「junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(162ページ目) - Weblio英語例文検索

A channel-doped layer 123 is formed in a well layer 121 which is the lower layer to the gate electrode 29A of a MOS transistor T51, and a nitrogen inlet region N11 is formed in the gate electrode 29A and near a junction interface between the gate electrode 29A and the gate oxide film 25A.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＴ５１のゲート電極２９Ａの下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２３が形成され、ゲート電極２９Ａ内には、ゲート酸化膜２５Ａとの接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１１が形成されている。 - 特許庁

To improve a fatigue life by extending time until a solder crack occurs at a solder junction through heat cycle or the like in an insulation substrate, which is solder-bonded onto a metal base for heat dissipation and mounted with heat generating chips such as a power semiconductor element.例文帳に追加

パワー半導体素子などの発熱チップ部品を搭載して放熱用金属ベース板上にはんだ接合した絶縁基板において、熱サイクルなどによりはんだ接合部にはんだ亀裂が発生するまでの時間を延ばして疲労寿命の向上化を図る。 - 特許庁

A danger degree calculation execution and judgment part 6 judges that the present vehicle is in an environment of danger calculation execution when the present vehicle approaches a range of a prescribed distance from an intersection or a junction where no signal is installed at a speed below a prescribed speed.例文帳に追加

自車両が信号のない交差点や合流点から所定距離の範囲に接近した場合に、自車両の車速が所定の速度以下である場合に、危険度算出実行判定部６は自車両が危険度算出実行の環境下にあると判定する。 - 特許庁

In addition, in the case that the discharge of ink in the sub-tank 53 and a circulation path 60 is instructed before the replacing of an ink unit, ink is pumped from the outgoing path port 69 side to a junction 83 side using the circulation pump 76 with both the opening and closing valves 78 and 86 opened.例文帳に追加

また、インクユニットの交換前にサブタンク５３や循環路６０のインクの排出が指示された場合には、開閉弁７８と開閉弁８６とを共に開成し、循環ポンプ７６によって往路口６９側から分岐点８３側にインクを圧送する。 - 特許庁

A discharge route prolonging means (collar 21) is provided for lengthening a discharge path 23, which reaches the pressure tight box 2 after passing through the gap between the junction surfaces of a first insulator 8 and a second insulator 17 from a first metal sleeve 7 and/or a second metal sleeve 16.例文帳に追加

第１の金属スリーブ７および／または第２の金属スリーブ１６から第１の絶縁体８と第２の絶縁体１７との接合面間を通って耐圧筐体２に至る放電経路２３を長くするための放電経路延長手段（カラー２１）を設けた。 - 特許庁

To solve the problems in prior art that in a circuit, having parallel connected working transistors and transistors being in a stopped state, the working transistors were broken due to the electrostatic discharge(ESD), since the junction breakdown, voltage of the working transistor is lower than the surface breakdown voltage of the transistor being in the stopped state.例文帳に追加

動作するトランジスタと停止状態にあるトランジスタが並列につながった回路において、動作するトランジスタの接合耐圧が停止状態にあるトランジスタの表面ブレ−クダウンよりも低い為に、ＥＳＤにより動作するトランジスタが破壊してしまう。 - 特許庁

When a base is superposed thereon from the bottom of the storage 11, the circuit board 21 is located at the side of the storage 11 beyond a junction between the storage 11 and the base and the group of electronic parts 27 are directed to the inside of the storage 11.例文帳に追加

本図において収容部１１の下方から図示しないベース部を重合させると、回路基板２１は収容部１１、ベース部の接合箇所よりも収容部１１側に位置され、且つ電子部品群２７が収容部１１の内側を向いた状態となる。 - 特許庁

The sheath-cutting blade 3 is formed of a sheath-cutting fixed blade 53 arranged at one radial side of the coated wire and a sheath- cutting movable blade 63 arranged at the other radial side of the coated wire in free junction and disjunction opposing the fixed blade 53.例文帳に追加

