junctionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 9126件
To provide a method of manufacturing a light emitting element by which a substrate for growth is handled easily even when the substrate is removed from a compound semiconductor layer having a light emitting layer and, in addition, the reflectance of a metallic layer is hardly lowered even when alloying heat treatment is performed on metallic junction layers.例文帳に追加
発光層部を有した化合物半導体層から成長用基板を除去しても、そのハンドリングを容易に行なうことができ、接合金属層の合金化熱処理による金属層の反射率低下も生じにくい発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a junction box capable of preventing water drops from being fallen on electronic components installed outside the box by furnishing the box body with eaves on the upper part thereof, which is utilized as a grip part thereby simplifying the box body to be taken out from the case.例文帳に追加
接続箱本体の上端部に庇部分を形成することにより、外付け用の電子部品に水滴がかかるのを防止するとともに、その庇部分を握り部分としてケースから接続箱本体の取出しを容易に行うようにした電気接続箱を提供する。 - 特許庁
A lead frame of which connecting terminal is formed as a thin part and a thick part is used, a semiconductor chip is junctioned in the thick direction of the thick part of the connecting terminal, and a junction surface and the opposite surface of the connecting terminal of the semiconductor chip are so junctioned as to become about same planes.例文帳に追加
接続端子の形状を肉薄部と肉厚部に形成したリードフレームを用い、接続端子の肉薄部の肉厚方向に半導体チップを接続し、半導体チップの接続端子の接続面と反対面を肉厚部と略同一面になる様接続する。 - 特許庁
A reinforcing rib 124 is provided in roughly the same pitch dimension as the pitch dimension between tubes 111, on the opposite side from the junction 120c with the tube 111 out of a header tank 120, and also the header tank 120 is constituted of the first and second members 120a and 120b L-shaped in cross section.例文帳に追加
ヘッダタンク120のうちチューブ111との接合部120cと反対側に補強リブ124がチューブ111間のピッチ寸法と略同一ピッチ寸法にて設けるとともに、ヘッダタンク120を断面L字状の第1、2部材120a、120bから構成する。 - 特許庁
A junction depth Xj of a (p) base region of a TLPM (Trench Lateral Power MOSFET) is made shallower than a trench depth, and a trench is formed so that a depth (Dt) becomes about Dt=1.2 μm, so as not to contact a curvature part of a trench bottom part.例文帳に追加
TLPM(Trench Lateral Power MOSFET)のpベース領域の接合深さXjをトレンチ深さより浅く、トレンチ底部の曲率部に接触しないようにトレンチの深さ(Dt)をDt=1.2μm程度に形成すること - 特許庁
Also, the land portion 13 includes a plurality of parts 13a, 13b separated each other across a space 16 on the one surface 11a of the insulating base material 11, and the plurality of parts 13a, 13b are connected to the same electrode portion 3 via the junction material 17.例文帳に追加
また、ランド部13は、絶縁性基材11の一面11a上において、間隙16を介して互いに分離された複数の部分13a,13bを有し、これら複数の部分13a,13bが接合材17を介して同一の電極部3に接続されている。 - 特許庁
A plurality of field effect transistors 223 are formed on a P type shallow well region 212, and a shallow element isolation region 214 on the P type shallow well region 223 has the depth which is more shallow than that of the junction between an N type deep well region 227 and the P type shallow well region 212.例文帳に追加
複数の電界効果トランジスタ223がP型の浅いウェル領域212上に形成され、かつ、P型の浅いウェル領域223上の浅い素子分離領域214が、N型の深いウェル領域227とP型の浅いウェル領域212との接合の深さよりも浅い深さを有する。 - 特許庁
When the reflectance reaches the fixed quantity or more, the irradiation of the neutral-beam sources 29 and 30 is completed, the joint surfaces having the high reliability are ensured by joining the modified joint surfaces of the substrate 12 and the cover member 13, and the junction having the high quality is realized, thus obtaining the electronic device package.例文帳に追加
反射率が所定量以上になったときに、中性ビーム源29,30の照射を終了し、基板12及び蓋部材13の改質した接合面を接合することにより、信頼性の高い接合面を確保し、かつ高品質な接合を実現した電子素子パッケージを得る。 - 特許庁
To provide a driving system of a light emitting element and a driving method thereof for driving the light emitting element with and by which junction temperature of a light emitting element package can be predicted within a small error range without direct measuring based on the analysis of thermal behavior of the light emitting element package.例文帳に追加
