「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(349ページ目) - Weblio英語例文検索

The receiving side of the facsimile apparatus measures the noise level of the line in the silence interval and the signal level of the quality-line measurement signal and computes the S/N ratio. Thereafter, the receiving side of the facsimile apparatus determines an optimum communication speed and informs the transmitting side of the facsimile apparatus of the optimum communication speed by sending a modem speed response signal. 例文帳に追加

受信側ファクシミリ装置は前記無信号区間に於いて回線のノイズレベルを測定し、前記回線品質測定信号に対して信号レベルを測定し、 Ｓ／Ｎ比算出後最適通信速度を決定し、モデム速度応答信号により送信側ファクシミリ装置に通知する。 - 特許庁

In an image forming apparatus, a recording sheet 9 on which a toner image is to be formed is conveyed by a feed roller 21 from a sheet supply part 2 along a first curved conveyance path P1 to resist rollers 3, subjected to skew correction by the resist rollers, and fed to a toner image transfer position N along a second curved conveyance path P2.例文帳に追加

トナー像を形成する記録シート９は供給ローラ２１でシート供給部２から第１湾曲搬送路Ｐ１にそってレジストローラ３へ搬送され、そこでスキュー補正されたのちトナー像転写位置Ｎへ第２湾曲搬送路Ｐ２にそって供給される画像形成装置。 - 特許庁

The n-type semiconductor element block 10n can be obtained by integrally sintering a second thermoelectric material 11n having thermal conductivity κ2 and electric conductivity σ2, and a second additive material 12n in which thermal conductivity κb and electric conductivity σb satisfy (κb < κ2) and (κb/κ2) < (σb/σ2).例文帳に追加

Ｎ型半導体素子ブロック１０ｎは、熱伝導率κ２、電気伝導率σ２である第２の熱電材料１１ｎと、熱伝導率κｂ及び電気伝導率σｂが（κｂ＜κ２）、かつ、（κｂ／κ２）＜（σｂ／σ２）を満たす第２の添加材料１２ｎとを一体的に焼結したものである。 - 特許庁

In the radiation image conversion panel which has a phosphor layer and a protective layer formed on it, the universal hardness on the surface of the protective layer is 53 N/mm^2 or more, the surface roughness of it is between 0.10 and 0.50 μm inclusive and the thickness of it ranges from 1 to 40 μm.例文帳に追加

蛍光体層およびその上に設けられた保護層を有する放射線像変換パネルにおいて、保護層の表面のユニバーサル硬度が５３Ｎ／ｍｍ^2以上で、表面粗さが０．１０乃至０．５０μｍの範囲にあり、そして層厚が１乃至４０μｍの範囲にある。 - 特許庁

There are disclosed a nitride semiconductor light-emitting element including a substrate for growth of a sapphire substrate on which unevenness processing is performed, an n-type nitride semiconductor layer, a light-emitting layer, a p-type nitride semiconductor layer, a transparent conductive layer and a reflection layer of a dielectric in this order, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

表面に凹凸加工が施されたサファイア基板からなる成長用基板、ｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層、透明導電層および誘電体からなる反射層をこの順で含む窒化物半導体発光素子およびその製造方法である。 - 特許庁

However, in this case, Si of high concentration is deposited on the P-clad layer and a P-clad layer interface directly below the oxide film, these layers are turned into N-type, positive holes which flowed into a P-block layer are injected effectively into the active layer, and a semiconductor laser having superior oscillation characteristic can be realized.例文帳に追加

ただし、この場合ｐクラッド層と酸化膜直下のｐクラッド層界面には高濃度のＳｉが析出し、ｎ転しｐブロック層に流れ込んでいた正孔が有効に活性層に注入され、良好な発振特性を有する半導体レーザを実現できる。 - 特許庁

