「memory characteristics」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a device for measuring a flow rate which simplifies operations, reduces the amount of memory, absorbs nonuniformity caused by a manual operation or an ignition condition in the individual use, and also in the compound use and improves accuracy in discrimination of instruments having similar characteristics, by constituting the device so that it extracts the characteristics of the implements.例文帳に追加

器具の特徴を抽出する構成とすることにより、演算の簡素化を図り、演算に必要なメモリ量を減らすとともに、単独使用時だけでなく複合使用時においても手動操作や着火状態によるばらつきを吸収し、類似した特徴を持つ器具の器具判別精度の向上を図る流量計測装置を提供すること。 - 特許庁

By performing compression of the gradation conversion characteristics or the color conversion characteristics of respective areas or respective pixels of an image output device such as a projector and a printer by a principal component analysis method, correction data for gradation conversion or color conversion can be stored with small memory capacity and gradation conversion or color conversion can be performed almost equivalently to the case of no compression.例文帳に追加

プロジェクタやプリンタ等の画像出力装置において、当該出力装置の各領域または各画素の階調変換特性又は色変換特性を、主成分分析法により圧縮することにより、階調変換又は色変換の補正データを少ないメモリ容量で保持でき、かつ圧縮しない場合とほぼ同等に階調変換又は色変換することができるものである。 - 特許庁

An apparatus for detecting the fabric includes a camera for capturing an image, an operational device for learning wrinkle characteristics from sample images and detecting a region of the fabric from the result of learning and an input image of a measured object which is taken up by the camera, a memory device for storing the learning results of wrinkle characteristics, and a display for displaying the detected fabric region.例文帳に追加

本発明にかかる布検出装置は、画像を取り込むカメラと、サンプル画像からしわ特徴を学習し、その学習結果とカメラによって取り込まれた測定対象物の入力画像から布領域の検出を行う演算装置と、しわ特徴の学習結果を記憶する記憶装置と、検出された布領域を表示させるディスプレイとを備えたものである。 - 特許庁

Threshold information about the used amount determined by characteristics of a photosensitive material of a photoreceptor drum 1 used for individual cartridges and coefficient information of an operation formula, determined by contacting pressure between the photoreceptor drum 1 and a cleaning blade 10 and the electrical characteristics of an electrostatic charging roller 2 are stored in the memory 22 at the time of manufacturing.例文帳に追加

個々のカートリッジに使用されている感光ドラム１の感光材料の特性によって決定される使用量に関する閾値情報と、感光ドラム１とクリーニングブレード１０の当接圧、帯電ローラ２の電気特性によって決まる演算式の係数情報とを製造時にメモリ２２に記憶させておく。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor free from the occurrence of fogging and image defects such as black spots and environmental memory by improving changes in charging characteristics and sensitivity characteristics by temperature and humidity when using titanyl phthalocyanine pigment or the like, and to provide a method of and an apparatus for forming an image using the electrophotographic photoreceptor and a process cartridge.例文帳に追加

本発明の目的は、チタニルフタロシアニン顔料等を用いた場合の帯電特性、感度特性の温湿度変化を改良し、カブリが発生せず、且つ黒ポチや環境メモリ等の画像欠陥の発生がない電子写真感光体を提供することであり、該電子写真感光体を用いた画像形成方法、画像形成装置、プロセスカートリッジを提供することにある。 - 特許庁

To measure the fatigue characteristics of a ferroelectric substance at high speed without forming a repeating voltage waveform generating source in a test piece forming a ferroelectric substance, in a fatigue characteristics measuring device of a ferroelectric substance to be used when a ferroelectric substance used as a storage medium of a ferroelectric memory is evaluated.例文帳に追加

強誘電体メモリの記憶媒体として用いる強誘電体を評価する場合に使用される強誘電体の疲労特性測定装置に関し、強誘電体を形成する試験片に繰り返し電圧波形発生源を形成することなく、強誘電体の疲労特性の測定を高速に行うことができるようにする。 - 特許庁

The equalizer control circuit 16 performs the correcting of the frequency characteristic of an equalizer automatically based on the data of selected equalizer characteristics EQ1 to EQn taken out from the inside of a memory in which data of plural equalizer characteristics Q1 to Qn which are preset are stored.例文帳に追加

