「junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(166ページ目) - Weblio英語例文検索

The method also comprises the step of manufacturing the magnetoresistance effect element having the ferromagnetic tunnel junction of the constitution in which the oxide layer 106 of the second stage is interposed between the first ferromagnetic layer 103 and the second ferromagnetic layer 107.例文帳に追加

その絶縁層上に第２の強磁性体層（フリー層）１０７を作製することで、第１の強磁性体層１０３と第２の強磁性体層１０７で第２段階の酸化物層１０６を挟んだ構成の強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子を製造する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a proton-conductive solid electrolyte film with high endurance limit temperature and excellent proton conductivity suitably used as an electrolyte film for a fuel cell, a junction of the electrolyte and an electrode, as well as a fuel cell using the same.例文帳に追加

耐久温度が高く、良好なプロトン伝導性を示し、燃料電池の電解質膜として好適に使用できるプロトン伝導性固体電解質膜とその製造方法、それを含む電解質膜と電極の接合体、並びにそれを用いた燃料電池を提供する。 - 特許庁

The electrolyte membrane-catalyst layer junction is manufactured by arranging a pair of mask films 5 on both sides of an electrolyte membrane 8, and further by arranging a pair of catalyst layer forming films 1 on the outside of these, and by forming a catalyst layer 3 on the electrolyte membrane 8 by heat press transfer.例文帳に追加

本発明は、電解質膜８の両面に1対のマスクフィルム５を配置し、さらにそれらの外側に1対の触媒層形成用フィルム１を配置し、熱プレス転写により電解質膜８上に触媒層３を形成することにより電解質膜−触媒層接合体を製造する。 - 特許庁

The gas diffusion layer/separator junction is characterized by the manufacturing method of adhering a precursor of the gas diffusion layer made of a thermosetting resin and a carbonaceous fiber to a precursor of the separator made of the thermosetting resin with the thermosetting resin, and baking and carbonizing the adhered body of the precursors.例文帳に追加

また、熱硬化性樹脂と炭素質繊維からなるガス拡散層の前駆体と、熱硬化性樹脂からなるセパレータ前駆体とを、熱硬化性樹脂によって接着し、焼成炭化することを特徴とする前記の燃料電池用のガス拡散層／セパレータ接合体の製造方法。 - 特許庁

In this chip type thermistor 10, the electric junction of terminal electrodes 6 on the both edge faces of a chip-shaped thermistor element 1 having internal electrodes 2 with the internal electrodes 2 is secured, high resistance layers 6A are formed between the terminal electrodes 6 and the chip-shaped thermistor element 1.例文帳に追加

内部電極２を有するチップ状サーミスタ素体１の両端面の端子電極６が、内部電極２とは電気的接合を確保するものの、チップ状サーミスタ素体１との間には高抵抗層６Ａを形成する材料で形成されているチップ型サーミスタ１０。 - 特許庁

To provide a semiconductor adhesion film which enables thermocompression to the electrode side of a semiconductor wafer with a bump electrode, enables direct junction to an electrode by flip chip connection after dicing for separation to a discrete semiconductor element, and can obtain high mounting reliability by fixing a substrate firmly.例文帳に追加

バンプ電極付の半導体ウエハの電極側に熱圧着でき、ダイシングにより個片の半導体素子に切断分離した後、フリップチップ接続により電極を直接接合し、かつ基板を強固に固定し高い実装信頼性を得ることのできる半導体用接着フィルムを提供すること。 - 特許庁

An rare earth copper oxide made from oxygen, copper, and one kind of rare earth such as La_2CuO_4 is employed as the material constituting hetero junction with such conductor having a low work function or electrical negativity such as Ti, as an electrode.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子において、電極としてＴｉ等の浅い仕事関数又は小さな電気陰性度を有する導電体とヘテロ接合を構成する材料として、Ｌａ_２ＣｕＯ_４のような希土類の１種と銅と酸素からなる希土類−銅の酸化物とすることによって解決される。 - 特許庁

The gas sensors are each formed by forming FET using a semiconductor substrate, a gate-control-type p-n junction diode, or the gate area of a Schottky diode or a conductive oxyacid salt and collector or a solid electrolyte, conductive oxyacid salt, and collector on a rectification barrier electrode.例文帳に追加