発光素子パッケージの熱的特性に対する分析を通して、直接的な測定なしに発光素子パッケージの接合部温度を小さい誤差範囲内で予測できるように発光素子を駆動する発光素子の駆動システム及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁
One or a plurality of engagement grooves 37 of a radius direction with an axis core of the terminal hole 10 as a center are formed around the terminal holes 10 of end face walls 8, and engagement pieces 38 for inserting and engaging to the engagement grooves 37 are protruded and set on junction surfaces to the end face walls 9 of the electrode terminals 12.例文帳に追加
端面壁8の端子穴10の周囲に端子穴10の軸芯を中心とする半径方向の1又は複数の係合溝37が形成され、極端子12の端面壁8に対する接合面に係合溝37に嵌入係合する係合片38が突設されている。 - 特許庁
Pads of the stacked semiconductor chips and inner leads corresponding to the pads are reverse wire-bonded with metal wires, main five surfaces of the inner leads, the stacked semiconductor chips, metal wires, junction materials and the die pad are covered with a encapsulation resin and another surface of the die pad is exposed out of the outer surface of the encapsulation resin.例文帳に追加
積層半導体チップのパッドと対応するインナーリードとを金属線で逆方向ワイヤボンドして、インナーリードと積層半導体チップと金属線と接合材とダイパッドの主要5面とを封止樹脂で覆い、ダイパッドの一面は封止樹脂外面に露出する。 - 特許庁
In this electric junction box 50, when releasing a lock between a clamp hole 51 and a step-off part 43 of a clamp 10, the lock is released by pressing the front end of one step-off part 43 protruding upward from the surface of a slope 52, using a jig such as a minus screwdriver or the like.例文帳に追加
電気接続箱50のクランプ孔51とクランプ10の段差部43との係止を解除するときは、マイナスドライバ等の治具を用いて、スロープ52から同スロープ52の面より上方に突出している一方の段差部43の先端部分を押圧して係止を解除する。 - 特許庁
The junction 7 of the column 2 provided at the lower end is inserted into the hollow section of the pile 1 while the column 2 is guided by the position adjusting bolts 5, and the column 2 is mounted on the upper section of the pile 1 until the base plate 3 of the column 2 is brought into contact with the axial force receiving temporary plate 4.例文帳に追加
その後、柱2を位置調整ボルト5によって案内しながら、その下端に設けた柱2の連結部7を杭1の中空部に差し込み、柱2のベースプレート3が前記軸力受け仮設プレート4に接するまで柱2を杭1の上部に載置する。 - 特許庁
The reflection type photosensor 10 is arranged near a junction of caring passages for two kinds of paper sheet 20 and 30, and an angle between a light receiver surface and the paper sheet carrying passage is formed at 30-60 degree, and the carrying passage near the photosensor 10 is arranged nearly at a right angle to discriminate the paper sheet.例文帳に追加
2つの用紙20、30の搬送路の合流点近傍に反射型フォトセンサ10を配置し、その受光面と用紙搬送路とのなす角を30度から60度の間とし、フォトセンサ10に近い搬送路の方が垂直に近くなるように配置して用紙の判別を行う。 - 特許庁
This is the method in which solder joining is performed for an electrode pad and a junction pad corresponding to a suspension, first, a solder ball is fixed temporarily to respective pads of the magnetic head slider in a state in which at least one part is projected to the lower side than the slider lower plane.例文帳に追加
磁気ヘッドスライダの電極パッドと接合パッドを、サスペンションの対応する電極パッドと接合パッドに半田接合する方法であって、先ず、磁気ヘッドスライダの各パッドに、半田ボールを、少なくとも一部がスライダ下面よりも下側に突出させた状態で仮固定する。 - 特許庁
After the backside polishing, a collector electrode 31 made of e.g. aluminum forms an ohmic junction with the p^- lightly-doped collector layer 11, and the n^+ collector short-circuited region 13, dispensing with the ion implantation and heat treatment for separately forming a collector contacting high-concentration layer.例文帳に追加
裏面研削後、例えばアルミニウム等から成るコレクタ電極31によって、p^−低濃度コレクタ層11及びn^+コレクタ短絡領域13とオーミック接合が形成されるので、コレクタコンタクト用の高濃度層を別途形成するためのイオン注入及び熱処理が不要となる。 - 特許庁
The lure 1, to be used in fishing, includes a lure body 2 buoyant in water and having a fishline junction 3 on its head side, where the lure body 2 has a water injecting part 21 in the inside and through-holes 22a-22f penetrate from its outer surface, toward the water injection part 21.例文帳に追加