イコライザ制御回路１６は、ＣＤの記録情報を読み出して得られる音声信号に、予め設定された複数のイコライザ特性Ｑ１〜ＥＱｎのデータが格納されたメモリの中から取り出された選択イコライザ特性ＥＱ１〜ＥＱｎのデータに基づいて周波数特性の補正を自動的に行う。 - 特許庁

The manufacturing method of the ferroelectric memory device constitutes a first region 324 having surface characteristics capable of allowing a material for forming at least one member of a first electrode 32, a ferroelectric film 34 and a second electrode 36 to be preferentially deposited, and a second region 326 having surface characteristics capable of allowing the material for forming at least one member comprising a capacitor to be more hardly deposited the first region 324.例文帳に追加

第１電極３２、強誘電体膜３４及び第２電極３６の少なくとも一部材を形成するための材料が優先的に堆積される表面特性を有する第１の領域３２４と、第１の領域３２４に比較してキャパシタ部分を構成する少なくとも一部材を形成するための材料が堆積され難い表面特性を有する第２の領域３２６と、を形成する。 - 特許庁

To provide a thermochromic color-memory microcapsule pigment which is convenient and commercially valuable by improving necessary lightfastness of the thermochromic color-memory microcapsule pigment which includes characteristics of tautomerically holding memories of both colors of the lower and higher temperature sides than the color change temperature.例文帳に追加

変色温度より低温側の色と高温側の色の両方を互変的に記憶保持できる特性を備えた感温変色性色彩記憶性マイクロカプセル顔料に必要な耐光性を向上させることにより、利便性に富み、商品価値の高い感温変色性色彩記憶性マイクロカプセル顔料を提供する。 - 特許庁

Memory information can be written in a memory cell by selecting whether characteristics of transistors are made an enhancement type or a depression type by connecting a transistor through a connection hole in a contact window 39 and power source lines 37 for body potential in a contact window forming process near the final process in a diffusion process for a transistor group of a drive section.例文帳に追加

ドライブ部のトランジスタ群に対して、拡散工程の中の最終に近いコンタクト窓形成工程で、コンタクト窓３９における接続孔を通じたトランジスタとボディ電位用電源配線３７との接続によって、トランジスタの特性をエンハンスメント型にするかデプレッション型にするかを選択することにより、メモリセルへの記憶情報の書き込みを行うことを可能にする。 - 特許庁

To enhance the capacitor characteristics by preventing scratch of a lower electrode due to CMP, and ensuring uniformity of the thickness of a capacity insulating film in the memory cell array and in the lower electrode, in the manufacturing method of a semiconductor memory device in which the capacity insulating film of ferroelectric, or the like, is formed as a component of a capacitor by application of a liquid material.例文帳に追加

半導体記憶装置のキャパシタの構成要素として、強誘電体等の容量絶縁膜を液状材料の塗布により形成する製造方法において、ＣＭＰによる下部電極へのスクラッチ防止と、容量絶縁膜膜厚のメモリセルアレイ内、下部電極内での均一性を実現し、キャパシタ特性を向上させる。 - 特許庁

To evaluate cell characteristics after depolarization in a short time and at the same time to screen faulty cells whose coercive voltage are small without reading out data right after the data is written in ferroelectric memory cells but by reading out the data after applying electric potential which weakens polarization to the memory cells.例文帳に追加

強誘電体メモリセルにデータを書き込み、直ちに読み出しを行うのではなく、書き込んだデータに対応する分極を弱めるような電位差を加えた後、読み出しを行うことにより、短時間でデポラリゼーションした後のセル特性を評価でき、合わせて抗電圧が小さい不良セルをスクリーニングすることが可能となる。 - 特許庁

To prevent characteristics of a memory cell transistor and a selection gate transistor from being deteriorated due to short channel effect or to prevent a contact plug, which is formed in a self-aligned state for a gate electrode of the selection gate transistor, and a gate electrode of the selection gate transistor from causing a short circuit, in an NAND type non-volatile memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型不揮発性メモリにおいて、メモリセルトランジスタおよび選択ゲートトランジスタの特性がショートチャネル効果により悪化したり、選択ゲートトランジスタのゲート電極に対して自己整合的に形成されたコンタクトプラグと選択ゲートトランジスタのゲート電極がショートすることを防止する。 - 特許庁