被覆切断刃３を、被覆電線の径方向の一側に配置された被覆切断用固定刃５３と、この被覆切断用固定刃５３に対向して接離自在に前記被覆電線の径方向の他側に配置された被覆切断用可動刃６３とから形成する。 - 特許庁

The CCD solid-state imaging module includes: a CCD area sensor including an n-type substrate and a p-well formed to the n-type substrate; and an overcurrent prevention means for preventing a forward bias from being applied to a junction between the n-type substrate and the p-well.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像モジュールは、ｎ型基板と前記ｎ型基板に形成されるｐウェルとを有するＣＣＤエリアセンサと、前記ｎ型基板と前記ｐウェルとの間の接合に順バイアスが印加されることを防止する過電流防止手段とを有する。 - 特許庁

To provide a means to raise the junction reliability of a feed through sealing part of a magnetic disk unit.例文帳に追加

磁気ディスク装置のフィードスルーとベースの間を封止する技術として有力である半田付け接合に使用される半田は、材料耐力が低く、製造時の外力、顧客使用環境において加わる外力に対して、十分な接合信頼性を保証することが困難である。 - 特許庁

An npn-type bipolar transistor Bip1 consisting of an epitaxial layer 2, a base diffusion layer 5, a base connection layer 4 and an emitter diffusion layer 6, and a pn-junction diode D1 consisting of the epitaxial layer 2 and an anode layer 3 are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、エピタキシャル層２、ベース拡散層５、ベース接続層４、エミッタ拡散層６からなるｎｐｎ型バイポーラトランジスタＢｉｐ１と、前記半導体基板１上に、前記エピタキシャル層２、アノード層３からなるｐｎ接合ダイオードＤ１とを形成する。 - 特許庁

A junction 300 at which the bump electrode 51 and the metal layer 27 are joined together is provided with a first region 320 containing the first metal and a second region 340 having a sea-island structure which comprises a sea part containing the first metal and an island part containing the second metal.例文帳に追加

バンプ電極５１と金属層２７とが接合する接合部３００は、第１金属を含む第１領域３２０と、第１金属を含む海部と、第２金属を含む島部と、を有する海島構造からなる第２領域３４０と、を備えている。 - 特許庁

It is possible to express, from the viewpoint of probability, a leaving course at the junction to be predicted, and also possible to perform in advance processing which becomes useful on the occasion of considering the prediction result as a leaving course to be selected by the movable body in reality and taking the leaving course.例文帳に追加

予測される分岐点の脱出進路は確率的に表現可能であり、また、予測結果を実際に移動体が選択する脱出進路とみなし、その脱出進路を取った場合に有用となる処理を、事前に行うことも可能である。 - 特許庁

The signal cable 8 is extended in one direction from the head terminal 81, and returned at the connection member 9 and reaches the signal junction terminal 82 while the auxiliary cable 83 is extended in the opposite direction from the head side connection point 85, and returned at the connection member 9, and reaches the rail side connection point 84.例文帳に追加

信号ケーブル８は、ヘッド端子81から一方向に伸び、連結部材９にて折り返され、信号中継端子82に至る一方、補助ケーブル83は、ヘッド側連結点85から逆方向に伸び、連結部材９にて折り返され、レール側連結点84に至っている。 - 特許庁

In addition, a contact layer 30 is used for reducing the junction resistance of the conductive oxide layer 10, and is arranged between the light emitting layer 24 and oxide layer 10 so that the layer 30 may come into contact with the oxide layer 10.例文帳に追加

また、発光層部２４と基板結合用導電性酸化物層１０との間には、該基板結合用導電性酸化物層１０の接合抵抗を減ずるためのコンタクト層３０が、該基板結合用導電性酸化物層１０に接するように配置されてなる。 - 特許庁

To provide a thermoelectric conversion module attaining firm junction by increasing the mechanical strength of a thermoelectric conversion element and an electrode, maintaining insulation without using an insulating substrate, attaining mutual flexibility of the thermoelectric conversion elements, and high in durability.例文帳に追加