This pull-top type cap has the casing 1 and the pull-top tip 4 and provides the sealing body 2 sealing the upper opening part 3 of the inside of the casing 1, the sealing body 2 is fused with the periphery of the upper opening part 3 in the casing, and the fusion strength is 1.5 to 7 (N/25 mm).例文帳に追加

ケーシング１と、プルトップ片４を有し、かつ前記ケーシング１の内側の上部開口部３をシールする封止体２とを備え、上記封止体２は、上記ケーシング１内側の上部開口部３の周端縁に融着されており、その融着強度が１．５〜７（Ｎ／２５ｍｍ）である。 - 特許庁

To realize high resolving power inspection at a high S/N ratio by effectively reducing the noise due to usual propagation light during high resolving power inspection due to discharged near field light in optical inspection performing the inspection due to the usual propagation light and the inspection due to the discharged near field light so as to change over them.例文帳に追加

通常伝搬光による検査と滲出近接場光による検査を切り替えて実行できる光学検査において、滲出近接場光による高分解能検査の際の、通常伝搬光によるノイズを有効に軽減し、高いＳ／Ｎ比で高分解能検査を実現する。 - 特許庁

Before a communication body, a training part based on a short code diffusion for repeating the same pattern in each symbol length is formed, and the propagation of a transmission line is measured by the training part while setting the length of the short code as a measuring section and setting the N periods of a carrier as the time resolution of measurement.例文帳に追加

通信本体に先立ち、シンボル長毎に同一パターンを繰り返すショートコード拡散によるトレーニング部を設け、トレーニング部を用いて前記ショートコードの長さを測定区間とし搬送波のＮ周期分を測定の時間分解能にして伝送路の伝播測定を行なう。 - 特許庁

The gel fraction means a value calculated as (W1/W0)×100 when the weight is W1 after dipping the pressure- sensitive adhesive having a weight of W0 in an aqueous solution of 1 N sodium hydroxide at normal temperature for 3 days, then taking out the dipped pressure-sensitive adhesive and drying the taken out pressure-sensitive adhesive.例文帳に追加

なお、前記ゲル分率とは、重量Ｗ_0の感圧性接着剤を１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液中に常温で３日間浸漬した後、取り出して乾燥したときの重量をＷ_1としたとき、（Ｗ_1／Ｗ_0）×１００として算出される値を意味する。 - 特許庁

When a pneumatic tire 10 gets a puncture hole, sealing liquid W is supplied into the pneumatic tire 10 through a tire valve of the pneumatic tire 10, and further, air is fed into the pneumatic tire 10, and preliminary travelling is performed to diffuse the sealing liquid W in the circumferential direction of the tire inner surface N.例文帳に追加

空気入りタイヤ１０にパンク穴が空いた場合、空気入りタイヤ１０のタイヤバルブを通してシーリング液Ｗを空気入りタイヤ１０内に供給し、さらに、空気入りタイヤ１０内に空気を送り込み、予備走行によってシーリング液Ｗをタイヤ内面Ｎの周方向に拡散させる。 - 特許庁

In this device, a condensing lens 42 and a photo sensor 44 are disposed on a rack 50 moved together with a beam splitter 40 so that the distance N between the condensing lens 42 and the photo sensor 44 on a second stage on the movable shaft side is unchanged irrespective of the movement of the movable shaft (here, a galvano-unit 32) side.例文帳に追加

集光レンズ４２及びフォトセンサ４４を、ビームスプリッタ４０と共に移動する架台５０に配設して、移動軸側後段の集光レンズ４２とフォトセンサ４４間の距離Ｎが移動軸（ここではガルバノユニット３２）側の移動に拘わらず変化しないようにした。 - 特許庁

In an OFF state, for 0 V of the gate electrode 20 and source electrode 21, the voltage to be from several hundreds V to several K V is applied to the drain electrode 22, and the high voltage is applied to a depletion layer of the low-density N type epitaxial layer 11 below the P type well layer 12 to disconnect between the source electrode 21 and drain electrode 22.例文帳に追加