The alloy having high ductility and improved plastic working properties without decreasing its shape memory characteristics is the iron-manganese-based shape memory alloy which has a composition containing iron, manganese (Mn) solely, or further chromium (Cr), and/or nickel (Ni) and silicon (Si), has an Ms point of room temperature or lower, and further includes 1 mass% aluminum (Al).例文帳に追加

鉄にマンガン（Ｍｎ）単独、もしくはさらに、クロム（Ｃｒ）および／または、ニッケル（Ｎｉ）、シリコン（Ｓｉ）を含有する組成の鉄−マンガン系であって、Ｍｓ点が室温以下の形状記憶合金にアルミニウム（Ａｌ）を１質量％含有させることにより、形状記憶特性を損なうことなく、高い延性を有し、塑性加工性が向上した合金を得る。 - 特許庁

A memory 1-3 stores a filter coefficient group in advance for equalization applied to amplitude and phase characteristics of the power amplifier 17-3, an adaptive equalizer 1-2 adaptively selects an optimum filter coefficient from the filter coefficient group stored in the memory 1-3 on the basis of the information obtained from the feedback signal and sets the filter coefficient to the complex digital filter 1-1.例文帳に追加

メモリ１−３に、電力増幅器１７−３の振幅及び位相特性に対する等化のためのフィルタ係数群を予め保持し、適応イコライザ１−２はフィードバック信号から得られる情報を基に、メモリ１−３に保持されたフィルタ係数群の中から適応的に最適なフィルタ係数を選択し、該フィルタ係数を複素ディジタルフィルタ１−１に設定する。 - 特許庁

To provide a method of evaluating the characteristics which enables accurate calculation of a resistance value of an offset region of a semiconductor storage element which is so structured that the resistance value of the offset region located below a memory functional body may be changed depending on the amount of accumulated charges or polarized state of the memory functional body formed on one side or on both sides of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の片側または両側に形成されたメモリ機能体の蓄積電荷の多寡または分極状態により、その下方に位置するオフセット領域の抵抗値が変化するように構成されている半導体記憶素子のオフセット領域の抵抗値を精度良く求める特性評価方法を提供する。 - 特許庁

Thus, it is possible to clearly determine whether the characteristics of the nonvolatile memory makes it impossible to read right information, or whether the alternation or intentional destruction of data by a malicious user makes it impossible to read right information by using the detection result obtained by the memory controller 25 for a content use system or the like.例文帳に追加

そして、メモリコントローラ２５が取得した検出結果を、コンテンツ利用システム等で用いることで、不揮発性メモリの特性に起因して権利情報が読み出せなくなったのか、悪意のあるユーザーによって改竄もしくは意図的な破壊によって権利情報が読み出せなくなったのかを明確に区別することができる。 - 特許庁

To provide a failure diagnostic device capable of eliminating capacitive waste as a storing part of failure information while suitably attaining both the improvement of reliability for storing the failure information and the reduction of a processing load required to write the failure information by positively utilizing different characteristics between a backup memory and a nonvolatile memory, and a failure diagnostic method.例文帳に追加

バックアップメモリと不揮発性メモリとの相異なる性質を積極的に利用して、故障情報の保持に対する信頼性の向上と故障情報の書き込みにかかる処理負荷の軽減との好適な両立を図りつつ、それら故障情報の格納部としての容量的な無駄を排除することのできる故障診断方法及び故障診断装置を提供する。 - 特許庁

The electric charge holding characteristics of the memory cell in transition period is improved by detecting fluctuation of the substrate voltage VBB in accordance with drop of the power source voltage VDD in the case of transition to the data retention mode, shortening cycle of refreshing operation during fluctuation period or simultaneously refreshing plural memory cells.例文帳に追加

データリテンションモードへ移行した際の電源電圧ＶＤＤの降下に伴う基板電圧ＶＢＢの変動を検出し、この変動期間中のリフレッシュ動作の周期を短縮したり、あるいは同時に複数のメモリセルをリフレッシュしたりすることにより、この過渡期間におけるメモリセルの電荷保持特性の改善を図る。 - 特許庁

