「layer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for processing target objects includes: a heat-mode resist layer formation step in which the heat-mode resist layer is formed on top of a substrate; and a micro-hole/groove formation step in which the heat-mode resist layer is irradiated multiple times by laser light, thereby forming micro-holes or grooves.例文帳に追加

基材上にヒートモードレジスト層を形成するヒートモードレジスト層形成工程と、前記ヒートモードレジ スト層に対してレーザ光を複数回照射して微細穴乃至溝の形状を形成する微細穴乃至溝形成工程とを含む被加工物の加工方法である。 - 特許庁

On a bottom surface of a connection hole 8 formed on the metal cap layer 6 consisting of a Cu wiring portion CL1, a silicide region 6s, and a non-silicide region 6n, a barrier metal layer 13a and the silicide region 6s of the cap metal layer 6 are selectively removed through Ar sputtering processing.例文帳に追加

Ｃｕ配線部ＣＬ１及びシリサイド領域６ｓ及び非シリサイド領域６ｎよりなるキャップメタル層６上に形成される接続孔８の底面において、Ａｒスパッタ処理により、バリアメタル層１３ａ及びキャップメタル層６のシリサイド領域６ｓを選択的に除去する。 - 特許庁

The decorative sheet S comprising a polyolefinic resin and having an embossed pattern 4 formed by emoss processing is constituted by laminating an upper layer 2 comprising a crystalline polyolefinic resin and a surface protective layer 3 comprising cured matter of an ionizing radiation curable resin on a lower layer 1 comprising an olefinic thermoplastic elastomer.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂からなりエンボス加工による凹凸模様４を有する化粧シートＳを、オレフィン系熱可塑性エラストマーの下層１上に、結晶性ポリオレフィン系樹脂の上層２、及び、電離放射線硬化性樹脂の硬化物の表面保護層３が積層された構成とする。 - 特許庁

Hairline processing is applied to the electrodeposition coating layer on the surface of the molded object made of the light alloy to expose a metal gloss surface, and a primer layer and a clear layer are applied to the hairline surface by electrostatic coating and the sum total thickness of the electrostatic coating layers is 2 μm or more.例文帳に追加

軽合金製の成形体の表面の電着塗装層にヘアライン加工を施し金属光沢面を露出させ、このヘアライン面の上に静電塗装によるプライマー層及びクリヤ層を施し、静電塗装層の厚みの合計が２μｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The magnetic recording medium in which a seed layer, a nonmagnetic substrate layer and a magnetic layer are sequentially deposited on a nonmetal substrate is obtained by executing texture processing for the surface of the nonmetal substrate, forming the films in the mixture of oxygen or nitrogen and an inactive gas, setting an oxygen or nitrogen concentration in the mixed gas to a specific concentration, and processing the surface of the seed layer by oxygen or nitrogen.例文帳に追加

非金属基板上に、シード層、非磁性下地層、および磁性層が順次成膜された磁気記録媒体において、前記非金属基板の表面にテクスチャ加工を施し、酸素または窒素および不活性ガスの混合ガス中で成膜し、かつ該混合ガス中の酸素濃度または窒素濃度を特定の濃度とし、さらに前記シード層の表面を酸素または窒素で処理することにより上記本発明の記録媒体を得る。 - 特許庁

To provide a substrate processing method for forming a wiring pattern on a substrate which can achieve reduction of the number of processing steps and prevention of an increase in apparatus configuration by simplifying layers below a photoresist layer, and can suppress a decrease in film thickness due to pattern formation processing.例文帳に追加

基板に配線パターンを形成する基板処理方法において、フォトレジスト層下の層をより単純化することにより工程数の削減、装置構成の増大抑制を実現でき、また、パターン形成処理に伴う膜厚減少を抑制することのできる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The rare-earth magnet 1 can be obtained by forming the protection layer 4 so that, after the magnet element assembly 2 is processed with a first processing agent containing metal ions and subsequently a second processing agent having a different pH from the first processing agent, the inorganic particles 6 separated thereby are covered.例文帳に追加

この希土類磁石１は、磁石素体２を、金属イオンを含む第１の処理液、及び、第１の処理液とは異なるｐＨを有する第２の処理液で順に処理した後、これによって析出した無機粒子６を覆うように保護層４を形成することで得ることができる。 - 特許庁

