1153万例文収録!

「junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(157ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > junctionの意味・解説 > junctionに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

junctionを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 9126



例文

The semiconductor base body 1 includes a first slope 4a formed continuous to the first surface 1c and formed to incline against the extending direction of the pn junction surface 7, and an end surface 4b continued to the first slope 4a.例文帳に追加

半導体基体1は、第1表面1cに連続して形成され、pn接合面7の延びる方向に対して傾斜するように形成されている第1傾斜面4aと、第1傾斜面4aに連続する端面4bとを有する。 - 特許庁

To provide an efficient method for manufacturing a laminated display panel which is formed by laminating a plurality of panel elements and allows the easy packaging of driving ICs and the connection of junction substrates after laminating the panel elements.例文帳に追加

パネル素子が複数積層された積層型表示パネルの製造方法であって、パネル素子を積層した後に、駆動ICの実装及び中継基板の接続を容易に行うことができ、効率のよい積層型表示パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a temperature in a deep region in the surface of the substrate can be raised to an activation temperature or above without overheating a shallow region, activation of junction in the deep region can be carried out without causing warpage or cracking of the substrate.例文帳に追加

これにより、基板表面の浅い領域を必要以上に加熱することなく深い領域をも活性化温度以上に昇温することができ、基板に反りや割れを生じさせることなく深い接合の活性化を行うことができる。 - 特許庁

The solid-state image-sensing device comprises a pn-junction sensor part 111, a device isolation layer for trench isolation for isolating the sensor part into pixels, and a semiconductor region formed protruding from the device isolation layer toward the sensor part and having a conductivity type opposite to that of a charge accumulation region of the sensor part.例文帳に追加

固体撮像装置は、pn接合型のセンサ部と、センサ部を画素分離するトレンチ分離による素子分離層と、素子分離層からセンサ部側に張出して形成されたセンサ部の電荷蓄積領域とは逆導電型の半導体領域とを有する。 - 特許庁

例文

To provide a p-n junction diode-type gas sensor whose sensor constitution is simple, in which the aged deterioration of a diode characteristic in a long-term use is small and which can detect the gas concentration of molecules comprising hydrogen atoms such as H2, NH3, H2S, hydrocarbon or the like contained in a gas to be detected.例文帳に追加

センサ構成が簡単で、長期使用におけるダイオード特性の経時変化が少なく、被検ガスに含まれるH_2、NH_3、H_2S、炭化水素等の水素原子を有する分子のガス濃度を検出可能なpn接合ダイオード型ガスセンサを提供すること - 特許庁


例文

To provide a conductive adhesive forming highly reliable junction of a semiconductor device, and having excellent adhesiveness, electrical conductivity, thermal conductivity, and relaxing thermal stress, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the same, and the semiconductor device.例文帳に追加

接合性、電気伝導性、熱伝導性が良好で、かつ熱応力を緩和できる信頼性の高い半導体装置の接合体を形成できる導電性接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a switching element using a high-breakdown-voltage and low-loss silicon carbide layer which is equipped with both a switching function and a diode function (reverse-direction voltage stopping capability) without forming a p-n junction inside the silicon carbide layer and to miniaturize a module so as to be lightweight.例文帳に追加

炭化シリコン層内にpn接合を形成することなく、スイッチング機能とダイオード機能(逆方向の電圧阻止能力)とを兼ね備えた、高耐圧・低損失の、炭化シリコン層を利用したスイッチング素子を実現し、以てモジュールの小型化・軽量化を図る。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic storage device having a redundant configuration to efficiently replace and repair both of a normal MTJ (Magnetic Tunnel Junction) memory cell for storing data, and a dummy memory cell prepared to be compared with the normal MTJ memory cell when reading data.例文帳に追加

データ記憶を実行する正規のMTJメモリセルおよび、データ読出時に正規のMTJメモリセルの比較対象として設けられるダミーメモリセルの両方を効率的に置換救済可能な冗長構成を備えた薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A second high-dose ion implantation is made by implanting arsenic As+ with a high concentration to the silicon substrate from a direction perpendicular to the silicon substrate to the source region 20a and the drain region 22a each having a shallow junction and both formed on both sides of the gate electrode (Fig.1 (c)).例文帳に追加

