「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(352ページ目) - Weblio英語例文検索

Width of the insulator 14 which is stuck on the slanted side surfaces 12a, 22a and collectively forms the p-type and the n-type thermoelectric conductors 17, 27 in an integral body is formed widely or narrowly gradually from one end to the other end along a longitudinal direction of the respective thermoelectric conductors 17, 27.例文帳に追加

これらの傾斜した側面１２ａ、２２ａに接着してＰ型とＮ型の熱電導体１７，２７を一体化している絶縁材１４の幅を、各熱電導体１７、２７の軸方向に沿って一端から他端にわたり次第に広く又は狭く形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming a first insulating film 3 on an n-type high concentration substrate 1 after growing an I-layer 2 having a relatively low impurity concentration on the main surface of the substrate 1, and exposing the I-layer 2 in a peripheral portion by removing an unnecessary portion of the film 3.例文帳に追加

ｎ型高濃度基板１の主面上に相対的に不純物濃度が低いＩ層２を成長させた後、ｎ型高濃度基板１上に第１絶縁膜３を形成し、第１絶縁膜３の不要部分を除去して、周辺部分のＩ層２を露出させる。 - 特許庁

In this method, a maximum ideal twist angle TA_M is determined for the lobe as a function of the plurality N of lobes on the rotor, and then the helix angle HA for each lobe is determined as a function of the maximum ideal twist angle TA_M and an axial length L between the end surfaces of the lobes 47, 49.例文帳に追加

この方法では、ローター上の複数Ｎのローブの関数として、ローブ用に最大の理想的なねじり角度（TA_M）を決定し、次に、最大の理想的なねじり角度（TA_M）とローブ（47、49）の端面の間の軸方向の長さ（L）の関数として、各ローブ用に螺旋角度（HA）を決定する。 - 特許庁

To provide an image forming device by which pre-transfer due to defective close contact between an intermediate transfer belt 41 and transfer paper 100 on the upstream side of the intermediate transfer belt 41 in a moving direction than a secondary transfer nip N is effectively suppressed to a level at which it is not confirmed by visualizing.例文帳に追加

２次転写ニップＮよりも中間転写ベルト４１の移動方向上流側における中間転写ベルトと転写紙１００との密着不良に起因するプレ転写を、目視で確認させなくなるレベルまで有効に抑えることができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In the formula: R_1-R_4, X_1, and X_2 are each independently a hydrogen atom or a substituent; A_1 is a phenyl group, a naphthyl group, or an aromatic heterocyclic group; B_1 is a bivalent aromatic hydrocarbon group or a bivalent aromatic heterocyclic group; and n is an integer of 1-5.例文帳に追加

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_４、Ｘ_１、およびＸ_２は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ａ_１は、フェニル基、ナフチル基、または芳香族複素環基を表し、Ｂ_１は、２価の芳香族炭化水素基または２価の芳香族複素環基を表し、ｎは１〜５の整数を表す。） - 特許庁

Scenario managing parts (SP) 7 in respective ND 5-1, 5-2 and 5-n receive the managing scenario transmitted from the MNG 1 through communication processing parts (COM) 4b and execute managing operation to an agent managing part (AGT) 6 according to the described contents of the received managing scenario.例文帳に追加

各ノード（ＮＤ）５−１，５−２，５−ｎにおけるシナリオ管理部（ＳＰ）７は通信処理部（ＣＯＭ）４ｂを通してマネージャ（ＭＮＧ）１から送信された管理シナリオを受信し、受信した管理シナリオの記述内容に従ってエージェント管理部（ＡＧＴ）６に対して管理操作を実行する。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor device includes a drift layer 2 having an n-type and formed on a silicon carbide substrate 1, a base region 3 having a p-type formed adjacent to the drift layer 2, and a re-combination region 7 in which the drift layer 2 is formed and into which a re-combination center has been introduced.例文帳に追加

本発明に係る炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板１上に形成されたｎ型を有するドリフト層２と、ドリフト層２に接して形成されたｐ型を有するベース領域３と、ドリフト層２に形成され、再結合中心が導入された再結合領域７とを備える。 - 特許庁

To provide a method of driving a solid state imaging device capable of outputting a pixel signal having a high compression rate while suppressing deterioration of the S/N of the pixel signal and deterioration of resolution and image quality of an outline caused by a noise component such as smear with no increase in the number of terminals.例文帳に追加

