「layer 2」に関連した英語例文の一覧と使い方(543ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface of a metal substrate 2 is energized by, for example, a laser treatment, coated with primer comprising a predetermined compound in the state that a metal hydroxide 2a is formed on the substrate surface, and the compound in the primer layer 3 is directly bonded by covalent bonding to the hydroxyl group of the metal hydroxide 2a.例文帳に追加

金属基材２の表面に、例えばレーザー処理によってエネルギーを加え、当該基材表面に金属水酸化物２ａを形成した状態で所定の化合物を含むプライマーを塗布し、当該プライマー層３中の上記化合物を上記金属水酸化物２ａの水酸基に直接共有結合させる。 - 特許庁

The diamond film-carbon thread composite material 1, where the carbon threads 3 are formed on the surface of the diamond layer 2, is thus obtained.例文帳に追加

そして、少なくとも炭化水素を含む原料ガスを使用して、プラズマ気相蒸着法又は熱フィラメント気相蒸着法により１乃至３０分間処理して、ダイヤモンド膜２から直接的にカーボン細線３を成長させて、ダイヤモンド膜２の表面上にカーボン細線３が形成されたダイヤモン膜・カーボン細線複合材料１とする。 - 特許庁

The paste composition is a paste composition for forming a catalyst layer in which (2) a hydrogen ion conductive polymer electrolyte and (3) a solvent are blended into (1) an aqueous dispersion of catalyst carrier carbon particles, the solvent is at least one kind of solvents selected from a group composed of propylene glycol, ethylene glycol, diethylene glycol and N-methylpyrrolidone.例文帳に追加

本発明の触媒層形成用ペースト組成物は、（１）触媒担持炭素粒子の水分散液に（２）水素イオン伝導性高分子電解質及び（３）溶剤を配合した触媒層形成用ペースト組成物であって、溶剤がプロピレングリコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール及びＮ−メチルピロリドンからなる群より選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁

A ceramic paste containing an antistatic agent in addition to ceramic powder, an organic solvent, and an organic binder, is used for forming a ceramic green layer 5 for step absorption on a main surface of a ceramic green sheet 2 to substantially eliminate the step caused by the thickness of inner electrodes 1.例文帳に追加

内部電極１の厚みによる段差を実質的になくすためにセラミックグリーンシート２の主面上に段差吸収用セラミックグリーン層５を形成するようにし、この段差吸収用セラミックグリーン層５の形成のために、セラミック粉末、有機溶剤および有機バインダに加えて、帯電防止剤を含む、セラミックペーストを用いる。 - 特許庁

The semiconductor layer 54 has an n-type first semiconductor region 24 in contact with the first main electrode 20, a p-type second semiconductor region 58 in contact with the second main electrode 2, and an n-type third semiconductor region 12 provided between the first and second semiconductor regions 24 and 58.例文帳に追加

半導体層５４は、第１主電極２０に接触しているｎ型の第１半導体領域２４と、第２主電極２に接触しているｐ型の第２半導体領域５８と、第１半導体領域２４と第２半導体領域５８の間に設けられているｎ型の第３半導体領域１２を有している。 - 特許庁

This etching method is provided with a process wherein ion implantation is performed to a nitride based compound semiconductor layer 2 to form a region 4 to be etched by deteriorating crystallinity, and a process wherein the region 4 where crystallinity is deteriorated is removed selectively with respect to a region where crystallinity is not deteriorated by wet etching.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層２にイオン注入を行って結晶性を悪化させることにより被エッチング領域４を形成する工程と、ウエットエッチングにより、結晶性を悪化させた被エッチング領域４を結晶性が悪化していない領域に対して選択的に除去する工程とを備えている。 - 特許庁

cancer remains in the abdomen after surgery and at least one of the following is true: (1) cancer has spread to lymph nodes in the abdomen or pelvis (the part of the body between the hips); (2) cancer has spread to or through the surface of the peritoneum (the layer of tissue that lines the abdominal cavity and covers most organs in the abdomen); (3) a biopsy of the tumor was done during surgery to remove it; (4) the tumor was removed in more than one piece. 例文帳に追加

手術の実施後も腹部にがんが残存していて、なおかつ以下の条件の1つ以上が満たされる：（1）腹部のリンパ節または骨盤（左右の腰骨の間の領域）のリンパ節にがんの転移がみられる；（2）腹膜（腹腔の内側と腹部の大半の臓器の表面を覆っている組織層）の表面までもしくはそれを越えてがんが拡がっている；（3）腫瘍の摘出手術の際に生検が実施された；（4）摘出時に腫瘍が複数の断片に分けられた。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