熱電変換素子と電極の機械的強度を向上させて強固な接合を実現でき、また絶縁基板を用いることなく絶縁性を保持でき、さらに熱電変換素子同士が可撓性を有し、耐久性の高い熱電変換モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, capable of suppressing dislocations and crystal defects due to the applications of stress and anneal, in a semiconductor manufacturing process, applying proper stresses in the channel region, and attaining both a low resistance and a shallow junction.例文帳に追加

半導体製造工程におけるストレス印加およびアニールによる転位、結晶欠陥を抑え、チャネル領域において良好なストレスを印加するとともに、低抵抗化と浅接合化の両立を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After van SiO2 film containing N-type impurity P is formed on the surface of a P-type silicon substrate 14, the P-type silicon substrate 14 is heated so that the P in the SiO2 film is diffused in the surface layer of the P-type silicon substrate 14 without generating PN junction.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板14の表面に、Ｎ型不純物Ｐを含んだＳｉＯ_２膜を形成した後、Ｐ型シリコン基板14を加熱して、上記ＳｉＯ_２膜中のＰを、ＰＮ接合を生成することなく、Ｐ型シリコン基板14の表面層中に拡散させる。 - 特許庁

This light emitting/receiving circuit 10 is provided with a light emitting diode 14 having a P-N junction, a circuit using this light emitting diode 14 as a light emitting element and a circuit using the same light emitting diode 14 as a light receiving element for measuring light intensity.例文帳に追加

この発光兼受光回路１０は、ＰＮ接合を有する発光ダイオード１４と、この発光ダイオード１４を発光素子として使用する回路と、同じ発光ダイオード１４を光の強さを測定する受光素子として使用する回路とを備えている。 - 特許庁

A waterproof wall 20, which prevents penetration of water into a butting part 17 adjacent to a fixing foot 15 is projected at the topside of the base of the fixing foot 15 which is extended in the vicinity of the butting part 17, against the cover 13, of the electric junction box 12 and is attached to a car body panel.例文帳に追加

電気接続箱本体12における蓋体13との突き合わせ部17近傍に延設され、車体パネルに取り付けられる固定脚15の基部上面には、該固定脚15に隣接する突き合わせ部17への水の浸入を防ぐ防水壁20が突設されている。 - 特許庁

Thereby current poured from an electrode of the emission surface side is diffused efficiently, and luminous efficiency is improved, without deteriorating crystal quality of the whole pn junction by film-thickening/heavily doping the whole second upper clad layer 6.例文帳に追加

これにより、第２上クラッド層６全体を厚膜化・高濃度化することによるｐｎ接合全体の結晶品質の低下を伴うことなく、発光面側の電極から注入された電流を効率よく拡散し、発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

The DFB laser device 50 includes a DFB laser element 52 with a buried heterostrcture having a resonator length of 400μm, a differential resistance of 4 Ω and an oscillation wavelength of 1550 nm; and a heat sink 54 bonding and mounting the DFB laser element 52 in a junction-down manner so that heat resistance is ≤50 K/W.例文帳に追加

本ＤＦＢレーザ装置５０は、共振器長が４００μｍ、微分抵抗が４Ω、発振波長が１５５０ｎｍの埋め込みヘテロ型のＤＦＢレーザ素子５２と、熱抵抗が５０Ｋ／Ｗ以下となるように、ジャンクションダウンでＤＦＢレーザ素子５２をボンディング実装したヒートシンク５４とを有する。 - 特許庁

Thus, the tip of the boss 128 for focusing purpose is heated and molten by the junction region 114 of the semiconductor chip 110, deformed depending on a pressed position, and pressed until a lens 122 comes to a desired position in a direction of depth of focus thereby to align the lens mirror barrel 120 to the semiconductor chip 110.例文帳に追加

これにより、焦点位置合わせ用ボス１２８の先端が半導体チップ１１０の接合領域１１４で加熱されて溶解し、押圧位置に応じて変形するので、レンズ１２２が焦点深度方向の所望の位置にくるまで加圧を行い、所望の位置に位置合わせする。 - 特許庁

The gate electrode G forming a two-dimensional electron-gas layer 5 just under a hetero-junction interface between both layers of the electron transit layer 3 and the electron supply layer 4 is used as one having an Ni/Au structure containing an Ni layer 21 on the electron supply layer 4 side and an Au layer 22 laminated on the Ni layer 21.例文帳に追加