ＯＦＦ時は、ゲート電極２０及びソース電極２１の０Ｖに対して、ドレイン電極２２に数１００Ｖ〜数ＫＶが印加され、Ｐ型ウェル層１２下の低濃度Ｎ型エピ層１１の空乏層にその高電圧が加わり、ソース電極２１及びドレイン電極２２間が遮断される。 - 特許庁

An edit server 100 stores contents with a plurality of versions whose data quantity differs from each other and information with respect to communication speeds to each of clients 200 (A,B,...,N), screen resolution of an output apparatus connected to the clients 200, and a storage capacity usable for the edit in the clients 200 or the like.例文帳に追加

編集サーバ１００は、データ量の異なる複数の版があるコンテンツと、各クライアント２００（Ａ、Ｂ、・・・、Ｎ）への通信速度やクライアント２００に接続された出力装置の画面解像度、クライアント２００において編集に使用可能な記憶容量などに関する情報とを保持している。 - 特許庁

Opening APO of an electric control throttle valve and an engine speed Ne are detected (Step 1), and the pressure ratio (atmospheric pressure/collector pressure) of the atmospheric pressure P1 to the collector pressure P2 is calculated (Step 2), and an intake substance quantity (n) and the intake absolute temperature T per one cycle are read in (Step 3).例文帳に追加

電制スロットルバルブの開度ＡＰＯと、エンジン回転数Ｎｅとを検出し（ステップ１）、大気圧Ｐ１およびコレクタ圧Ｐ２の圧力比（大気圧／コレクタ圧）を算出し（ステップ２）、１サイクル当たりの吸気物質量ｎと吸気絶対温度Ｔとを読み込む（ステップ３）。 - 特許庁

A field oxide film 2, isolating the active region of a MOSFET is formed in a region on the surface of a p-type silicon substrate 1, a gate electrode is formed via a gate oxide film, ions are implanted into an arsenic ion implantation layer 5, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a n-type diffused layer 6.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上の表面の領域にＭＯＳＦＥＴの活性領域を分離するフィールド酸化膜２を形成し、ゲート酸化膜を介してゲート電極を形成し、ヒ素イオン注入層５にイオン注入し熱処理を行いｎ型拡散層６を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 104ab of a driving transistor and a contact hole 109a, reaching an N-type diffusion layer 106b are formed in an interlayer film 108 covering a memory cell and a silicide layer 110, are formed selectively by silicidation, prior of forming a high resistance load thereon by growing polysilicon.例文帳に追加

メモリセルを覆う層間膜１０８に、駆動用トランジスタのゲート電極１０４ａｂと、Ｎ型拡散層１０６ｂに達する接続孔１０９ａを形成し、シリサイデーションを行って選択的にシリサイド層１１０を形成し、その上にポリシリコンを成長して高抵抗負荷を形成する。 - 特許庁

The effective carrier lifetime in the p-type a-Si layer 5 and the n-type a-Si layer 7 is drastically reduced, thereby the optical modulator can respond to frequency higher than by one digit or more compared with a conventional carrier injection type optical modulator having a pin diode structure without a drain.例文帳に追加

ｐ型ａ−Ｓｉ層５とｎ型ａ−Ｓｉ層７における実効的なキャリア寿命が大幅に短縮されるので、ドレインのない従来のｐｉｎダイオード構造キャリア注入型光変調器と比べて一桁以上高い周波数まで応答させることができる。 - 特許庁

A convolution operation section generates a vector collecting all frequency bins by convoluting the frequency filter by each frequency bin of a frequency sound signal in which short time Fourier transformation of each frame of a frame length M+N-1 of a discrete valued time domain sound signal is performed by the point number N_p.例文帳に追加

