「junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(161ページ目) - Weblio英語例文検索

The case itself of the junction box 10, composed of an upper case 11 and/or a lower case 12, a conductive portion 21 made of high- conductivity resin, embedded in a body portion 20 made of insulating resin with its surface exposed, and is formed integrally.例文帳に追加

ジャンクションボックス１０のアッパーケース１１あるいは／およびロアケース１２からなるケース自体は、絶縁性樹脂からなる本体部２０に、高導電性樹脂からなる導電部２１を、その表面を露出した状態で埋設され、一体的に成形されている。 - 特許庁

The nitrogen inlet region N12 is formed in a control gate electrode 29C of a MOS transistor T53 and near a junction interface between the control gate electrode 29C and an interlayer insulation film 24, and a channel-doped layer 125 is formed in the well layer 121 under a floating gate electrode 27.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタＴ５３のコントロールゲート電極２９Ｃ内には、層間絶縁膜２４との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成され、フローティングゲート電極２７の下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２５が形成されている。 - 特許庁

In this way, reduction in the width of the side walls 6 is suppressed when a stopper film 7 is subjected to anisotropic etching and decrease in manufacturing yield of semiconductor devices due to junction leak current which is caused by exposure of an extension region can be suppressed.例文帳に追加

これにより、ストッパ膜７を異方性エッチングする際にサイドウォール６の幅が減少することを抑制し、エクステンション領域が露出することにより生じる接合リーク電流に起因する半導体装置の歩留まり低下を抑制することができる。 - 特許庁

A transistor T1 is connected in series to the charge pump circuit 21 at the prestage of the charge pump circuit 21, and an emitter is connected to a junction P3, and a base is connected to the ground via a resistor R5, and a collector is connected to the charge pump circuit 21.例文帳に追加

トランジスタＴ１は、チャージポンプ回路部２１の前段においてチャージポンプ回路部２１と直列に接続されており、エミッタが接続点Ｐ３に接続され、ベースが抵抗Ｒ５を介してグランドに接続され、コレクタがチャージポンプ回路部２１に接続されている。 - 特許庁

To provide an inexpensive electric connector having potential for stabilizing electrical connection without causing unnecessary temperature rise, hardly causing a breakage in an electric junction, however causing no restrictions on a processing condition or a processing facility, and restraining connection failure.例文帳に追加

無用な温度上昇を招くことなく導通接続の安定化が期待でき、電気接合物の破損のおそれが少なく、加工条件や加工設備等に制約が生じることがなく、しかも、接続不良を抑制できる安価な電気コネクタを提供する。 - 特許庁

This bandgap reference circuit is provided with a bandgap circuit 10a for generating predetermined reference voltage VREF on the basis of a bandgap of a PN junction, and a startup circuit 20 for accelerating output stabilization of reference voltage VREF of the bandgap circuit 10a upon starting to feed power supply voltage.例文帳に追加

ＰＮ接合のバンドギャップに基づき所定の基準電圧ＶＲＥＦを生成するバンドギャップ回路１０ａと、電源電圧供給開始時にバンドギャップ回路１０ａの基準電圧ＶＲＥＦの出力安定化を加速するスタートアップ回路２０と、を備える。 - 特許庁

According to this structure, a depletion layer at the PN junction between the p-type deep layer 10 and an n^--type drift layer 2 is significantly extended to the side of the n^--type drift layer 2 and thereby a high voltage caused by a drain voltage is hardly input into a gate oxide film 8.例文帳に追加

このような構造によれば、ｐ型ディープ層１０とｎ^-型ドリフト層２とのＰＮ接合部での空乏層がｎ^-型ドリフト層２側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜８に入り込み難くなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of preventing a junction leakage without requiring precise film thickness control, and of forming a metal silicide layer having a thickness required for making a more effective MIS type field effect transistor low resistance.例文帳に追加

緻密な膜厚制御を必要とすることなくジャンクション・リークを防ぐことができ、より実効的なＭＩＳ型電界効果トランジスタの低抵抗化に必要な厚さの金属シリサイド層が形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, even when light is applied to the bidirectional Zener diode IZD, the light can be prevented from entering the p-n junction formed at the boundary between the n-type semiconductor region NR and the p-type semiconductor region PR from the inner wall of the trench TR.例文帳に追加