端子数の増加を伴わずに、スミアなどノイズ成分に起因する画素信号のＳ／Ｎの悪化、並びに解像度および輪郭の画質劣化を抑制しつつ、高圧縮率の画素信号を出力することが可能な固体撮像素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

In the device, the length Ls of the Schottky diode defined by the length of a portion existing on the n-type drift layer 2 of a Schottky electrode 11 is 20-60% of the length Lm of a MOSFET constituted of a p-type body region 3 and a depletion region 5, or of a p-type region and a trench region.例文帳に追加

ショットキー電極１１のｎ型ドリフト層２上に存在する部分の長さで定義されるショットキーダイオード部の長さＬｓが、ｐ型ボディ領域３とデプレッション領域５またはｐ型ボディ領域とトレンチ領域とからなるＭＯＳＦＥＴ部の長さＬｍの２０％〜６０％である。 - 特許庁

The differential data of a photoelectric signal between the on and off of lighting in each of the N piece of pixels are acquired (S402), threshold with respect to the differential data is calculated (S411), an effective photoelectric element is selected on the basis of the threshold (S415), and the differential data of the selected photoelectric element is outputted.例文帳に追加

各Ｎ画素における点灯時と非点灯時との光電変換信号の差分データを獲得し（Ｓ４０２）、その差分データに対する閾値を求め（Ｓ４１１）、その閾値に基づいて有効光電変換素子を選択し（Ｓ４１５）、その選択された光電変換素子の差分データを出力する。 - 特許庁

The axes of bearing balls are connected/fixed with a non-magnetic body, or the axes of bearing balls are fixed to a stator core or a rotor core for point or line contacting, resulting in smooth rotational movement.例文帳に追加

本発明は、鉄心コア部と、N.・Sコア部との透間にベアリングを必要数バランス良く挿入し、ベアリング同士の軸を非磁性体にて連結固定するか、固定子コア又は、回転子コアにベアリングの軸を固定させることにより、点又は、線接触させ回転運動の円滑を図る構成とする。 - 特許庁

In the formulas, R1 and R2 are each 1-6C alkyl or aryl; R3 is 1-10C alkylene, 6-10C arylene or 6-10C alkarylene; M is an ion of Ca, Mg, Al or Zn; m is 2 or 3; n is 1 or 3; and x is 1 or 2.例文帳に追加

［R^1及びR^2は同一かまたは異なり、線状もしくは分枝状のC_1-C_6-アルキル及び／またはアリール、R^3は線状もしくは分枝状のC_1-C_10- アルキレン、C_6-C_10- アリーレン、C_6-C_10- アルキルアリーレンまたはC_6-C_10- アリールアルキレン、ＭはＣａ、Ｍｇ、Ａｌ及び／またはＺ、ｍは２または３、ｎは１または３、ｘは１または２である］ - 特許庁

A magnet ring having many N-poles and S-poles is rotatably arranged near a sensor element, and the magnet ring which cooperates with the sensor element is prevented from turning by the clutch device and is arranged in a connection portion with the spindle with screw, and the sensor element is arranged at an immobile position relative to the case pipe.例文帳に追加

多数のＮ極とＳ極を有する磁石リングがセンサエレメント付近に回転自在に配置され、センサエレメントと協働する磁石リングが、クラッチ装置に回り止めされてねじ付きスピンドルとの結合部分に配置され、センサエレメントがケースパイプに対して不動の位置に配置されている。 - 特許庁

After that, according to such condition as occurrence frequency and extraction time set by a constant setting circuit 15, a CPU 14 takes a stored m-numbers of data out of the storage circuit 13, extracts n-th in data size for acquiring its magnitude to provide a discharge electric charge amount.例文帳に追加

その後に、定数設定回路１５により設定した抽出時間、発生頻度等の条件に従って、ＣＰＵ１４は記憶したｍ個のデータを記憶回路１３から取り出し、ｎ番目の大きさのデータを抽出し、その大きさを求めることにより放電電荷量を得る。 - 特許庁

A rotary shaft 16 and a false man body 5 fixed thereto are vertically fitted to a prop 15 vertically fitted onto a turn table 4, and by use of a measuring apparatus structured so that the rotary shaft 16 can be fixed in directions of a plurality of the division numbers n, radial directivity of an antenna is measured.例文帳に追加

ターンテーブル４上に垂直に取り付けられた支柱１５に回転軸１６と、それに固定された疑似人体５を垂直に取り付け、前記回転軸１６を複数の分割数ｎの方向に固定できるように構成した測定装置を用いて、アンテナの放射指向性を測定する。 - 特許庁