A basic cell wall 2a, which is the basic one of the cell walls 2 and the cell wall being an element for forming the substantially perfect hexagonal cell 3a by six cell walls 2 without being combined with the skin layer 4, has ≤110 μm average thickness and ≥0.9 mm cell pitch.例文帳に追加

セル壁２のうち、スキン層４と組み合わせられることなく６つのセル壁２によって実質的に完全な六角形状のセル３ａを形成する要素となるセル壁である基本セル壁２ａの平均厚みが１１０μｍ以下であり、かつ、セルピッチが０．９ｍｍ以上であり、３つの基本セル壁２ａ同士の交点部分における、３つのセル開口部の輪郭に接する円の直径Ｄａと、セルピッチＰとの関係が、Ｄａ／Ｐ≧０．１３である。 - 特許庁

In the conductive paste including conductive particulates 1, a protective agent 2 (and/or dispersant) for restraining aggregation of the conductive particulates 1, an organic matter removing agent 3, and a solvent 4, the surface of each organic matter removing agent 3 is covered with a covering layer 5 for restraining or preventing chemical combination and/or chemical reaction by directly coming in contact with the protective agent 2 (and/or the dispersant).例文帳に追加

本発明の導電性ペーストは、導電性微粒子１と、前記導電性微粒子１の凝集を抑制するための保護剤２（および／または分散剤）と、有機物除去剤３と、溶剤４と、を含有する導電性ペーストであって、前記有機物除去剤３の表面が、前記保護剤２（および／または分散剤）に対して直接に接触して化学的に結合および／または反応することを抑制ないしは阻止する被覆層５によって、覆われていることを特徴としている。 - 特許庁

The electronic component package includes a circuit board 1 having a pair of main surface and edge, a capacitive humidity sensor 4 mounted on one main surface of the circuit board 1, a sealing resin 2 which seals the capacitive humidity sensor 4 on one main surface of the circuit board other than the edge, and an edge protective layer 3 which covers the sealing resin 2 at least on the edge of the circuit board 1.例文帳に追加

本発明の電子部品パッケージは、一対の主面及び端面を有する回路基板１と、前記回路基板１の一方の主面上に実装された容量型湿度センサ４と、前記回路基板の端面以外の前記一方の主面上において前記容量型湿度センサ４を封止する封止樹脂２と、前記回路基板１の少なくとも前記端面の封止樹脂２を覆う端面保護層３と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

A method of manufacturing a lithographic printing plate comprises: preparing a lithographic printing plate precursor comprising: i) a grained and anodized aluminum substrate where the anodic weight is between 6.0 and 20 g/m^2, having coated thereon; ii) a metallic layer; and image-wise exposing the precursor on an external drum thermal imaging device.例文帳に追加

ｉ）酸化アルミニウムフイルムの陽極重量が６．０〜２０ｇ／ｍ^^2である陽極酸化アルミニウムフイルムを含んでなる研磨されそして陽極酸化されたアルミニウム基材であって、その上に ｉｉ）金属層、をコーティングされているアルミニウム基材を含んでなる平版印刷版前駆体を用意し、そして該前駆体を外部ドラム熱的像形成装置において像通りに露出する、ことを含んでなる平版印刷版の製造方法を提供する。 - 特許庁

This thin film transistor has a gate electrode 2 formed on a transparent insulating substrate 1, a gate insulating film 3 covering the gate electrode 2, a semiconductor active layer 4 and an ohmic contact film 5 formed on the gate insulating film 3, a source electrode 6b, source wiring 6a, and drain electrode 7 formed on the ohmic contact film 5, and a pixel electrode 10 connected to the drain electrode 7.例文帳に追加

本発明に係る薄膜トランジスタは、透明絶縁基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に形成された半導体能動層４とオーミックコンタクト膜５と、オーミックコンタクト膜５上に形成されたソース電極６ｂ、ソース配線６ａ及びドレイン電極７と、ドレイン電極７に接続された画素電極１０とを備えたものである。 - 特許庁

Electrodes 61 and 62 are formed on the semiconductor substrate 2 around the T-type gate electrode 5, the hollow structure 7 is provided between the head part 52 of the T-type gate electrode 5 and the insulation layer 4 in order to isolate the head part 52 of the T-type gate electrode 5 and the electrodes 61 and 62 on the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２上に形成された絶縁層４と、絶縁層４上に、この絶縁層４に形成された穴９を通じて半導体基板２に接続して形成されたＴ型ゲート電極５とを有し、Ｔ型ゲート電極５の周囲の半導体基板２上に電極６１，６２が形成され、Ｔ型ゲート電極５の頭の部分５２と絶縁層４との間が中空構造７とされ、この中空構造７により、Ｔ型ゲート電極５の頭の部分５２と半導体基板２上の電極６１，６２とが離間されている半導体装置１を構成する。 - 特許庁