本発明のガスセンサは、半導体基板を用いたFET、ゲート制御型ｐｎ接合ダイオード、あるいはショットキーダイオードのゲート領域あるいは整流障壁電極上に導電性酸素酸塩と集電体、あるいは固体電解質と導電性酸素酸塩と集電体を形成することからなる。 - 特許庁

To provide a voltage standard apparatus, having a high resolution of output voltage by reducing the number of terminals in a programmable voltage standard element comprising Josephson junction arrays, formed by connecting many Josephson junctions in series for generating a constant voltage by the application of a bias current and microwaves.例文帳に追加

バイアス電流とマイクロ波の印加により一定電圧を発生するジョセフソン接合の多数個を直列接続したジョセフソン接合アレーで構成されるプログラマブル電圧標準素子において端子数を減らして、出力電圧分解能の高い電圧標準装置を提供する。 - 特許庁

The orthosis 10 comprises an elastic compressive distal portion 14 extending upwards from the ankle and associated with an adjoining containment proximal portion 16 covering a region of the calf extending between the level B1 of the junction point between the Achilles tendon and the calf muscle and the level D situated beneath the tibial tuberosity.例文帳に追加

装具１０は、足首から上方に延びるとともに、アキレス腱及び脹脛筋肉の接合点の高さ位置Ｂ１と脛骨粗面の下に位置する高さ位置Ｄとの間に延びる脹脛の領域を覆う隣接する拘束近位部分１６と関連付けられる、弾性圧迫遠位部分１４を含む。 - 特許庁

An SDT junction of a memory cell for MRAM devices comprises a bottom ferromagnetic layer having planarized peaks, an insulative tunneling barrier located on the bottom ferromagnetic layer, and a top ferromagnetic layer located on the insulative tunneling barrier.例文帳に追加

平坦化したピークを有している底部強磁性体層と、前記底部強磁性体層の上に位置している絶縁性トンネリングバリアと、前記絶縁性トンネリングバリアの上に位置している頂部強磁性体層とを含んでなるＭＲＡＭデバイス用のメモリセルのＳＤＴ接合を提供する。 - 特許庁

The sulfonated ion-conductive crosslinked copolymer having a crosslinked structure formed by utilizing a tri- or poly-functional monomer, and containing an adequate proportion of an ion-conductive active group, the polyelectrolyte membrane, the membrane electrode junction and the fuel battery are provided.例文帳に追加

本発明によれば、３官能性以上の単量体を利用することによって架橋構造が形成され、適切な比率のイオン伝導性作用基を含むスルホン化イオン伝導性架橋共重合体と、高分子電解質膜、膜電極接合体および燃料電池が提供される。 - 特許庁

A high polymer solid electrolyte comprising stretched porous polytetrafluoroethylene and a polymer electrolyte resin contained in its porous void part is integrally formed on the surface of the electrode by using a solvent or a solution of a polymer solid electrolyte to obtain this polymer solid electrolyte-electrode junction.例文帳に追加

電極の表面に、延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンとその多孔質空隙部に含有された高分子固体電解質樹脂とからなる高分子固体電解質を高分子固体電解質の溶媒又は溶液を用いて一体に形成した高分子固体電解質・電極接合体。 - 特許庁

A barrier correction layer 20 between a surface anode and the cathode part which is inside an epitaxial layer is formed so as to lower or raise the threshold turn-on electric potential of a Schottky diode depending on whether a diode junction silicide is formed of Ti or Pt.例文帳に追加

表面アノードとエピタキシャル層の内部のカソード部との間にあるバリア修正層（２０）を、ダイオード接合シリサイドがＴｉを用いて形成されているかＰｔを用いて形成されているかに応じて、ショットキ・ダイオードのスレショルド・ターンオン電位を低下又は上昇させるように設計する。 - 特許庁

Burning is made under specific oxygen concentration conditions, thus continuously forming the lattice stripes of a crystal lattice in the electrode layer in the dielectric layer at a relatively low burning temperature, and hence improving the junction strength between the electrode layer and dielectric layer of the multilayer ceramic board.例文帳に追加