したがって、双方向ツェナーダイオードＩＺＤに光が照射されても、トレンチＴＲの内壁から、ｎ型半導体領域ＮＲとｐ型半導体領域ＰＲの境界に形成されているｐｎ接合へ光が入射することを防止できる。 - 特許庁

Then a junction type FET is constituted by providing a source electrode/drain electrode 7 in ohmic contact with the pair of first conductivity type contact layers 6 respectively and a gate electrode 8 in ohmic contact with the second conductivity type contact layer 2.例文帳に追加

そして、一対の第一導電型コンタクト層６のそれぞれにオーミックコンタクトしてソース電極／ドレイン電極７が、また、第二導電型コンタクト層２にオーミックコンタクトしてゲート電極８がそれぞれ設けられることにより、接合型ＦＥＴが構成されている。 - 特許庁

The stacked piezoelectric element 1 has: a ceramic laminate 10 formed by alternately laminating piezoelectric layers 11 and internal electrode layers 21, 22; and a pair of external electrodes 34 each provided on junction surfaces 101, 102 in an external circumferential surface 103 of the ceramic laminate 10.例文帳に追加

積層型圧電素子１は、圧電層１１と内部電極層２１、２２とを交互に積層してなるセラミック積層体１０と、セラミック積層体１０の外周面１０３における接合面１０１、１０２にそれぞれ設けられた一対の外部電極３４とを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the hetero junction bipolar transistor comprises a step of sequentially laminating semiconductor layers to become a sub-collector layer 2, a collector layer 3, a base layer 4, an emitter layer 5, and an emitter cap layer 6 on a semi-insulating substrate 1, and a step of forming an electrode layer 10 an the emitter cap layer 6.例文帳に追加

半絶縁性基板１上に、サブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、およびエミッタキャップ層６となる各半導体層を順次積層して形成する工程と、エミッタキャップ層６上に、電極層１０を形成する工程とを有する。 - 特許庁

Thus both sleeves 5 do not collide with each other because the front end face 5a of the sleeve 5 does not protrude from the junction end face 1c of the ferrule 1 though the front end face 1a of the ferrule 1 is ground, and PC of optical fibers is surely performed.例文帳に追加

これにより、フェルール１の前端面１ａを研磨しても、スリーブ５の前端面５ａがフェルール１の接合端面１ｃより突出しないので、双方のスリーブ５同士が突き当たることなく、光ファイバ２同士のＰＣを確実に行うことができる。 - 特許庁

To solve the problem that in magnetic memory using conventional magnetic tunnel junction(MTJ) elements, a ferro-magnetic layer forming a memory layer is magnetized in the direction of the surface inside, therefore, demagnetizing influence by the magnetic poles at both end parts increases with micronizing of the element and magnetization of the memory layer becomes unstable.例文帳に追加

従来の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を用いた磁気メモリではメモリ層となる強磁性層の磁化が面内方向であるため、素子の微細化にともない両端部の磁極による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が不安定になる。 - 特許庁

The CPU 41 sets a search end point in the forward predetermined distance from the junction on the guidance route 52 or in the forward predetermined distance on the travel road, and searches for each temporary route to the search end point via the pass point (S3-S4).例文帳に追加

また、ＣＰＵ４１は、この分岐点の誘導経路５２上の所定距離前方又は走行している道路上の所定距離前方に探索終了点を設定し、各通過点を経由して探索終了点に至る各仮経路を探索する（Ｓ３〜Ｓ４）。 - 特許庁

To allow a user to easily confirm an image grasping a surrounding environment such as a vehicle approaching from the left and right sides, even when a vehicle driven by the user travels in a state where left and right visibilities are blocked at an exit of a narrow road, a T-junction, or the like.例文帳に追加

ユーザが運転する自動車が狭隘道路の出口や丁字路等で左右の視界が遮られた状態で移動する場合であっても、左右から接近する車両等の周囲の環境を把握する画像を容易に確認できるようにする。 - 特許庁