Here, the average diameter of the sparsely deposited particles is 20-80 nm, and the weight of the sparsely deposited particles of the tin alloy on the surface of the silver layer per unit area is from 2×10^-6 to 8×10^-6 g/cm^2.例文帳に追加

また、基材の面上に形成された銀層の表面に、粒子堆積工程により点析されてなるＳｎ−Ｃｏ合金の点析粒子が前記表面と垂直方向に重なることなく上面視で隙間があるように配置され、前記点析粒子の平均径が２０〜８０ｎｍであり、該銀層の表面の錫合金の点析粒子の単位面積当たり重量が２×１０^−６〜８×１０^−６ｇ／ｃｍ^２である粒子堆積物を、非酸化雰囲気で加熱して前記点析粒子を溶融させて被膜化することを特徴とする被覆方法である。 - 特許庁

In a laminate material, at least two or more membranes 2 comprising inorg. oxide are superposed on one surface of a nylon film 1 and a coating membrane comprising a primer compsn. containing a silane coupling agent or a polyester resin compsn. is provided on the membrane 2 and at least a heat-sealable resin layer 4 is laminated on the coating membrane 3.例文帳に追加

ナイロンフィルムの一方の面に、少なくとも、無機酸化物の薄膜を２層以上に重層し、多層化して設け、更に、該無機酸化物の薄膜の上に、シランカップリング剤を含むプライマ−組成物、または、ポリエステル系樹脂組成物によるコ−ティング薄膜を設け、更にまた、該コ−ティング薄膜の上に、少なくとも、ヒ−トシ−ル性樹脂層を積層したことを特徴とする積層材およびそれを使用した包装要容器に関するものである。 - 特許庁

Further, Si base precipitated particles having a size of 0.05 μm to 2.0 μm are distributed with a concentration of 400 or more particles per 10,000 μm^2 in the skin material layer of the Al-low Si base alloy existing in the surface of the structure body in the clad material.例文帳に追加

Ｍｎ０．５〜１．５％を含むＡｌ−Ｍｎ系合金を芯材とし、その少なくとも片面に、１．５％以上で３．０％未満のＳｉを含有するＡｌ−低Ｓｉ合金の皮材層を配したクラッド材を用い、ろう付けにより組立てられた構造体であって、かつクラッド材における構造体表面に存在するＡｌ−低Ｓｉ合金皮材層内に、０．０５μｍ〜２．０μｍのＳｉ系析出粒子が１００００μｍ^2当り４００個以上分布している熱交換器用アルミニウムろう付け構造体。 - 特許庁

In this method for manufacturing the organic EL element by forming a first electrode, one or more organic layers and a second electrode in order on a substrate, in any process before the film formation of the organic layer after forming a wiring electrode on the substrate, dry ice particles supplied from a dry ice supply means 3 are sprayed onto the substrate 2 together with a transport fluid to clean the substrate 2.例文帳に追加

少なくとも基板上に第１の電極と１層または２層以上の有機層と第２の電極とを順次形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、少なくとも前記基板２上に配線電極を形成した後、有機層成膜までのいずれかの工程で、ドライアイス供給手段３から供給されるドライアイス粒子を移送流体と共に基板２上に吹き付けて洗浄を行う有機ＥＬ素子の製造方法および装置とした。 - 特許庁

A base material 2A, a support membrane 2B having communication holes 2b, and a separation function layer 2C are laminated in turn to form the reverse osmosis composite membrane.例文帳に追加

基材２Ａと、連通孔２ｂを有する支持膜２Ｂと、分離機能層２Ｃとをこの順に積層して成り、かつ、膜厚方向に５.５MPaの圧力を３時間加え、解除した後の支持膜の平均膜厚をｔ_0（μｍ），純水透過係数をｐ_0（ｇ／cm^2・ｓ・MPa）とし、引き続き、膜厚方向に１０MPaの圧力を３時間加え、解除した後の支持膜の平均膜厚をｔ_1（μｍ），純水透過係数をｐ_0（ｇ／cm^2・ｓ・MPa）としたとき、ｔ_0，ｐ_0，ｔ_1およびｐ_1が次式（１）および（２）を同時に満足している逆浸透複合膜。 - 特許庁