畳み込み演算部は、離散値化された時間領域音響信号のフレーム長Ｍ＋Ｎ−１の各フレームをポイント数Ｎ_ｐで短時間フーリエ変換した周波数音響信号の周波数ビン毎に、周波数フィルタを畳み込み演算して全周波数ビンをまとめたベクトルを生成する。 - 特許庁

In the delay circuit where a plurality of inverter circuits are serially connected, ferroelectric capacitors 13a-13c are respectively parallelly connected to inverters 11a-11c serially connected between a first potential and a second potential and provided with an n-type transistor and a p-type transistor.例文帳に追加

複数のインバータ回路が直列接続された遅延回路において、第１電位と第２電位との間に直列に接続されたｎ型トランジスタとｐ型トランジスタとを有するインバータ１１ａ〜１１ｃに強誘電体キャパシタ１３ａ〜１３ｃをそれぞれ並列接続する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting diode, at least an n-type foundation layer (4), a strain relaxing layer (11), an InGaN buffer layer (12), a light emitting layer (6) which contains an InGaN quantum well and has a peak wavelength of 440 nm or more and p-type layers (6, 7) are laminated on a substrate (1).例文帳に追加

基板(１)上に少なくとも、ｎ型下地層(４)と、歪緩和層(１１)と、ＩｎＧａＮバッファ層(１２)と、ＩｎＧａＮ量子井戸を含む発光のピーク波長が４４０ｎｍ以上である発光層(６)と、ｐ型層(６，７)とが積層されている窒化物半導体発光ダイオーである。 - 特許庁

In this towboat 1, the towrope 5 is made of a material such as a synthetic resin or rubber with a modulus of 10^6-10^8 N/m^2, mitigating vibrations by extending at 5-16% when towed longitudinally under a load of 40N, thus preventing unpleasant shock from being transmitted to a relevant fisherman.例文帳に追加

牽引ロープ５は、合成樹脂やゴム等の１０^６Ｎ／ｍ^２から１０^８Ｎ／ｍ^２の弾性率の材料で形成され、長手方向に４０Ｎの荷重で引くと５％から１６％伸びて振動を緩和し、不快な衝撃が釣り人に伝わることを防止する。 - 特許庁

Thus, in all division from the conveying start position to the target position P_ref, the recording medium is quickly and correctly conveyed to the target position as compared with a case where the current increasing amount A_f(n) is set to simply decrease as the recording medium approaches the target position P_ref.例文帳に追加

よって、搬送開始位置から目標位置Ｐ_ｒｅｆまでの全区間において、電流増加量Ａ_ｆ（ｎ）を記録媒体が目標位置Ｐ_ｒｅｆに近づくにつれて単に減少するように設定する場合に比べ、記録媒体は迅速且つ正確に目標位置に搬送される。 - 特許庁

Here, the control unit variably controls the rotational speed of the electric motor in such a manner that a deviation amount Δf between a frequency f1 of rotational primary component of the electric motor and a frequency f2 of rotational n-th order component of the engine is prevented from decreasing smaller than a prescribed frequency width S (for example 7 Hz).例文帳に追加

ここで、制御ユニットは、電動モータの回転１次成分の周波数ｆ１とエンジンの回転ｎ次成分の周波数ｆ２とのずれ量Δｆが所定の周波数幅Ｓ（例えば7Hz）よりも小さくならないように、電動モータの回転数を可変制御する。 - 特許庁

An ejecting direction A of droplets Fb from each nozzle N is inclined with respect to a normal line of an opposed substrate 15 and a transport direction of the opposed substrate 15 (a direction indicated by an arrow X) as viewed in a normal line direction of the opposed substrate 15 is made to cross the ejecting direction A.例文帳に追加

各ノズルＮからの液滴Ｆｂの吐出方向Ａを、対向基板１５の法線に対して傾斜させるとともに、対向基板１５の法線方向から見て、対向基板１５の搬送方向（Ｘ矢印方向）が吐出方向Ａと交差するようにした。 - 特許庁

