「memory characteristics」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a ferroelectric memory that has a function to supply an optimal word line voltage even if cell transistor resistances are not equal by adjusting the word line potentials depending on characteristics of cell transistors to make their resistances equal.例文帳に追加

セルトランジスタの抵抗値が不均一であっても、セルトランジスタの特性に応じてセルトランジスタの抵抗値が一定になるようにワード線電位を調整して、最適なワード線電圧を供給する機能を有する強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

The automatic music grading apparatus grades the music sung by a singer by using one among the physical characteristics of the music sung by the singer, the listener's evaluation for this music and the elements of the listener's evaluation and the relations stored in this memory section 4.例文帳に追加

音楽自動採点装置は、少なくとも、歌唱者が歌った曲の物理的特性、聴取者のその曲に対する評価、及び、聴取者の評価の要素の内の一つと、記憶部４に記憶されている関係を使用して、歌唱者が歌った曲を採点する。 - 特許庁

On a circuit board, a preamplifier 2 for amplifying and externally outputting voice signals output by a microphone capsule 1, a characteristic change circuit for changing the frequency characteristics of the preamplifier 2, and a connector 7 for memory connected to the characteristic change circuit are mounted.例文帳に追加

回路基板には、マイクロホンカプセル１が出力する音声信号を増幅して外部出力するプリアンプ２と、プリアンプ２の周波数特性を変化させる特性変更回路と、特性変更回路に接続されたメモリ用コネクタ７が実装されている。 - 特許庁

A first storage means 21 stores layout hint information 14 generated based on the characteristics of each data stored in at least one of non-volatile semiconductor memories 9 and 10 or a volatile semiconductor memory 8 and giving a hint for determining an area to arrange each data.例文帳に追加

第１の記憶手段２１は、不揮発性半導体メモリ９，１０と揮発性半導体メモリ８のうちの少なくとも一方に記憶される各データの特性に基づいて生成され、各データの配置領域を決定するヒントとなる配置ヒント情報１４を記憶する。 - 特許庁

The charge/discharge control method for the alkali storage battery that can avoid the memory effect while fully bringing out the characteristics of the battery during travel as well as attaining simplification of the system without needing the detecting device includes automatically carrying out predetermined charge or discharge by signals from the outside.例文帳に追加

本発明は、検出装置を必要とせず、システムを簡易化できるだけでなく、走行時に電池の特性を十分に引き出しながらメモリー効果を回避できる、アルカリ蓄電池の充放電制御方法は、外部からの信号によって所定の充電、あるいは放電を自動的に実施する。 - 特許庁

In the microcomputer 7, filter characteristics are determined using a frequency band table which is preliminarily stored in a memory 8 according to the current value to be input, and output to a DSP 9 as a band control signal to restrict frequency bands.例文帳に追加

マイコン７では入力される電流値に応じて、あらかじめメモリ８に格納されている周波数帯域テーブルを用いて、フィルタ特性を決定し、帯域制御信号としてＤＳＰ９に出力し、周波数帯域を制限する。 - 特許庁

To improve charge retention characteristics and to make a gate electrode low in resistance in a nonvolatile memory cell having a split gate structure wherein a MOS type transistor for nonvolatile storage using a charge accumulation film and a MOS transistor for selecting this are adjacent to each other.例文帳に追加

電荷蓄積膜を用いる不揮発性記憶用ＭＯＳ型トランジスタと、これを選択するＭＯＳ型トランジスタが隣接するスプリットゲート構造を有する不揮発性メモリセルにおいて、電荷保持特性を向上し、ゲート電極を低抵抗化する。 - 特許庁

The control circuit 3 applies a voltage Vspgm to word lines WL when characteristics of the memory cells MC are determined to be in the initial state, and applies voltages Vwld_spgm1 higher than the voltage Vspgm by a predetermined voltage value to dummy word lines WLDD, WLDS.例文帳に追加