A resin layer containing conductive particles is provided on the surface of a metal sheet for forming the resin-coated metal sheet which satisfies the expressions: 2.0≤t≤16 (1), 0.25t≤r≤2t (2), and SD=(d_84-d_16)/2≤0.8r例文帳に追加

本発明の樹脂被覆金属板は、導電性粒子を含有する樹脂層が金属板の表面に設けられている樹脂被覆金属板であって、前記樹脂層の膜厚をｔ（μｍ）、前記導電性粒子の体積平均粒子径をｒ（μｍ）及び前記導電性粒子の累積粒子径分布における累積率８４％の粒子径をｄ_84（μｍ）、累積率１６％の粒子径をｄ_16 （μｍ）としたときに、前記膜厚ｔ（μｍ）、前記体積平均粒子径ｒ（μｍ）、前記粒子径ｄ_84（μｍ）及びｄ_16（μｍ）が下記式を満足することを特徴とする。 - 特許庁

In this field emission element by forming cathode holes 11 having a prescribed diameter in islands of cathode electrode 2 right under emitter corns 7, the resistance R1 between the emitter corns 7 and the islands of cathode electrode 2 is determined by the film thickness of a resistance layer 4 and the diameter of the cathode holes 11, thereby the resistance R1 can be made larger than the conventional resistance between an emitter and a cathode.例文帳に追加

エミッタコーン７の直下とされる島状カソード電極２に所定径状のカソードホール１１を形成することで、エミッタコーン７と島状カソード電極２との間の抵抗値Ｒ１は、抵抗層４の膜厚とカソードホール１１の径状とによって決定されるものとなるため、エミッタコーン７と島状カソード電極２との間の抵抗値Ｒ１を、従来のエミッタ−カソード間の抵抗値に比べて大きくすることができる。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor element 2 mounted on a rectangular PBGA substrate 1 composed of an epoxy circuit board 11 having Cu wirings 12 in an inner layer, the semiconductor element 2 sealed with an epoxy resin 4, and mounting solder balls 5 disposed on the backside of the PBGA substrate 1.例文帳に追加

内層にＣｕ配線１２を有するエポキシ回路基板（１１）で構成される矩形のＰＢＧＡ基板１上に半導体素子２が搭載され、かつ半導体素子２がエポキシ樹脂４により封止されるとともに、ＰＢＧＣ基板１の裏面に実装用の半田ボール５が配設されている半導体装置において、ＰＢＧＡ基板１のコーナ部には、外方向に向けて放射状に突出された突起形状部１４がエポキシ回路基板（１１）を形成しているエポキシ樹脂により一体形成される。 - 特許庁

The liquid crystal element has a substrate and a liquid crystal layer supported by the substrate, wherein the substrate comprises a silane coupling agent expressed with a general formula (1) fixed thereto with a covalent bond.例文帳に追加

基板と、該基板に支持される液晶層とを有し、前記基板が、下記一般式（１）（Ｘ^1、Ｘ^2、Ｘ^3及びＸ^4は各々水素原子又は置換基を表し、Ｒ^1はニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換もしくは無置換のアルコキシ基を表し、Ｌ^1は２価の連結基を表し、Ｙ^1、Ｙ^2及びＹ^3は各々置換基を表すが、少なくとも一つは離脱基である）で表されるシランカップリング剤が共有結合により固定された基板である液晶素子である。 - 特許庁

This semiconductor device has a semiconductor chip 1, having a chip electrode 10, wiring 5 connected to the semiconductor chip 10, a soldering bump 12 connected to the wiring 5 and a substrate 2 formed on the semiconductor chip 1, and a resin layer 21 is provided on the substrate 2.例文帳に追加

チップ電極１０を有してなる半導体チップ１と、チップ電極１０に接続される配線５と、配線５に接続される半田バンプ１２と、半導体チップ１上に形成された基板２とを有してなり、基板２上に樹脂層２１が設けられてなることにより、基板２の反り・変形を防止することができるうえ、基板２の反り・変形に起因するプリント板１４と半田バンプ１２との接続部における破断の発生を防止することができる。 - 特許庁

The photosensitive layer contains at least one of the compounds shown by formula (I), wherein R^1 and R^4 each represent H, alkyl or aryl; R^2 represents halogen, alkyl or alkoxy; R^3 represents H, alkyl, aryl or a heterocyclic group; n represents an integer of 0 to 5; X represents O or S; and a substituent of each group is halogen, aryl or alkoxy.例文帳に追加