To prevent a defective image, what is called, an elephant skin, as for a contact electrification type, cleaner-less image forming device provided with a contact type electrifying member 2 having a porous outer peripheral surface and where cleaning particles (z) lie in a contact part (n) between the contact type electrifying member 2 and an image carrier 1.例文帳に追加

外周面が多孔質状の接触帯電部材２を有し、該接触帯電部材２と像担持体１の接触部ｎに清掃粒子ｚが介在する、接触帯電方式、クリーナレスの画像形成装置において、「象肌」といわれる画像不良を防止すること。 - 特許庁

For example, when the angular frequency of the applied AC voltage is ω, by detecting a component which is changed by an angular frequency 2ω from among the capacitance signal with a lock-in amplifier (LCD) 17 and finding a position whose value takes an extreme value, the p-n junction position can be specified with high sensitivity and with high accuracy.例文帳に追加

たとえば、印加交流電圧の角周波数がωの場合、容量信号のうち角周波数２ωで変化する成分をロックインアンプ（ＬＡＤ）１７で検出し、その値が極値を取る位置を求めることにより、ｐ−ｎ接合位置を高感度・高精度に特定できる。 - 特許庁

It is preferable to hold the number of anaerobic nitrous acid oxidation bacteria of 10^5 cells/ml or more in the denitrification tank 14, and adjust the loading of the organic substance such that a ratio (C/N ratio) of the amount of organic carbon to the amount of total nitrogen which are loaded and flow into the denitrification tank 14 becomes 0.1 or more.例文帳に追加

脱窒槽１４に保持する嫌気性亜硝酸酸化細菌数を１０^５cells／ｍＬ以上とし、脱窒槽１４に添加・流入される有機炭素量と総窒素量との比(Ｃ/Ｎ比)が０．１以上となるように有機物の添加量を調節することが望ましい。 - 特許庁

The coat is formed of a composite compound containing Cr, B and N, and, if required, further one or more kinds of metallic elements selected from the group consisting of the group 4A, 5A and 6A elements in the Periodic Table, and/or C, and has a film thickness of 1 to 10 μm.例文帳に追加

Ｃｒ、Ｂ、Ｎを含有する複合化合物からなる被膜で、必要に応じて、更に、周期律表４Ａ、５Ａ、６Ａ族元素よりなる群から選ばれる一種以上の金属元素、および／またはＣを含有する複合化合物からなり、膜厚が１〜１０μｍである被膜。 - 特許庁

A doping dipole structure constituted of an N-type high density delta doped layer 132 and a P-type high density delta doped layer 131 which are adjacent to each other at most 20 nm is periodically formed in an undoped layer 133 which is to be irradiated with a light, thereby turning the band structure of a light absorbing layer into a sawtooth type.例文帳に追加

少なくとも２０ｎｍ以下に近接したｎ型高濃度デルタドープ層とｐ型高濃度デルタドープ層とからなるドーピングダイポール構造を、光照射を受けるアンドープ層に周期的に形成することにより光吸収層のバンド構造を鋸歯状にする。 - 特許庁

The method for producing the compound semiconductor single crystal comprises growing an Al_xGa_yIn_1-(x+y)N (0≤x≤1; 0≤y≤1; x+y≤1) single crystal of a hexagonal system, where the growing direction of the single crystal is changed at least in two steps of the thickness direction and the lateral direction.例文帳に追加

化合物半導体単結晶の製造方法は、六方晶系のＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-(x+y)Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）単結晶の育成過程において、その単結晶の成長方向が少なくとも厚み方向と横方向の２段階に変更されることを特徴とする。 - 特許庁

This particulate agglomerate comprises a silica which has a highly frequent pore diameter (D_max) of smaller than 20 nm, a crushing strength of 100 N or lower and a chemical shift δ (ppm) of Q^4 peak in a solid Si-NMR satisfying the formula: -0.0705×(D_max)-110.36>δ.例文帳に追加

