に減圧状態を作り、この減圧状態を常圧状態と組み合わせる。 - 特許庁

The pivotal guide sections 7 have pivot shafts 39 disposed at a lower end portion 3b of the ECU 3, and guide grooves 40 disposed in the junction box body 2, adapted for the pivot shafts 39 inserted therein, and extended straight along the connecting direction of connectors 9, 17.例文帳に追加

回転案内部７はＥＣＵ３の下端部３ｂに設けられた支点軸３９と接続箱本体２に設けられかつ支点軸３９が侵入するとともにコネクタ９，１７同士の嵌合方向に沿って直線状に延在したガイド溝４０を備えている。 - 特許庁

A terminal member 2 is made to be used in combination with a rivet 5 for junction, and by using an insulation member 3 as a sealing member 4 in combination, the terminal member 2 and the insulation member 3 are disused, and a cap 10 is constituted by three items of the lap body 1, the rivet 5 and the sealing member 4.例文帳に追加

接合用のリベット５に端子部材２を兼用させ、封止部材４に絶縁部材３を兼用させることにより、端子部材２と絶縁部材３を廃止して、蓋１０を本体１とリベット５と封止部材４の三点で構成する。 - 特許庁

By the brazing method, the bottom plate 32 thermally expands outside in the width direction without allowing the top board to thermally expand outside in the width direction, thus allowing the side 28a inside the top board 28 to abut against the side 32a of the bottom plate 32 and make it a reliable junction.例文帳に追加

このろう付け方法により、天板２８が幅方向の外側に熱膨張せずに、底板３２が幅方向の外側に熱膨張するので、天板２８の内部の側面２８ａと底板３２の側面３２ａとが接触して確実に接合することができる。 - 特許庁

A male screw section 40 having a spiral stripe 41 is provided on the outer periphery of the junction 26 of a housing 20, and the male screw section 40 and a female screw section 35 having a groove 33 formed on the inner peripheral side of the irregular section 32 of a metal foil tube 30 form a pair of screws.例文帳に追加

ハウジング２０の接続部２６の外周には螺旋状の筋４１がなすおねじ部４０が設けられ、このおねじ部４０は、金属箔チューブ３０の凹凸部３２の内周側に形成された溝３３がなすめねじ部３５と一対のねじをなしている。 - 特許庁

With respect to the scan lines, pairs of scan lines are connected respectively so as to turn back in end parts in the row direction through scan junction lines Kt1 to Kt4, and a scan signal is selectively given to pairs of scan lines by a scan driver 3.例文帳に追加

前記走査線は２本の走査線を組としてそれぞれ行方向の端部で走査中継線Ｋｔ１〜Ｋｔ４を介して折り返すようにして接続され、走査ドライバ３より組ごとの走査線に対して選択的に走査信号が与えられる。 - 特許庁

A ratio of an on-resistance of the high-side switch to an on-resistance of the low-side switch is set according to an input-output level difference between an output signal output to a junction point of the high-side switch to the low-side switch and the input signal.例文帳に追加

前記ハイサイドスイッチのオン抵抗と前記ローサイドスイッチのオン抵抗との比は、前記ハイサイドスイッチと前記ローサイドスイッチとの接続点に出力される出力信号と、前記入力信号と、の入出力間レベル差に応じて設定されることを特徴とする。 - 特許庁

By the above, the good junction between the mask body 2 and the frame 3 can be maintained for a long period by effectively preventing deterioration of an adhesive layer 8 caused by an action of an organic solvent used for the cleaning or the like on the adhesive layer 8.例文帳に追加

これにて、洗浄処理等において使用される有機溶媒が接着剤層８に作用することに起因する接着剤層８の変質を効果的に防いで、マスク本体２と枠体３との間の良好な接合状態を長期に亘ってよく維持できる。 - 特許庁

The use of a pn junction formula on the pnp transistors Q1, Q2 yields, as an inverse proportion relation, characteristics between an input voltage VIN to the non-inverting input terminal of an operational amplifier OPAamp and the collector current Ib of the pnp transistor Q2.例文帳に追加

ｐｎｐトランジスタＱ１，Ｑ２に関するｐｎジャンクションの式を利用して、演算増幅器ＯＰＡｍｐの非反転入力端子への入力電圧ＶＩＮとｐｎｐトランジスタＱ２のコレクタ電流Ｉｂとの間の特性を反比例関係とすることができる。 - 特許庁

A protection circuit employs a clamping circuit 210, a switching circuit 212, and a back gate bias circuit 206 to block a leakage path between a power supply reference voltage Vcc and an output node OUT passing through a source/bulk junction of a transistor that is biased in the output buffer.例文帳に追加

保護回路は、クランピング回路２１０、スイッチング回路２１２、及びバックゲートバイアス回路２０６を使用して、出力バッファ内のバイアスされたトランジスタのソース／バルク接合を通る出力ノードＯＵＴと電源参照電圧Ｖccとの間の漏洩通路を閉塞する。 - 特許庁