所定の酸素濃度条件で焼成することにより、比較的低温の焼成温度でありながら、電極層の結晶格子の格子縞を誘電体層中に連続的に形成させて、多層セラミック基板の電極層と誘電体層との接合強度の向上を図ることができる。 - 特許庁

A solder ball 26 is fixed onto the upper face of the coaxial body so that the solder ball 26 contacts the upper end of the wire 23, the gap between the solder ball 26 and the coaxial body is filled with resin 25, and junction to the wire 23 of the solder ball 26 is reinforced by the resin 25.例文帳に追加

この同軸体の上端面には、ワイヤ２３の上端に接触するようにしてはんだボール２６が固定されており、はんだボール２６と前記同軸体との間の隙間は、樹脂２５により埋められて、はんだボール２６のワイヤ２３に対する接合力が樹脂２５により補強されている。 - 特許庁

Junction status of the pipe joint 1 and pipe 2 can be easily visually confirmed because the pipe joint 1 and the pipe 2 inserted in this pipe joint are joined by a colored adhesive 3 and application status of colored adhesive 3 applied to this faying surface can be easily visually confirmed.例文帳に追加

また、管継手１とこの管継手に挿入されている配管２とが着色接着剤３で接合されていて、その接合面に塗布されている着色接着剤３の塗布状況が容易に目視確認できるので、管継手１と配管２の接合状況が容易に目視確認できる。 - 特許庁

Then, a source-drain electrode 5 is provided to the pair of p^+-type contact layers 4 in ohmic contact, and a gate electrode 6 is provided on the exposure surface of an n^+-type contact layer 2, provided on the lower side of the channel layer 3 in ohmic contact, thus forming the junction FET.例文帳に追加

そして、一対のｐ^+型コンタクト層４上にオーミックコンタクトするようにソース・ドレイン電極５が設けられ、チャネル層３の下側に設けられるｎ^+型コンタクト層２の露出面上にオーミックコンタクトするようにゲート電極６が設けられることにより、接合型ＦＥＴが形成されている。 - 特許庁

This method has advantages that extremely high optical transmittance can be accomplished in the design of a top-emitter OLED covering a large surface area, and an operation below 10V is enabled by keeping the sheet resistance of the junction type electrode located separately from the substrate very low.例文帳に追加

この方法は、大きな表面積をカバーするトップエミッタＯＬＥＤの設計において非常に高い光透過率を達成すると同時に、基板から離れて位置する接合型電極のシート抵抗を非常に低く維持することによって１０Ｖ未満での動作を可能にするという利点を有する。 - 特許庁

A diode composed of an anode region 1, a cathode region 2 and a low-concentration region 3 formed between the anode region 1 and the cathode region 2, crystal defects are formed in a junction neighboring region of the anode region 1 and the low-concentration region 3 and in the cathode region 2.例文帳に追加

アノード領域１、カソード領域２、及びアノード領域１とカソード領域２との間に形成された低濃度領域３から構成されるダイオードにおいて、アノード領域１と低濃度領域３との接合近傍領域、およびカソード領域２の内部に結晶欠陥を形成する。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition for mounting an electronic part, having high reliability of junction between an electrode of the electronic part and an electrode on a circuit board, and capable of connecting the electrode of the electronic part with the circuit board at a low cost while securing the reliability of isolation between neighboring electrodes.例文帳に追加

電子部品の電極と回路基板上の電極との接合の信頼性が高く、また、隣接電極間の絶縁信頼性を確保しつつ、低コストで電子部品の電極を回路基板に接続できる電子部品実装用熱硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents generation of a crystal defect and efficiently forms a super junction structure when burying an epitaxial layer in a trench selectively formed using a hard mask in a state wherein the hard mask is left to obtain an excellent efficiency percentage.例文帳に追加

ハードマスクを用いて選択形成したトレンチに、ハードマスクを残した状態でエピタキシャル層を埋め込む際に、結晶欠陥の発生を防ぐとともに、超接合構造を効率良く形成でき、良好な良品率が得られる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor layer 20 has a p-n junction that prevents flow of leakage current from the lower electrode 8 to the surface electrode 7, and the semiconductor layer 20 constitutes a reverse preventing means for preventing the flowing, of the leakage current, from the lower electrode 8 to the surface electrode 7.例文帳に追加