To solve a problem wherein continuous radar rainfall cannot be precisely determined since when combined with the observation results of an adjacent radar rain gauge, the difference in observation characteristics in each radar rain gauge cannot be perfectly corrected and a step occurs at the junction therebetween.例文帳に追加

隣接するレーダ雨量計の観測結果と合成する場合、個々のレーダ雨量計における観測特性の差を補正しきれないため、互いの接合部に段差が現れてしまうといった問題があり、連続的なレーダ雨量を精度良く求めることができない。 - 特許庁

To provide a multi-junction silicon photoelectric conversion device having a high conversion efficiency, which balances the current generated in each silicon thin-film photoelectric conversion unit at a high value by developing a technique for producing a middle layer demonstrating excellent optical properties.例文帳に追加

優れた光学的特性を示す中間層の製造技術を開発することにより、各シリコン系薄膜光電変換ユニットで発生する電流を高い値でバランスさせた、変換効率の高い多接合型シリコン系光電変換装置を提供する。 - 特許庁

This airbag device 1 in which an airbag 2 is stored in the airbag storage part formed by a hood skin H1 and a hood frame H2, is constituted so as to mount a heating element E which is a heating means near junction surfaces C1, C2 of the hood skin H1 and the hood frame H2.例文帳に追加

フードスキンＨ１とフードフレームＨ２とで形成されるエアバッグ収納部にエアバッグ２収納したエアバッグ装置１であって、フードスキンＨ１とフードフレームＨ２の接合面Ｃ１，Ｃ２付近に発熱手段である発熱体Ｅを設けるように構成する。 - 特許庁

The Schottky barrier diode which has high performance can be formed by varying the impurity density of the cathode area of the Schottky barrier diode nearby its Schottky junction and cathode electrode and further using a trench structure and heavily doped polycrystalline silicon for the cathode electrode.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードのカソード領域の不純物濃度を、ショットキ接合近傍とカソード電極近傍で変え、さらにカソード電極をトレンチ構造と高濃度多結晶シリコンを用いることにより、高性能なショットキーバリアダイオードを形成できることを特徴とする。 - 特許庁

While the Express 'Hashidate (train)' was running, the inbound and outbound trains crossed each other at this station; however, when the JR timetable for the period 1987-2000 was revised on October 2, 1999, the station ceased to be the passing point of the inbound and outbound trains and remained only with the function of a (railway) block and junction. 例文帳に追加

急行列車「はしだて(列車)」が走っていた頃には上下列車の列車交換が行われていたが、1999年10月2日の1987年～2000年のJRダイヤ改正1999年（平成11年）で駅での上下列車の交換が無くなり閉塞(鉄道)分割の機能のみになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a manufacturing method capable of evenly forming a silicon layer containing impurities for forming p-n junction on crystalline silicon particles, and easily recovering the crystalline silicon particles with the silicon layer containing the impurities formed on a surface.例文帳に追加

結晶シリコン粒子に対して、ｐｎ接合を形成するための不純物を含むシリコン層を均一に形成することができ、表面に不純物を含むシリコン層が形成された結晶シリコン粒子を容易に回収できる製造装置を提供すること。 - 特許庁

A heterojunction is formed between the emitter layer 110 and the absorbing layer 108 and a p-n junction is formed between the emitter layer 110 and the absorbing layer 108 at a position offset from the heterojunction at least partially within a range of the different material.例文帳に追加

ヘテロ接合はエミッタ層１１０と吸収層１０８の間に形成され、ｐ−ｎ接合はエミッタ層１１０と吸収層１０８の間であって、少なくとも部分的に前記異なる材料の範囲内でヘテロ接合からオフセットした位置に形成される。 - 特許庁

The photodiode is formed in a semiconductor substrate, and a pn junction includes a part extending in a direction inclined to the depth direction of the semiconductor substrate and a part extending to below at least one of a plurality of pixel transistors formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板内にフォトダイオードが形成され、ｐｎ接合部が半導体基板の深さ方向に対して傾斜する方向に延在する部分と、半導体基板に形成される複数の画素トランジスタの少なくとも１つの下方に延在する部分とを含む。 - 特許庁

