「junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(156ページ目) - Weblio英語例文検索

By performing an operation for detected currents by the plurality of (first to third) light receiving pn junction diodes D1 to D3, there is formed on the semiconductor substrate 1 the arithmetic circuit for detecting light at wavelengths corresponding to the pn junctions of the different depths.例文帳に追加

そして、複数個の受光用ｐｎ接合ダイオードＤ１〜Ｄ３の検出電流を演算することにより異なる深さのｐｎ接合に対応する波長の光を検出する演算回路が半導体基板１上に形成されている。 - 特許庁

In a varactor part 11a, an anode electrode 104a is formed in the emitter intermediate layer 53 with high impurity density, and a cathode electrode 105a is formed on the emitter layer 51 with low impurity density to constitute a diode with hyperabrupt junction structure.例文帳に追加

バラクタ部１１ａにおいては、高不純物濃度のエミッタ中間層５３にはアノード電極１０４ａが、一方、低不純物濃度のエミッタ層５１の上にはカソード電極１０５ａが形成され、超階段接合構造のダイオードを構成している。 - 特許庁

To obtain a light amplifier preventing excessive stress application to a semiconductor laser that constitutes optical repeater circuits by instantly responding to a fluctuation in an abrupt feed current to prevent an overcurrent from being fed to the optical junction circuits.例文帳に追加

急激な給電電流の変動に対しても瞬時に応答して光中継回路に過電流が給電されることを防止し、光中継回路を構成する半導体レーザへの過大なストレスの印加を防ぐ光増幅装置を得る。 - 特許庁

To realize a highly reliable piezoelectric device and electronic equipment which have high junction strength between layers of a laminated piezoelectric element and hardly generate chip and crack in the piezoelectric device using the laminated piezoelectric element constituted by laminating a plurality of piezoelectric elements.例文帳に追加

圧電素子を複数積層して構成された積層圧電素子を用いた圧電デバイスにおいて、積層された圧電素子の各層間の接合強度が強く、かけやクラックが生じにくい、信頼性の高い圧電デバイス、および電子機器を実現すること。 - 特許庁

The solar cell manufacturing method is composed by including a step for crystallizing a hydrogenated amorphous silicon film 16 by heat treatment after forming the hydrogenated amorphous silicon film 16 on a semiconductor substrate already formed with a PN junction.例文帳に追加

ＰＮ接合が形成された後の半導体基板に水素化アモルファスシリコン膜１６を形成し、そのあと熱処理によって水素化アモルファスシリコン膜１６を結晶化させる工程を含んで構成される太陽電池セルの製造方法とする。 - 特許庁

To provide a superconducting digital analog conversion circuit which improves an apparent preparation yield without enlarging both a chip size and a junction mounting density by a spare array, and a driving method of a bias current in the conversion circuit.例文帳に追加

予備のアレーによって、チップサイズと接合実装密度の両方を大きくすること無しに見かけの作成歩留まりを改善する超伝導デジタルアナログ変換回路およびその変換回路におけるバイアス電流の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode connected in Schottky junction on a silicon wafer, and a method of forming the electrode, in which precision of evaluation of electrical characteristic can be more improved than before, in evaluating the electrical characteristic of a semiconductor silicon wafer.例文帳に追加

半導体シリコンウェーハの電気的特性を評価するにあたり、電気的特性の評価の精度を従来に比べ向上させることが可能なシリコンウェーハ上にショットキー接合された電極とその電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

This sheet for the high frequency weld layer 11, a junction layer 13 containing propylene elastomer, polypropylene, and low density polyethylene, and a surface layer 12 containing propylene elastomer and polypropylene are laminated in this order to be jointed with each other, thereby the pad material for vehicle interior is provided.例文帳に追加

この高周波ウェルド層用シートと、プロピレン系エラストマー、ポリプロピレン及び低密度ポリエチレンを含む接合層１３と、プロピレン系エラストマー及びポリプロピレンを含有する表層１２と、をこの順に積層し、接合して、車両内装用パッド材を得る。 - 特許庁

With the electron emission element equipped with an electron emitting part composed of a carbon material and an electrode part supplying electrons to the electron emission part, an insulating layer is provided at a junction interface between the electron emitting part and the electrode part.例文帳に追加

炭素材料により構成された電子放出部、および前記電子放出部に電子を供給する電極部を具備する電子放出素子において、前記電子放出部と前記電極部との接合界面に絶縁層を設ける。 - 特許庁

