「junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(160ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an apparatus and a method for evaluating a semiconductor device that are capable of evaluating dopant profile in a transistor built in a logic circuit, a memory cell, a capacitor, a p-n junction, or the like of a semiconductor device without any special wiring or the like.例文帳に追加

特別な配線等をすることなく、半導体デバイスにおける論理回路内部のトランジスタやメモリセルやキャパシタやｐｎ接合等の素子についてのドーパントプロファイルの評価を可能にした半導体デバイスの評価装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

In a junction box comprising the connector module, a fuse module and a relay module, the circuit of the connector module is formed by cross-wiring coated wires, applying ultrasonic vibration at the crossing point, and making removal of insulating coating and connection of the conductors simultaneously.例文帳に追加

ジャンクションボックスをコネクタモジュール、ヒューズモジュール、リレーモジュールより構成するものにおいて、コネクタモジュールの回路体を被覆電線をクロス配線し、交差位置で超音波振動を負荷して、絶縁被覆の除去と導体同士の接続を同時に行って形成している。 - 特許庁

The conversion circuit has a third circuit to control the voltage potential of the junction point of the first circuit and the second circuit not to be extensively changed depending on the state of the second circuit, and a forth circuit to supply control voltage to the third circuit.例文帳に追加

前記第4の回路が前記第3の回路に制御電圧を供給することで、前記第2の回路が電流を流す状態にある時には、前記第3の回路をオフし、前記第2の回路が電流を流さない状態にある時には、前記第3の回路をオンさせる。 - 特許庁

To provide a mounting method of semiconductor chip in which reliability of electrical connection between a semiconductor bare chip and a printed wiring board can be enhanced and strain developed at the junction of the chip and the wiring board due to temperature variation can be relaxed.例文帳に追加

半導体ベアチップとプリント配線板との電気的な接続信頼性を向上させることができるとともに、温度変化によりチップと配線板との接合部に発生する歪みを緩和することが可能な半導体チップの実装方法を提供する。 - 特許庁

When the solar cell panel 20 as described above is installed over the adjacent roof faces, a junction of solar panels as experienced in the roof of the prior arts is not formed along a descending ridge formed by the roof faces so that the waterproof performance of the roof can be sufficiently secured.例文帳に追加

従って、このような太陽電池パネル２０を、各屋根面に跨って配列すれば、各屋根面で形成される下り棟に沿って、従来のような太陽電池パネル同士の連結部が生じないから、屋根の防水性能を十分に確保できる。 - 特許庁

The inspection method of the photovoltaic device includes a step for applying an AC voltage to the photovoltaic device that comprises at least one pin junction, and a step for detecting the response output of the photovoltaic device applied with the AC voltage.例文帳に追加

この光起電力装置の検査方法は、少なくとも１つのｐｉｎ接合を有する光起電力装置に交流電圧を印加するステップと、前記交流電圧が印加された光起電力装置の応答出力を検出するステップとを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which has ridges that are to become protrusions and which will not damage the ridges, when mounted by a junction-down mounting method, and to provide a semiconductor device constituted of the semiconductor element and a method of manufacturing them.例文帳に追加

本発明は、凸部となるリッジ部を備え、ジャンクションダウンマウント方式でマウントした場合、リッジ部を損傷することのない半導体素子、又、当該半導体素子から構成される半導体装置、及び、それらの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a substrate; the semiconductor element disposed on the substrate; and a ribbon wire having the joint portion joined to the semiconductor element on a predetermined junction surface, and a solid layer having a smaller coefficient of linear expansion than that of the ribbon wire is joined onto the joined portion.例文帳に追加

半導体装置が、基板と、基板上に配置された半導体素子と、半導体素子に、所定の接合面で接合された接合部を有するリボンワイヤとを含み、接合部上に、リボンワイヤより線膨張係数の小さな固体層が接合される。 - 特許庁

A middle mold 18 is transferred accompanied with a transporting of a foamed molded article 2 in the extracting direction X by a junction force between a non-gradient part 10 of the foamed molded article 2 pushed by an ejecting pin 22 and a face 19 for forming the non-gradient part at mold releasing [cf. Fig.(a)].例文帳に追加

離型時に、エジェクトピン２２により押された発泡成形品２の無勾配部１０と無勾配部形成用面１９との接合力により、発泡成形品２の抜き方向Ｘへの移動に同伴して中間型１８が移動する〔図２（ａ）参照〕。 - 特許庁