When metal junction between a first electrode and a second electrode is performed as ultrasonic bonding between metals including at least copper, ultrasonic bonding is performed while covering a contact interface of the first electrode and the second electrode by auxiliary adhesives 7.例文帳に追加

第１電極と第２電極との間の金属接合を、少なくとも銅を含む金属間の超音波接合として行う際に、第１電極と第２電極との接触界面を接合補助剤７にて覆った状態にて超音波接合を行う。 - 特許庁

In the second embodiment, the semiconductor device is provided with the isolated first electrode constituting a very small tunnel junction element, and the second electrode which controls the first electrode and uses the capacity between the first and second electrode as information.例文帳に追加

第２の構成は、微小トンネル接合素子を構成する孤立した第１の電極と、この第１の電極を制御する第２電極とを備える半導体装置であって、前記第１の電極および前記第２の電極の間の容量を情報として用いる。 - 特許庁

In this semiconductor device, an n-type InGaAlP layer is inserted between an InGaAs ohmic contact layer and an InAlAs Schottky contact layer to reduce an amount of band discontinuation of a conduction band of a hetero junction, thereby lower the source and drain resistances.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓオーミックコンタクト層とＩｎＡｌＡｓショットキーコンタクト層の間にｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層を挿入することによって、ヘテロ接合の伝導帯のバンド不連続量を小さくし、ソース抵抗およびドレイン抵抗を低減した半導体素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser comprises a semiconductor laser element 1, a submount 2 securing the semiconductor laser element 1 by a junction down structure, and a heat dissipation block 3 securing the submount 2 wherein the heat dissipation block 3 is formed of insulating ceramic such as AlN.例文帳に追加

半導体レーザー素子１と、この半導体レーザー素子１をジャンクションダウン構造で固定したサブマウント２と、このサブマウント２を固定した放熱ブロック３とを備えてなる半導体レーザー装置において、ＡｌＮ等の絶縁性セラミックから放熱ブロック３を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of compound semiconductor epitaxial substrates for producing a compound semiconductor device with little deterioration in characteristics in the manufacturing method of the compound semiconductor epitaxial substrate having a pn junction by an epitaxial growth method including a selective growth process.例文帳に追加

選択成長工程を含むエピタキシャル成長法によるｐｎ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法であって、特性劣化の少ない化合物半導体素子を与える化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Superconductor electrodes 1 and 2 are connected with a two-dimensional electron gas 3 having a region 5 opened for capturing a magnetic flux, thereby a junction of the superconductor, the two-dimensional electron gas and the superconductor can be used as the highly sensitive superconducting quantum interference element.例文帳に追加

磁束を捕捉するための領域５を開けた二次元電子ガス３に超伝導体電極１，２を接続することにより、超伝導体−二次元電子ガス−超伝導体接合を超高感度な超伝導量子干渉素子として利用することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing the sheet resistance of a silicidated source/drain diffused layer and its dispersion, and further reducing a junction leakage current at performing silicidation using a nickel film or a nickel alloy film, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ニッケル膜又はニッケル合金膜を用いてシリサイド化を行う場合において、シリサイド化されたソース／ドレイン拡散層のシート抵抗及びそのばらつきを低減するとともに、接合リーク電流を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion-conductive crosslinked copolymer having methanol crossover extremely reduced without causing reduction of ionic conductivity, and capable of improving dimensional stability of a polyelectrolyte membrane; and further to provide the polyelectrolyte membrane, a membrane electrode junction and a fuel battery.例文帳に追加

イオン伝導度の低下を招くことなくメタノールクロスオーバーを顕著に減らし、高分子電解質膜の寸法安定性を改善することが可能な、イオン伝導性架橋共重合体、高分子電解質膜、膜電極接合体および燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide an anode electrode for a fuel cell and a membrane electrode junction as well as a solid polymer fuel cell using the same through restraint of poisoning of electrode catalyst by carbon monoxide contained in reformed hydrogen.例文帳に追加

改質水素に含まれる一酸化炭素による電極触媒の被毒を抑制して、高い出力を発現することができる燃料電池用アノード電極および膜電極接合体、並びにそれを用いた固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁

The internal continuity electrodes 44 in the through-holes opened in thin surface electrode 93 portions in the discrete junction terminals 91 formed on the surface of the top sheet are covered with the external electrodes 95 as thick external conducting portions or dummy portions 96.例文帳に追加

トップシートの表面に形成された個別用接合端子９１における薄い厚さの表面電極９３部分に開口するスルーホール内の内部導通電極４４を層の厚い外部導電部としての外部電極９５またはダミー部９６で覆う。 - 特許庁

Both cathode electrode 22 and anode electrode 23 are bonded to a lead frame 26 without connection through a wire or the like, by forming the cathode electrode 22 and anode electrode 23 of the pn junction diode on one principal surface of a silicon substrate 10.例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードのカソード電極２２及びアノード電極２３を共に、シリコン基板１０の一方の主面に形成することにより、カソード電極２２及びアノード電極２３とをリードフレーム２６に、ワイヤー等で接続することなく、接着することを可能にする。 - 特許庁

As the local high-standard highway, it covers the (approximately 27.4-kilometer extended) section from the Oguraike Interchange to Kadoma Junction, and the remaining (approximately 0.9-kilometer extended) section from the union with the Hanshin Expressway Route No. 8 Kyoto Line to the Oguraike Interchange is the Rakunan Renraku Road. 例文帳に追加

地域高規格道路の路線では、巨椋池インターチェンジから門真JCTまでの区間（延長約27.4km）が第二京阪道路であり、阪神高速道路8号京都線接続部から巨椋池ICまでの区間（延長約0.9km）は洛南連絡道路（らくなんれんらくどうろ）である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Kyoto Station - (general road) - Kyoto Minami Interchange - (Meishin Expressway) - Meishin-Oyamazaki Bus Stop - (Meishin Expressway) - Meishin-Takatsuki Bus Stop - (Meishin Expressway) - Suita Junction - (Chugoku Expressway) - Kobe Junction - (Sanyo Expressway) - Miki Junction - (Sanyo Expressway) - Kobenishi Interchange - (Kobe Awaji Naruto Jidoshado Expressway) - Naruto Interchange - (Takamatsu Expressway) - Narutonishi Bus Stop - (Takamatsu Expressway) - Kosoku-Hiketa Bus Stop - (Takamatsu Expressway) - Kosoku-Ouchi Bus Stop - (Takamatsu Expressway) - Tsudahigashi Interchange - (Takamatsu Expressway [East Takamatsu Road]) - Kosoku-Tsuda Bus Stop - (Takamatsu Expressway [East Takamatsu Road]) - Kosoku-Shido Bus Stop - (Takamatsu Expressway [East Takamatsu Road]) - Kosoku-Miki Bus Stop - (Takamatsu Expressway [East Takamatsu Road]) - Takamatsuhigashi Interchange (East Takamatsu Interchange) - (Takamatsu Expressway) - Takamatsuchuo Interchange (Central Takamatsu Interchange) - (general road) - Takamatsuchuo Interchange Bus Terminal - (general road and National Route 11) - Yume Town Takamatsu - (National Route 11) - Ritsurin Garden Mae - (National Route 11) - Kencho-dori (Prefectural office street) - (National Route 11 and 30) - JR Takamatsu Station 例文帳に追加

京都駅-(一般道)-京都南IC-(名神高速道路)-名神大山崎BS-(名神高速道路)-名神高槻BS-(名神高速道路)-吹田JCT-(中国自動車道)-神戸JCT-(山陽自動車道)-三木JCT-(山陽自動車道)-神戸西IC-(神戸淡路鳴門自動車道)-鳴門IC-(高松自動車道)-鳴門西BS-(高松自動車道)-高速引田BS-(高松自動車道)-高速大内BS-(高松自動車道)-津田東IC-(高松自動車道(高松東道路))-高速津田BS-(高松自動車道(高松東道路))-高速志度BS-(高松自動車道(高松東道路))-高速三木BS-(高松自動車道(高松東道路))-高松東IC-(高松自動車道)-高松中央IC-(一般道)-高松中央ICBT-(一般道・国道11号)-ゆめタウン高松-(国道11号)-栗林公園前-(国道11号)-県庁通り-(国道11号・国道30号)-JR高松駅 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide an electronic control apparatus the lifetime of which can be enhanced by suppressing application of an excessive stress to junction of electronic components of a circuit board even when a force of deforming the circuit board in a planar direction is applied to the circuit board due to a temperature change.例文帳に追加