A discharging circuit 7 wherein a resistance 71d is connected to a series circuit of a resistance 71a and an N channel-type power MOSFET 71c with a variable voltage source 71b in parallel with FET 71c, is mounted between an output terminal 62 of a voltage double rectifier circuit 6 and a ground line.例文帳に追加

倍電圧整流回路６の出力端子６２とグランドラインとの間に、抵抗７１ａと可変電圧源７１ｂを備えるＮチャネル型のパワーＭＯＳＦＥＴ７１ｃとの直列回路に抵抗７１ｄをＦＥＴ７１ｃに並列接続した放電回路７を設ける。 - 特許庁

In the setting of a designated magnification image photographing mode, the electronic camera calculates a print resolution for printout of a photographing range W at an object position by a set print magnification depending on a distance of the object L, a focal distance, the number N of pixels of a CCD 214, and a pixel pitch P.例文帳に追加

指定倍率撮影モードに設定されると、被写体距離Ｌ、焦点距離、ＣＣＤ２１４の画素数Ｎおよび画素ピッチＰに基づいて、被写体位置における撮影範囲Ｗが設定された印刷倍率で印刷されるための印刷解像度が算出される。 - 特許庁

A complementary MOS of the semiconductor integrated circuit device is composed of a horizontal P-type MOSFET 36 and an N-type MOSFET 37, and the output driver is composed of a P-type vertical MOSFET 38 in a trench structure, and the conductivity types of the gate electrodes of the respective MOSFETs are set as a P-type.例文帳に追加

半導体集積回路装置における、相補型ＭＯＳを横型Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ３６とＮ型ＭＯＳＦＥＴ３７で構成し、出力ドライバーを、トレンチ構造のＰ型縦型ＭＯＳＦＥＴ３８で構成し、それぞれのＭＯＳＦＥＴのゲート電極の導電型をＰ型とした。 - 特許庁

The self-support substrate comprises a GaN-based semiconductor and is characterized by that, when a Schottky diode is formed by directly using Ni as a metal electrode on the surface of the self-support substrate, the ideality factor n-value in the current-voltage characteristics is 1 or more and 1.3 or less.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体からなる自立基板であって、前記自立基板の表面に直接Ｎｉを金属電極としてショットキーダイオードを形成した場合、電流−電圧特性における理想因子ｎ値が１以上１．３以下となることを特徴とする自立基板。 - 特許庁

Thus, at the portion lying between the NMOS forming region Rnm and the PMOS forming region Rpm in an oxide film 2 for an element isolation, the N/P-type well diffusion layer 12 is hardly formed, and the CMOS device that has a small element isolation width and a high isolation function is provided.例文帳に追加

したがって、素子分離用酸化膜２のうちＮＭＯＳ形成領域ＲnmとＰＭＯＳ形成領域Ｒpmとの間に位置する部分には、Ｎ／Ｐ型ウェル拡散層１２がほとんど形成されず、素子分離幅が小さく分離機能の高いＣＭＯＳデバイスが得られる。 - 特許庁

In the formula, R_1 to R_6 are the same or different groups and represent hydrogen atoms, alkyl groups, alkoxy groups, phenoxy groups, aryl groups, or aralkyl groups, and Ar_1 and Ar_2 represent aryl groups or heterocyclic groups or may have substituents, where (n) is an integer of 0 or 1 and (m) is 2 or 3.例文帳に追加

…（１）（式中、Ｒ_1〜Ｒ_6は、同一または異なる基であって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、アリール基、またはアラルキル基を示す。Ａｒ_1およびＡｒ_2は、アリール基、または複素環式基を示し、それらが置換基を有していてもよい。ｎは０または１の整数、ｍは２または３を示す。） - 特許庁

A high breakdown voltage semiconductor device of high reliability with small fluctuation of the pressure resisting feature can be provided by providing a floating resurf layer on a source side and an n-type electric field relaxation layer on a drain side and means for relaxing simultaneous electric field concentration in a source region and a drain region.例文帳に追加

ソース側にフローティングリサーフ層とドレイン側にｎ型の電界緩和層を設けソースおよびドレイン領域での電界集中を同時に緩和させる手段を設けることで、耐圧特性の変動が少ない高信頼の高耐圧半導体装置が提供できる。 - 特許庁

This fluorine-based surfactant comprises a fluorine-based compound (A) having F(CF_2)_2m(CH_2)_nS-(m and n are each an integer of 1-12, and may be identical to or different from each other) and -SO_3M (M is H, ammonium or an alkali metal) in its molecule.例文帳に追加