魚釣りに用いられるルアー1であって、頭部側に釣糸連結部3を有する水に浮かぶルアー本体2を備えており、ルアー本体2は、内部に形成される注水部21と、外表面から注水部21に向けて貫通する貫通孔22a〜22fとを備えるルアー。 - 特許庁
To make the thickness of a tunnel oxide film uniform by an intermediate oxide film formed by a different system, facilitate the adjustment of a resistor of a magnetic tunnel junction layer, and reduce resistor deviation between cells, and moreover prevent a lower film from being damaged in a process in which the tunnel oxide film is formed and also prevent an MR ratio from decreasing.例文帳に追加
異種方式で形成された中間酸化膜を具備することにより、トンネル酸化膜の厚さを均一に形成しつつその厚さ調節も容易なために、磁気トンネル接合層の抵抗の調節が容易であり、かつ、セル間の抵抗偏差も減らすことができる。 - 特許庁
To improve the leakage resistance of electrical connection parts constituted by arranging, parallel to each other, two or more copper or copper-alloy sheets on which circuits are formed, such as a junction box (J/B) on which a terminal and a bus bar are mounted and a connector constituted of the terminal and bus bar and connected to the J/B.例文帳に追加
回路が形成された2枚以上の銅又は銅合金板を平行配置して構成された電気接続部品、例えば端子及びバスバーが搭載されたジャンクションボックス(J/B)や、端子及びバスバーにより構成されてそのJ/Bと接続されるコネクターの耐リーク性を改善する。 - 特許庁
A guide groove 40 is provided in a sidewall 33 of the cover 30 for a battery terminal, the guide groove 40 being constituted of a first guide groove 37 and a second guide groove 38 continually formed from the first guide groove 37 via a junction point J, and the supporting shaft 26 is slidably fitted to the guide groove 40.例文帳に追加
また、バッテリターミナル用カバー30の側壁33には、第1案内溝37と、連接点Jを介して第1案内溝37から連続形成される第2案内溝38とからなる案内溝40を備え、案内溝40には支持軸26が摺動自在に嵌合する。 - 特許庁
The photoelectric conversion device is almost spherical, a pn junction is constituted by coating a p-type amorphous SiC (abbreviated name a-SiC) plies or layers 8 with large optical band gap rather than a-Si on the periphery of an n-type amorphous silicon (abbreviated name a-Si) plies or layers 7 by the side of centrum.例文帳に追加
光電変換素子はほぼ球状であり、中心側のn形アモルファスSi(略称a−Si)層7の外周面上に、a−Siよりも光学的バンドギャップが広いp形アモルファスSiC(略称a−SiC)層8を被覆し、pn接合を構成する。 - 特許庁
The unit 60 is provided with a paper discharging part 64, and when the unit 60 is attached to the body 2, the paper discharging part 64 is connected to a junction part 11 formed between the paper feeding device 30 of the unit 70 and the carrying roller 4.例文帳に追加
両面印刷用ユニット60には用紙排出部64が備えられ、両面印刷用ユニット60を本体2に装着した時には、用紙排出部64が、ジャム処理用ユニット70の給紙装置30と搬送ローラ4との間に設けられた合流部11に接続する。 - 特許庁
For example, when the angular frequency of the applied AC voltage is ω, by detecting a component which is changed by an angular frequency 2ω from among the capacitance signal with a lock-in amplifier (LCD) 17 and finding a position whose value takes an extreme value, the p-n junction position can be specified with high sensitivity and with high accuracy.例文帳に追加
たとえば、印加交流電圧の角周波数がωの場合、容量信号のうち角周波数2ωで変化する成分をロックインアンプ(LAD)17で検出し、その値が極値を取る位置を求めることにより、p−n接合位置を高感度・高精度に特定できる。 - 特許庁
This main part is internally formed with a hollow part 13 penetrating vertically, while brought into contact with the back face of a chassis 12, and this hollow part 13 is communicated in an antenna 1 by a through-hole 2a formed in an antenna junction 2, and communicated from an opening 1a formed at the top end of the antenna 1 to the outside.例文帳に追加
本体の内部に、シャシー12の背面に接して縦方向に貫通した空洞部13を形成させ、この空洞部13をアンテナ接栓2に形成した貫通孔2aによりアンテナ1の中に連通させ、更にアンテナ1の先端に設けた開口1aから外部に連通させたもの。 - 特許庁
Next, it is subjected to a second heat treatment in an atmosphere without external magnetic field, an exchange pinning magnetic field decreases, an anisotropy is generated in the pinned-synthetic composite layer due to generation of stress, and the magnetization direction of the pinned-synthetic composite layer is aligned in the long axis direction of magnetic tunnel junction elements.例文帳に追加