A wiring board plasma-processing device includes, in the same plasma processing chamber 109, a plasma source, a surface processing unit 106 for performing a pretreatment of the board 102 to be processed, and a plurality of sputtering film deposition units 107, 108 for forming a seed layer formed of a plurality of films.例文帳に追加

同一のプラズマ処理室１０９内に、プラズマ源を備え、被処理基板１０２の前処理を行なう表面処理部１０６と、複数の膜によって形成されたシード層を形成する複数のスパッタ成膜部１０７、１０８を備えた配線基板プラズマ処理装置とする。 - 特許庁

To provide a processing method for a planographic printing plate capable of subjecting a planographic printing plate having a photopolymerizable photosensitive layer using a high-fineness screen in image exposure to development processing without the occurrence of image defects, such as unevenness in processing and the like, for a long period of time, and an automatic development apparatus.例文帳に追加

画像露光において高精細スクリーンを用いる光重合性感光層を有する平版印刷版を長期間にわたって処理むら等の画像欠陥を生ずることなく現像処理できる、平版印刷版の処理方法及び自動現像装置を提供する。 - 特許庁

This method comprises connecting processing points called peer modules in data processing by link modules to set a stream data path, and scheduling in a single execution context to attain processing of high performance, and attaining these in layer configuration to achieve high portability and easiness in development.例文帳に追加

本方法は、データ処理においてピアモジュールと呼ぶ処理ポイントをリンクモジュールで接続してストリームデータパスを設定し、単一の実行コンテキストでスケジューリングを行うことで、高性能な処理を可能とし、これらをレイヤ構成で実現することで高い移植性、および開発容易性を実現した。 - 特許庁

In this thermal infrared solid-state image sensor provided with a detection part and a signal processing part for processing a signal transmitted from the detection part, which are provided on the same silicon substrate, the thickness of the insulating film of the detection part is set smaller than that of the interlayer separation layer of the signal processing part.例文帳に追加

検出部と検出部から送られた信号を処理する信号処理部とが、同一シリコン基板上に設けられた熱型赤外線固体撮像装置において、検出部の絶縁膜の膜厚を、信号処理部の層間分離層の膜厚より小さくする。 - 特許庁

To efficiently manufacture a semiconductor wafer processing tape by applying an adhesive only to required portions and reducing cutting processes of an adhesive layer as far as possible, as for a method of manufacturing the semiconductor wafer processing tape and the semiconductor processing tape manufactured by the method.例文帳に追加

半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び当該製造方法により製造される半導体ウエハ加工用テープにおいて、必要な部分にのみ接着剤を塗布し、接着剤層のカット工程をできるだけ削減することで、該半導体ウエハ加工用テープを効率良く製造する。 - 特許庁

In the method of processing a semiconductor wafer using an adhesive tape for semiconductor processing, an adhesive caused by the semiconductor processing adhesive tape can be prevented from remaining by protecting a circuit formed on the semiconductor wafer with a protective layer made of water-soluble polymer.例文帳に追加

半導体加工用粘着テープを用いた半導体ウエハの加工方法であって、水溶性ポリマーからなる保護層により前記半導体ウエハ上に形成された回路を保護することにより、半導体加工用粘着テープに起因する粘着剤の糊残りを防止する半導体ウエハの加工方法。 - 特許庁

In the etching method, a first step performing plasma etching of an article 12 arranged in a processing chamber 5 by supplying etching gas 1 into the processing chamber, and a second step for forming a passivation layer in the etching portion of the article by supplying passivation gas 2 into the processing chamber are repeated alternately.例文帳に追加

エッチング方法は、処理室５内にエッチングガス１を供給して該処理室内に配置された被処理物１２のプラズマエッチングを行う第１の工程と、該処理室内にパッシベーションガス２を供給して被処理物のエッチング部にパッシベーション層を生成する第２の工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁

The method includes steps of forming a material layer which is used for the magnetoresistance effect element 23, forming the magnetoresistance effect element 23 by processing at least a part of the material layer, and forming a protecting film 24 covering sides of the magnetoresistance effect element 23 under consistent vacuum condition within a device which is formed by processing at least a part of the material layer.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリの製造方法は、磁気抵抗効果素子２３となる材料層を形成する工程と、材料層の少なくとも一部を加工し、磁気抵抗効果素子２３を形成する工程と、材料層の少なくとも一部を加工した装置内において、真空一貫状態で、磁気抵抗効果素子２３の側面を覆う保護膜２４を形成する工程と具備する。 - 特許庁

After performing crystal defect repair processing or crystal defect removal processing of the single crystal silicon layer, using stock gas at least containing silicon based gas, the stock gas is activated by plasma under the atmospheric pressure or near the atmospheric pressure to cause single crystal silicon layer epitaxial growth and a second impurity silicon layer is formed on the epitaxial grown surface side.例文帳に追加

単結晶シリコン層の結晶欠陥修復処理又は結晶欠陥除去処理を行った後、シラン系ガスを少なくとも含む原料ガスを用い、大気圧或いは大気圧近傍下で生成したプラズマにより原料ガスを活性化させ、単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させ、該エピタキシャル成長させた表面側に第２不純物シリコン層を形成する。 - 特許庁

Potentials of the 1st silicon layer 1a and 1st silicon layer 2b can, therefore, be set to arbitrary values irrelevantly to potentials of the signal processing circuit and movable part MV, and are held at a ground potential to enable use as a shield layer preventing the movable part MV and signal processing circuit part from malfunctioning owing to external noise etc.例文帳に追加

従って、信号処理回路及び可動部ＭＶの電位に関らず、第１のシリコン層１ａ及び第１のシリコン層２ａの電位を任意の値に設定することができるようになり、これら第１のシリコン層１ａ及び第１のシリコン層２ａの電位をグランド電位にすることで、外部ノイズ等による可動部ＭＶや信号処理回路部の誤動作を防ぐシールド層として利用することができる。 - 特許庁

A retrieval control part 40 sets a retrieval range in the reference image in the layer higher than the layer of interest by using the initial retrieval point determined by the determination part 70 as an initial retrieval point, causes the retrieval part 30 to execute retrieval processing within a retrieval range, and controls the retrieval part 30 to execute the retrieval processing from the bottom to the top layer.例文帳に追加

探索制御部４０は、決定部７０により決定された初期探索点を基準として、注目階層の１つ上の階層の参照画像における探索範囲を設定し、探索範囲内において探索部３０に探索処理を実行させ、当該探索処理が下位の階層から上位の階層に向けて実行されるように探索部３０を制御する。 - 特許庁

The adhesive tape for processing a semiconductor wafer is such that an intermediate resin layer and an adhesive layer are laminated on a base film, in this order, the intermediate resin layer is formed by curing an intermediate resin layer composition containing an adhesive component and a curing component, and the curing component contains an isocyanurate-type isocyanate curing agent.例文帳に追加

基材フィルム上に中間樹脂層および粘着剤層がこの順に積層されており、前記中間樹脂層が、粘着成分と硬化成分とを含む中間樹脂層組成物が硬化して形成されており、前記硬化成分が、イソシアヌレート型イソシアネート硬化剤を含むことを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープ。 - 特許庁

A first metal layer 51 formed on one main surface of a compound semiconductor crystal layer 2 and a second metal layer 53 formed on one main surface of a conductive substrate 6 are junctioned through a silver-based junction layer 52 obtained by reduction processing of silver oxide particle dispersed in a liquid-like or paste-like substance.例文帳に追加

化合物半導体結晶層２の一方の主表面に形成された第１金属層５１と、導電性基板６の一方の主表面に形成された第２金属層５３とを、液状またはペースト状の物質中に分散された酸化銀粒子を還元処理することにより得られる銀系接合層５２を介して接合する。 - 特許庁

By subjecting them to thermal processing to diffuse dopants onto them, a high-concentration emitter layer 5 and a low-concentration emitter layer 6 are formed, and an antireflection film 7 with a low refractive index is formed on the high-concentration emitter layer 5 and an antireflection film 8 with a high refractive index is formed on the low-concentration emitter layer 6 by using metal compounds contained in the dispersant agents.例文帳に追加