ゲート電極の両側に形成された浅い結合のソース領域20a及びドレイン領域22aとに、シリコン基板10に対して垂直の方向からヒ素As^+を高濃度でイオン注入して、2回目の高濃度イオン注入を行う(図1(C))。 - 特許庁

例文

A control electrode 40 of the MOS type field effect transistor includes first conductive type electrode portions 42, 45 and 48, a second conductive type electrode portion 46, and a pn junction 49 between the first conductive type electrode portions and the second conductive type electrode portion.例文帳に追加

MOS型電界効果トランジスタの制御電極40は、第1導電型の電極部42、45及び48と、第2導電型の電極部46と、第1導電型の電極部及び第2導電型の電極部の間にpn接合49とを有している。 - 特許庁

例文

To provide a junction field-effect transistor and a manufacturing method thereof, that can achieve low on-resistance, high maximum drain current, lineality with high transmitting gain, and a shorter gate, without the need for two kinds of positive and negative power sources.例文帳に追加

正と負の2種類の電源を用いないでも、低いオン抵抗、高い最大ドレイン電流および伝達利得の高いリニアリティを得ることができ、しかも短ゲート長化を図ることができる接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vibration damping structure and the like at a bolt junction part capable in which a viscoelastic body and the like can conduct effective vibration damping action as well as vibration damping deformation action both in a compression process by tension of a bolt and in a recovery process after compression.例文帳に追加

粘弾性体等が、ボルトの引張りによる圧縮過程においても、また圧縮後の復元過程においても、制振変形動作を行うことができて、効果的な制振作用を発現することができる、ボルト接合部における制振構造等を提供する。 - 特許庁

To provide a micromachining sensor element and a wedge wire bonding installation method capable of preventing cracking or breaking of a cantilever in the sensor element by ultrasonic energy in wire bonding to the sensor element, and correctly press attaching a capillary to a junction surface.例文帳に追加

マイクロマシニングセンサエレメントへのワイヤボンディング時における超音波エネルギーによるセンサエレメントのカンチレバーのクラックや破損を防止し、また、キャピラリと接合面が正確に圧着できるようにした、マイクロマシニングセンサエレメント及びウェッジワイヤボンディング取付け法を提供する。 - 特許庁

A first array composed of a junction leaf cell is constituted so that tiles are arranged by using at least one 1-cell and at least one 0-cell, and at least one logical expression is defined by the relative positional relationship of mutual cells configuring the array.例文帳に追加

接合リーフ・セルから成る第1のアレイは、少なくとも1個の1−セルと少なくとも1個の0−セルを用いてタイルを並べたように構成され、アレイを構成するセル同士の相対的な位置関係によって少なくとも1つの論理式を定義する。 - 特許庁

In the electrically conductive element, such as a double-pole type plate, for the fuel cell having an improved adhesive junction section, the conductive element generally has a first conductive sheet 58 and a second one 60, and each sheet has mutually opposing surfaces.例文帳に追加

改善された接着結合部を有する燃料電池のための、二極式プレート等の電気伝導性要素であって、伝導性要素は、概して、第1の伝導性シート58及び第2の伝導性シート60を備え、各シートは互いに対面する表面を有する。 - 特許庁

To provide a flip chip mounting circuit board allowing a solder reservoir to be formed well even in the case of a small-pitch peripheral electrode arrangement, and allowing flip chip junction of an electronic component such as a semiconductor element to be efficiently carried out; and an electronic component using the same.例文帳に追加

狭ピッチのペリフェラル状の電極配置であっても、はんだ溜りが良好に形成でき、半導体素子等の電子部品のフリップチップ接合を効率よく行うことが可能となるフリップチップ実装用回路基板とそれを用いた電子部品を提供する。 - 特許庁

Then second mesa junction B extending the boundary between the first Al-containing compound semiconductor layer 20 and substrate 2 or to the surface of the substrate 2 are formed from the contact layer 4 toward the lower layers, and the semiconductor layer 20 is converted into an insulating layer 20a by oxidizing the layer 20.例文帳に追加

コンタクト層4から下層に向かって、第1の含Al化合物半導体層20と基板2の界面または基板2の表層に至る第2のメサBを形成し、第1の含Al化合物半導体層20を酸化させて絶縁層20aに転化する。 - 特許庁