The hinge 4 fitted on the Mohican groove portion 2c, a junction between a roof panel R and a side panel S, has a hinge base portion 41 mounted on the Mohican groove portion 2c and a door hinge portion 42 which is rotatably supported by the hinge base portion 41 and installed on the rear door 3.例文帳に追加

ヒンジ４は、ルーフパネルＲとサイドパネルＳとの接合部となるモヒカン溝部２ｃに設けられると共に、モヒカン溝部２ｃに設けられるヒンジ基部４１と、ヒンジ基部４１に回動自在に支持され後部ドア３に取り付けられるドアヒンジ部４２と、を有している。 - 特許庁

To provide an organic EL panel and its manufacture method which cannot produce dark spot easily even if time passes by lessening invasion of moisture to the internal domain in which organic EL element has been formed, while maintaining the junction intensity of a substrate and a sealing opening lid.例文帳に追加

基板と封口蓋との接合強度を維持しながら、有機ＥＬ素子が形成された内部領域への水分の侵入を少なくすることによって、時間が経過してもダークスポットを生じ難い有機ＥＬパネルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a road-side antenna system for road-vehicle radio communication system that is installed near a road, can adjust a horizontal beam even the junction or intersection of the road with another road, and can perform satisfactory radio communication with on-vehicle radio communication equipment.例文帳に追加

道路近傍に設置される路車間無線通信システム用路側アンテナ装置に関し、道路の合流部あるいは交差点部においても水平方向のビーム調整が可能であり、車載無線通信装置との間で良好な無線通信を行なうことができる。 - 特許庁

An n^- type doped GaN diode of >1 μm thickness is arranged on the n^+ type doped GaN diode, patterned into a plurality of thin and long fingers, a metal layer is arranged on n^- type doped GaN layer, and a Schottky junction is formed in between them.例文帳に追加

１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

Steps 25 are formed at a peripheral edge part of the gas diffusion layer junction of the fuel cell formed by laminating a water-repellent layer 21 on the gas diffusion layer 20, and a protection layer 26 is formed over the side surface of the gas diffusion layer so as to fill up the steps.例文帳に追加

ガス拡散層２０に撥水層２１を積層してなる燃料電池のガス拡散層接合体において、その縁部に前記積層方向に段差２５を形成し、かつこの段差を補填するように、かつガス拡散層の側面にわたり保護膜２６を被覆する。 - 特許庁

There is provided, under a side wall spacer 9 provided in a side wall of a gate electrode 3, an n+ type semiconductor region 8a which is the same as an n+ type semiconductor region 8b constituting a resistance layer, and has relatively high impurity concentration and a relatively deep junction depth.例文帳に追加

ゲート電極３の側壁に設けられたサイドウォールスペーサ９の下に、抵抗層を構成するｎ^+型半導体領域８ｂと同一の相対的に高い不純物濃度と相対的に深い接合深さとを有するｎ^+型半導体領域８ａを設ける。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for driving a junction type field effect transistor (JFET) for suppressing heat generation of the JFET by temporary overcurrent and detecting the overheat state of the JFET in a simple configuration.例文帳に追加

簡単な構成によって、一時的な過電流による接合型電界効果トランジスタの発熱を抑制するとともに、接合型電界効果トランジスタの過熱状態を検知することができる接合型電界効果トランジスタの駆動装置および駆動方法を提供する。 - 特許庁

In this way, when the support jig 1 for diameter expansion is pulled out from the insulator unit 10, oil or bubbles between the cable cores 20A, 20B and the internal wall of the insulator unit 10 can be discharged efficiently from the junction surface to the outside, accompanying the decrease in the convex portion 13a.例文帳に追加

これにより、絶縁体ユニット１０から拡径支持治具１を引き抜く際にケーブルコア２０Ａ，２０Ｂと絶縁体ユニット１０の内壁面との間にあるオイルや気泡を凸部１３ａの減少に伴って接合面から外部に効率良く排出させる。 - 特許庁

To resolve a problem where a junction reliability of a cover with respect to a substrate is low by thermal stress due to the difference in the coefficients of linear thermal expansion of the substrate and the cover in a crystal device constituted so that a crystal oscillator is airtightly accommodated inside a container consisting of the substrate and the cover.例文帳に追加

基体と蓋体とから成る容器内部に水晶振動子を気密に収容して成る水晶デバイスにおいて、基体と蓋体との線熱膨張係数差に起因する熱応力により蓋体の基体に対する接合信頼性が低い。 - 特許庁

In the partial area of the first main surface EA, a notched section JK is formed in the semiconductor laminate 50, by notching the laminate 50 to its halfway in the thickness direction rather positioned on the second main surface side of the laminate 50 than the boundary of the p-n junction of the light-emitting layer 24.例文帳に追加