制御回路３は、メモリセルＭＣの特性が初期状態にあると判定される場合において、ワード線ＷＬに電圧Ｖｓｐｇｍを印加し、ダミーワード線ＷＬＤＤ、ＷＬＤＳに、電圧Ｖｓｐｇｍより所定の電圧値だけ高い電圧Ｖｗｌｄ＿ｓｐｇｍ１を印加する。 - 特許庁

To provide a lighting device capable of attaining light-distribution characteristics with a wide angle required for a spot-type lamp and the like and guiding and emitting sufficiently-diffused light and enhancing design properties and making a name of a facility easily remain in a user's memory.例文帳に追加

本発明は、スポット型などに必要とされる広角の配光特性を得ることができ、且つ十分に拡散された拡散光を導出させることができ、さらにデザイン性を高めると共に、施設の名称等をユーザの記憶に残り易くすることができる照明装置の提供を目的とする。 - 特許庁

When the characteristics of the memory cells MC are determined to be deteriorated, the control circuit 3 executes a soft program operation by applying a voltage Vspgm to the word lines WL and applying voltages Vwld_spgm2 lower than the voltages Vwld_spgm1 by a predetermined voltage value to the dummy word lines WLDD, WLDS.例文帳に追加

制御回路３は、メモリセルＭＣの特性が劣化状態にあると判定される場合において、ワード線ＷＬに電圧Ｖｓｐｇｍを印加し、ダミーワード線ＷＬＤＤ、ＷＬＤＳに、電圧Ｖｗｌｄ＿ｓｐｇｍ１より所定の電圧値だけ低い電圧Ｖｗｌｄ＿ｓｐｇｍ２を印加してソフトプログラム動作を実行する。 - 特許庁

The lighting control device 2 includes a lighting control section 21 for adjusting a dimming level of the lighting fixture 3, a memory section 22 for storing various setting information, and a γ-characteristic recorrection section 24 for collecting a brightness indicator recorrected from the γ-characteristics of the output of the camera 1.例文帳に追加

照明制御装置２は、照明器具３の調光レベルを調整する照明制御部２１と、各種設定情報が記憶される記憶部２２と、カメラ１からの出力のγ特性を再補正した明るさ指標を求めるγ特性再補正部２４とを備える。 - 特許庁

The memory management device 1 manages arrangement hint information 14 which is generated based on characteristics of data stored in at least one of an SLC region and MLC region of the nonvolatile semiconductor memories 9, 10, and gives a hint for determining an arrangement region of the data.例文帳に追加

本発明の一態様に係るメモリ管理装置１は、不揮発性半導体メモリ９，１０のＳＬＣ領域とＭＬＣ領域とのうちの少なくとも一方に記憶される各データの特性に基づいて生成され、当該各データの配置領域を決定するヒントとなる配置ヒント情報１４を管理する。 - 特許庁

To provide a MOS semiconductor memory device maintaining a band gap structure of an insulating film laminate serving as a charge storage region for a long period of time, and combining all of excellent data holding characteristics, a high-speed data rewrite performance, an operation performance with a lower power consumption, and a high reliability.例文帳に追加

電荷蓄積領域として機能する絶縁膜積層体のバンドギャップ構造を長期間維持し、優れたデータ保持特性と、高速でのデータ書換え性能と、低消費電力での動作性能と、高い信頼性と、を同時に兼ね備えたＭＯＳ型半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that stably operates by allowing formation of a via hole, having a vertical wall, and achieving equalization of threshold voltage characteristics at the upper part and the lower part of the via hole, even when the via hole is formed into a tapered shape, and to provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

垂直壁の貫通ホールが形成でき、また、貫通ホールがテーパ状となった場合においても上部と下部とでしきい値電圧特性が均一化でき、安定して動作する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide constitution capable of easily executing the adjustment of data write-in current quantity for securing the predetermined write-in margin by compensating the variation of magnetic characteristics caused by the variation of manufacturing in an MRAM device including an MTJ memory cell.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを備えるＭＲＡＭデバイスにおいて、製造ばらつきに起因する磁気特性の変動を補償して所定のデータ書込マージンを確保するための、データ書込電流量の調整を容易に実行可能な構成を提供する。 - 特許庁