The electrode is connected in Schottky junction on the semiconductor silicon wafer, and is formed by vacuum-depositing alumina (Al_2O_3) and metal aluminum, without intermediary of an oxide film on the semiconductor silicon wafer.例文帳に追加

半導体シリコンウェーハ上にショットキー接合された電極であって、半導体シリコンウェーハ上に酸化膜を介することなくアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）と金属アルミニウムを真空蒸着したものであることを特徴とする電極とその形成方法である。 - 特許庁

The mask pattern include a resist pattern formed on a semiconductor device and a gel layer on a surface of the resist pattern having a zipper type junction area including hydrogen bonds between a proton donor polymer and a proton acceptor polymer.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたレジストパターンと、レジストパターンの表面上で陽子供与ポリマー及び陽子受容ポリマーが水素結合によって相互連結されたジッパー型の接合領域を持つゲル層と、を備える半導体素子製造用のマスクパターン。 - 特許庁

The translucent pixel electrodes 662 and second upper electrodes 64b consisting of an Al film are electrically connected across first junction electrodes 68 consisting of Ta, by which the connection resistance of the pixel electrodes 66 and the second upper electrodes 64b is reduced.例文帳に追加

また、Ｔａからなる第１の中継電極６８を介して透光性画素電極６６２と、Ａｌ膜からなる第２の上電極６４ｂを電気的に接続させて、画素電極６６と第２の上電極６４ｂとの接続抵抗を低減する。 - 特許庁

To obtain safety and reliability in terms of operation of inverters by further fully analyzing transient elements to temperature of semiconductor power elements in the inverters, and by precisely estimating a change in temperature at junction sections of the semiconductor power elements.例文帳に追加

インバータの半導体電力素子の温度に対する過渡的要素をさらに細かく解析することができ、半導体電力素子の接合部の温度変化を精度良く推定することができ、インバータの動作上の安全性と信頼性を得る。 - 特許庁

Under a state where the elements 3, 4 are bonded to the metal electrodes 5 formed on the substrate through a bonding layer, pairs of PN junction are formed through the metal electrodes 5 and connected in series.例文帳に追加

各エレメント３、４は基板に形成された金属電極５に接合層を介して固着された状態において該金属電極５を介してＰＮ接合対が形成されるとともにこれらＰＮ接合対が直列につながれるようになっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which combines high reliability with miniaturization, by simultaneously realizing low inductance of wire, damage reduction to a semiconductor chip, firm bonding of a junction part, and miniaturization of a semiconductor package, and to provide a method of manufacturing the semiconductor.例文帳に追加

ワイヤの低インダクタンス化、半導体チップへのダメージ軽減、接合部の強固な接合、及び半導体パッケージの小型化を同時に実現することで、高信頼性及び小型化を両立した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The fused proteins having both functions of thrombolysis and anticoagulation, and a peptide making a junction therewith are provided, and especially, anticoagulation proteins and protein molecules having function of profibrinolysin activity, are provided.例文帳に追加

本発明は、血栓溶解および抗凝固両方の機能を有する融合タンパク質、ならびにこれと接合するペプチドを扱ったものであり、特に、本発明は、抗凝固タンパク質、および、プロフィブリノリシン活性の機能を有するタンパク質分子を扱ったものである。 - 特許庁

To provide a sensor, where the biasing of the junction strength with a brazing material in a metal cylindrical body and a detection element is small, and to provide a manufacturing method of the sensor in the sensor, in a structure for brazing and joining the detection element and the metal cylindrical body.例文帳に追加

検出素子と金属筒状体とをロー付け接合する構造のセンサにおいて、金属筒状体および検出素子におけるロー材との接合強度の偏りが少ないセンサ、およびそのようなセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method for a connecting structure body between electrodes that is suitable for high-density packaging, at the same time, can achieve sufficient junction reliability, and has the small number of processes, and to provide the connecting structure body between electrodes that is formed by the method.例文帳に追加

高密度実装に適するとともに充分な接合信頼性を達成することが可能であって、工程数の少ない電極間接続構造体形成方法およびこれにより形成される電極間接続構造体を提供すること。 - 特許庁

The support substrate 29 and a wafer (substrate to be treated) W are joined by solid-phase junction between metallic layers 28 (28A and 28B) formed on each joint surface, and the support substrate 29 is removed by polishing the support substrate 29.例文帳に追加