感光層が、下記一般式（Ｉ）、（式（Ｉ）中、Ｒ^1およびＲ^4は、水素原子、アルキル基、またはアリール基を表し、Ｒ^2は、ハロゲン原子、アルキル基、またはアルコキシ基を表し、Ｒ^3は水素原子、アルキル基、アリール基、または複素環基を表し、ｎは０〜５の整数を表し、Ｘは酸素原子またはイオウ原子を表し、置換基はハロゲン原子、アリール基またはアルコキシ基を表す）で示される化合物の少なくとも一種を含有する。 - 特許庁

This is a moisture recovery device 10 used for slip form method, and is equipped with connecting member 2 attached to the lower portion of the form 20, an attaching bracket 3 connected freely rotatably to the connecting member 2, and a recovering member 1 attached to the attaching bracket 3 so as to firmly adhere to the poured layer, thereby recovering the moisture flowing down from concrete being hardened.例文帳に追加

スリップフォーム工法に用いられる水分回収装置１０であって、型枠２０下部に取付けられる接続部材２と、この接続部材２に回動自在に連結された取付ブラケット３と、取付ブラケット３に取付けられ、打設された硬化進行中のコンクリートから排出されて先行打設層に流下する水分を回収するため、前記打設層に密着するように前記取付ブラケット３に取付けられた回収部材１とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

An electrophotographic photoreceptor 1 has a conductive support 2 and a photosensitive layer 3 arranged on the conductive support 2.例文帳に追加

導電性支持体２と導電性支持体２上に配置された感光層３とを有する電子写真感光体１であって、 感光層３が１種又は２種以上の電荷発生材料と１種又は２種以上の電荷輸送材料とフッ素系樹脂粒子とフッ素系グラフトポリマーとを含有し、 上記電荷発生材料のうち最小のイオン化ポテンシャルを有するものよりも小さいイオン化ポテンシャルを有する電荷輸送材料の上記電荷輸送材料の総量に対する質量比Ｘと、上記フッ素系グラフトポリマーの上記フッ素系樹脂粒子に対する質量比Ｙと、が下記式（１）で示される条件を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

Light can efficiently be emitted from a dopant using the pyrene compound as a host of a light-emitting layer of the organic electroluminescent device.例文帳に追加

（Ａｒ^1及びＡｒ^2は、置換基を有していてもよい、ピレン環由来の基及びフェナントロリン環由来の基以外の６員環からなる芳香族基を、Ｘ及びＺは、置換基を有していてもよいＣ５０以下の基を、Ｒ^1及びＲ^2は、ＨまたはＣ５０以下の基を表わす。Ｘ、Ｚ、Ｒ^1及びＲ^2は、アリールアミン構造及び直鎖アルケン構造を含まない。ｉ及びｊは、０以上５以下の整数であり、ｍ及びｎは、１以上５以下の整数である。但しｉ＋ｊは１以上である。ｉ、ｊ、ｍまたはｎがそれぞれ２以上のとき、一分子内に複数存在するＡｒ^1、Ａｒ^2、ＸまたはＺは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。）該ピレン化合物は有機電界発光素子の発光層のホストに使用するとドーパントを効率良く発光できる。 - 特許庁

When a distance between a vapor deposition source for forming the organic layer and a surface of the luminescent layer is defined as L(cm), the vapor deposition of the organic layer is performed under a condition satisfying 2.0≤Tb/L^2≤80.例文帳に追加

陽極、発光層、発光層に隣接する有機層、陰極をこの順に含む有機電界発光素子の作製方法であって、 前記発光層上への前記有機層の蒸着による形成に際し、 前記有機層を構成する成分のうち、１×１０^−２Ｐａにおける昇華開始温度が最も高い成分について、その昇華開始温度Ｔｂ（℃）が、前記発光層に最も多く含まれる成分のガラス転移温度をＴｅｍ（℃）とした時に、０．６０≧Ｔｅｍ／Ｔｂ≧０．３０を満足し、 前記有機層を製膜する際の蒸着源と前記発光層の表面との距離をＬ（ｃｍ）とした時、２．０≦Ｔｂ／Ｌ^２≦８０を満足する条件にて、前記有機層の蒸着を行うことを特徴とする有機電界発光素子の作製方法。 - 特許庁

For manufacturing a semiconductor device, the electrode formed side of which is encapsulated with resin, a semiconductor wafer 1 is kept attached to a resin sheet 2, and is cut along the boundaries of semiconductor elements, after the resin layer forming process.例文帳に追加