The set information recording device 20 records set information that is recorded in a nonvolatile memory 17 of a receiving and reproducing device 10 and equipment information indicating characteristics of the receiving and reproducing device 10 (especially, panel size information indicating the size of a display screen of an image display part 161) together.例文帳に追加

設定情報記録装置２０は、受信再生装置１０の不揮発性メモリ１７に記録される設定情報と、受信再生装置１０の特性を示す機器情報（特に、画像表示部１６１の表示画面の大きさを示すパネルサイズ情報）と、を併せて記録する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical information recording medium which has a high memory capacity, has excellent handling quality and preservable properties and is free of variations in recording characteristics of both surfaces, and to provide the optical information recording medium manufactured by the method.例文帳に追加

両面に記録層を形成することで高い記憶容量を有し、取り扱い性や保存性に優れ、両面の記録特性にバラツキがない光情報記録媒体の製造方法および当該製造方法により製造される光情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

To obtain a nano scale float gate memory in which maintenance characteristics are enhanced, and an integration capacity of a cell is enhanced by stacking a large number of float gate cell arrays in the vertical direction by using a large number of cell insulation layers.例文帳に追加

本発明に係るフロートゲートメモリ装置は、ナノスケールフロートゲートメモリ装置において維持特性を向上させ、多数のセル絶縁層を用いて多数のフロートゲートセルアレイを垂直方向に積層し、セル集積容量を高める技術を開示する。 - 特許庁

This pull-down circuit includes a pull-down transistor (21), having the same threshold voltage characteristics as a memory cell transistor pulling down the voltage level of the driver power supply node, and a gate control circuit (30) for adjusting at least the gate voltage of the pull-down transistor.例文帳に追加

このプルダウン回路は、ドライバ電源ノードの電圧レベルをプルダウンするメモリセルトランジスタと同じしきい値特性を有するプルダウントランジスタ（２１）と、このプルダウントランジスタ２１のゲート電圧を少なくとも調整するゲート制御回路（３０）を含む。 - 特許庁

This structure can reduce the resistance of the bit-line diffusion layer without increasing the area of the bit-line diffusion layer on a primary surface of a semiconductor substrate, thereby obtaining a semiconductor memory device having stable electrical characteristics without increasing the cell area.例文帳に追加

これにより、ビットライン拡散層の半導体基板主面上での面積を大きくせずにビットライン拡散層の抵抗を低くすることができ、セル面積を増大させることなく安定した電気的特性の半導体記憶装置が得られる。 - 特許庁

Next, a difference between the first and the second output voltages (A, B) in the prescribed input voltage is read out in the first and the second input/output characteristics, stability and asymmetry of the SRAM transistors constituting the SRAM memory cell are determined.例文帳に追加

次に、第１および第２の入出力特性において、所定の入力電圧における第１および第２の出力電圧の差（Ａ，Ｂ）を読み出し、ＳＲＡＭメモリセルを構成するＳＲＡＭトランジスタの安定性と非対称性を判断する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that improves the contact resistance characteristics of a gate by increasing the area of an active region contacting the gate and increases the channel width in a process of forming a vertical transistor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

垂直型トランジスタを形成する過程において、ゲートと接触する活性領域の面積を増加させてゲートの接触抵抗特性を改善し、チャネル幅を増加させる半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crystallization equipment which carries out an initial crystallization which will not cause the breakage of peeling etc. near a phase-change material in an element preparing process, concerning the phase-change material for a phase-change non-volatile memory cell, and stabilizes its characteristics since the initiation of rewriting.例文帳に追加