熱処理を行って、ドーパントを拡散させ、高濃度エミッタ層５および低濃度エミッタ層６を形成するとともに、拡散剤に含まれる金属化合物により、高濃度エミッタ層５の上に低屈折率の反射防止膜７を形成し、低濃度エミッタ層６の上に高屈折率の反射防止膜８を形成する。 - 特許庁

This tape for processing a semiconductor wafer includes an adhesive film composed of a base material film and a pressure sensitive adhesive layer formed on the base material film, and an adhesive layer formed on the pressure sensitive adhesive layer, wherein weight reduction in the pressure sensitive adhesive layer at the reflow temperature measured by differential thermal analysis is ≤1.5%.例文帳に追加

また、本発明の半導体ウエハ加工用テープは、基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、示差熱分析により測定した、リフロー温度における前記粘着剤層の重量減少が１．５％以下である。 - 特許庁

A method of etching a chromium layer comprises the steps of providing a substrate having a chromium layer partially exposed from a patterned carbon hard mask into a processing chamber; providing a process gas containing chlorine and carbon monoxide into an etching chamber; maintaining plasma of the process gas; and etching the chromium layer through the hard mask layer.例文帳に追加

クロム層をエッチングする方法は、パターン化された炭素ハードマスクから部分的に露出するクロム層を有する基板を処理チャンバ内に提供するステップと、塩素および一酸化炭素を含有するプロセスガスをエッチングチャンバの中に提供するステップと、プロセスガスのプラズマを維持するステップと、クロム層を炭素ハードマスク層を介してエッチングするステップとを含む。 - 特許庁

An arithmetic processing part 102 generates a correction gate polysilicon layer from the positional relation between a diffusion layer and an original gate polysilicon layer which constitute a transistor, based on original data for transistor configuration input from an input part 101 and a design reference stored in a storage part 103, and an output part 104 outputs the generated correction gate polysilicon layer, together with the original data.例文帳に追加

入力部１０１から入力されたトランジスタ構成のオリジナルデータと記憶部１０３に記憶されている設計基準に基づいて、演算処理部１０２にてトランジスタを構成する拡散層及びオリジナルゲートポリ層の位置関係から補正のゲートポリ層が発生し、発生した補正のゲートポリ層がオリジナルデータと共に出力部１０４から出力される。 - 特許庁

A device for generating middle layer signal synchronization such as a transport layer or a multiplex layer for a compressed multilayer video signal includes a counter 23 that responds to a system clock 22 in a system encoding terminal, and a counter value is put into a signal in a transport layer based on a predetermined schedule by a processing unit 13.例文帳に追加

圧縮された多層のビデオ信号のトランスポート層または多重層のような、中間層の信号の同期を発生させる装置は、システムの符号化端末において、システム・クロック２２に応答する計数器２３を含んでおり、計数値は処理装置１３により所定のスケジュールに従ってトランスポート層における信号に詰め込まれる。 - 特許庁

In a method for forming a polycrystalline silicon layer on the glass substrate, a thin film layer is formed on the glass substrate 50 by preheating the glass substrate 50, depositing an amorphous silicon precursor layer on the substrate at a primary temperature, and annealing the substrate in thermal processing chambers 52, 54, 56, 58 at a secondary temperature sufficiently higher than the primary temperature to substantially reduce hydrogen concentration in the precursor layer.例文帳に追加

ガラス基板５０を予熱し、その基板上に非結晶シリコン先駆層を一次温度で堆積させ、熱処理チャンバ５２，５４，５６，５８内において基板を一次温度よりも十分に高い二次温度でアニーリングして先駆層内における水素濃度を実質的に減少させることによってガラス基板５０上に薄膜層を形成できる。 - 特許庁

A device for generating middle layer signal synchronization such as a transport layer or a multiplex layer for a compressed multilayer video signal in a data transmission apparatus includes a counter 23 that responds to a system clock 22 in a system encoding terminal, and a counter value is put into a signal in a transport layer based on a predetermined schedule by a processing unit 13.例文帳に追加

圧縮された多層のビデオ信号のトランスポート層または多重層のような、中間層の信号の同期を発生させる装置は、システムの符号化端末において、システム・クロック２２に応答する計数器２３を含んでおり、計数値は処理装置１３により所定のスケジュールに従ってトランスポート層における信号に詰め込まれる。 - 特許庁