細孔の最頻直径（Ｄ_max）が２０ｎｍ未満のシリカよりなる微粒子の凝集体であって、圧壊強度が１００Ｎ以下であり、且つ、固体Ｓｉ−ＮＭＲでのＱ^4ピークのケミカルシフトをδ（ｐｐｍ）とした場合に、δが下記式（Ｉ） −０．０７０５×（Ｄ_max）−１１０．３６＞δ ・・・（Ｉ） を満足するようにする。 - 特許庁

When the web has a butt welded joint part, the ratio X(%) of the thickness in the butt welded joint part to the sum of the leg length of the right and left fillet welded parts and the brittle fracture propagation stop toughness Kca (N/mm^3/2) at the using temperature of the flanges satisfy the above formula.例文帳に追加

ウェブに突合せ溶接継手部を有する場合は、突合せ溶接継手部の板厚と左右の隅肉溶接部の脚長の和に対する比率Ｘ（％）と、フランジの供用温度における脆性亀裂伝播停止靭性Ｋｃａ（Ｎ／ｍｍ^３／２）が上式を満たす。 - 特許庁

A fixing member 30 is held on a holding part 24 provided on a base member 20, which is detachably fixed on a setting part 12a with a lock screw N so that the fixing member is fixed with its movement regulated by the setting part 12a in the direction of being isolated from the holding part 24.例文帳に追加

固定部材３０は、ベース部材２０に設けた保持部２４に保持され、該ベース部材２０を設置部１２ａに固定ネジＮにより着脱自在に固定することで、設置部１２ａにより保持部２４から離脱する方向への移動が規制された状態で固定される。 - 特許庁

In an implantation process for manufacturing CMOS structure provided with an ESD (ESD HVnMOS), an (n) well area is covered with a mask, P-well is implanted to form a p-well.例文帳に追加

静電気放電（ＥＳＤ）による劣化に対処する保護装置としての応用のための横型ｎｐｎトランジスタの大電流能力は、アバランシェを起こしているｐｎ接合からウエハの裏面コンタクト（１０）へ流れるコレクタ電流が通る材料の電気抵抗値を調節することによって改善される。 - 特許庁

In the light emitting device 30 including a semiconductor light emitting element 1 and a wavelength converting member such as a phosphorus material or the like, reflecting layers 10c, 20c are provided on the outermost surface layers of a type p pad electrode 10a and a type n pad electrode 20a provided on the same surface side of the semiconductor light emitting element 1.例文帳に追加

半導体発光素子１と蛍光体等の波長変換部材を有する発光装置３０において、半導体発光素子１の同一面側に設けられるｐ型パッド電極１０ａ及びｎ型パッド電極２０ａの最表面層に、反射層１０ｃ、２０ｃを設ける。 - 特許庁

(In the formula, X represents a polycyclic aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group and/or a monocyclic aliphatic hydrocarbon group; Y independently represents a direct bond, a 1-4C alkylene group or a 1-4C oxyalkylene group; R^1 independently represents H or methyl; n is an integer of 1-4).例文帳に追加

（Ｘは、多環式脂肪族炭化水素基又は、芳香族炭化水素基及び／又は単環式脂肪族炭化水素基、Ｙは独立に、直接結合、炭素数１〜４のアルキレン基又は炭素数１〜４のオキシアルキレン基、Ｒ^1は独立に、水素原子又はメチル基であり、ｎは１〜４の整数である。） - 特許庁

Since the data in which the ID is set is received by the applicable register with ID and only the remaining pieces of data at normal rate are received by the interruption register IR by N ID masking part 4, data transfer from the interruption register IR is not so frequently performed as to hinder execution of other processings.例文帳に追加

ＩＤマスク部４はＩＤが設定されているデータは該当するＩＤ付レジスタで受信させ、残りの正常レートのデータのみを割り込みレジスタＩＲで受信させるので、割り込みレジスタＩＲからのデータ転送が他の処理の実行を妨げるほど頻繁に行われることはない。 - 特許庁