支持基板２９とウェーハ（被処理基板）Ｗとの接合を各々の接合面に形成した金属層２８（２８Ａ，２８Ｂ）間の固相接合によって行うようにし、また、支持基板２９の除去を当該支持基板２９の研磨加工で行う。 - 特許庁

A normal conductive conductor film 14C of the junction JR is extendedly provided on an insulating film 12 across the lamp edge of the insulating film 12 deposited on a superconducting conductor film 11 and the control line 19C is formed on this film 14C.例文帳に追加

ジョセフソン接合ＪＲの常電導体膜１４Ｃは超伝導体膜１１上に堆積された絶縁膜１２のランプエッジを越えて絶縁膜１２上に延設され、この常電導体膜１４Ａ上に制御線１９Ｃが形成されている。 - 特許庁

Out of the electrode rod 5a, at least into one part embedded in the sealing part, a covered foil 12 of sleeve shape with a notched part is inserted so that a notched part is positioned at the junction part of the metal foil 7 with the electrode rod 5a.例文帳に追加

電極棒５ａのうち、封止部に埋め込まれた部分の少なくとも一部には、切欠部を有するスリーブ状の被覆箔１２が、切欠部が金属箔７と電極棒５ａとの接合部分に位置するように嵌め込まれている。 - 特許庁

A rewinding line 60 for rewinding a POF 17 around a take-up bobbin 80 from a POF roll 70 comprises a send-out machine 61 for sending out the POF 17, a cutter machine 62, a junction part 63, a marking part 64, and a non-defective take-up machine 65.例文帳に追加

ＰＯＦ素線１７をＰＯＦロール７０から巻取りボビン８０に巻き替える巻替ライン６０は、ＰＯＦ素線１７を送り出す送出機６１、切断機６２、接合部６３、マーキング部６４、及び良品巻取機６５を備えている。 - 特許庁

This clamping mechanism measures the connection strength of a solder ball jointed on a printed substrate and it can measure actual junction strength between a solder ball and a land part, since it is provided with a pair of clampers with a round hole at a tip to open and close freely.例文帳に追加

プリント基板上に接合された半田ボールの接続強度を測定するクランプ機構であって、先端に丸穴を有した一対のクランパを開閉自在に備えたので、半田ボールとランド部分の現実の接合強度を測定する事が出来る。 - 特許庁

An alloy containing zinc with a basic group of tin is used as a junction material and a first member on which a coating film layer is provided with tin and lead 5% or more in weight ratio and 95% or less in the surface composition and a second member are bonded together.例文帳に追加

亜鉛を含有し錫を基とする合金を接合材料として用いて、表面組成が錫と重量比で５％以上かつ９５％以下の鉛とを有する被覆層が設けられた第１の部材を第２の部材と接合する。 - 特許庁

A delay circuit 5 is connected between the input portion 2 and the first output portion 3, and the delay circuit 5 is provided with a series circuit composed of a resistor 6 and a capacitor 7, with the output portion 3 connected with the junction point between the resistor 6 and the capacitor 7.例文帳に追加

入力部２と第１の出力部３との間には遅延回路５が接続され、遅延回路５は抵抗６及びコンデンサ７の直列回路を備え、抵抗６とコンデンサ７との接続点に出力部３が接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with high degree of freedom capable of improving a sustain withstand voltage, capable of preventing variation in the sustain withstand voltage, and capable of adjusting drain resistance and a junction profile after formation of a transistor, by a transistor with a simple structure.例文帳に追加

構造が簡単なトランジスタにより、サステイン耐圧を改善し且つサステイン耐圧のばらつきの抑制及びトランジスタ形成後のドレイン抵抗及び接合プロファイルの調整が可能な、自由度が高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

When a sealed body is packaged on a printed-wiring board (400), an opening (340) is provided at one portion of the printed-wiring board, and conductive junction sections (360b and 360c) are provided on the surface of a base member (100) for packaging by face-down bonding.例文帳に追加

封止体をプリント配線基板（４００）に実装するに際し、プリント配線基板の一部に開口部（３４０）を設けておき、ベース部材（１００）の表面に導電性の接合部（３６０ｂ，３６０ｃ）を設けておき、フェースダウンボンディングにより実装する。 - 特許庁

Moreover, for an electronic unit 11, a bare IC chip 20 is mounted through anisotropic conductive junction material 30 on the wiring board 10 where the insulating layer 12 right under the wiring pattern 11 at the surface layer is made by impregnating glass cloth with resin.例文帳に追加