該第一主表面ＥＡの一部領域において半導体積層体５０は、発光層部２４のｐ−ｎ接合境界よりも第二主表面側に位置する厚さ方向途中位置まで切り欠かれることにより切欠部ＪＫが形成される。 - 特許庁

A melted material is introduced into the manifold and moved to an injection molding nozzle for charging into a die cavity through the bore at the direction of a radius and a bore at the direction of an axis in the junction structure element and also through at least one piping connected to those elements.例文帳に追加

メルトは、マニホールドに導入され、ジャンクション構成要素の半径方向ボア及び軸線方向ボアを通って、及びこれに連結された少なくとも一つの配管を通って、金型キャビティに注入するための射出成形ノズルまで移動する。 - 特許庁

A body 11 of a junction modular terminal strip 10 is made of a box with the rear side opened at which a rear cover 17 is fitted constituting a box, and is formed several integral number of times as large as the prescribed unit dimension at its outside dimensions and made a module.例文帳に追加

中継モジュラジャック端子台１０のボディ１１は裏面側が開口した箱状のもので、その裏面開口に裏カバー１７を嵌合被着して器体を構成し、外形寸法を所定の単位寸法の整数倍に形成してモジュール化している。 - 特許庁

To improve pulling strength of a building by improving junction strength between upper-floor and lower-floor building units via a beam when supporting the upper-floor building unit with a beam for bridging walls near the side of each part without any walls of two lower-floor building units.例文帳に追加

２個の下階建物ユニットそれぞれの壁無し部の側傍の壁間に掛け渡した梁にて上階建物ユニットを支持するに際し、梁を介する上階建物ユニットと下階建物ユニットの接合強度を高め、建物の引き抜き耐力を向上すること。 - 特許庁

A battery pack comprises a battery pack case, a plurality of cells 11 installed in the battery pack case 1 and connected in series, a battery pack cover 4 closing an upper opening of the battery pack case 1, and a wiring member 16 provided in the middle of a junction of a battery module 2.例文帳に追加

電池パックケースと、電池パックケース１内に収容され、直列接続される複数の電池セル１１と、電池パックケース１の上方開口部を閉鎖する電池パックカバー４と、電池モジュール２の接続部分の途中に設けられる配線部材１６とを備える。 - 特許庁

The base 3 is formed into a box shape comprising a bottom 31 and a bank 32 laminated on the bottom 31, the bottom 31 and the bank 32 are baked integrally, while the section is into a recessed shape, and the upper surface of the bank 32 is a junction region 33 with the cap 4.例文帳に追加

ベース３は、底部３１と、底部３１上に積層した堤部３２とからなる箱状体に形成され、これら底部３１と堤部３２とが断面凹状に一体的に焼成され、堤部３２の上面は、キャップ４との接合領域３３である。 - 特許庁

The current flowing between the active layer 6 including an pn junction interface and the n-type GaAs substrate 1 is suppressed by making the conductivity type of an underlying heterobarrier layer 5 same as that of a part abutting on the underlying heterobarrier layer 5 of the active layer 6.例文帳に追加

さらに、下ヘテロ障壁層５の導電型を活性層６の下ヘテロ障壁層５に接する部分の導電型と同一にしてｐｎ接合界面を含む活性層６とｎ型ＧａＡｓ基板１との間に流れる電流を抑えるようにした。 - 特許庁

The photodiode also comprises a region (4) which extends transversely relative to the planes of the layers, where the region (4) is in contact with the collection layer (2) and the confinement layer (3) and has a conductivity type opposite to the first conductivity type so as to form a p-n junction with the stack.例文帳に追加

そのフォトダイオードは、前記層の面に対して横断して延在する領域(4)も含み、前記領域はコレクション層(2)と閉じ込め層(3)に接触し、前記スタックとp-n接合を形成するために前記第1導電型と反対の導電型を有する。 - 特許庁

The wiring resistance of the peripheral circuit is reduced, while the junction leakage current of the memory cell is set to the same level value as that of a prior art.例文帳に追加

半導体記憶装置の周辺回路部基板の活性領域上の金属シリサイド膜厚が、メモリセル部基板の活性領域上の金属シリサイド膜厚より厚く、周辺回路部の配線抵抗を低減し、一方メモリセル部の接合リーク電流は従来と同様レベル値とした。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element having a charge transfer type hetero-junction structure which can obtain a solar cell, a light emitting diode or the like, excellent in durability, electronic physical properties, economic efficiency or the like by using a fullerene polymer film for a part of a component.例文帳に追加