半導体素子の電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置の製造方法において、半導体ウェハ１を予め樹脂シート２に貼着して保持させておき、樹脂層形成工程後に半導体ウェハ１を半導体素子の境界線に沿って切断する際に、切断部位の樹脂層４のみをレーザ加工などの非接触加工によって除去して除去溝４ｂを形成した後に、湿式エッチングによって除去溝４ｂに位置する半導体ウェハ１ａをエッチング液の化学作用により溶解させて、半導体ウェハ１を個片の半導体素子１’に分離する。 - 特許庁

The area of a PN junction defined by the anode region 4 and the epitaxial layer 2 is increased in the depth direction along the inner wall of the trench in order to sustain the capacitance thus reducing the chip size.例文帳に追加

半導体基板１上に成長された同導電型のエピタキシャル層２上面に設けた多数個のトレンチ３と、前記エピタキシャル層２上面と前記トレンチ３の側面および底面に形成された逆導電型で低不純物濃度のアノード領域４とを備え、該アノード領域４と前記エピタキシャル層２で形成されるＰＮ接合領域の面積を前記トレンチ内壁に沿って深さ方向に増大させて容量値を維持してチップを小型化することを可能にした。 - 特許庁

The color reaction measuring machine 10 includes the sensor chip 1, where a light waveguide layer 3 including an incidence side grating 4a to which light enters and an emission side grating 4b from which the incidence light is emitted is provided on a main surface of a substrate 2.例文帳に追加

光が入射される入射側グレーティング４ａ及び前記入射光が出射される出射側グレーティング４ｂを含む光導波路層３が基板２の主面に設けられたセンサチップ１を備えた発色反応計測機１０において、前記入射側グレーティング４ａが、前記入射側グレーティング４ａのピッチ幅をDとしたとき、下式を成立させる間隔に形成され、前記入射側グレーティング４ａに入射される光が複数の波長を持つ光であることを特徴としている。 - 特許庁

In the method for manufacturing the embossed building material, a coated steel sheet having a coating film on a surface of a base steel sheet consisting of Ti-added steel kind without causing any strain ageing via a zinc-based, zinc-aluminum-based, or aluminum-based hot-dip layer is embossed with a die.例文帳に追加

歪時効の生じないＴｉ添加鋼種からなる基材鋼板の表面に亜鉛系、亜鉛−アルミニウム系またはアルミニウム系溶融めっき層を介して塗膜を有する塗装鋼板を、金型によりエンボス加工するに際し、 Ｔ℃における基材鋼板の０.２％耐力をＹＳ_T（Ｎ／ｍｍ^2）、全伸びをＴ.Ｅｌ_T（％）と表すとき、エンボス加工開始時の材料温度ＴＷ（℃）を下記（１）式および（２）式が成立する範囲とするエンボス加工建材の製造方法が提供される。 - 特許庁

The method of surface treatment by anodizing comprises: a pretreatment step of removing impurities and an oxide layer present on the surface of magnesium or a magnesium alloy using a strongly alkaline aqueous solution; and a micro-arc plasma anodization step of immersing the pre-treated magnesium or magnesium alloy in an alkaline electrolyte and applying a direct current having a current density of 3 A/dm^2 or less to the electrolyte to form a magnesium oxide coating.例文帳に追加

開示した陽極酸化表面処理方法は、強アルカリの水溶液を利用してマグネシウム又はマグネシウム合金表面の異物質と酸化層を除去する前処理工程と；該前処理工程を経たマグネシウム又はマグネシウム合金をアルカリ電解液中に浸した後、電流密度が３Ａ／ｄｍ^２以下の直流電流を加えてマグネシウム酸化物の皮膜コーティング層を形成する微細アークプラズマ陽極酸化工程とを含む。 - 特許庁

The copper foil for the printed wiring board is set to be used while stuck on a surface of the insulating substrate 4, and a flattening copper plating layer 2 which gives a kurtosis Rku of ≤4 and a skewness Rsk of ≤0 to a roughness curve, defined by JIS B0601-2001, of a surface set to be stuck on the insulating substrate 4 is provided on an original foil 1.例文帳に追加

絶縁性基板４の表面に対して張り合わされて用いられるように設定されたプリント配線板用銅箔であって、前記絶縁性基板４に対して張り合わされるように設定された面のＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１で定義される粗さ曲線のクルトシスＲｋｕを４以下にすると共にＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１で定義される粗さ曲線のスキューネスＲｓｋを０以下にする平坦化銅めっき層２を、原箔１上に設ける。 - 特許庁