また、本発明の電子ユニット１は、表層の配線パターン１１の直下における絶縁層１２を、ガラスクロスに樹脂を含浸させて形成した配線基板１０に、異方性導電接合材料３０を介してベアＩＣチップ２０を実装している。 - 特許庁

To provide a gallium nitride system hetero-junction field effect transistor in which the structure of a barrier is improved, gate currents are reduced, mobility is improved, and transistor performance is improved, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

窒化ガリウム系へテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、バリアーの構造を改善し、ゲート電流を低減して、移動度を高め、トランジスタ性能の向上を図った構造のヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve a junction property of a chip by optimizing a material of relaxation layer in a spark plug that is made via a relaxation layer by resistance welding of the chip composed of Ir alloy having Ir as the main component in the center electrode and/or ground electrode.例文帳に追加

中心電極および／または接地電極に、緩和層を介してＩｒを主成分とするＩｒ合金よりなるチップを抵抗溶接してなるスパークプラグにおいて、緩和層の材料を最適化して、チップの接合性を向上させる。 - 特許庁

A target charge voltage Vc of a back electrode plate suited to obtain a predetermined target sensitivity is preset in accordance with a drain saturation current IDSS of a junction field effect transistor and a lowest resonant frequency F0 of a vibrating film.例文帳に追加

所定の目標感度を得るのに適した背面電極板の目標チャージ電圧Ｖｃを、接合型電界効果トランジスタのドレイン飽和電流ＩＤＳＳおよび振動膜の最低共振周波数Ｆ０に応じて予め設定しておく。 - 特許庁

Each terminal G of the n-channel MOS transistor NT1 and the p-channel MOS transistor PT1 is connected in common, and clock signals CLK, /CLK where the phases are inverted virtually are applied to its common junction and the terminal of capacitor CP1.例文帳に追加

ｎチャネルトＭＯＳトランジスタＮＴ１及びｐチャネルＭＯＳトランジスタＰＴ１の各ゲート端子Ｇは共通接続され、その共通接続点とキャパシタＣＰ１の端子とに互いに位相の反転したクロック信号ＣＬＫ，／ＣＬＫが印加される。 - 特許庁

Another joint member 2 is likewise adjacently buried in the ground, a connecting member 4 is inserted astride the joints 21 of the adjacent joint members 2, the cut off property of the junction of column bodies 10 is increased, and a continuous wall comprising the column bodies 10 is formed.例文帳に追加

隣接して同様に継手部材２を地中に埋設し、隣接する継手部材２の継手２１にまたがる連結部材４を挿入し、柱体１０の連結部の止水性を高め、柱体１０からなる連続壁を形成する。 - 特許庁

An arrangement pich of the solder bumps 13 for heat radiation is determined so as to make solder bridges between adjacent solder bumps while jointing the bumps to the substrate by heat treatment, so that all the solder bumps 13 are united to form a junction layer 30.例文帳に追加

放熱用半田バンプ１３の配置ピッチは、基板への接合のための熱処理の際に、隣接する半田バンプ間に半田ブリッジが形成され、全ての放熱用半田バンプ１３が一体の接合層３０を形成するように設定されている。 - 特許庁

To provide a technique for suppressing degradation in reliability of a semiconductor device due to damage of solder by preventing the damage of the solder caused by thermal deformation generated on a solder junction of a lead due to difference in linear expansion coefficient between the semiconductor device and a mounting substrate.例文帳に追加

半導体装置と実装基板の線膨張係数差によりリードのはんだ接合部に発生する熱ひずみに起因したはんだの損傷を抑制し、それによる半導体装置の信頼性低下を抑制する技術を提供する。 - 特許庁

This solid-state image pickup device is provided with a sweep-off rate 8 and a sweep-off drain 9 placed adjacently to the junction part of a vertical CCD 2 and a horizontal CCD 3 and has the structure, by which the charges stored in an arbitrary pixel 1 can be made depleted completely.例文帳に追加

この固体撮像装置は、垂直ＣＣＤ２と水平ＣＣＤ３の接続部に隣接して、掃き出しゲート８と掃き出しドレイン９を設け、任意の画素１に蓄積された電荷を完全空乏化することができる構造を持つ。 - 特許庁

Therefore, it is sufficient for the circuit board 66 and a junction portion between the conductor wire 64 and the circuit board 66 to have mechanical strength enough to support the coil 60, and this enables to cause the circuit board 66 attached on the case 14 to support the coil 60.例文帳に追加