相変化不揮発性メモリセル用の相変化材料に関し、素子作成プロセス中に前記相変化材料近傍において剥離などの破壊を生じさせない初期結晶化を行い、書き換えの初期から特性を安定させる結晶化装置を提供する。 - 特許庁

The solid memory has recording layers of which electric characteristics vary, according to phase transformation with Te and Al as principal components; the recording layers include at least two layers that include base phases in which phase transformation occurs between solid states; and at least the two layers constitute a superlattice structure.例文帳に追加

本発明の固体メモリは、Ｔｅと、Ａｌとを主成分とする、相変態により電気特性が変化する記録層を備える固体メモリであり、上記記録層は、固体状態間で相変態を生じる母相を有する層を２以上含み、２以上の上記層は超格子構造を構成している。 - 特許庁

To effectively reduce the variation of the electrical characteristics of an epitaxial wafer using N_2 gas, such as the HEMT etc., having a non-alloy layer using H_2Se or DETe before and after the wafer is grown, namely, to reduce the "memory effectiveness" of H_2Se in a reaction furnace.例文帳に追加

Ｈ_2ＳｅまたはＤＥＴｅを用いたノンアロイ層付ＨＥＭＴ等のエピタキシャルウェハを成長する前後での電気的特性の変動を、Ｎ_2ガスを用いて効果的に低減すること、すなわち反応炉内のＨ_2Ｓｅの「メモリー効果」を低減すること。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having high-γ characteristic to show low residual potential, free of an image failure in memory on the like and having enhanced stability of electrical characteristics in repetitive use and in a change of environmental conditions.例文帳に追加

従来の問題点を解決して、低残留電位を示すｈｉｇｈ−γ特性を有し、メモリー等の画像障害の発生がなく、さらには、繰り返し使用時および使用環境条件の変化時における電気特性の安定性向上を実現した電子写真用感光体を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a non-volatile memory device capable of effectively embodying an NOR flash cell array composed using a 2-beat sidewall floating gate element having self-convergence characteristics, where a threshold voltage converges to a fixed value in erasing.例文帳に追加

本発明はイレイズの時しきい電圧が決まった値打ちに収斂する特性を枝は自体に収斂する２ビートサイドワル・フローティングゲート素子を使って構成したＮＯＲフラッシュセルアレイを効果的に具現することができる不揮発性メモリー素子の製造方法に関するのである。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which an electron implantation during a process is reduced and the illumination of ultraviolet ray at the finishing time point of the manufacturing step is eliminated simultaneously when characteristics are stabilized in a p-channel EPROM, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ｐチャネル型ＥＰＲＯＭにおいて、プロセス中の電子の注入を減少させ、特性が安定すると同時に製造工程終了時点での紫外線の照射が不要になる半導体記憶装置及びその製造方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

A memory 113 is provided with a storage area for a program for executing the respective functions of the terminal and a telephone book or the call history of dialed telephone numbers and a program for executing an incoming history limiting function as the characteristics of this invention and the incoming history of incoming caller numbers.例文帳に追加

メモリ１１３には端末の各機能を実行するためのプログラム及び電話帳や、ダイヤルした電話番号の発信履歴のほか、本発明の特徴である着信履歴制限機能を実行するプログラム及び着信した発信者番号の着信履歴のための記憶エリアが設けられている。 - 特許庁

To obtain a magnetic memory cell, having stable characteristics by deciding a suitable critical crystal grain size which does not bring about undesirable unevenness at an MR ratio or in a pinning magnetic field or the like and applying the crystal grain size to a crystal grain size control of a ferromagnetic film.例文帳に追加

ＭＲ比やピン止め磁界などに望ましくない不均一を生じさせることのない適切な臨界結晶粒径を決定し、それを強磁性膜の結晶粒径制御に適用することにより、安定した特性の磁気メモリ素子を得る。 - 特許庁