１分子中に、Ｆ(ＣＦ_２)_２ｍ(ＣＨ_２)_ｎＳ−（式中、ｍ、ｎはそれぞれ同一または異なる１〜１２の整数である。）と、−ＳＯ_３Ｍ（式中、Ｍは水素原子、アンモニウムまたはアルカリ金属である。）を有するフッ素系化合物（Ａ）からなることを特徴とするフッ素系界面活性剤。 - 特許庁

A charge-detecting part has an n+ type FD region 1, which is formed continuous to the embedded channel of a horizontal CCD transfer part, and a potential change in the FD region 1 is transmitted to a gate electrode 70 of a drive transistor of a first stage via aluminum wiring 3 and electrode wiring 71.例文帳に追加

電荷検出部は、水平ＣＣＤ転送部の埋め込みチャネルに連続して形成されるｎ＋型ＦＤ領域１を有し、ＦＤ領域１の電位変化は、アルミニウム配線３、電極配線７１を介して初段ドライブトランジスタのゲート電極７０に伝えられる。 - 特許庁

Since a cylindrical body 13 can house the finger tip F of a human body while individually pinching the finger tip, the finger F can individually be moved even when the finger F is housed in the cylindrical body 13, and the nail N is dried by the irradiation of a UV beam from a UV beam irradiation section 14.例文帳に追加

筒体１３は、人体の指先Ｆを個別に挟持しながら収容可能であるため、筒体１３の中に指Ｆを収容して、ＵＶ光照射部１４からのＵＶ光を爪Ｎに照射して乾燥させているときでも、指Ｆを個別に動かすことができる。 - 特許庁

A high melting-point metal silicide film missing detecting element comprises a polycrystalline silicon film pattern 110 where an n+ type region 116ab and a p+ type region 116ba are connected alternately, and a titanium silicide film pattern 126A provided in self-aligning manner on the upper surface of the polycrystalline silicon film pattern 110.例文帳に追加

高融点金属シリサイド膜欠落検出素子は、ｎ^+ 型領域１１６ａｂとｐ^+ 型領域１１６ｂａとが交互に接続された多結晶シリコン膜パターン１１０と、多結晶シリコン膜パターン１１０上面に自己整合的に設けられたチタン・シリサイド膜パターン１２６Ａとからなる。 - 特許庁

In the low alloy steel, the contents of C, Si, Cr, Mn, Al and N are optimized, the contents of Ni, Mo, W, V, Ti and O are regulated, further, the total content of Mo, W, V and Ti is regulated, and its structure is mainly composed of ferrite and pearlite.例文帳に追加

低合金鋼において、Ｃ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ａｌ及びＮの含有量を最適化し、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ及びＯの含有量を規制すると共に、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ及びＴｉの総含有量を規制し、組織を主にフェライト及びパーライトにより構成する。 - 特許庁

The elastomer molding having the coating film of a fluorine-based resin obtained by the formation has ≤100 N fixing strength to a metal in an environment from 200 to 300°C and ≤1.0 wt.% weight loss ratio by irradiation with mixed plasma of oxygen and carbon tetrafluoride.例文帳に追加

これにより得られたフッ素系樹脂の被膜を有するエラストマー成形体は、２００℃から３００℃の環境下において、金属との固着力が１００Ｎ以下であり、酸素と四フッ化炭素との混合プラズマ照射による重量減少率が１．０重量％以下である。 - 特許庁

In this case, (A) represents one or more kinds selected from a group consisting of alkaline metals (Li, Na, K, Rb, and Cs), alkaline earth metals (Mg, Ca, Sr, and Ba), and NH_4, n is 1 if (A) is an alkaline metal or NH_4, and is 2 if (A) is an alkaline earth metal.例文帳に追加

ただし、Ａは、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）およびＮＨ_４からなる群から選ばれる１種以上であり、ｎは、Ａがアルカリ金属またはＮＨ_４の場合は１であり、Ａがアルカリ土類金属の場合は２である。 - 特許庁

In the Formula (1), R_1, R_2 and R_4 are identical or different groups, each representing a 1-6C alkyl group, a 1-6C alkoxy group, or 6-20C aryl group; R_3 represents a group expressed by general Formula (2); a represents an integer of 1 to 5; and n represents an integer of 1 or 2.例文帳に追加