半導体層２０は、下部電極８から表面電極７へリーク電流が流れるのを阻止するｐｎ接合を有しており、半導体層２０が、下部電極８から表面電極７へリーク電流が流れるのを阻止する逆阻止手段を構成している。 - 特許庁

This resistance element 1 has an insulation substrate 17, terminal electrodes 18 and 19 for junction respectively provided on the facing main surfaces of the substrate 17, and a resistor R which is provided on one side face of the substrate 17 and electrically connects the electrodes 18 and 19 to each other.例文帳に追加

抵抗素子１は、絶縁性基板１７と、絶縁性基板１７の対向する主面にそれぞれ設けた接合用端子電極１８，１９と、絶縁性基板１７の側面に設けられ、接合用端子電極１８，１９間を電気的に接続した抵抗体Ｒとを有する。 - 特許庁

To solve the problem of a DRAM hybrid logic LSI being influenced by cobalt overreaction, due to heat treatment for forming a DRAM and a second heat treatment suppresses spikes from growing or cobalt from over-reacting, resulting in junction leakages or contact leakages by due to the influence of the heat treatment for forming the DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭ混載ロジックＬＳＩでは、ＤＲＡＭ形成の熱処理によるコバルトの過剰反応の影響があり、第２の熱処理の際にスパイクの発生やコバルトの過剰反応が抑制されていて、ＤＲＡＭ形成の熱処理の影響により接合リークやコンタクトリークが生じる原因となる。 - 特許庁

A mount substrate 1001 having a high-frequency electric line 1002 and a semiconductor optical element which is previously designed for high frequencies are individually manufactured and the mount substrate and a driving electrode of the semiconductor optical element are bonded and mounted through a solder material, i.e., constituted by junction-down mounting.例文帳に追加

高周波電気線路１００２を有する実装基板１００１と予め高周波設計を施した半導体光素子とを別個に作製し、半田材料を介して実装基板と上記半導体光素子の駆動電極を接着実装、即ちジャンクションダウン実装して構成した。 - 特許庁

To manufacture a Bi-based oxide superconductor thin film whose c-axis is oriented parallel to the substrate surface and whose a-axis (or b-axis) is oriented perpendicular to the substrate surface in order to obtain a high performance layered Josephson junction using a Bi-based oxide superconductor.例文帳に追加

本願発明は、Bi酸化物超電導体を用いて高性能な積層型ジョセフソン接合を得るためには、c軸が基板面に対して平行で、a軸（又はb軸）が基板面に対して垂直に配向したBi系酸化物超電導薄膜を作製することを目的とする。 - 特許庁

To provide a radiation detector for discriminating gamma rays, X-rays or electron beam and particle radiation in the radiation detector for detecting phonons generated on a base by radiation absorption by a superconducting tunnel junction element manufactured on a single crystal base.例文帳に追加

単結晶基盤上に製作された超伝導トンネル接合素子により放射線吸収により基盤で発生したフォノンを検出する放射線検出器において、ガンマ線またはＸ線または電子線と、粒子線との弁別を可能とした放射線検出器を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a thin film transistor in which a shallow junction diffusion layer can be formed on the surface layer of a semiconductor thin film and thereby the leak current can be suppressed uniformly by relaxing the electric field at the drain end without providing an LDD region.例文帳に追加

半導体薄膜の表面層に浅い接合の拡散層を形成することが可能で、これによりＬＤＤ領域を設けることなくドレイン端においての電界を緩和してリーク電流を均一に抑えることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The photodiode includes a first conductive layer 8 disposed above a surface of a semiconductor substrate and having a second type impurity and a second conductive layer 9 formed on the first conductive layer 8 and forming a p-n junction between it and the first conductive layer 8 by having the first type impurity.例文帳に追加

フォトダイオードは、半導体基板の表面上方の、第２型不純物を有する第１導電層８と、第１導電層８上に形成され、第１型不純物を有することによって第１導電層８との間にｐｎ接合を形成する第２導電層９と、を備える。 - 特許庁