A slave unit 2, which is a radio transmitter and receiver measures characteristics of the antenna 21 at a measuring interval stored beforehand by a timing control means 24, for example, by a lapse of each one hour, and measures, for example, the impedance by an antenna-measuring means 25 so as to store the measured result to a memory means 26.例文帳に追加

無線送受信装置である子機２は、計時手段２４に予め記憶した測定間隔、例えば１時間経過毎に、アンテナ２１の特性、例えば、インピーダンスをアンテナ測定手段２５により測定し記憶手段２６に記憶している。 - 特許庁

To impart a long-time memory and threshold characteristics of applied voltage and to carry out good X-Y matrix driving in a display device in which charged particles in a dispersion system prepared by dispersing the charged particles in an insulating liquid are transferred by applying voltage to the dispersion system to carry out display.例文帳に追加

絶縁性液体中に帯電粒子を分散してなる分散系に電圧を印加して帯電粒子を移動させることにより表示を行う表示装置において、長時間のメモリー性と印加電圧しきい値特性を付与して、良好なＸ−Ｙマトリクス駆動を行う。 - 特許庁

This pulse control system 118 automatically measures sunsets of caught signal pulses stored in a catch memory 142, stored the characteristics of a selected subset of the caught signal pulses, and generates an accessible data structure 206 which included the result of pulse measurement.例文帳に追加

パルス管理システム(118)は、捕捉メモリ(142)に格納された捕捉信号のパルスのサブセットに自動的に測定を行い、捕捉信号パルスの選択されたサブセットの特性を記憶し、パルス測定結果を含むアクセス可能なデータ構造(206)を生成する。 - 特許庁

The device is provided with an optical head 104 performing recording and reproducing or only performing reproducing of a digital signal from an optical disk 101 being an attachable and detachable optical information recording medium, an adaptive equalizer 107 adaptively equalizing a reproduced signal and a memory 105 in which equalizing characteristics of the equalizer 107 are stored.例文帳に追加

着脱可能な光学式情報記録媒体である光ディスクからデジタル信号の記録及び再生あるいは再生のみを行う光ヘッドと、再生信号を適応等化する適応等化器と、この適応等化器の等化特性を記憶してあるメモリとを備える。 - 特許庁

In accordance with the obtained case temperature Tc and drain-source potential difference Vgs, the On resistance Rds of the transistor is determined from the characteristics of the transistors stored in a memory circuit 19, and using this On resistance as the conversion factor, the charging/discharging current Idc of the secondary battery is determined from the voltage drop Vdc.例文帳に追加

そしてケース温度Ｔｃとドレイン・ソース間電位差Ｖｇｓとに従って、記憶回路１９に記憶したトランジスタの特性からトランジスタのオン抵抗Ｒｄｓを求め、このオン抵抗を変換係数として前記電圧降下Ｖｄｃから二次電池の充放電電流Ｉｄｃを求める。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which can attain ultra-miniaturization and high density by controlling short-channelling due to bird's beaks without complicating the manufacturing processes and can realize a low operating voltage and improvement in charge holding characteristics, and also to provide a method of manufacturing the same device.例文帳に追加

製造工程を複雑にすることなく、バーズビークによる短チャネル化を抑制して微細化、高密度化を達成し、動作電圧の低電圧化及び電荷保持特性の向上を図ることができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A service area is divided into a plurality of blocks according to the action patterns of a large number of persons in the service area, and the characteristics of the action patterns of the large number of persons of every bock are recorded as action pattern statistical information in a memory 31.例文帳に追加

サービスエリア内における大多数の人の行動パターンに応じてサービスエリアが複数のブロックに分割され、メモリ３１にはブロック毎の大多数の人の行動パターンの特徴が行動パターン統計情報として記録されている。 - 特許庁

To reproduce a moving picture recorded in a storage medium such as DVD, and also to facilitate securing a memory area for storing a high quality OSD picture or the like when displaying the high quality OSD picture having the characteristics such as a large picture and a high definition OSD picture.例文帳に追加