A heat sink 1 which radiates heat in electronic parts includes a heat sink body 11 having a contact face 16 which contacts electronic parts, and a heat dissipation member 21 having a junction face 23 joined to the front side 17 opposite to the contact face 16.例文帳に追加

電子部品の熱を放熱するヒートシンク1において、電子部品に当接する当接面16を有したヒートシンク本体11と、当接面16の反対側の表側面17に接合する接合面23を有した放熱部材21とを備えている。 - 特許庁

The seal diaphragm 50 has further a surface treating part 506 as a flow control part constituted to restrain excessive solder from flowing along a surface of the seal diaphragm 50 from the joining face 505 toward an inner circumferential side, when conducting the soldering junction.例文帳に追加

さらに,シールダイヤフラム50は,半田付け接合を行う際の余剰半田が,シールダイヤフラム50の表面に沿って接合面505から内周側へ向かって流動することを抑制するように構成した流動制御部としての表面処理部506を有している。 - 特許庁

A barrier metal 12 building a Schottky junction 26 is formed on the n^--layer 21 between the p guard rings 22 and a reverse connection diode 20 made of a p poly-silicon layer 27 and an n poly-silicon layer 28 is formed between the p guard ring 22 and the p^+-layer 24 via an oxide film 13.例文帳に追加

pガードリング22で挟まれたn^- 層21上にショットキー接合26を形成するバリアメタル12を形成し、pガードリング22とp^+ 層24の間に酸化膜13を介してpポリシリコン層27とnポリシリコン層28からなる逆接ダイオード20を形成する。 - 特許庁

Besides, another surface plate 6 is provided with a metallic junction terminal 7 for reading the index information recorded on the memory IC chip 3 or writing the index information onto the memory IC chip 3 while being connected with an IC memory card playback device.例文帳に追加

また、一方の表面板6にはICメモリカード再生装置と接続してメモリICチップ3に記録されているインデックス情報の読み出し、あるいはメモリICチップ3へのインデックス情報の書き込みをするための金属製の接合端子7を備える。 - 特許庁

For this reason, the structure in which the rotation of a polarization angle does not occur can be provided even if the displacement of the laser chip 11 and a sub-mount 20 occurs, when the laser chip 11 is mounted on the sub-mount 20 with its junction facing downward and the surface electrode 10 facing the sub-mount 20.例文帳に追加

これにより、表面電極10をサブマウント20に対向させてレーザチップ11をサブマウント20にジャンクションダウン実装する際に、レーザチップ11とサブマウント20の位置ずれが生じても、偏光角の回転が生じない構造を実現することができる。 - 特許庁

In this way, since no special jig is needed for holding the circuit boards 10 and 20 at the time of junction between the flexible board 4 and the circuit boards 10 and 20, attaching and detaching of the circuit boards 10 and 20 to and from the jig is no more necessary and the manufacturing operations become more efficient and simple.例文帳に追加

そのため、フレキシブル基板4と回路基板10,20との接合の際に回路基板10,20を保持しておくための特別な治具を必要としないので、回路基板10,20を治具に着脱することもなくなり、製造工程が効率化、簡素化される。 - 特許庁

To provide a terminal whereby a conductor can be surely prevented from being partially forced out without using a separate member such as a heat contraction tube, an insulating tape or the like, and binding work can be speedily carried out, in a junction structure of the terminal and a wire.例文帳に追加

端子と電線との接合構造において、熱収縮絶縁チューブや絶縁テープ等の別部材を使用することなく、溶接部からの導体の一部のはみ出しを確実に防止し、しかも結合作業を迅速に行うことができる端子を提供すること。 - 特許庁

In the fingerprint collation processing device 2, eight kinds of feature points (starting point, ending point, branching point, junction point, point, short line, island-shaped line and damage) are extracted from the fingerprint information by a feature point extracting part 2 and written in a storage part 22 and the fingerprint is registered.例文帳に追加

指紋照合処理装置2では、特徴点抽出部21bが指紋情報から8種類の特徴点(開始点、終止点、分岐点、接合点、点、短線、島形線及び損傷)を抽出し、記憶部22に書き込んで前記指紋を登録する。 - 特許庁