The junction box for the solar module includes a housing 11 for forming an internal space, an end part of a connection conductor 15 for carrying away generated electricity is inserted in the internal space, and it is electrically connected with a module contact and a bypass diode 13.例文帳に追加

内部空間を形成するハウジング１１を有し、その内部空間内に、発生された電気を搬出するための接続導線１５の端部が挿入されており、それがモジュール接点およびバイパスダイオード１３と電気的に接続されている、ソーラーモジュール用の接続ボックス。 - 特許庁

The super junction structure 12 is composed of first semiconductor layers 13 containing n-type impurities, and second semiconductor layers 14 containing p-type impurities which are alternately and repeatedly arranged in a direction perpendicular to that of facing between the semiconductor substrate 11 and the base layer 15.例文帳に追加

スーパージャンクション構造１２は、ｎ型の不純物が含有された第１の半導体層１３と、ｐ型の不純物が含有された第２の半導体層１４とが、半導体基板１１とベース層１５が対向する方向と交差する方向に交互に繰り返し配置されて構成されている。 - 特許庁

A second p-type drift layer 64 is formed, that is diffused into an epitaxial semiconductor layer 51 deeper than a first drift layer 65, is extended from the lower portion of the first drift layer 65 to that of the gate electrode 54, and forms a pn junction with the body layer 63 at the lower portion of the gate electrode 54.例文帳に追加

第１のドリフト層６５より深くエピタキシャル半導体層５１の中に拡散され、第１のドリフト層６５の下方からゲート電極５４の下方へ延びて、このゲート電極５４の下方でボディ層６３とＰＮ接合を形成するＰ型の第２のドリフト層６４が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device which prevents the protrusion of a silicide film formed in a source/drain contact region toward a silicon substrate side, wherein a driving force is given by giving stress to a channel region, and avoids the occurrence of a junction leakage defect and a gate leakage defect, and a manufactured semiconductor.例文帳に追加

チャネル領域に応力を与えるため、ソース・ドレイン・コンタクト領域に形成されるシリサイド膜がシリコン基板側に突出することを防ぎ、接合リーク不良の発生やゲートリーク不良の発生を回避する半導体装置の製造方法及び製造された半導体装置の提供。 - 特許庁

To solve the following problem; it is difficult to manufacture a semiconductor light emitting element which emits light between a conduction band and a valence band when a p-type or n-type semiconductor is difficult to manufacture in a conventional semiconductor light emitting element which is constituted of junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.例文帳に追加

従来の半導体発光素子は、主に、ｐ型半導体とｎ型半導体の接合から構成されるが、ｐ型又はｎ型の半導体が作製困難な場合には伝導帯と価電子帯の間で発光する半導体発光素子を作製することが難しい。 - 特許庁

A step-up converter 12B includes: IGBT elements Q1B, Q2B connected in series between the node ND1 and a ground node; and a reactor L1B connected between the point of junction between the IGBT elements Q1B, Q2B and the node ND1 and converts voltage VLB into voltage VH.例文帳に追加

昇圧コンバータ１２Ｂは、ノードＮＤ１と接地ノードとの間に直列に接続されるＩＧＢＴ素子Ｑ１Ｂ，Ｑ２Ｂと、ＩＧＢＴ素子Ｑ１Ｂ，Ｑ２Ｂの接続点と、ノードＮＤ１とに接続されるリアクトルＬ１Ｂとを含み、電圧ＶＬＢを電圧ＶＨに変換する。 - 特許庁

A protection circuit 40 is disposed between a junction of the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) and an input terminal of the switch element, and the ground potential to lead a negative current flowing in from a drain terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) owing to electrostatic discharge to the ground potential.例文帳に追加

保護回路４０は、第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のソース端子と上記スイッチ素子の入力端子の接続点と、グラウンド電位との間に設けられ、静電気放電による第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のドレイン端子から流入する負電流をグラウンド電位に流す。 - 特許庁

In the sealed battery in which a battery element is sealed with flexible material, a junction of the packaging material is folded, and adhered with an adhesive layer on the rear face of a label for display except a part from which an electro-conductive tab of electrode as for a sealed port of the material.例文帳に追加