構成材料の一部にフラーレン重合体膜を用いることによって、耐久性、電子物性、経済性等にすぐれた太陽電池や発光ダイオード等が得られる、電荷移動型ヘテロ接合構造体を有する光電変換素子を提供すること。 - 特許庁

A pn junction is formed in the gate electrode region generated by two dimensional electron gas generated in the interface between the undope AlGaN layer 604 and the undope GaN layer 603, and by the first p-type AlGaN layer 605 and the second p-type AlGaN layer 607.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層６０４とアンドープＧａＮ層６０３との界面で発生する２次元電子ガスと第１のｐ型ＡｌＧａＮ層６０５および第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成される。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring a throat depth value in fillet weld, capable of measuring easily and precisely the throat depth after a secular change of a fillet weld part in a portion difficult to be measured, such as a junction part between a deck plate of a hull and longitudinal beams thereof.例文帳に追加

船体のデッキプレートとロンジの接合部等、測定困難な箇所における隅肉溶接部の経年劣化後ののど厚値を簡便に高精度で測定することが可能な隅肉溶接ののど厚値測定方法及びのど厚値測定装置を提供する。 - 特許庁

Then, the stress caused by a difference in coefficient of thermal expansion between the printed board 1 and the LSI chip can be dispersed (relaxed) by the pump pad 11 and the solder ball 13, so the high reliability of the junction part can be ensured in the LSI chip mounting.例文帳に追加

従って、プリント基板１とＬＳＩチップとの熱膨張率差によって生じ得る応力をバンプ型パッド１１及び半田ボール１３により分散（緩和）することにより、ＬＳＩチップ実装の接合部における高信頼性を確保することができる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor radiation detector that uses a barrier type, or a InSb single crystal of a p-n junction type that is reduced in leakage current, suppressed in trapping for electrons or holes, and having a large amount of charge generation even at a temperature of 10K or higher.例文帳に追加

１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

To suppress an increase in junction leakage current without causing corrosion or the like in an impurity diffusion region, to completely decrease a resistance value of the impurity diffusion region, and to provide a further microscopic, highly integrated, low electric power consumption, and high speed operational semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散領域の侵食等を生ぜしめることなく接合リーク電流の増大を抑制して不純物拡散領域の抵抗値を十分に低減し、更なる微細化・高集積化を実現して、低消費電力で高速動作を可能とする。 - 特許庁

Anti-loosening stoppers 6 and 7 for the rubber ring socket collars 2 are provided on both end parts of the pipe body 3 and by sliding the rubber ring socket collars 2 to the stoppers 6 and 7, a junction length the same or more than the specification value with the existing drain pipe can be secured.例文帳に追加

この管本体３の両端部に、これらのゴム輪受口カラ−２の抜止め用ストッパ−６，７を設けることにより、このストッパ−６，７の所迄ゴム輪受口カラ−２をスライドさせると、既設の排水管との接合長さが規格値以上に確保できる。 - 特許庁

When the ceramic substrate and the metal plate M are brought into contact with each other and pressed and joined at a high temperature to manufacture a circuit board, they are subjected to blast processing with brazing material powder B to increase the junction area of the metal plate M, and the metal plate M is joined with the ceramic substrate.例文帳に追加

セラミックス基板と金属板Ｍとを接触させ、高温下で加圧接合して回路基板を製造する際に、ろう材粉末Ｂによってブラスト処理して金属板Ｍの接合面積を増大させ、この金属板Ｍをセラミックス基板と接合する。 - 特許庁

The first rubber layer 25 comprises a rubber material containing no vulcanization promoter, has the first attaching face 29 attached directly to the inner liner 7, on its one side and has the first junction face 31 on the other side, and the second rubber layer 27 is layered on the first rubber layer 25.例文帳に追加

第１ゴム層２５は、加硫促進剤を含まないゴム材料からなり、一側に、インナーライナー７に直接的に取付可能な第１取付面２９を有し、他側に、第１接合面３１を有し、第１ゴム層２５には第２ゴム層２７が重合される。 - 特許庁

To provide a welding junction joint for a metal wire and its joining method capable of compactly and positively joining a highly heat resistant metal wire with a metal terminal or two metal wires without separately providing a process for peeling an insulating coat.例文帳に追加

本発明の目的は、絶縁被膜を剥離する工程を別に設けることなく、耐熱性の高い金属線と金属製端子及び金属線同士をコンパクトで、更に確実に接合できる金属線の溶接接合継手及びその溶接方法を提供するにある。 - 特許庁