電子走行層３と電子供給層４両層のヘテロ接合界面の直下に２次元電子ガス層５が形成されるゲート電極Ｇは、電子供給層４側のNi層２１と該Ni層２１上に積層されたAu層２２とを含むNi/Au構造のゲート電極である。 - 特許庁

The semiconductor chip 10 for measuring the junction resistance value comprises a semiconductor chip main body 11 having a rectangular plane; a pattern circuit 12 like a U shape provided on a surface of the semiconductor chip body 11; and the four bumps 13a, 13b, 13c, and 13d provided on the pattern circuit 12.例文帳に追加

接合抵抗値測定用半導体チップ１０は、矩形状平面を有する半導体チップ本体１１と、半導体チップ本体１１の一面にＵ字状に設けられたパターン回路１２と、パターン回路１２上に設けられた４つのバンプ１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄとを備えている。 - 特許庁

To provide a spin transistor which can control the upward direction and the downward direction of a carrier spin by the interaction of the Rashba spin orbit and branching of a carrier passage, and which controls the size of a drain current by a gate electrode, by using a superconducting junction where the drain current flows, by depending on a spin polarization degree.例文帳に追加

Rashbaスピン軌道相互作用とキャリア経路の分岐により、キャリアスピン上向き下向きを制御することを可能とし、さらにスピン偏極度に依存して、ドレイン電流が流れる超伝導接合を用いることにより、ドレイン電流の大きさをゲート電極で制御するスピントランジスタを実現する。 - 特許庁

A junction structure of corrugated deck plates having crests and valleys includes a joint of a deck plate 1 adjacent to another in lateral direction welded to an external surface of a joint of the other deck plate 1 through a joint member 12 extending in longitudinal direction of a fitting part of the joints.例文帳に追加

山部と谷部を備えた波形のデッキプレート相互の接合構造であって、横方向に隣り合う一方のデッキプレート１の継ぎ手と他方のデッキプレート１の継ぎ手外面とが、継ぎ手嵌合部の長手方向に伸びる接合部材１２を介して溶接により接合されている。 - 特許庁

To provide a deformed precast pile with an enlarged head having a small-diameter lower pile body integrally connected to the upper end of a large-diameter upper pile body, particularly assuring firm junction of these and achieving economical mass production with no waste and a lighter weight.例文帳に追加

大径上部杭体の上端に小径下部杭体を一体的に連結して構成する異形の拡頭既製杭であって、特にこれ等の接合が強固かつ確実であると共に、無駄がなく軽量で経済的に大量生産し得る拡頭既製杭を目的とする。 - 特許庁

The surrounding natural ground is improved from the inside of the roof shield tunnels to form improved zones (frozen zones 8) between them, and after forming an improved zone also inside the end of the shield roof forepoling, the shield tunnel is widened on the inside to construct a lining wall 4 of the branch junction part.例文帳に追加

ルーフシールドトンネルの内側から周囲地山を改良してそれらの間に改良ゾーン（凍結ゾーン８）を形成し、シールドルーフ先受工の端部の内側にも改良ゾーンを形成した後、その内側においてシールドトンネルを拡幅して分岐合流部の覆工壁４を施工する。 - 特許庁

An optical pickup having a lens actuator for movably holding an objective 5 and an optical system 1 for incidence of a laser beam on the objective 5 comprises a spherical surface 7 and a spherical seat 8 for receiving the spherical surface 7 at a junction between the actuator 3 and the optical system 1.例文帳に追加

対物レンズ（５）を可動保持するレンズアクチュエータ（３）と、前記対物レンズにレーザ光を入射させる光学系（１）とを具える光ピックアップにおいて、前記レンズアクチュエータと光学系との接合部に、球面（７）と、当該球面を受ける球面座（８）とを設けて構成する。 - 特許庁