可撓性の外装材によって電池要素を封口した密閉型電池において、外装材の封口部は電極導電タブが引き出される部分を除いて、外装材の接合部は折り曲げられて表示用ラベルの裏面の接着層によって接着した密閉型電池。 - 特許庁

While strip-like longitudinal bus-bars are accommodated inside a case of a junction box, electric wire connection blocks in which numerous cavities to insert and lock electric wire terminals are protrusively provided on the outer surfaces of a case of arrangement positions of the longitudinal bus bars, wherein cavities to which electric wires are not inserted are provided with lids.例文帳に追加

ジャンクションボックスのケース内部に短冊状の縦バスバーを収容していると共に、該縦バスバーの配置位置のケース外面に電線端末の端子を挿入係止するキャビテイを多数並設した電線接続ブロックを突設し、電線を挿入しないキャビテイには蓋を設けている。 - 特許庁

To provide a flip-chip jointing method for ideally activating a junction surface and removing an oxide film, when jointing a semiconductor chip, the pad of a substrate, and bumps, and for preventing the bumps from being crushed excessively and preventing the jointing of a connection terminal from being damaged by subsequent ultrasonic vibration.例文帳に追加

半導体チップおよび基板のパッドとバンプとを接合する際に、接合面の活性化や酸化膜の除去が好適に行えるとともに、バンプが過度に潰れたり、接続端子の接合を、その後の超音波振動によって破壊してしまうことのない、フリップチップ接合方法を提供する。 - 特許庁

Also, the control part 16 fetches road surface irradiation by the stand-by vehicle at the junction through an image sensor SEN and an image processing MPU 11, and when recognizing a road surface irradiation pattern from the fetched image, the control part 16 returns a vehicle ID signal transmitted from the stand-by vehicle.例文帳に追加

また、制御部１６は、交差路での待機車両による路面照射を画像センサＳＥＮおよび画像処理ＭＰＵ１１を通じて取り込み、この取り込まれた画像から路面照射パターンを認識すると、待機車両から送信された車両ＩＤ信号を返信する。 - 特許庁

To guide the optimum guide route by optimizing the transfer time in a junction place to the transfer time according to the real state in a navigation system for searching and guiding a route from a starting place to a destination including transfer of trains utilizing transportation.例文帳に追加

交通機関を利用して出発地から目的地までの乗り継ぎを含む経路を探索して案内するナビゲーションシステムにおいて、乗り継ぎ場所における乗り継ぎ時間を実勢に応じた乗り換え時間に最適化して経路探索を行い、最適案内経路を案内できるようにする。 - 特許庁

Outer bump electrode 42b' are arranged with a shift to an arrangement of inner bump electrodes 42a which are arranged in a staggered state, a position of each of the outer bump electrodes 42b' is shifted to that of a bump electrode 42b", and a junction surface of each of the bump electrodes 42a and 42b is formed square.例文帳に追加

千鳥配列された内側の突出電極４２ａの配列に対して、外側の突出電極４２ｂ'を片寄らせて配列し、外側の突出電極４２ｂ'の位置を突出電極４２ｂ''の位置にずらすとともに、突出電極４２ａ、４２ｂの接合面を正方形とする。 - 特許庁

One end of a harness 130 is pulled out from a vehicular rear end side of a junction box 60, and decent around a vehicular rear side of a second battery pack 50, and furthermore the harness 130 is pulled around in a space A2 formed between the lower face and a floor face of the vehicular rear side of the second battery pack 50.例文帳に追加

ハーネス１３０の一端が、ジャンクションボックス６０の車両後端側から引き出され、第２電池パック５０の車両後方側を回って下降させ、さらに、第２電池パック５０の車両後方側下面と床面１０との間に形成された空間Ａ２にハーネス１３０を引き回す。 - 特許庁

By using a double-probe-type flaw detector with transmission and reception probes, ultrasonic waves are directly applied to a junction surface to be diffused at 45 degrees, and a reflection wave being reflected once on the surface of a material whose flaw is to be detected is captured while changing the distance between the two probes.例文帳に追加

発信探触子と受信探触子を備えた２触子式探傷器を使用して、超音波を被拡散接合面に対して４５度の角度で直接照射し、二つの探触子間の距離を変えながら被探傷材の表面で１回反射させた反射波を捕捉する。 - 特許庁