In a recorder using a head unit 103 having a record element part 134 performing recording, and a memory block 131 for storing characteristics information, a command 111 for acquiring specified information from information held in the memory block 131 is delivered from a body side control section 101.例文帳に追加

記録を行うための記録素子部１３４と、特性情報を記憶するメモリブロック１３１とを有するヘッドユニット１０３を用いて記録を行う記録装置において、本体側制御部１０１から、メモリブロック１３１に保持された情報の中から特定の情報を取得するためのコマンド１１１が出力される。 - 特許庁

To solve a problem that an erroneous write such as writing change of a value held by a memory cell at the readout is generated in conventional constitution consisting of six transistors in one memory cell, when an SRAM is produced in such a situation that transistor characteristics of a TFT, etc., are dispersed or a power source supplied from an RF circuit is not stabilized.例文帳に追加

ＴＦＴなどのトランジスタ特性がばらつく状況や、ＲＦ回路から電源が供給され電源が安定しない状況で、ＳＲＡＭを作製する場合、従来の１つのメモリセルに６つのトランジスタの構成では読み出し時にメモリセルが保持する値が書き換わる誤書き込みが発生してしまう。 - 特許庁

Even with an iridium electrode which is easy to release oxygen, a contact resistance is lowered with a contact yield significantly improved, and further, a repeated writing/reading characteristics is excellent as a ferroelectrics memory.例文帳に追加

特に酸素を放出しやすいイリジウム電極を用いた場合においてもコンタクト抵抗を低下させ、コンタクト歩留まりを顕著に改善し、さらに、繰り返し書き込み・読み出し特性も優れた強誘電体メモリを提供することができる。 - 特許庁

To obtain certainly switching characteristics from a low resistance state to a high resistance state which can stably obtain a high resistance change rate in a resistance memory device having an element body consisting of a titanium based composite oxide of a polycrystal.例文帳に追加

多結晶体のチタン系複合酸化物からなる素体を備える、抵抗記憶素子において、高い抵抗変化率を安定して得ることができる低抵抗状態から高抵抗状態へのスイッチング特性を確実に実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of improving the characteristics of a ferroelectric capacitor and securing an yield on manufacture simultaneously by achieving a structure with an excellent barrier property against hydrogen and oxygen, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

水素や酸素に対するバリア性が良好である構造を実現することにより、強誘電体キャパシタの特性を向上することができ、同時に製造上の歩留まりを確保することができる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hologram recording material and a hologram recording medium, suitable for volume hologram recording, that are excellent in multiple recording characteristics and stability over time in holographic memory recording using a blue laser as well as a green laser.例文帳に追加

緑色レーザのみならず青色レーザを用いたホログラフィックメモリ記録においても、多重記録特性に優れ、且つ、経時安定性に優れた体積型ホログラム記録に適したホログラム記録材料、及びホログラム記録媒体を提供する。 - 特許庁

During operation of the reconfiguration device, the appropriate circuit to be executed by the reconfiguration device is selected from the plurality of circuits with different characteristics according to the operating condition of a system, and the configuration code corresponding to the circuit selected is loaded from the memory to the reconfiguration device.例文帳に追加

再構成デバイスの動作時、異なる特徴を持つ複数の回路のなかからシステムの動作状態に応じて再構成デバイスに実行させる適切な回路を選択し、該選択した回路に対応するコンフィグレーションコードをメモリから再構成デバイスへロードする。 - 特許庁

As for data writing, a change is given to optical transmissivity or light emission characteristics by irradiating a desired minute area with laser light focused by a lens OL place outside the memory area and causing heat denaturation within the pertinent minute area.例文帳に追加

データの書込みは、記憶領域の外部においたレンズＯＬで集光したレーザ光を所望の小区画に照射して、該当する小区画内部に熱による変性を起こすことで光の透過率あるいは発光特性に変化を与える。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device in which deterioration in characteristics of a ferroelectric capacitor due to oxidization of a plug can prevented, and etching damage of the ferroelectric capacitor can be prevented in machining an oxygen barrier film, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