Relating to the asymmetric directional coupler type wavelength filter constituted by combining two optical waveguides 1, 2 with different wavelength dependency of a propagation constant, a part 11 of a clad layer of one side optical waveguide 1 is formed from photobleachable polysilane, and this photobleachable polysilane is irradiated with ultraviolet rays, and by adjusting its irradiation intensity, irradiation time and irradiation wavelength, the filter central wavelength is set to the desired value.例文帳に追加

伝播定数の波長依存性が異なる二つの光導波路（１）（２）が組み合わされてなる非対称方向性結合器型波長フィルタにおいて、一方の光導波路（１）のクラッド層の一部（１１）をフォトブリーチ性ポリシランにより形成し、このフォトブリーチ性ポリシランに対して紫外線を照射し、その照射強度、照射時間、および照射波長を調整することにより、フィルタ中心波長を所望値にする。 - 特許庁

The electrochromic device which has a pair of electrode structures 11, 12 comprising transparent electrodes 2, 7 and porous electrodes 4, 8 formed on supporting substrates 1, 6, and disposed interposing an electrolyte layer 5 in between, wherein the porous electrode 4 constructing the electrode structure has a triphenylmethane compound supported thereon, and reversible coloring and discoloring is conducted by subjecting the compound to electrochemical oxidation or reduction reaction, is provided.例文帳に追加

支持基板１，６上に、透明電極２，７と多孔質電極４，８とが形成されている一対の電極構造体１１，１２が、電解質層５を挟持して配置されており、電極構造体を構成する多孔質電極４に、トリフェニルメタン化合物が担持されており、この化合物が、電気化学的に酸化反応あるいは還元反応を起こすことによって、可逆的に発消色するエレクトロクロミック装置を提供する。 - 特許庁

A foaming sheet 1 of three layer constitution comprising a cap film 11 made of plastic and provided with a large number of protrusions, a flat back film 12 attached to the bottom faces of the protrusions, and a flat liner film 13 attached to the tops of the protrusions is bent in corrugated shape and placed at the center, and the bottom face is fixed to a base sheet 2 made of plastic.例文帳に追加

プラスチック製で多数の突起を設けたキャップフィルム１１、その突起の底面に貼り合わせた平坦なバックフィルム１２、および突起の頂を連ねて貼り合わせた平坦なライナーフィルム１３からなる三層構成の気泡シート１をコルゲート状に屈曲させたものを中心に置き、その底面をプラスチック製のベースシート２に固定するとともに、頂面にもプラスチック製のカバーシート３をのせる。 - 特許庁

Thus, formed structure makes the catalyst layer 2 including silver and palladium decrease overvoltage by lowering electric resistance and improving catalytic activity, and makes the electroconductive substrate 3 provide superior gas supply properties because of its porosity and improved electroconductivity. Accordingly, the cathode can decrease the overvoltage, reduce the resistance component, improve durability, and can be used for the brine electrolysis of which the electrolysis condition is harsh among electrolysis reactions.例文帳に追加

銀とパラジウムを含む前記触媒層２により、抵抗の低減、触媒活性の向上による過電圧の低減を図る事ができ、前記導電性基体３は多孔性かつ導電性の向上によりガス供給性に優れる構成となっていて、過電圧の低減、抵抗成分の低減かつ耐久性の向上が達成でき、電解反応の中でも電解条件が過酷な食塩電解用陰極として用いることができる。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out in a manner, where a phosphorus junction layer 2 provided with an N++ part heavily doped with phosphorus on its surface is formed on a P-type silicon substrate 1, a surface electrode 6 is formed on the N++ part 3, and a back face electrode 7 is formed on the rear of the P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

少なくともＰ型シリコン基板１に、リンが高濃度にドープされたｎ^^++部を表面に有するリン接合層２を形成した後、該ｎ^++部３上に表面電極６を形成し、Ｐ型シリコン基板裏面に裏面電極７を形成する太陽電池の製造方法において、前記リン接合層の形成は、リンを含んだ有機シリカ化合物ペースト１５を表面電極が形成されるパターンに対応してＰ型シリコン基板１に印刷し、該Ｐ型シリコン基板に気相リン拡散熱処理を施すことにより、ｎ^++部３を表面に有するリン接合層を形成する太陽電池の製造方法。 - 特許庁

In this stent delivery system, a shaft 2 of the balloon catheter constituting the stent delivery system has a layer formed by applying and drying a specific surface coating composition and having lubricity in its wetting state, and a balloon 1 is formed by applying the surface coating composition, then further treating with at least one selected from a group including water or lower alcohol and drying.例文帳に追加