次いで、外部磁場のない雰囲気中において第2の熱処理が施され、交換ピンニング磁場が減少されると共に、発生応力によりピンドシンセティック複合層に異方性が生じ、ピンドシンセティック複合層の磁化方向が磁気トンネル接合素子の長軸方向に揃う。 - 特許庁
The reflection of infrared rays is controlled by forming a pn structure, pin structure, MIS structure, MIM structure or Schottky junction by stacking a translucent semiconductor film, a translucent electroconductive film, a translucent insulating film or the like on a glass substrate and electrically controlling the carrier concentration in these films.例文帳に追加
ガラス基板上に、透光性半導体膜、透光性導電膜、透光性絶縁膜等を積層して、pn構造、pin構造、MIS構造、MIM構造又はショットキー接合を形成し、それらの膜中のキャリア濃度を電気的に制御して赤外線の反射をコントロールする。 - 特許庁
An auxiliary circuit part 1 added to a step-up/down converter is equipped with capacitors C1 and C2 which are connected between the collectors and the emitters of transistors Q1 and Q2, and upper and lower auxiliary current paths are constituted between a junction X and a high-voltage power terminal T2 and a reference voltage terminal TS.例文帳に追加
昇降圧コンバータに付加される補助回路部1は、トランジスタQ1、Q2のコレクタ・エミッタ間に接続されるコンデンサC1、C2を備え、接続点Xと高圧電源端子T2及び基準電圧端子TSとの間に上方及び下方補助電流径路が構成される。 - 特許庁
A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip.例文帳に追加
チップ全面にHeイオンを照射して、n^-半導体層22とp^+拡散領域23とからなるPN接合面31の位置d1よりも浅い位置d2から深い位置d3までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域32を形成する。 - 特許庁
A joint part 24 forming a part of a surge tank 20 is formed with a bend part 42 bent inward of the surge tank 20, and the outer surface of the bend part 42 is provided with a rib 36 continuously to a junction 34 of the joint part 24 having the bent part 42 and other joint part 23.例文帳に追加
サージタンク20の一部を構成する接合部品24に、該サージタンク20内に向けて屈曲した屈曲部42が形成され、該屈曲部42の外面には、該屈曲部42を有する接合部品24と他の接合部品23との接合部34に連なるリブ36が設けられる。 - 特許庁
The semiconductor light emitting element comprises a p-type clad layer 11 consisting of a hexagonal-crystal SiC single crystal thin film; and a light emission layer 12 which consists of an alloy ZnO compound semiconductor having a wurtzite structure and a forbidden band width Eg not less than 1.8 eV and less than 3.1 eV, and forms a hetero junction with the clad layer 11.例文帳に追加
六方晶系SiC単結晶薄膜からなるp型クラッド層11と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Eg=1.8eV以上、3.1eV未満のZnO系化合物半導体混晶からなり、クラッド層11とヘテロ接合をなす発光層12とを備える。 - 特許庁
In this fixing structure 1; a retainer 32 of a band clamp 3 is wrapped around the outer circumference of the wire harness 2 connected to the upper surface 41a of the box body 41 of the electrical junction box 4, and the wire harness 2 is routed along a wire harness mounting portion 42 installed in a standing manner from the upper surface 41a of the box body 41.例文帳に追加
固定構造1は、電気接続箱4の箱本体41の上面41aに接続されるワイヤハーネス2の外周にバンドクランプ3の保持部32を巻き付けるとともに、該ワイヤハーネス2を箱本体41の上面41aから立設したワイヤハーネス取付部42に沿わせる。 - 特許庁
A pad electrode 3 formed on the surface of the semiconductor substrate 1 and a conductive terminal 20 formed on the backside are electrically connected through wiring layers (a first wiring layer 9 + a second wiring layer 16) formed along the junction surface of the semiconductor substrate 1 and the insulating substrate 7.例文帳に追加
半導体基板1の表面に形成されたパッド電極3と、その裏面に形成された導電端子20とを、半導体基板1と絶縁性基板7との接合面に沿って形成された配線層(第1の配線層9+第2の配線層16)を介して電気的に接続する。 - 特許庁
Thereby, the solid electrolyte material can be sintered in a sintering temperature range nearly equal to that of a fuel electrode material or an air electrode material, so that an electrolyte-electrode junction comprising the solid electrolyte, the fuel electrode and the air electrode can be manufactured by a co-sintering method.例文帳に追加
これにより燃料極材料、空気極材料とほぼ同じ焼結温度領域で固体電解質材料を焼結することができ、固体電解質、燃料極と空気極からなる電解質電極接合体を共焼結法により製造することが可能となる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a piezoelectric oscillator capable of simplifying a manufacturing process by dispensing with an ultrasonic junction process of a gold bump and a gold electrode pad for electric connection between a semiconductor component and a first container in the manufacturing process of the piezoelectric oscillator.例文帳に追加