プラグの酸化による強誘電体キャパシタの特性低下が防止され、しかも酸素バリア膜の加工時における強誘電体キャパシタのエッチングダメージも抑えられた、強誘電体メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The electronic camera can optionally set gamma characteristics of a camera by downloading a lookup table required for a gamma conversion processing in the camera from a personal computer 22 and reading it from a recording medium such as a memory card as a text file.例文帳に追加

本発明の電子カメラは、カメラ内のガンマ変換処理に必要なルックアップテーブルをパソコン２２からダウンロードしたりメモリカードなどの記録メディアからテキストファイルとして読み込むことにより、カメラのガンマ特性を任意に設定できる。 - 特許庁

Further, the digital signal processing circuit 38 reads imaging device data showing shading characteristics of a CCD 34 from the camera ROM 56 and corrects shading of an image recorded in an image memory 42 based on the lens data and imaging device data.例文帳に追加

さらに、デジタル信号処理回路３８は、ＣＣＤ３４のシェーディング特性を示す撮像素子データをカメラ用ＲＯＭ５６から読出し、レンズデータと撮像素子データとに基づいて、画像メモリ４２に記録された画像のシェーディングを補正する。 - 特許庁

The shape memory coil spring 141 used is provided with characteristics that the coil spring is elongated when an ambient temperature is increased to a value exceeding a given temperature and torque higher than torque generated by the spring force of the bias spring 143 is exerted on the oscillation link 139.例文帳に追加

形状記憶コイルバネ１４１として、周囲温度が所定の温度以上になると伸長して、バイアスバネ１４３のバネ力によって与えられるトルクよりも大きなトルクを揺動リンク１３９に与える特性を有するものを用いる。 - 特許庁

To obtain a full color displayable display memory medium which is capable of rapidly rewriting images by an external device, decreasing the voltage necessary for writing of the images and preventing the deterioration in display characteristics by the adhesion of dust, etc.例文帳に追加

外部装置によって短時間で画像を書き換えることができ、しかも画像の書き込みに必要な電圧を低減できるとともに、ごみなどの付着による表示特性の劣化を防止できる、フルカラー表示可能な表示記憶媒体を実現する。 - 特許庁

In the stand-by or active state of the mobile communication device, a microprocessor controller of the device is programmed so as to inquire of display driver memory about the data concerning characteristics of an image selected for display.例文帳に追加

携帯通信デバイスがスタンバイ若しくはアクティブ状態において、該デバイスのマイクロプロセッサ・コントローラは、ディスプレイ用に選択された画像の特性に関するデータについてディスプレイドライバ・メモリに問い合わせるようにプログラムされている。 - 特許庁

In assembling the temperature sensor 1, the control logic circuit 11 reads a result of measuring characteristics about circumferential temperature from a temperature sensor circuit 12, obtains the initial value and the compensated value from the result and stores them to the fuse memory 13.例文帳に追加

温度センサ１の作り込みにおいて、コントロールロジック回路１１は温度センサ回路１２から周囲温度に対する特性を測定した結果を読み込み、その結果から初期値および補正値を得て、該値をヒューズメモリ１３に記憶する。 - 特許庁

To provide a junction region of a semiconductor memory element capable of reducing program disturbance characteristics and its forming method by forming a double junction region on a semiconductor substrate between a select line and a word line in a cell region using impurities with different masses.例文帳に追加

本発明は、セル領域のセレクトライン及びワードライン間の半導体基板に質量が互いに異なる不純物を用いてダブル接合領域を形成することにより、プログラムディスターバンス特性を減少させることができる半導体メモリ素子の接合領域及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image reader and a signal processing method capable of interpolating missing pixels with high accuracy and thus minimizing the memory capacity required for the interpolation, even if sensitivity characteristics vary among individual imaging elements that form an adhesion type image sensor.例文帳に追加

欠落画素を適切に補間することができ、密着イメージセンサーを構成する個々の撮像素子の感度特性などにばらつきがあっても、高精度に補間を行なえ、補間に要するメモリ容量を最小限に抑えることができる画像読取装置及び信号処理方法を提供する。 - 特許庁