A colored layer applying process for applying and forming a negative photosensitive material 13 for a colored layer on a substrate 10A for forming the color filter, an exposure process for collectively exposing a colored layer forming area via the exposure mask 20 by a proximity exposure method and a processing process of developing, drying and baking treatment are performed to form the colored layer.例文帳に追加

カラーフィルタ形成用基板１０Ａに、ネガ型の感光性の着色層用材料１３を塗布形成する着色層塗布工程と、着色層形成領域をプロキシミティ露光方法により露光用マスク２０を介して一括露光する露光工程と、現像処理、乾燥、ベーキング処理のプロセス処理工程とを行い、着色層を形成する。 - 特許庁

A topology search part 151 performs topology search processing according to layers using physical connection information 152 and setting information 153 of each equipment as input and outputs topology 154 for over a plurality of layers consisting of topology 171 of a MAC layer, topology 172 of an IP layer, topology 173 of a TCP/UDP layer and topology 174 of an application layer.例文帳に追加

トポロジ探索部１５１は、物理接続情報１５２と各機器の設定情報１５３を入力として、レイヤ別のトポロジ探索処理を行い、ＭＡＣレイヤのトポロジ１７１、ＩＰレイヤのトポロジ１７２、ＴＣＰ／ＵＤＰレイヤのトポロジ１７３、およびアプリケーションレイヤのトポロジ１７４からなる、複数レイヤにわたるトポロジ１５４を出力する。 - 特許庁

A far infrared radiating material is mixed into a synthetic resin material or a coating material, surface layer processing is applied so that a far infrared radiating layer is formed on the vertebra, an additional function for activating a waterdrop by the effect of the far infrared rays radiated by the surface layer is exhibited, and the surface layer to which pigment is mixed can improve the appearance of the product.例文帳に追加

遠赤外線放射材を合成樹脂素材、又は塗料素材に混合し、バーティブラに遠赤外線放射層が形成された表層面加工を施工し、表層面より放射される遠赤外線の効果により水滴を活性化する付加機能を有し、顔料を混合した表層面が製品の美観を向上させることができる。 - 特許庁

The semiconductor heat processing heater has an aluminium nitride sintered body layer 1 where resistance heat generating elements 2 which resist and generate heat by power feeding from outside, a cooling body layer 3 which is laminated and integrated at the back of the aluminium nitride sintered body layer 1, and cooling medium passages 4 attached in the cooling body layer 3.例文帳に追加

外部からの給電で抵抗発熱する抵抗発熱素子２を埋め込み配置した窒化アルミニウム系燒結体層１と、前記窒化アルミニウム系燒結体層１の裏面側に積層一体化された冷却体層３と、前記冷却体層３に付設された冷却用媒体流路４とを有することを特徴とする半導体熱処理用ヒーターである。 - 特許庁

In a circular bearing seal in which an expanding portion of an elastic seal layer is formed at a periphery of the outside and inside of the bearing seal by means of punching press working after integrating the rubber-made elastic seal layer with a sheet steel, the elastic seal layer is set to reform its surface layer by using a reactive chemical surface processing agent of a chloride series after applying punching press working.例文帳に追加

ゴム製の弾性シール層を鋼板に一体化させた後の打抜きプレス加工により、その外及び内の周縁部に弾性シール層の膨出部が形成されているリング状の軸受用シールにおいて、弾性シール層は、打抜きプレス加工の後に、その表面層が、クロル系の反応性化学表面処理剤を用いて改質されたものである。 - 特許庁

Accordingly, as the second insulating film is protected with the layer 8 at the time of a processing using the ion milling, the second insulating film is never abnormally etched in the vicinities of the edges of the second metal wiring layer 122, a short-circuit between a first metal wiring layer 114 and the layer 122 is prevented from being generated, and the yield of the manufacture of the semiconductor device can be raised.例文帳に追加

したがって、イオンミリングによる加工時に、第２の絶縁膜はフォトレジスト層８により保護されているので、第２の金属配線１２２のエッジ近傍で第２の絶縁膜が異常にエッチングされることがなく、第１および第２の金属配線１１４、１２２間の短絡を防止して、製造歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁

In the structure, a contact protection layer is inserted on a p-type contact layer, and, by subjecting an insulating film to thermal processing after subjecting it to RIE, an opening for contact can be formed without inclusion of reactive ions in the p-type contact layer that causes the contact resistance to increase and without causing resistance of the p-type contact layer to increase by etching.例文帳に追加

本発明によるとp型コンタクト層上にコンタクト防護層を挿入した構造とし、絶縁膜RIE後に熱処理を行うことでコンタクト抵抗増加の影響を及ぼすp型コンタクト層への反応性イオンの侵入やp型コンタクト層のエッチングによる高抵抗化の影響を与えることなくコンタクト用開口部を形成することができる。 - 特許庁

Repeating the above processing, a step of the layer 72 of the most highest resolution side in which 4 lines of the black lines 70 can be resolved and detected (image resolution) is specified.例文帳に追加

上記の処理を繰り返して、４本の黒線７０を分解して検出（解像）できた、最も高解像度側の階層７２の段数を特定する。 - 特許庁

An activation thermal processing parameter may be calculated instead of the injection parameter, and the thickness of the alteration layer may be estimated from dry-etching conditions (S107).例文帳に追加

注入パラメータの代わりに活性化熱処理パラメータを算出してもよく、変質層の厚さをドライエッチング条件から推定（Ｓ１０７）してもよい。 - 特許庁

A processing circuit 20 decides that the hole bottom reaches the target inner layer when the value of the output signal of the detector 10 reaches a prescribed value or greater.例文帳に追加

処理回路２０は、検出器１０の出力信号がの値が予め定める値以上になると、穴底が目的とする内層に到達したと判定する。 - 特許庁

The business form output condition processing part 102 repeats it to a wholesaler of a topmost layer to specify a wholesaler and the retail store in a distribution route.例文帳に追加

帳票出力条件処理部１０２はこれを最上位層の卸業者まで繰り返し、流通経路における小売店及び卸業者を特定する。 - 特許庁

In a first processing, a first semi-dense pattern of lines is printed in a first resist layer superimposed on a substrate with bottom anti-reflection coating applied.例文帳に追加

第１の処理では、ラインの第１の半密パターンが、下層反射防止コーティングを施された基板の上に重なる第１のレジスト層内に印刷される。 - 特許庁

To provide a traffic distribution apparatus capable of more easily improving the throughput of a network on which a high-layer processing apparatus, such as an SLB or the like, is used.例文帳に追加

ＳＬＢ等の高位レイヤ処理装置が用いられたネットワークのスループットを、より容易に向上させることが出来るトラフィック分散装置を、提供する。 - 特許庁

The metal layer 4b can be provided at a low temperature and scattering matters accompanied by high-temperature processing can be suppressed, reducing objects sticking to the surface of the light-transmitting member.例文帳に追加

金属層４ｂを低温で被着でき、高温処理に伴う飛散物を少なくできるので、透光性部材表面の付着物を少なくできる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF COATING LIQUID FOR UPPERMOST LAYER OF ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, THE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR USING THE COATING LIQUID, PROCESSING CARTRIDGE, AND IMAGE FORMING DEVICE例文帳に追加

電子写真感光体の最表層形成用塗工液の製造方法及び該塗工液を用いた電子写真感光体、プロセスカートリッジ、および画像形成装置 - 特許庁

To provide a wafer processing tape which can be used in an expansion step for splitting an adhesive layer and has uniform and isotropic expansion property.例文帳に追加

接着剤層を分断するエキスパンド工程において使用可能な、均一且つ等方的な拡張性を有するウエハ加工用テープを提供すること。 - 特許庁

Since positioning is performed on the basis of the pattern of the light-shielding part, the accuracy of positioning of a substrate in formation processing of a colored layer can be improved.例文帳に追加

遮光部のパターンに基づいて位置決めを行うので、着色層形成処理時における基板の位置決め精度を向上させることができる。 - 特許庁

Because a deposition condition of the carbon cap 6 is a condition that does not roughen the surface of the processing object 8, the activation layer 11 without surface roughness can be obtained.例文帳に追加

カーボンキャップ６の成膜条件が処理対象物８の表面を荒らさない条件なので、表面荒れのない活性化層１１が得られる。 - 特許庁