本発明の目的は、圧電発振器の製造工程において、半導体部品と第1の容器との電気的接続のための金バンプと金電極パッドの超音波接合工程を不要とし、製造工程の簡略化が可能な圧電発振器の製造方法を提供することにある。 - 特許庁
Since a region, doped very lightly and emitting light at a p-n junction through quantum restraint effect, is provided and a structure resonating only with light in a specified wavelength band is added, superior efficiency is attained, while significantly enhancing wavelength selectivity.例文帳に追加
これにより、極端に浅くドーピングされてそのp−n接合部位で量子拘束効果により発光を起こるドーピング領域を備え、特定波長帯域の光のみを共振させる共振器構造が付加されているので、効率に優れ、かつ波長選択性が大きく向上される。 - 特許庁
While, a vaporizer 9 is connected via LPG solenoid valve 8B to the upper side other end pipe port of the branch conduit 15 and connected to the other end of the junction pipe 12 connected to plural LPG injections 13 for forcedly jetting and distributing LPG vaporized inside respective cylinders.例文帳に追加
一方、分岐導管15の上側他端管口には、LPGソレノイドバルブ8Bを介してベーパライザ9を接続し、このベーパライザ9と各シリンダー内部に気化したLPGを強制的に噴射分配するための複数のLPGインジェクション13に接続したジャンクションパイプ12の他端とを接続する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a super junction structure wherein a dislocation defect does not easily occur in a filled epitaxial layer of a second conductivity type for the purpose of further improving the quality of the region of the second conductivity type formed inside a trench.例文帳に追加
トレンチ内に形成する第2導電型の領域の更なる高品質化を目的に、前記第2導電型の充填エピタキシャル層に転位欠陥が発生しにくいスーパージャンクション構造を有する半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The multilayered photoelectric transfer device has a lamination structure, which comprises (a) a first photoelectric transfer layer having a titanium oxide coating electrode, electrolyte and paired electrodes; and (b) a second photoelectric transfer layer having a positive and negative electrode on both faces of a silicon substrate having a p-n junction.例文帳に追加
(a)酸化チタン被着電極、電解質および対電極部を有する第一の光電変換層と、(b)p−n接合を有するシリコン基板の両面に正負電極部を有する第二の光電変換層との積層構造を有する多層型光電変換装置。 - 特許庁
One-dimensional simulation is performed to a junction structure including an npn structure or pnp structure having an impurity concentration equal to that of an n-type region and a p-type region in a semiconductor device to obtain one-dimensional simulation value for a depleted layer in the semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置に含まれるn型領域およびp型領域と同一の不純物濃度を有するnpn構造若しくはpnp構造を含む接合構造に対して一次元シミュレーションを行って、半導体装置における空乏層についての一次元シミュレーション値を取得する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device, reducing a displacement between a protruding electrode and a solder electrode, and forming a junction electrode of a drum shape covering the protruding electrode, when the protruding electrode provided in a semiconductor element is joined to the solder electrode provided in a circuit board.例文帳に追加
半導体素子に設けられた突起電極と回路基板に設けられたはんだ電極とを接合する際に、突起電極とはんだ電極との位置ずれを低減し、突起電極を被覆した鼓状の接合電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Jointing is performed in an atmosphere by a jointing material containing a metal oxide particle having an average grain size of 1 nm to 50 μm and a reducing agent made of an organic matter, thus obtaining an improved junction strength to an oxide formed on the surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加
平均粒径が1nm〜50μmの金属酸化物粒子と有機物からなる還元剤とを含む接合材料により、大気雰囲気中において接合を行うことで半導体基体表面に形成した酸化物に対して優れた接合強度が得ることができる。 - 特許庁
To provide a metal-ceramics joint base that can be manufactured at low cost, wherein a metallic circuit board has good heat and electrical conductivity and provides high reliability of junction between a clad member and a ceramics board as a metallic circuit board, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