（式中、Ｒ_1，Ｒ_2およびＲ_4は、同一または異なる基であって、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。Ｒ_3は、下記一般式（２）で表わされる基である。ａは１〜５のいずれかの整数、ｎは１または２の整数を示す。） - 特許庁

In the formula, Rf is a 1-8C polyfluoroalkyl group; Q^1 and Q^2 are the same or different and are each a hydrogen atom, or a group selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, an acyl group and -SO_3M (wherein M is a hydrogen atom, a metal or NH_4); and n is an integer of 1-100.例文帳に追加

ただし式（１）中、Ｒｆは炭素数１〜８のポリフルオロアルキル基；Ｑ^１、Ｑ^２は互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、アシル基、および−ＳＯ_３Ｍ（Ｍは水素原子、金属、またはＮＨ_４）からなる群から選ばれる基；ｎは１〜１００の整数。 - 特許庁

An electric power unit 10 is constituted by connecting a plurality of power units 11 in parallel, and includes a positive electrode-side coupling part P which couples positive electrode-side terminals 11p of the plurality of power units 11 to one another and a negative electrode-side coupling part N which couples negative electrode-side terminals 11n to one another.例文帳に追加

電源装置１０は、複数の電源ユニット１１を並列に接続して成り、複数の電源ユニット１１の正極側端子１１ｐ同士を結合した正極側結合部Ｐと、負極側端子１１ｎ同士を結合した負極側結合部Ｎとを備える。 - 特許庁

To provide a new and improved channel matrix arithmetic unit for efficiently performing the inverse matrix arithmetic operation of a channel matrix by systematizing it, and for enabling a transmission/reception antenna to be compatible with an M×N system in a multi-carrier system MIMO system.例文帳に追加

マルチキャリア方式のＭＩＭＯシステムにおいて、チャンネル行列の逆行列演算を組織化することによって効率よく計算でき，また，送受信アンテナがＭ×Ｎのシステムに対応することの可能な，新規かつ改良されたチャンネル行列演算装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor wafer includes a first injection process for forming a silicon crystal by a floating zone method and injecting N type impurity of prescribed concentration, and a second injection process for performing neutron irradiation and injecting phosphorus in a prescribed concentration onto the silicon crystal after the first injection process.例文帳に追加

フローティングゾーン法によりシリコン結晶を形成し、所定濃度のＮ型不純物を注入する第１の注入工程と、第１の注入工程の後、シリコン結晶に中性子照射を行い、所定濃度のリンを注入する第２の注入工程を備える。 - 特許庁

In this case, the frequency of n-th harmonies of a driving signal of the DC-DC converter coincides with the frequency of the intermediate frequency generated by the intermediate frequency generating part, so that the output of erroneous information caused by driving the DC-DC converter can be prevented.例文帳に追加

この場合、ＤＣ−ＤＣコンバータの駆動信号のｎ次高調波の周波数は中間周波発生部で発生する中間周波の周波数と一致するので、ＤＣ−ＤＣコンバータを駆動することに起因して誤情報が出力されることが防止される。 - 特許庁

To provide a non-lead piezoelectric ceramic material where the amount of generated electric charges per pressure of 1 N when a positive piezoelectric effect is utilized can be increased and wherein the temperature stability of the electric charge generated in the range of -40 to 200°C relative to that at 25°C is excellent, and to provide a piezoelectric element.例文帳に追加

正圧電効果を利用した場合の、圧力１Ｎ当りに発生する電荷量が大きくすることができるとともに、−４０〜２００℃の温度範囲での２５℃に対する発生電荷の温度安定性に優れる非鉛系の圧電磁器および圧電素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the developing device, a magnetic brush is formed by napping developer on a developing sleeve by a main magnetic pole being an N pole arranged to be opposed to a developing area and auxiliary magnetic poles being two S poles, and an electrostatic latent image on a photoreceptor drum is rubbed to be developed by the magnetic brush formed by the main magnetic pole.例文帳に追加

現像領域に対向するように配置したＮ極の主磁極及び２つのＳ極の補助磁極により現像スリーブ上の現像剤を穂立ちさせて磁気ブラシを形成し、主磁極による磁気ブラシで感光体ドラム上の静電潜像を摺擦して現像を行う。 - 特許庁

(In the formula, R^1 represents an aliphatic hydrocarbon group with the carbon number one or larger; each of R^2 and R^3 independently represents an alkylene group with the carbon number two or larger, where R^2 and R^3 are different from each other; n represents an integer no less than one; m represents an integer no less than zero.)例文帳に追加