An auto-doped layer 2, where the impurity concentration gradually decreases as recedes from the surface of a semiconductor substrate 1, and a lightly-doped layer 3 comprising such impurity concentration distribution as even in depth direction constitute a high specific resistance epitaxial layer 30, which is used to reduce the junction capacitance of a photodiode.例文帳に追加

半導体基板１の表面から遠ざかる方向に向けて不純物濃度が次第に減少するオートドープ層２と、深さ方向に均一な不純物濃度分布を有する低不純物濃度層３を含む高比抵抗エピタキシャル層３０を用いて、フォトダイオードの接合容量を低減する。 - 特許庁

To provide a surface-mounting light-emitting device for preventing cracks from being generated at a junction for connecting an electrode for external connection in a package to a circuit pattern, in a wiring board caused by the difference in the thermal coefficient of expansion between the packaging substrate of the package and the wiring board.例文帳に追加

パッケージの実装基板と配線基板との熱膨張率の差に起因して、パッケージの外部接続用電極と配線基板の回路パターンとの間を接続している接合部にクラックが生じるのを防止することができる表面実装型発光装置を提供する。 - 特許庁

Pattern electrodes 32a-32l forming a plurality of pairs are formed on one surface of a substrate 35 in which electrodes and wiring patterns are formed on both surfaces of a base material 31, and circuit elements 50a-50f corresponding to each of them are joined by solder junction, thereby obtaining a circuit module 30.例文帳に追加

基材３１の両面に、電極及び配線パターンが形成された基板３５の一方の面には、複数の対をなすパターン電極３２ａ〜３２ｌが形成され、それぞれに対応する回路素子５０ａ〜５０ｆを半田接合により接合し、回路モジュール３０を得た。 - 特許庁

In the manufacturing method of the film, the electrode, and the gas diffusion layer junction, a catalyst-ink coated electrolyte film having catalyst ink for catalyst electrode layer formation coated on either face of a polymer electrolyte film, and two catalyst-ink coated gas diffusion layers with catalyst ink coated on one of the faces of each gas diffusion layer, are provided.例文帳に追加

高分子電解質膜の両面上に触媒電極層形成用の触媒インクを塗布した触媒インク塗布済み電解質膜、２つのガス拡散層のそれぞれの一方の面上に触媒インクを塗布した２つの触媒インク塗布済みガス拡散層を用意する。 - 特許庁

To provide a MOS transistor and a method of manufacturing it, where a substrate bias effect peculiar to an SOI substrate ca be restrained without increasing a MOS transistor formed on the SOI substrate in element area or in junction leakage caused by crystal defects.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成したＭＯＳトランジスタの素子面積や結晶欠陥によるジャンクションリークを増加させることなく、ＳＯＩ基板に特有に現れる基板バイアス効果を抑制することができるＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Even when a surge voltage is applied, since a pn junction is formed by the n-type semiconductor layer region 130 and the p type impurity diffusion region 170, the concentration of the surge voltage on a defect is prevented and the destruction of the dielectric separation membrane 120 is prevented.例文帳に追加

サージ電圧が印加されたとしても、ｎ−型半導体層領域１３０とｐ型不純物拡散領域１７０とによりｐｎ接合が形成されているため、サージ電圧が欠陥に集中することを防ぎ、誘電体分離膜１２０の破壊を防止することができる。 - 特許庁

On the n^--type semiconductor substrate 1, an accumulation layer 7 is formed on the side of a second principal surface 1b of the n^--type semiconductor substrate 1, and irregular unevenness 10 is formed in regions of a first principal surface 1a and the second principal surface 1b which are opposed to the pn junction.例文帳に追加

ｎ^−型半導体基板１には、ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ｂ側にアキュムレーション層７が形成されていると共に、第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおける少なくともｐｎ接合に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁

To provide a dielectric resonator which is improved in reliability with respect to the thermal cycle fatigue of the junction between a conductive cavity and a dielectric core to be arranged in the cavity without increasing the material cost or working cost, a filter using the resonator, a duplexer, and communication equipment equipped with them.例文帳に追加