金属回路板の熱伝導性および電気伝導性が良好であり、金属回路板としてのクラッド材とセラミックス基板との接合の信頼性が高く、且つ安価に製造することができる、金属−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a microchip that easily disposes vents for preventing non-junction without any arrangement and space limitations and can be disposed easily to a channel pattern in a miniaturized and integrated microchip having a complex channel pattern.例文帳に追加
複雑な流路パターンを有し、小型化、集積化したマイクロチップにおいて、未接合を防止する脱気孔を配置制限やスペース制限を受けることなく簡易に配置することができ、また流路パターンに適合するように簡易に配置することができるマイクロチップの製造方法を提供すること。 - 特許庁
The electronic element has a PN junction formed by joining a first semiconductor layer and a second semiconductor layer together, wherein the first semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a copper oxide, and the second semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a rare earth iron oxide.例文帳に追加
第1の半導体層と第2の半導体層とを接合させて形成したPN接合を備えた電子素子において、第1の半導体層を、酸化銅で形成した酸化物半導体層とし、第2の半導体層を、希土類鉄酸化物で形成した酸化物半導体層とする。 - 特許庁
A white diode driving voltage set at high voltage near the voltage of a commercial power supply is used to reduce driving current and make a junction FET type constant current element usable, and temperature characteristics of the element and tolerance thereof are improved to achieve miniaturization.例文帳に追加
本発明は白色ダイオード駆動電圧を商用電源と近い高電圧に設定したものを用いて、駆動電流を減らして、ジャンクションFET型定電流素子を使用可能とし、その素子の温度特性と交差を改善しかつ小型化を実現するものである。 - 特許庁
The Fe-based electrode layer takes in the carbon as a by-product of a sinter processing process for the ohmic electrode to suppress an increase in contact resistance between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode, caused by accumulation of carbon on a junction interface between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode.例文帳に追加
Fe系電極層が、オーミック電極のシンター処理工程における副生成物であるカーボンを取り込むことによって、カーボンがSiC半導体基板とオーミック電極との接合界面に堆積してSiC半導体基板とオーミック電極とのコンタクト抵抗が高くなることを抑制できる。 - 特許庁
To provide a porous electrode substrate having a low apparent thermal diffusivity in a thickness direction and also having a high flooding resistance even under a high humidity condition or in a high current density region, as well as a membrane-electrode junction and a polymer electrolyte fuel cell using the substrate.例文帳に追加
厚み方向の見かけの熱拡散率が低く、高加湿条件下または高電流密度領域においてもフラッディング耐性の高い多孔質電極基材、ならびにその基材を用いてなる膜−電極接合体および固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁
To provide a laser wavelength converter that prevents an optical element junction body in a resonator of the laser wavelength converter from peeling in the middle of image display while made to be compact, thereby an image can be stably displayed, and to provide an image display device using the laser wavelength converter.例文帳に追加
小型化を実現しつつ、画像表示途中でのレーザ波長変換装置における共振器内部の光学素子接合体の剥離を防止し、その結果、安定して画像を表示することができるレーザ波長変換装置及びこれを用いた画像表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
A roof structure having the deck plates comprises: deck plates 1 which are installed across beams and integrated with the junction structure, a heat insulation plate made of a foam resin which is installed on the deck plates 1, and a waterproof sheet installed on the heat insulation plate.例文帳に追加
梁に渡ってデッキプレート1が設置されていると共に、そのデッキプレートは、前記接合構造により一体化され、前記デッキプレート1の上に発泡樹脂製の断熱板が設置され、その断熱板の上に防水シートが設けられているデッキプレートを備えた屋根構造とする。 - 特許庁
To provide a wiring board mounting components having leads that can be miniaturized, can stably fix the components having leads against a temperature change, and can freely design a conductive circuit, to provide a manufacturing method of the wiring board and an electric junction box for accommodating the wiring board.例文帳に追加
小型化することができ、また、温度変化に対してリード付き部品を安定して固定することができ、さらに、導体回路を自由に設計することができるリード付き部品を実装した配線基板とその製造方法、および前記配線基板を収容した電気接続箱を提供する。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|