ステントデリバリーシステムを構成するバルーンカテーテルのシャフト２は、特定の表面コーティング用組成物を塗布、乾燥してなる湿潤時に潤滑性を有する層を有し、バルーン１は、前記表面コーティング用組成物を塗布した後、水または低級アルコールからなる群より選ばれる少なくとも１種で、更に処理し、乾燥することにより形成されていることを特徴とするステントデリバリーシステムを提供した。 - 特許庁

The surface of the outer coating layer 2 is structured, and a recessed part 3 formed by structuring is filled with filler 4 made of an easily evaporable metal or metal alloy to obtain the surface with a small roughness.例文帳に追加

金属、導電セラミック等を放電侵食加工により切断するためのワイヤ電極であって、金属又は金属合金から成る単一の芯１または複合芯が設けられており、侵食加工の際に消耗する少なくとも１つの被覆層２が設けられている形式のものにおいて、外側の被覆層２の表面が構造化されて形成されていて、構造化により形成された凹部３に、粗さの小さい表面を得るために、容易に蒸発可能な金属から成る充填材４もしくは金属合金が充填可能である。 - 特許庁

The first combustion furnace 1 is equipped with a combustor 2 designed to burn the raw material within the range of about 450 to about 600°C from the lower part of the raw material layer at the bottom of the raw material combustion chamber 10 with the direct fire.例文帳に追加

廃タイヤ等を原料とした廃タイヤ等乾留炭化装置であって、内部が原料燃焼室１０に形成された第１燃焼炉１と、内部が生成ガス燃焼室４０に形成された第２燃焼炉４がガス通路３を介して連通され、前記第１燃焼炉に、原料燃焼室の底部で原料をその原料層の下部から直火によって略４５０℃〜略６００℃の範囲で燃焼させていくようにした燃焼装置２が設けられている。 - 特許庁

The thermosetting hardenable adhesive tape or sheet has a structure in which a thermosetting hardenable adhesive layer made from a thermosetting hardenable adhesive composition comprising an acrylic polymer (X) comprising a monomer component essentially consisting of an alkyl (meth)acrylate (a) with a 2 to 14C alkyl group and a cyano-containing monomer (b) and a phenolic resin (Y) is protected by a release liner substantially free from any silicone component.例文帳に追加

熱硬化型粘接着テープ又はシートは、モノマー成分として、アルキル基の炭素数が２〜１４である（メタ）アクリル酸アルキルエステル（ａ）およびシアノ基含有モノマー（ｂ）を少なくとも含有するアクリル系ポリマー（Ｘ）と、フェノール樹脂（Ｙ）とを含有している熱硬化型粘接着剤組成物による熱硬化型粘接着剤層が、シリコーン成分が実質的に含まれてない剥離ライナーにより保護された構造を有している。 - 特許庁

A field effect transistor uses carbon nanotubes as channels, wherein the drain electrode and the source electrode are connected in series with a plurality of carbon nanotubes, and carbon nanotubes 1, in contact with the gate via a gate insulating layer, are doped to have an n-type or a p-type, and carbon nanotubes 2, in contact with the source and drain electrodes, are doped in a complementary fashion with the carbon nanotubes 1.例文帳に追加

本発明に係る電界効果型トランジスタは、カーボンナノチューブをチャネルに用いる電界効果型トランジスタにおいて、ドレイン電極とソース電極が複数のカーボンナノチューブで直列に接続されていて、ゲートとゲート絶縁層を介して接しているカーボンナノチューブ１がｎ型またはｐ型にドーピングされて、ソースおよびドレイン電極と接触しているカーボンナノチューブ２がカーボンナノチューブ１とは相補的にドーピングされていることを特徴とする。 - 特許庁

In the silver halide photographic sensitive material with a silver halide emulsion layer on the base, a matting agent obtained by copolymerizing a nonionic ethylenically unsaturated monomer with an ethylenically unsaturated monomer other than an anionic monomer and (1) a specified polyoxyethylene- containing nonionic surfactant, (2) a specified fluorine-containing surfactant or (3) a water-soluble polymer are contained.例文帳に追加

支持体上にハロゲン化銀乳剤層を有するハロゲン化銀写真感光材料において、該ハロゲン化銀写真感光材料がノニオン性のエチレン性不飽和モノマーとアニオン性以外のエチレン性不飽和モノマーとを共重合したマット剤及び 特定のポリオキシエチレン基含有ノニオン界面活性剤、又は 特定の弗素含有界面活性剤、又は 水溶性ポリマー、を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。 - 特許庁