ＤＶＤなどの蓄積メディアに記録された動画像を再生すると同時に、大画像、高精細などの特性を持つ高品質のＯＳＤ画像などを表示する場合、高品質のＯＳＤ画像などを格納するためのメモリ領域を確保することが困難である。 - 特許庁

To provide an image processor and an image forming system, with which image processing can be applied to image data of a read image, according to the processing characteristics of an image formation device which outputs the read image, so that unnecessary image processing can be reduced and a required memory capacity can be reduced.例文帳に追加

読み取った画像の画像データに対して、読み取った画像を出力する画像形成装置の処理特性に応じた画像処理を施すことができ、無駄な画像処理を削減すると共に必要なメモリ容量を削減することができる画像処理装置及び画像形成システムを提供する。 - 特許庁

An analog/digital conversion circuit 38 receives from an optical transceiver and converts into digital signals a plurality of analog signals indicating operational parameters relating to operation characteristics or environment of the optical transceiver, respectively, and the digital values are stored in the digital value storage region 48 inside the memory 36.例文帳に追加

アナログ／デジタル変換回路３８は、光送受信機から光送受信機の作動特性又は環境に関する作動パラメータを示す複数のアナログ信号を受信してそれぞれをデジタル値に変換し、デジタル値をメモリ３６内のデジタル値記憶領域４８に記憶させる。 - 特許庁

To provide a color conversion method or a color converter capable of flexibly changing conversion characteristics and performing a color conversion processing without narrowing a color reproducible range without the need of a large capacity memory by independently correcting six hues and areas among the respective hues.例文帳に追加

６つの色相と各色相間の領域を独立に補正することにより、変換特性を柔軟に変更して、大容量メモリを必要とせず、色再現可能な範囲を狭めることなく色変換処理を行うことが可能な色変換方法または色変換装置を得る。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device including two kinds of resistors comprises a lower electrode, a first resistance layer exhibiting at least two resistance patterns formed on the lower electrode, a second resistance layer having threshold switching characteristics formed on the first resistance layer, and an upper electrode formed on the second resistance layer.例文帳に追加

下部電極と、下部電極上に形成されて２種以上の抵抗パターンを示す第１抵抗層と、第１抵抗層上に形成され、スレショルドスイッチング特性を持つ第２抵抗層と、第２抵抗層上に形成された上部電極と、を備える二種の抵抗体を含む不揮発性メモリ素子。 - 特許庁

When a video signal that the image sensor outputs is a signal of the defective pixel with the temperature characteristics stored in the memory 30, a subtracter 32 subtracts a correction signal having a gain set corresponding to temperature nearby the image sensor from the video signal.例文帳に追加

そして、イメージセンサが出力する映像信号が、メモリ３０に記憶された温度特性ありの欠陥画素の信号である場合に、イメージセンサの近傍の温度に対応して設定したゲインの補正信号を映像信号から減算器３２で減算する。 - 特許庁

The transponder receives a first RF frequency electromagnetic field and induces power to be able to address the information derived from a first frequency and then responds to generate a second RF frequency electromagnetic field having characteristics of data preserved in the memory.例文帳に追加

トランスポンダは第１ＲＦ周波数電磁界を受け、電力を誘導し、第１周波数由来の情報をアドレスすることができ、そして応答してメモリに保存されたデータの特性を有する第２ＲＦ周波数電磁界を発生させる。 - 特許庁

A level control part 5 has a memory previously storing a critical output level, with which the mutual modulation distortion of power amplifiers 2a and 2b becomes an allowable limit, and the combined characteristics of two signals to be combined with a minimum loss by a power combination circuit 4.例文帳に追加

レベル制御部５は、電力増幅器２ａ、２ｂの相互変調歪が許容限界となる限界出力レベル、および電力合成器４が最小損失で合成する２信号の合成特性を予め記憶したメモリを有している。 - 特許庁