このため、回路基板６６や導線６４と回路基板６６との接合部位は、コイル６０を支持できるだけの機械的強度を有していればよく、ケース１４に取り付けた回路基板６６にコイル６０を支持させることが可能になる。 - 特許庁

The other connector 35 or an electric junction box 31 is provided with a pair of bus bar contacts 99 and 99 so as to be short- circuited by contacting together with the spring member 87 of the lock element 51 connected to an electric circuit and arranged in a lock releasing position.例文帳に追加

電気回路に接続され係止解除の位置に配置されたロック部材５１のバネ部材８７に共に接触して短絡される一対のバスバー接点９９、９９を、一方のコネクタ３５又は電気接続箱３１に設ける。 - 特許庁

Thereby, in a depletion layer of an emitter/base junction, the formation of recombination centers due to C can be suppressed, improvements in the electrical characteristics, including current amplification caused by the reduction of a recombination current can be achieved while maintaining low- voltage drive characteristics.例文帳に追加

これにより、エミッタ・ベース接合部の空乏層において、Ｃによる再結合中心の形成を抑制し、低電圧駆動性を維持しつつ、再結合電流の低減による電流増倍率などの電気的特性の改善を実現する。 - 特許庁

In the electrical junction box 1, there are arranged two circuit constitution bodies 10, 20, a casing 30 for accommodating the circuit constituting bodies 10, 20, and a connector 40 which is assembled to the casing 30, and has a hood 41 which can be engaged with an external connector.例文帳に追加

電気接続箱１には、２枚の回路構成体１０、２０と、回路構成体１０、２０を収容するケーシング３０と、ケーシング３０に組み付けられて外部コネクタと嵌合可能なフード部４１を備えるコネクタ部４０とを備えられている。 - 特許庁

Two regions having different potential in a high breakdown voltage IC chip 10 (concretely speaking, a high breakdown voltage junction termination structure 23 and a GND reference circuit formation region 22 for surrounding a floating potential reference circuit formation region 21) are further surrounded by a trench structure 7.例文帳に追加

高耐圧ＩＣチップ１０内の電位が異なる２つの領域（具体的には浮遊電位基準回路形成領域２１を囲う高耐圧接合終端構造２３及びＧＮＤ基準回路形成領域２２）を、さらにトレンチ構造７で囲う。 - 特許庁

The light emission presentation device 302 has a plurality of base fixing bosses 335 projecting rearward from the rear surface; and a plurality of connecting lines 302a and junction lines 302c to be extracted rearward from the rear surface are wound around the fixing bosses 335.例文帳に追加

発光演出装置３０２には、後面から後方へ突出するベース固定ボス３３５が複数設けられると共に、該後面から後方へ導出する複数の連結線３０２ａ、中継線３０２ｃが固定ボス３３５に巻き掛けられる。 - 特許庁

Instead of using frame glass previously molded, bar-like glass members 31 are combined to make up a frame-like junction, and a stepped part 32 is provided by notching an end part of each bar-like glass member 31 so as not to shift inward.例文帳に追加

予め成型された枠ガラスを用いる代わりに、棒状のガラス部材３１を組み合わせて額縁状の接合体を形成するが、各棒状のガラス部材３１の両端部に互いに内側にずれないように切欠いた段差部３２を設けておく。 - 特許庁

Both sides of the shrink film are joined to form a cylinder having a junction part 9, and a container main body is inserted into the cylinder, and then the cylinder is shrunk to be attached to an outer periphery of the container main body and is provided with a peelable band 8 by which the shrink film will be peeled from the container main body.例文帳に追加

両側辺を接合して接合部９を有する円筒を形成し、その円筒内に容器本体を挿入した後、収縮させて容器本体の外周に取り付け、容器本体から剥離するための剥離帯８を備える。 - 特許庁

To provide a traveling wave power control method for a high frequency power supply by which suppression of a traveling wave power just after output start of the traveling wave power is relaxed without causing a junction temperature Tj of an amplifier element to exceed an absolute maximum rating temperature Tjmax resulting in destroying the amplifier element.例文帳に追加

増幅素子のジャンクション温度Ｔｊが絶対最大定格温度Ｔｊｍａｘを超えて増幅素子の破壊を招いてしまうことなく、進行波電力の出力開始直後の進行波電力の抑制を緩和する。 - 特許庁