材料コストや加工コストを増大させることなく、導電性を有するキャビティとそのキャビティ内に配置すべき誘電体コアとの接合部分の熱サイクル疲労に対する信頼性を高めた誘電体共振器、それを用いたフィルタ、デュプレクサおよびそれらを備えた通信装置を構成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a sulfonated polymer film, realizing the development of characteristics such as proton conductivity, gas barrier property and mechanical characteristics uniformly, hardly forming defects in a joined part in the preparation of a film-electrode junction material and useful as a fuel cell film without having wrinkles, swells and unevenness.例文帳に追加

プロトン伝導性、ガス遮断性、機械的特性などの特性を均一に発現させるとともに、膜−電極接合体の調製時において、接合部分の欠陥が生じにくい燃料電池用膜として有用な皺、脹れ、凹凸がないスルホン化高分子膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The high-energy electron emitted from the projection 2 is converted into many paired electron-positive hole of low energy nearly equal to band gap energy of a semiconductor in the pn junction element 4, so the high-voltage and small-current electric energy is converted into the low-voltage and large-current electric energy.例文帳に追加

突起物２から放射された高エネルギーの電子は、ｐｎ接合素子４内で、半導体のバンドギャップエネルギー程度の低エネルギーの多数の電子正孔対に変換されるので、高電圧、小電流の電気エネルギーが、低電圧、大電流の電気エネルギーに変換される。 - 特許庁

In order to rise the temperature of devices in the electronic equipment serving as an object of the thermic test to a junction temperature, rotational frequency of a cooling fan is computed (processing 504) from a prepared temperature control table and controls the cooling fan so as to rotate at the computed rotational frequency (processing 505).例文帳に追加

温度試験の対象となる電子機器内のデバイスの温度をジャンクション温度まで高めるため、予め作成しておいた温度制御テーブルから、冷却ファンの回転数を算出し（処理５０４）、算出した回転数で冷却ファンが回転するように制御する（処理５０５）。 - 特許庁

The junction temperature Tj measured before driving the DC motor and the threshold temperature Tset obtained for the corresponding drive pattern are compared, and when it is predicted to be Tj>Tset, replacement with the drive pattern capable of satisfying a condition Tj≤Tset is performed and the DC motor is driven.例文帳に追加

ＤＣモータを駆動する前に測定されたジャンクション温度Ｔjと、対応する駆動パターンについて求められた閾値温度Ｔsetとを比較し、Ｔj＞Ｔsetとなることが予測されると、条件Ｔj≦Ｔsetを満たすことが可能な駆動パターンに代替してＤＣモータを駆動する。 - 特許庁

A mask to which a metal thin film not transmitting electron beams is attached is used, and a defective region is locally formed only at a guard ring region and a pn junction formed by a substrate, thus reducing the reverse recovery time Trr without increasing the leakage current in the opposite direction.例文帳に追加

電子線を透さない金属薄膜を付けたマスクを用い、ガードリング領域と基板が形成するＰＮ接合部のみに局部的に欠陥領域を形成する事により、逆方向のリーク電流が増大することなく、逆回復時間Ｔｒｒを短縮できる。 - 特許庁

A first coating film layer 3 comprised of synthetic resin is formed on a surface of the cross fin tube including an outer surface of a junction 12 of the collar part 21 and the coolant piping 1, and a second coating film layer 4 comprised of hydrophilic resin is formed on a surface of the first coating film layer 3.例文帳に追加

上記カラー部２１と上記冷媒配管１との接合部分１２の外表面を含む上記クロスフィンチューブの表面には、合成樹脂からなる第１塗膜層３が形成され、第１塗膜層３の表面には、親水性樹脂からなる第２塗膜層４が形成されている。 - 特許庁

To provide a miniaturized device which suppresses short channel effects by forming a channel doped layer so as to have steep dopant-concentration profiles and have a shallow junction, and maintains large driving force by the channel doped layer having a sufficient activation concentration and a low resistance.例文帳に追加

チャネル拡散層における不純物濃度プロファイルを急峻で且つ浅接合化することによって短チャネル効果を抑制すると共に、十分な活性化濃度を有する低抵抗なチャネル拡散層によって高駆動力を維持する微細デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