In the soldering process, the semiconductor devices 12 are each arranged through a soldering sheet 33 on a junction provided on the circuit board 11, and a weight 35 is placed so as to stride over at least three semiconductor devices 12 which are not arranged on a straight line.例文帳に追加

半田付け工程として、回路基板11上に設けられた接合部上に半田シート33を介して各半導体素子12を配置するとともに、一直線上に無い少なくとも3個の半導体素子12に跨った状態で錘35を載置する。 - 特許庁

To provide a surface-mounting light emitting device capable of preventing cracks from being generated at junction portions for connecting electrodes for external connection and conductor patterns of a wiring board caused by a difference in a coefficient of thermal expansion between a packaging substrate and the wiring board.例文帳に追加

実装基板と配線基板との熱膨張率差に起因して、外部接続用電極と配線基板の導体パターンとの間を接続している接合部にクラックが生じるのを防止することができる表面実装型発光装置を提供する。 - 特許庁

The silicon substrate and source/drain diffused layers of the same conductivity-type as with the silicon substrate 1 are isolated electrically from each other by a P-N junction, so that the silicon substrate 1 and the source/drain diffused layers can be prevented from being short-circuited through the intermediary of metal wiring layers 14-1 and 14-2.例文帳に追加

シリコン基板と、この基板と同じ導電型のソース・ドレイン拡散層とをPN接合によって電気的に分離できるので、金属配線層14−1,14−2を介してシリコン基板とソース・ドレイン拡散層とが短絡するのを防止できる。 - 特許庁

A depletion layer becomes large due to the pn-junction between the impurity-concentration regions, so that a variation in the width of the depletion layer by the control of the reverse bias voltage can be made large to increase a variation in electrostatic capacitance, thereby providing a large variable capacitance ratio.例文帳に追加

低不純物濃度同士のpn接合により、空乏層が大きくなるので、逆バイアス電圧の制御による空乏層の幅の変化を大きくすることができ、これによって静電容量の変化が大きくなって、可変容量比が大きくなる。 - 特許庁

To provide an element structure of a display device with which an element having excellent junction characteristics and a small contact resistance value can be realized as an element having a wiring circuit which is connected directly to a transparent electrode layer and a semiconductor layer and formed of an Al-based alloy film.例文帳に追加

透明電極層や半導体層と直接接合する、Al系合金膜により形成された配線回路を備えた素子において、その接合特性が良好で、コンタクト抵抗値の低い素子を実現できる表示デバイスの素子構造を提案する。 - 特許庁

Interval of the P+ type silicon regions 15 is set such that a substantially integrated depletion layer is formed by a PN junction which is formed between the N type silicon region 12 and the P+ type silicon region 15 upon application of a reverse voltage.例文帳に追加

ここで、P^+形シリコン領域15同士の間隔は、逆方向電圧の印加時にN形シリコン領域12とP^+形シリコン領域15との間に形成されるPN接合により、実質的に一体化した空乏層が形成されるように構成されている。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for adhering a component by removing a junction interfering substance at an area required for adhesion and for enabling adhesion of components in the manner that the part not required for adhesion is not damaged with heat, pressure and energy wave.例文帳に追加

貼り合せに必要な箇所における接合阻害物質を除去し、貼り合せに不必要な部分が熱や加圧やエネルギー波により損傷しないように部品を貼り合せることが可能な部品貼り合せ装置及び部品貼り合せ方法を提供すること。 - 特許庁

In a shield magnetoresistive effect element employing a tunnel junction element having a basic structure of free layer/nonmagnetic layer/fixed layer as the magnetoresistive effect element, a longitudinal bias layer coming into contact with the free layer at least partially is provided.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子としてフリー層/非磁性層/固定層を基本構成とするトンネル接合素子を用いたシールド型磁気抵抗効果素子において、フリー層の少なくとも一部に接触する縦バイアス層が設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 特許庁

A space isolated from the outside air is provided inside a connector 4 connected to an internal circuit 13 of a temperature regulator 5, and a connection part (cold junction) for a thermocouple element wire or a compensation lead wire 2, and a temperature measuring element 12 are stored in the space.例文帳に追加