A frequency power consumption profile table is created for a plurality of semiconductor devices with different characteristics by measuring power consumption for each operating atmosphere temperature, operating frequency and application and is stored in the nonvolatile memory part.例文帳に追加

複数の特性の異なる半導体装置について、動作雰囲気温度、動作周波数、アプリケーションごとに、消費電力を計測することにより周波数消費電力プロファイルテーブルを作成し、不揮発性の記憶部に格納しておく。 - 特許庁

To reduce the necessay program capacity and to enhance real time characteristics of an arithmetic processing when a program is arranged in an external memory in a microcomputer to perform a real number arithmetic processing, an integer division processing and a bit data processing by subroutines.例文帳に追加

サブルーチンによって実数演算処理と整数除算処理とビットデータ処理とを行うマイクロコンピュータにて、プログラム容量を低減すると共に、外部メモリにプログラムを配置した場合の演算処理のリアルタイム性を向上させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for ferroelectric capacitor for controlling deterioration of characteristics of a ferroelectric film, and for enabling consolidation on a fine CMOS circuit, and to provide a ferroelectric memory including the ferroelectric capacitor, and to provide the manufacturing method of the same.例文帳に追加

強誘電体膜の特性の劣化を抑制させることができ、且つ、微細なＣＭＯＳ回路に混載することができる強誘電体キャパシタの製造方法と、該強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリおよびその製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric capacitor capable of suppressing leakage current in a ferroelectric film by an MOCVD method and improving the characteristics of the ferroelectric film, consisting of a plurality of ferroelectric layers, and to provide a ferroelectric memory device that has this ferroelectric capacitor.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法による強誘電体膜におけるリーク電流を抑制するとともに、複数の強誘電体層からなる強誘電体膜についてその特性向上を図った強誘電体キャパシタと、この強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリ装置とを提供する。 - 特許庁

The transponder 22 can receive a 1st electromagnetic field (frequency) from the transceiver 50, obtain power and address information from the 1st frequency and generate a 2nd electromagnetic field (frequency) to be the characteristics of data stored in the memory.例文帳に追加

トランスポンダは、第一の電磁場（周波数）をトランシーバから受信し、第一周波数から電力及びアドレス情報を得、これに応答して、メモリ内に保存されたデータの特性である第二の電磁場（周波数）を発生させることができる。 - 特許庁

Since it can be employed as a channel region of a semiconductor element or a TFT, a highly reliable semiconductor element and a TFT exhibiting a high field effect mobility can be fabricated while suppressing variation in characteristics resulting in a highly reliable semiconductor memory capable of high speed operation.例文帳に追加

その結果、信頼性の高い半導体素子、および電界効果移動度高く、かつ特性ばらつきの小さい半導体素子及びＴＦＴを作製することが可能となり、高信頼性、かつ高速動作可能な半導体記憶装置を実現することができる。 - 特許庁

When, plural devices exist in the address space of the digital system having different functions and characteristics, in response to an attribute bit in the PAAM related with the memory mapped address of the device, an error is reported or using of each device is restricted to prevent its misuse.例文帳に追加

異なる機能及び特性を有するディジタル・システムのアドレス空間に複数のデバイスが存在するときは、デバイスのメモリ・マップド・アドレスに関連したＰＡＡＭ内の属性ビットに応答して、誤りを伝えるか、そうでなければ各デバイスの使用を制限することによって、その誤用を防止する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery having high capacity and excellent overdischarge cycle characteristics, for using as a power source for memory backup, and to provide an active material for the nonaqueous electrolyte secondary battery.例文帳に追加

メモリーバックアップ用電源として用いることができる非水電解質二次電池であって、電池容量が大きく、かつ優れた過放電サイクル特性である非水電解質二次電池及び非水電解質二次電池用活物質を提供する。 - 特許庁

To provide a resistance change type nonvolatile memory which can obtain good electric characteristics even when a silicon substrate is used since reaction, etc. between a resistance change material and the substrate or a metal electrode can be prevented from occurring, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

シリコン基板を用いた場合にも、抵抗変化材料と基板や金属電極との間に反応等が生じるのを防止することができ、良好な電気特性を得ることができる抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