When the nonconductive tunnel barrier layer of the tunnel junction element is exposed to ultraviolet rays projected upon the barrier layer through at least one upper layer covering the barrier layer, the oxide and nitride of the barrier layer can be distributed uniformly and homogeneously throughout the barrier layer.例文帳に追加

トンネル接合素子の非導電性トンネル障壁層を、トンネル障壁層を覆う少なくとも１つの上層を通して、トンネル障壁層に照射される紫外光に暴露することにより、均一なトンネル障壁層への上記の要求に対処する。 - 特許庁

This bipolar junction transistor is provided with a buried collector layer 20, a collector region 80 which is counter-doped and arranged adjacently to the buried collector layer, a base region 40 arranged adjacently to the counter-doped collector region 80 and an emitter region 50 arranged adjacently to the base region 40.例文帳に追加

埋込みコレクタ層２０、前記埋込みコレクタ層に隣接したカウンタードープしたコレクタ領域８０、前記カウンタードープしたコレクタ領域に隣接するベース領域４０、及び前記ベース領域に隣接するエミッタ領域５０、を具えた二極接合トランジスタ。 - 特許庁

The effective VBM 141 of the active layer 14 is formed at an energy level higher than the VBM 131 of a Be_0.3Zn_0.7Se_0.2Te_0.8 mixed crystal configuring the p-type clad layer 13, and a junction between the active layer 14 and the p-type clad layer 13 is formed in a type I structure.例文帳に追加

活性層１４の実効的なＶＢＭ１４１が、ｐ型クラッド層１３を構成するＢｅ_0.3 Ｚｎ_0.7 Ｓｅ_0.2 Ｔｅ_0.8 混晶のＶＢＭ１３１よりも高いエネルギー準位に形成され、活性層１４とｐ型クラッド層１３との接合がタイプＩ構造になっている。 - 特許庁

Signal reflection at the junction of the through hole 10 for signal of a signal circuit 17 is suppressed by making the diameter of a clearance 11 small through a conductor solid layer 4 which is adjacent to a signal layer 3 on which a signal circuit 17 to connect with the though hole 10 for signal is provided.例文帳に追加

一方、信号用スルーホール１０に接続する信号配線１７が設けられた信号層３に隣接する導体ベタ層４においては、クリアランス１１を小径化し、信号配線１７の信号用スルーホール１０の接続部での信号の反射を抑える。 - 特許庁

To secure stability and reliability of current detecting accuracy by preventing a stress from acting on a magnetic sensor such as a hall element or on a junction part of the magnetic sensor and a circuit board, even when the expansion or contraction of a mold member due to temperature change occurs.例文帳に追加

温度変化に起因するモールド部材の膨張もしくは収縮が生じても、それによってホール素子等の磁気センサや、該磁気センサと回路基板との接合部に応力が作用するのを防止し、電流検出精度の安定性と信頼性を確保する。 - 特許庁

By forming the pn junction photodiode capacity forming area of an image sensor not only in the direction of a substrate surface but also in the depthwise direction of a substrate with respect to a silicon substrate, a signal charge storage is magnified to increase the effective area of the signal charge storage.例文帳に追加

イメージセンサのＰＮ接合フォトダイオード容量形成領域をシリコン基板に対して基板面方向に形成するだけでなく、基板の深さ方向にも形成することによって信号電荷蓄積部を拡大し、信号電荷蓄積部の実効面積を増加させる。 - 特許庁

To provide a highly reliable process for the mass production of a junction between an electrode and an external power source or an electrical control device having an uniform and low electrical contact resistivity through an electrical lead in the field of the process and manufacture of an organic electric device.例文帳に追加

有機電子デバイスの処理および製造の分野において、電気的なリードを介して、均一かつ低い電気的接触抵抗で、電極と外部電源または電気的な制御デバイスとの接続部の量産において、高信頼性のプロセスを提供することである。 - 特許庁

To reduce the influence of a leakage magnetic field on adjacent transistors, enable shift adjustment, and restrain spin relaxation in a channel region, even when vertical magnetization films are used in the ferromagnetic material of a MTJ (Magnetic Tunnel Junction) in the source/drain region of a spin MOSFET.例文帳に追加

スピンＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域におけるＭＴＪの強磁性体に垂直磁化膜を用いても、隣接トランジスタへの漏れ磁界による影響を抑制し、シフト調整を可能にし、チャネル領域中のスピン緩和を抑制することを可能にする。 - 特許庁