温度調節器5の内部回路13に接続された接続器4の内部に、外気から隔絶された空間を設け、この空間に熱電対素線あるいは補償導線2の接続部(冷接点)と測温素子12を収容するよう構成してある。 - 特許庁

The structure provides a similar trend of the refractive index, which continuously varies from the region C to the region D without a junction interface, to eliminate light reflection generated at an interface of different refractive indices.例文帳に追加

このような構成とすることにより、屈折率にも同様の傾向が現れ、屈折率が領域Cから領域Dにかけて連続的に変化し、その接合部に界面が存在しないため、屈折率の異なる界面で発生する光の反射が生じない。 - 特許庁

The semiconductor device 10 according to the present invention includes: an interposer 30 which has a conductor post 42 provided in a via 33 and a wiring pattern 41; a terminal 602 joined to the conductor post 42; and a junction film 80 formed on the conductor post 42.例文帳に追加

本発明の半導体装置10は、ビア33内に設けられた導体ポスト42と配線パターン41とを有するインターポーザー30と、前記導体ポスト42に接合された端子602と、導体ポスト42に形成された接合膜80とを有している。 - 特許庁

Alternatively, the joining portion may be the junction of first steam piping 13A for directing the refrigerant steam from the generator 4A to a low temperature generator 11 and second steam piping 13B for directing the refrigerant steam from the generator 4B to the generator 11.例文帳に追加

あるいは、第1高温再生器4Aからの冷媒蒸気を低温再生器11へ導く第1蒸気配管13Aと、第2高温再生器4Bからの冷媒蒸気を低温再生器11へ導く第2蒸気配管13Bとが合流する場所とする。 - 特許庁

An electrode is formed by baking on a semiconductor substrate with a PN junction, then the electrode is dipped into a resin-containing organic solvent or a resin-containing organic solvent is applied on the surface of the electrode, and the assembly is subjected to a thermal treatment for the formation of a solar cell.例文帳に追加

pn接合を有する半導体基板上に焼成により電極を形成後、樹脂を含んだ有機溶剤に該電極を浸漬するか、または樹脂を含んだ有機溶剤を該電極表面に塗布した後に加熱処理を施して太陽電池を製造する。 - 特許庁

This circuit is provided with a reference voltage generation stage 1 composed by serially connecting a depletion type MOS transistor Q1 and an enhancement type MOS transistor Q2 and makes the electric potential at the junction of the transistors Q1 and Q2 to Vin and outputting the electric potential.例文帳に追加

デプレッション型MOSトランジスタQ1とエンハンスメント型MOSトランジスタQ2が直列に接続されてなる基準電圧発生段1が設けられており、MOSトランジスタQ1,Q2の接続点の電位をVinとして出力段3に出力している。 - 特許庁

A thermoelectric element comprises P type elements 3 made of a P type thermoelectric material, N type elements 4 made of an N type thermoelectric material, and two substrates 2 having metal electrodes 5 which can form pairs of PN junction by bonding these different kinds of element 3, 4 in pair.例文帳に追加

P型熱電材料からなるP型エレメント3と、N型熱電材料からなるN型エレメント4と、これら異種エレメント3、4を一対ずつ接合してPN接合対を形成可能な金属電極5を有する2枚の基板2等、から構成されている。 - 特許庁

In the diode 7, a P channel MOS transistor is connected to the diode, and internal power voltage VDD is supplied to a source terminal of the transistor, and a gate terminal, a bulk terminal of the transistor and one junction of a capacitor is connected to the drain terminal.例文帳に追加

ダイオード7は、PチャネルMOSトランジスタがダイオード接続されており、該トランジスタのソース端子に内部電源電圧VDDが供給され、ドレイン端子には、該トランジスタのゲート端子とバルク端子、およびコンデンサの一方の接続部がそれぞれ接続されている。 - 特許庁

The light-receiving device includes an InP substrate, and a superlattice light-receiving layer formed by alternatively laminating a sink layer of a group third-fifth compound semiconductor containing In, Ga, As, and N and a raised layer of a group third-fifth compound semiconductor containing Ga, As, and Sb to form a type 2 junction.例文帳に追加