温度変化により回路基板が面方向において変形する力が加わった際にも回路基板での電子部品の接合部に無理な応力が加わるのを抑制して寿命向上を図ることができる電子制御装置を提供する。 - 特許庁

To improve pixel characteristics of a solid-state imaging element with a lateral overflow drain (LOD) structure by reducing an interface level etc., nearby a junction part between a barrier region adjacent to a photodetection part and a drain region being an n^+ region contacting the barrier region.例文帳に追加

横型オーバーフロードレイン（ＬＯＤ）構造を備えた固体撮像素子において、受光部等に隣接するバリア領域と、これに接するｎ^＋領域であるドレイン領域との接合部分の近傍での界面準位等を低減し、画素特性を向上させる。 - 特許庁

An ohmic contact layer 107 and an adhering layer 106 are separately formed on a p-type semiconductor layer 105, and a substrate 110 is formed by plating, and thus, excellent ohmic junction can be formed and the substrate can be prevented from being peeled when it is formed by plating.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０５上にオーミック接触層１０７と密着層１０６を分けて形成し、メッキによって基板１１０を形成することにより、オーミック接合に優れるとともに、メッキによって基板を作製した際に剥離することがない。 - 特許庁

To provide a machining method of a leader tape tip part by which various processing such as medicine application, washing, dry can be omitted and shortening a process time and reducing a cost can be performed, also junction strength is improved and durability is obtained.例文帳に追加

薬品処理のときに行っていた薬品塗布、洗浄、乾燥等の各種工程を省略できて加工時間の短縮化、コスト削減を図ることができ、しかも接合強度が向上し、耐久力が得られるリーダーテープ先端部分の加工方法を提供する。 - 特許庁

To increase distance where ultrasonic waves are modulated by the flow of a fluid to be measured without providing any holes for generating the flow of the fluid to be measured in synchronization with the Karman vortex in the internal space of a vortex generation body near the junction part between the vortex generation body and a tube.例文帳に追加

渦発生体の内部空間にカルマン渦に同期した被測定流体の流れを発生させるための孔を渦発生体と管との接合部付近に設けることなく被測定流体の流れによって超音波が変調を受ける距離を大きくする。 - 特許庁

Conductive films 10, 13 are formed on a lower surface of the outer frame of the intermediate crystal plate, metal thin films 16, 18 are formed on an upper surface of the lower crystal substrate and airtightly joined together by diffused junction after being mutually sanctified and activated by plasm processing.例文帳に追加

中間水晶板の外枠下面には導電膜１０，１３が形成され、下側水晶基板の上面には金属薄膜１６，１８が形成され、互いにプラズマ処理により清浄化・活性化した後、拡散接合により気密に接合される。 - 特許庁

To provide a column-beam joining part structure which is sufficiently satisfactory with a condition of rigid junction of stress transmission between a column and a beam, unnecessary for cutting a square steel tubular column, easy in cutting and welding a member, and excellent in structural safety and economy.例文帳に追加

柱と梁との間の応力伝達という剛接合の条件を十分満足し、そして、角形鋼管柱の切断が不要であり、部材の切断加工や溶接加工の容易な、構造安全性、経済性に優れた柱梁接合部構造を提供する。 - 特許庁

Also, of a p-n junction formed of the p-type base layer 24 and an n-type emitter layer 25 in a contact region equipped with a base electrode is removed so that ineffective currents, without contribution to a bipolar transistor operation can be prevented from running between the emitter and base.例文帳に追加

また、ｐ型ベース層２４とｎ型エミッタ層２５とで形成されたｐｎ接合のうち、ベース電極が設けられるコンタクト領域のものを除去することによって、バイポーラトランジスタ動作に寄与しない無効な電流がエミッタ・ベース間に流れることを防止する。 - 特許庁