（式中、Ｒ^1は炭素数１以上の脂肪族炭化水素基を表し、Ｒ^2およびＲ^3はそれぞれ独立に炭素数２以上のアルキレン基を表し（但しＲ^2およびＲ^3は互いに異なる）、ｎは１以上の整数を表し、ｍは０以上の整数を表す。） - 特許庁

This ink for ballpoint pen comprises a pigment surface-treated with a silicone-based compound, as a coloring material; an organic solvent whose vapor pressure is 5.0 to 50 mmHg at 20°C as a main solvent such as n-propyl alcohol, isopropyl alcohol etc. (which account for 80 wt.% or more in the whole solvents), and further a resin.例文帳に追加

着色材として表面をシリコーン系化合物で処理した顔料、主溶剤として蒸気圧が５．０〜５０ｍｍＨｇ（２０℃）のｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコールなどの有機溶剤（溶剤全体の８０重量％以上）、さらに樹脂を含有するボールペン用顔料インキ。 - 特許庁

In a near-field communication method, when an RF field is not detected within a predetermined time T_IDT+n×T_RFW, an NFC communication apparatus 1 being an initiator, starts outputting electromagnetic waves, activates an NFC communication apparatus 2 being a target, and transmits a request via a first electromagnetic wave resulting from modulating electromagnetic waves by means of transmission data.例文帳に追加

イニシエータとなるNFC通信装置１は、ＲＦフィールドが所定のＴ_IDT＋ｎ×Ｔ_RFW時間内に検出されなかったとき、電磁波の出力を開始し、ターゲットとなるNFC通信装置２を活性化させるとともに、電磁波を送信データで変調した第１の電磁波を介して、リクエストを送信する。 - 特許庁

To obtain an N-phenylnaphthalimide-based compound capable of giving an electrophotographic sensitive material of high sensitivity, and to provide the electrophotographic sensitive material having excellent sensitivity characteristics as the electrophotographic sensitive material, durability in a sensitive layer, and solvent resistance with respect to a solvent of a wet developing agent.例文帳に追加

高感度な電子写真感光体を提供することのできるＮ−フェニルナフタルイミド系化合物と、電子写真感光体の感度特性、感光層の耐久性、および湿式現像剤の溶剤に対する耐溶剤性に優れた電子写真感光体とを提供すること。 - 特許庁

In an optical line terminating device 100 used by a user N, an ultrasonic exciting device 105 excites an ultrasonic wave to an optical fiber L2 to thereby send only an optical component whose wavelength is λN even though a light source 103 generates light of a broadband.例文帳に追加

ユーザＮが使用する光回線終端装置１００では、光源１０３は広帯域の光を発生するが、超音波励振装置１０５により光ファイバＬ２に超音波を励振することにより、波長がλＮとなっている光成分のみが変調器１０４に送られる。 - 特許庁

If a Vcc is supplied to the n-type semiconductor lower layer 105a, a pn joint normal current does not run in the p-type semiconductor upper layer 105b, even when the potential is made to vary from the ground potential to Vcc, the structure can be made to function as a signal wiring.例文帳に追加

ｎ型半導体下部層１０５ａにＶｃｃを供給した場合には、ｐ型半導体上部層１０５ｂは、グランド電位からＶｃｃまで電位を変動させても、ｐｎ接合順方向電流は流れないので、信号配線として機能させることができる。 - 特許庁

In moving the carriage to the capping position, the printer repeats operations of dropping an input current quantity I to the motor to an initial value Ikeep, every time a position coordinate P(n) of the carriage increases by one and then gradually increasing the current I from the initial value, thereby moving the carriage at a minute speed.例文帳に追加

また、キャリッジをキャッピング位置に移動させる際には、キャリッジの位置座標Ｐ（ｎ）が１増える度、モータへの入力電流量Ｉを初期値Ｉｋｅｅｐに落とし、その後、電流Ｉを初期値から徐々に上げる動作を繰り返すことにより、キャリッジを微小速度で移動させる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element includes: a first layer composed of an n-type nitride semiconductor; and a second layer composed of a p-type nitride semiconductor arranged on the first layer wherein, in a first region of a part of the surface of the first layer, the second layer is removed and the first layer appears.例文帳に追加

ｎ型の窒化物半導体からなる第１の層、及び該第１の層の上に配置されたｐ型の窒化物半導体からなる第２の層を含み、第１の層の表面の一部の第１の領域において、第２の層が除去されて第１の層が現われている。 - 特許庁