To provide a noise rejection method and an apparatus capable of extracting received signals with relative high levels, which are buried in low ranges by positively rejecting dominant noise components to turn S/N values to plus values with payments of attention to colored noises when viewed macroscopically.例文帳に追加

マクロ的に見た有色系雑音に注目し低域の支配的な雑音成分を積極的に除去してＳ／Ｎ値をプラスに転じさせ、低域に埋もれた、比較的高いレベルの受信信号を抽出することが可能な雑音除去方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This plant monitoring device 100 displays information indicating an operating state of a plant 10, in a display device 15 on the basis of a plurality of measurement values of process data detected by a plurality of sensors 1, 2, ..., n installed at respective places of apparatuses constituting the plant 10.例文帳に追加

プラント監視装置１００は、プラント１０を構成する機器の各所に設置された複数のセンサ１，２，…，ｎにより検出される複数のプロセスデータの測定値に基づいて当該プラント１０の運転状態を示す情報を表示装置１５に表示するものである。 - 特許庁

N (≥2) preforms 1, after being injection-molded in a preform molding station 10, are demolded at a relatively high temperature, conveyed to a preform removing part while being cooled by an injection core mold, and after being cooled to a removable temperature, removed from the injection core mold.例文帳に追加

プリフォーム成形ステーション１０でＮ（Ｎ≧２）個のプリフォーム１を射出成形後、比較的高い離型温度で離型し、射出コア型によりプリフォーム１を冷却しながら、プリフォーム取出部に搬送し、取出可能な温度までが冷却後、射出コア型よりプリフォーム１を取出す。 - 特許庁

The thickness of an electrode film 7 of the semiconductor chip 100 is made 3.5-10 μm, thus preventing cracks in an interlayer insulating film 6 and an n semiconductor substrate 1 for ultrasonic bonding even if the diameter of the bonding wire (aluminum wire 12) is increased to 300 μm or larger.例文帳に追加

半導体チップ１００の電極膜７の厚みを３．５μｍから１０μｍにすることで、ボンディングワイヤ（アルミワイヤ１２）の直径を３００μｍ以上に太線化しても、層間絶縁膜６やｎ半導体基板１にクラックを発生させることなく、超音波ボンディングできる。 - 特許庁

In a region with a given length from each edge face of the semiconductor laser element 100, a part with a given depth from the p-type contract layer 9 to the n-type GaN layer 4 is removed by etching to form a step part 300 with a flat side face 41 and a bottom face 42.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００の両端面から所定幅の領域においてｐ−コンタクト層９からｎ−ＧａＮ層４の所定深さまでがエッチングにより除去され、平坦な側面４１および底面４２を有する段差部３００が形成されている。 - 特許庁

To provide a III-V mixed crystal semiconductor of good crystalline by improving efficiency by which N is brought in, together with a method for manufacturing it, and to provide a semiconductor light-emitting element with III-V mixed crystal semiconductor as a light-emitting layer together with the method for manufacturing it.例文帳に追加

本発明はＮの取り込まれ効率を向上させて結晶性の良好なIII −Ｖ族混晶半導体、III −Ｖ族混晶半導体の製造方法、III −Ｖ族混晶半導体を発光層とする半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent deterioration of synthesizer output S/N even if the number of optical input signals is lower than the number of input circuits, in an optical transmission apparatus which is provided with a plurality of input circuits for converting optical signals into electric signals to receive the converted signals and synthesizing the outputs by a synthesizer.例文帳に追加

光信号を電気信号へ変換して受信する入力回路を複数個備え、それらの出力を合成器で合成するようにした光伝送装置において、光信号入力が入力回路数より少ないときでも合成器出力Ｓ／Ｎが劣化しないようにする。 - 特許庁