InPを基板とし、In、Ga、As、Nを含む3−5族化合物半導体の沈降層と、Ga、As、Sbを含む3−5族化合物半導体の隆起層とを交互に積層し、タイプ2の接合を形成した超格子を受光層とする。 - 特許庁

To provide a high heat dissipation-type package for housing electronic components, which has high joining strength between a metallized film and a ceramic frame, prevents the ceramic frame from curving, and has high interface strength between the metallized film and an Ni plating film, and high joining reliability of a junction.例文帳に追加

メタライズ膜とセラミック枠体の接合強度が高いと共に、セラミック枠体の反りの発生を防止でき、メタライズ膜とNiめっき被膜の界面強度が高く、接合体の接合信頼性の高い高放熱型電子部品収納用パッケージを提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for power module excellent in thermal cyclic reliability, the substrate being capable of preventing an occurrence of an undulation or a wrinkle on a surface of a circuit layer and preventing a thermal stress from acting on a junction interface between a ceramic substrate and the circuit layer during a thermal cyclic loading.例文帳に追加

熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。 - 特許庁

To provide an electrical junction box which secures a sufficient strength in an electrical-part mounter for a body plate, certainly and stably mounts an electrical component while avoiding the increase of a weight and the deterioration of production efficiency as much as possible, and employs a new structure.例文帳に追加

重量の増大や製造効率の低下を可及的に回避しつつ、本体プレートの電気部品装着部において充分な強度を確保して電気部品を確実に且つ安定して装着することが出来る、新規な構造の電気接続箱を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrical junction box having a new structure capable of reducing the falling-off of a cover and the infiltration of water even when a hinge is broken while securing the workability of the cover capable of being opened and closed through the hinge by a simple structure.例文帳に追加

簡易な構造をもって、ヒンジ部を介して開閉可能とされた蓋部の操作性を確保しつつ、ヒンジ部が破断した場合でも、蓋部の脱落のおそれと水の浸入のおそれを軽減することの出来る、新規な構造の電気接続箱を提供すること。 - 特許庁

An electrical junction box 1 includes the current detector 10 that has: a magnetoelectric conversion element 14; and the magnetic core 11 provided with a gap 12 in which the magnetoelectric conversion element 14 is arranged, and detects the magnetic flux induced in the magnetic core 11 as a current.例文帳に追加

本発明の電気接続箱1は、磁電変換素子14と磁電変換素子14を配置するギャップ部12が設けられた磁性体コア11とを有し、磁性体コア11に生じる磁束を電流として検出する電流検出装置10を備える。 - 特許庁

In the case of the initial junction of a master unit 10 and a slave unit 20 of communication terminal device, a random generation unit 11 is made to generate random numbers, and an encryption key and a decryption key are generated based on the random numbers, and the encryption key is stored in the master unit 10, and the decryption key is stored in the slave unit 20.例文帳に追加

通信端末装置の親機10と子機20との初回の接合時に、乱数発生部11で乱数を発生させ、その乱数を元に暗号キーと復号キーを生成し、暗号キーを親機10に格納し、復号キーを子機20に格納する。 - 特許庁

To provide an air termination joint with stable performance, even if a high impulse voltage is applied, capable of preventing a dielectric breakdown caused by a triple junction which is generated when insulating oil, a cable insulator, and air contact each other, while eliminating the necessity of a corona shield at around the outer circumference of an upper fitting.例文帳に追加

上部金具の外周のコロナシールドを不要にしつつ、高いインパルス電圧を印加しても、絶縁油とケーブル絶縁体と空気とが接するトリプルジャンクションによる絶縁破壊を防ぐことができ、性能が安定した気中終端接続部を提供すること。 - 特許庁

例文

The waterproof member for the cable penetrating section is used for a waterproof junction box which comprises an openable/closable box body and a lid and in which a circular cable inserting hole formed of a pair of semi-circular cuts formed on cable introduction walls of the box body and the lid respectively are formed on a cable introduction wall.例文帳に追加

開閉可能な箱本体と蓋体とからなり、ケーブル導入壁に、箱本体側及び蓋体側のケーブル導入壁にそれぞれ形成された1対の半円形切欠きによる円形のケーブル貫通穴が形成される防水接続箱に用いられる。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS