「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(347ページ目) - Weblio英語例文検索

Concerning a vehicle for mounting an engine and an automatic transmission having a forward clutch, control is implemented to modify a gear ratio of the automatic transmission to a high side (the side in which the gear ratio is small) such that an engine speed is reduced when [D→N] operation is carried out during running of high engine rotation.例文帳に追加

エンジンと、前進クラッチを有する自動変速機とが搭載された車両において、高エンジン回転の走行中に［Ｄ→Ｎ］操作されたときには、自動変速機の変速比をハイ側（変速比が小さくなる側）に変更してエンジン回転数を低減する制御を実行する。 - 特許庁

Thus, the falling of a slump flow is 7 cm or less even if about 2 hours is passed after kneading and the initial strength (0.1 N/mm^2 or more) after passage of 6 hours after placing required before form removal even in low temperature environment lower than 10°C is ensured (wherein, examples 1-3 are shown).例文帳に追加

これにより、練混ぜ後２時間程度経過してもスランプフローの低下が７ｃｍ以下であり、また、１０℃を下回る低温環境下においても脱型する前に必要となる打ち込み後６時間後における初期強度（０．１［Ｎ／ｍｍ^２］以上）が確保できる（実施例１〜３）。 - 特許庁

The method of detecting the defect of the silicon carbide single crystal is characterized in etching the n-type silicon carbide single crystal with an etchant prepared by adding at least one kind among Na_2O_2, BaO_2, NaNO_3, and KNO_3 to molten KOH, and detecting the defect of the crystal from a formed etch pit.例文帳に追加

溶融ＫＯＨにＮａ_２Ｏ_２，ＢａＯ_２，ＮａＮＯ_３，ＫＮＯ_３の少なくとも１種を添加したエッチング液によりｎ型炭化珪素単結晶をエッチングし、形成されたエッチピットにより結晶の欠陥を検出することを特徴とする炭化珪素単結晶の欠陥検出方法。 - 特許庁

When the developing sleeve 25b is rotated in such a state, the magnet roller 25a rotates by following up rotation of the developing sleeve 25b, and is set to a second rotating position, where the first N pole N1 is most proximate to the photoreceptor drum 11, to be positioned by the positioning member 30.例文帳に追加

この状態で現像スリーブ２５ｂが回転されると、マグネットローラ２５ａは、現像スリーブ２５ｂの回転に追従して回転し、第１Ｎ極Ｎ１が感光体ドラム１１に最も近接した第２回転位置とされて、位置決め部材３０によって位置決めされる。 - 特許庁

Respective client devices 20-1, ..., 20-n cooperating with the server 10 through a network 30 are configured to include an information transmitting and receiving part 200, a test reproducing part 201, a test script 202, an information acquiring part 203 and a program 300 to be a test object in a client.例文帳に追加

サーバ１０と、ネットワーク３０を介して連携される各クライアント装置２０−１、・・・２０−ｎは、情報送受信部２００、テスト再生部２０１、テストスクリプト２０２、情報取得部２０３、およびクライアント内においてテスト対象となるプログラム３００と、を包含するように構成される。 - 特許庁

A light-emitting element 100 has a separate formation of LED structures, each composed of laminated semiconductor layers of an n-type semiconductor layer (LED structure) 20, an active layer (not shown) and a p-type semiconductor layer 3, respectively disposed in the vicinity of corners on one diagonal of a rectangular-shaped substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００は、矩形状の基板１の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、ｎ型半導体層（ＬＥＤ構造）２０、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層で構成されるＬＥＤ構造を分離して形成してある。 - 特許庁

An image processing apparatus 1 acquires operation information indicating the operation condition of the other image processing apparatus 2 connected to a communications network N, and displays the operation condition of the other image processing apparatus 2 on a display in a sleep state where the electric power supplied from a power source is saved, based on the operation information.例文帳に追加

画像処理装置１は、通信ネットワークＮに接続された他の画像処理装置２の動作状況を示す動作情報を取得し、電源からの供給電力を削減したスリープ状態で、動作情報に基づいて、他の画像処理装置２の動作状況を表示部に表示する。 - 特許庁

A P-type well 12 is formed at the upper part of a semiconductor substrate 11, an STI13 is provided selectively at the well 12, and an N^+-type source layer 17 and a drain layer 18 are formed in an opening 14 of the STI13 to touch the side surface 13a of the STI 13 and to be separated from each other.例文帳に追加

半導体基板１１の上部にＰ型のウェル１２を形成し、ウェル１２にＳＴＩ１３を選択的に設け、ＳＴＩ１３の開口部１４内にＳＴＩ１３の側面１３ａに接するようにＮ^＋型のソース層１７及びドレイン層１８を相互に離隔して形成する。 - 特許庁

The fixing device includes a pair of rotators 21 and 31 coming into abutment with each other to form a fixing nip N and the regulating member 41 coming into abutment with the end surfaces 21a and 21b of at least one rotator 21 of the rotators 21 and 31, to regulate the movement in the axial direction of the rotator 21.例文帳に追加

本発明は、互いに接触して定着ニップＮを形成する一対の回転体２１，３１と、少なくとも一方の回転体２１の端面２１ａ，２１ｂに当接して当該回転体２１の軸方向移動を規制する規制部材４１を備えた定着装置におけるものである。 - 特許庁

A circuit for controlling with a current using a circuit of an N-channel depletion type transistor including a gate and a drain connected to each other and operating in a non-saturated state is provided as a circuit for determining a current value of a short-circuit current of an overcurrent protection circuit, without using a resistor for converting current into voltage.例文帳に追加

過電流保護回路の短絡電流の電流値を決定する回路として、電流を電圧に変換する抵抗を用いず、Ｎｃｈデプレッション型トランジスタのゲートとドレインを接続して非飽和状態で動作させる回路を用いて電流で制御する回路を備えた。 - 特許庁

In an S/N characteristics improving device 1 which acquires an input signal V_in mixed with noise, and acquires an output signal V_out by input of the input signal into a nonlinear function device and making a probability resonance phenomenon to occur, a logistic function, a sigmoid function, or a hyperbolic tangent function is used as the nonlinear function.例文帳に追加

ノイズが混入した入力信号Ｖ_inと、入力信号を非線形関数へ入力して確率共鳴現象を生じさせ出力信号Ｖ_outを得るＳ／Ｎ特性改善器１において、前記非線形関数をロジスティック関数、シグモイド関数またはハイパボリック・タンジェント関数とする。 - 特許庁

A CMOS circuit as this semiconductor device includes: (a) a substrate 100; (b) a p-type organic transistor PT including an organic semiconductor layer 106a; and (c) an n-type inorganic transistor NT including an inorganic semiconductor layer 126a formed in an upper layer of the p-type organic transistor PT.例文帳に追加

本発明の一形態の半導体装置としてのＣＭＯＳ回路は、（ａ）基板１００と、（ｂ）有機半導体層１０６ａを含むｐ型有機トランジスタＰＴと、（ｃ）ｐ型有機トランジスタＰＴの上層に設けられた無機半導体層１２６ａを含むｎ型無機トランジスタＮＴと、を備える。 - 特許庁

To provide a protective net for washing which solves the problems that a conventional protective net N for washing had, is highly exclusive at least for pants or the like, is excellent in handleability, has an excellent laundry protecting function, and exerts good influence on a washing effect.例文帳に追加

本発明は、従来の洗濯用保護ネットＮが有していた問題点を解決し、少なくともパンツ等に対する専用性が高く、使い勝手がよく、洗濯物の保護機能が良く、しかも洗濯効果に好影響を及ぼす洗濯用保護ネットＮを提供すること。 - 特許庁

When a count value counted in an m-bit counter 11 reaches n, a control circuit 102 outputs a control signal CNTT, stops shift operation, outputs a control signal COMP, and outputs test mode signals TM0 to TMn-1 from a test mode signal generating circuit 103.例文帳に追加

制御回路１０２は、ｍビットカウンタ１１が、カウントするカウント値がｎに至ると、制御信号ＣＮＴＴを出力し、シフト動作を停止させ、制御信号ＣＯＭＰを出力し、テストモード信号発生回路１０３から、テストモード信号ＴＭ０〜ＴＭｎ−１を出力させる。 - 特許庁

The stretchable woven fabric constituted by fluorine-based fibers and fibers other than the fluorine-based fibers has an elongation of not less than 5% under a load of 9.8 N/25 mm in the warp and weft directions, and also has a dimensional retention at elongation of not less than 85%.例文帳に追加

フッ素系繊維とフッ素系以外の繊維で構成された織物であって、タテ方向およびヨコ方向の9.8N/25mm荷重時の伸度が５％以上であり、かつ下式で示される伸張時寸法保持率が８５％以上であることを特徴とする伸縮性織物とする。 - 特許庁

It is shifted to a second reception mode when the C/N value of reception signals by the A system tuner part 103 becomes smaller than the determination reference value, and the system control part 111 uses signals received in the B system tuner part 104 and stops the power supply to the A system tuner part 103.例文帳に追加

Ａ方式チューナ部１０３による受信信号のＣ／Ｎ値がその判定基準値より小さくなると第２の受信モードに移行し、システム制御部１１１はＢ方式チューナ部１０４で受信した信号を用い、Ａ方式チューナ部１０３への電源供給を停止させる。 - 特許庁

In the formula, A is one or more selected from the group consisting of alkali metals (Li, Na, K, Rb, Cs), alkaline earth metals (Mg, Ca, Sr, Ba) and NH_4; n is 1 when A is an alkali metal or NH4, or 2 when A is an alkaline earth metal.例文帳に追加

ただし、Ａは、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）およびＮＨ_４からなる群から選ばれる１種以上であり、ｎは、Ａがアルカリ金属またはＮＨ_４の場合は１であり、Ａがアルカリ土類金属の場合は２である。 - 特許庁

An antigen combining a 6th-place carboxy group of the compound indicated by Formula (I) with bovine serum albumin is used, in order to recognize the compound indicated by Formula (I) and create an antibody which does not cross-react with metabolites thereof, N-oxide and levofloxacin demethylated of the compound indicated by Formula (I).例文帳に追加

式（I）で示される化合物を認識し、且つその代謝物である式（I）で示される化合物のＮ-オキシド体及びレボフロキサシン脱メチル体と交差反応しない抗体を作成するため、式（I）で示される化合物の６位のカルボキシ基にウシ血清アルブミンを結合させた抗原を用いた。 - 特許庁

Furthermore, a third trench 115 is formed on the surface of the n-type layer 106 in a region not opposing the auxiliary electrode 109 with a depth reaching the p-electrode 103, and a p-pad electrode 114 is formed on the p-electrode 103 exposed on a bottom face of the third trench 115.例文帳に追加

また、ｎ型層１０６表面であって、補助電極１０９と対向しない領域に、ｐ電極１０３に達する深さの第３の溝１１５が形成され、第３の溝１１５底面に露出したｐ電極１０３上にｐパッド電極１１４が形成されている。 - 特許庁

A charge control device 21 compares a battery voltage measured value and a charge finished voltage value in charging the battery pack 1, and when the battery voltage measured value reaches the charge finished voltage value, stops charging by sending a stop signal to cell charging circuits 18 (1) to 18(n).例文帳に追加

充電制御装置２１は、組電池１の充電時において、電池電圧計測値と充電終了電圧値とを比較し、電池電圧計測値が充電終了電圧値に達したときは、セル充電回路１８（１）〜１８（ｎ）に停止信号を送って充電を停止させる。 - 特許庁

A method of manufacturing a silicon wafer includes a process S11 of preparing a silicon substrate 11, a first epitaxial process S13 of growing an n-type epitaxial film 12 on the silicon substrate 11, and a second epitaxial process S14 of growing a second epitaxial film 13 in which the device is formed on the epitaxial film 12.例文帳に追加

シリコン基板１１を用意する工程Ｓ１１と、シリコン基板１１上にｎ型のエピタキシャル膜１２を成長させる第１のエピタキシャル工程Ｓ１３と、エピタキシャル膜１２上にデバイスが形成される第２のエピタキシャル膜１３を成長させる第２のエピタキシャル工程Ｓ１４とを備える。 - 特許庁

When the electrode material slurry of the non-aqueous secondary battery containing this adhesion improver, water and electrode active material is coated onto the current collector constituted of copper foil, a coating film in which 90° pealing strength against the copper foil according to JIS K6854-1 is 6.5 to 10 N/m can be formed.例文帳に追加

この密着性向上剤と水と電極活物質とを含む非水系二次電池の電極材スラリーを銅箔で構成された集電体の上に塗布すると、銅箔に対する９０度剥離強度が、ＪＩＳ Ｋ６８５４−１に準じて、６．５〜１０Ｎ／ｍである塗膜を形成できる。 - 特許庁

In a triple well functional cell TWF1 (A) with a circuit function, a region of a DNW region 7 protruded to a P well region 5 is arranged between an N well region 3 and the P well region 5 from a second side 1b to a fourth side 1d of a cell frame.例文帳に追加

回路機能をもつトリプルウェル用機能セルＴＷＦ１（Ａ）で、Ｐウェル領域５に対するＤＮＷ領域７のはみ出し領域は、Ｎウェル領域３とＰウェル領域５の間でセル枠の第２辺１ｂから第４辺１ｄにわたって配置されている。 - 特許庁

Though the magnetic field communication method for low-power node management is performed in a radio network of a low-frequency band that is comprised of one MFAN-C and at least one MFAN-N, a physical layer frame is comprised of a preamble, a header, and a payload, and the preamble is comprised of a wake-up bit string and a synchronization bit string.例文帳に追加

１つのＭＦＡＮ−Ｃと少なくとも１つのＭＦＡＮ−Ｎとで構成された低周波帯の無線ネットワークで行われるが、物理層フレームをプリアンブルと、ヘッダーと、ペイロードとで構成し、前記プリアンブルをウェイクアップビット列と同期ビット列とで構成してなる。 - 特許庁

When the regions including the special bit images are less than N parts, e.g., the area including the special big image is one part, the control part 11 carries out printing in a driving mode with a high heating value and at a fast printing speed using a combination of normal temperatures of 102°C, 107°C, 110°C as the reference temperature.例文帳に追加

特殊ビットイメージを含む領域がＮ箇所未満のとき、例えば、特殊ビットイメージを含む領域が１箇所の場合には、基準温度として、１０２℃、１０７℃、１１０℃という通常の温度の組合せを用いて、発熱量が多く印刷速度の速い駆動モードで印刷を行う。 - 特許庁

The hook-and-loop fastener laminate has a structure in which a resin layer and cloth layer are successively laminated on the reverse side of a hook-and-loop fastener having a large number of locking elements on the surface of a base cloth, wherein the elongation rate of the laminate under a load of 9.8 N is 0.5-3% and the recovery rate is not less than 95%.例文帳に追加

基布の表面に多数の係合素子を有する面ファスナーの裏面に、樹脂層、布帛層が順に積層されてなる面ファスナー積層体であって、該積層体の９．８Ｎ荷重時の伸長率が０．５〜３％、回復率が９５％以上である面ファスナー積層体。 - 特許庁

The semiconductor device includes a nanotube having a structure in which two nanotubes 11, 12 each having the characteristics of an N-type semiconductor and adjacent to a first nanotube 13 having the characteristics of a P-type semiconductor; and conductors 14, 16 and 15, 17 opposite to one another with the first nanotube 13 sandwiched.例文帳に追加

Ｐ型半導体の特性を有する第１ナノチューブ１３に隣接してＮ型半導体の特性を有する２つの第２ナノチューブ１１、１２とが設けられた構造を有するナノチューブと、第１ナノチューブ１３を挟んで対向する導体１４、１６及び導体１５、１７と、を備えている。 - 特許庁

In this case, a phase inverting circuit (differential amplifier circuit 14 and a selection circuit (SEL1) 33) applies phase noninverting/inverting control to any signal to selectively output one of mixed frequency(n±1) f as the output frequency signal fOUT.例文帳に追加

この時、位相反転回路（差動増幅回路１４及び選択回路（ＳＥＬ１）３３）で何れか１つの信号の位相正反転制御を行ない、ミキシングされた周波数（ｎ±１）ｆのうちの何れか一方を選択的に出力周波数信号ｆＯＵＴとして出力する。 - 特許庁

To provide document retrieving method and device capable of effectively reducing the number of N-grams used to retrieve similar documents being similar to an optional document and fast performing retrieval processing of the similar documents and also to provide a recording medium in which a program for executing the retrieval method is recorded.例文帳に追加

任意の文書に類似する類似文書の検索に用いるＮ−gramの数を有効に削減でき、類似文書の検索処理を高速に行える文書検索方法及び装置、並びに、その検索方法を実施するためのプログラムを記録した記録媒体を提供する。 - 特許庁

Purpose of this invention is realized by utilizing an on-chip boosted voltage level which is utilized generally in an integrated circuit storage device supplying voltage to a control signal given to a single N channel transistor pass gate, instead of conventional power source voltage level Vcc.例文帳に追加

従来の電源電圧レベルＶ_ccの代わりに、単一Ｎチャネルトランジスタパスゲートに与えられる制御信号に電圧を供給する、一般的には集積回路記憶装置で利用可能なオンチップ昇圧電圧レベルを利用することにより、この発明の目的が実現される。 - 特許庁

This method for producing the cellulose-based fiber-containing fabric is to treat the fabric containing the cellulose-based fiber with high pressure steam with loading 1-200 N/cm width of the fabric in the fiber axis direction of the fiber constituting the fabric.例文帳に追加

本発明のセルロース系繊維含有布帛の製造方法は、セルロース系繊維を含有する布帛に対して、布帛を構成する繊維の繊維軸方向に、布帛幅１ｃｍ当たり１〜２００Ｎの荷重を掛けながら高圧水蒸気で処理を施すことを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide an optical microphone that has the spatial resolution of sound (or the resolution of the position of sound) in the direction of the optical axis of laser beams, can maintain signal strength and an S/N ratio detected even if shortening the length of laser beams, and is suitable for miniaturization.例文帳に追加

レーザー光線の光軸方向における音の空間分解能（又は音の位置の分解能）があり、レーザー光線のビーム長を短くする場合にも検出する信号強度及びＳＮ比を維持することができ、かつ、このため小型化に適している光マイクロホンを提供すること。 - 特許庁

Contribution documents and contribution images sent from user-side computers 5 of many unspecified people through a network N having a bi-directional communication function are stored in a database 2 for editing raw materials on a host computer 1 for page space editing through a web page on a server S.例文帳に追加

双方向通信機能を有するネットワークＮを介して不特定多数の投稿者のユーザーサイドコンピュータ５から送信される投稿文書や投稿画像を、サーバＳのウエブページを介して紙面編集のためのホストコンピュータ１の編集素材用データベース２に蓄積する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device comprising a light-emitting layer, configured to emit a light of first wavelength, disposed in between an n-type region and a p-type region is combined with a cerium-doped garnet phosphor, having a wider excitation spectrum than conventional cerium-doped garnet phosphors.例文帳に追加

ｎ型領域とｐ型領域の間に配置されて第１の波長の光を放射するように構成された発光層を含む半導体発光装置は、従来のセリウムドープガーネット燐光体よりも広い励起スペクトルを有するセリウムドープガーネット燐光体と組み合される。 - 特許庁

A specific unit power consumption database 101-1 stores power consumption for each of operation states different in power consumption with respect to specific units A-F with high contribution to power consumption of an electronic equipment body and large fluctuation range of units A-N constituting the electronic equipment 100.例文帳に追加

特定ユニット消費電力データベース101-1は、電子機器100を構成するユニットＡ〜Ｎのうち、電子機器本体の消費電力への寄与および変動幅が大きい特定ユニットＡ〜Ｆについて、消費電力の相違する各稼動状態別の消費電力を記憶する。 - 特許庁

The ZnO device is characterized in that an undoped ZnO layer having a Zn polarity plane is used as a channel layer and on the ZnO layer having the Zn polarity plane, an O polarity high-concentration n-type ZnO layer connected to source/drain is formed selectively via an inversion layer.例文帳に追加

Ｚｎ極性面を有するアンドープＺｎＯ層をチャンネル層とし、該Ｚｎ極性面を有するＺｎＯ層上には、極性面反転層を介して、ソース・ドレインに接続されたＯ極性高濃度ｎ型ＺｎＯ層が、選択的に形成されていることを特徴とするＺｎＯデバイスである。 - 特許庁

Next, a conductive paste having a conductive material dispersed in a resin is applied onto the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer under an atmospheric pressure at a normal temperature and is dried to form another electrode facing the one electrode.例文帳に追加

次に、樹脂中に導電性物質を分散させた導電性ペーストを、大気圧及び常温の環境下において、前記ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層の上に塗布、乾燥させることによって、一方の前記電極に対向する他方の電極を形成する。 - 特許庁

In a pixel P11, two thin film transistors which are an n-channel TFTn11 for applying straight polarity voltage for applying straight polarity data voltage to a pixel electrode Pe, and a p-channel TFTp11 for applying reversed polarity voltage for applying reversed polarity data voltage to the pixel Pe, are formed.例文帳に追加

画素Ｐ１１には、画素電極Ｐｅに正極性のデータ電圧を印加する正極性電圧印加用のｎチャネルＴＦＴｎ１１と、画素電極Ｐｅに逆極性のデータ電圧を印加する逆極性電圧印加用のｐチャネルＴＦＴｐ１１の２つの薄膜トランジスタが形成されている。 - 特許庁

The resist thin film 15a is etched back, thus forming a sidewall spacer 15b on the sidewall of the gate electrode 4 before the impurities are doped in the semiconductor thin film 2 with the sidewall spacer 15b and the gate electrode 4 as the mask and forming a heavily doped region (n^+).例文帳に追加

レジスト薄膜１５ａをエッチバックすることにより、ゲート電極４の側壁にサイドウォールスペーサ１５ｂを形成した後、サイドウォールスペーサ１５ｂおよびゲート電極４をマスクとして半導体薄膜２中に不純物をドープし、高濃度不純物領域（ｎ^＋）を形成する。 - 特許庁

Since peripheral pixels of image data tend to have gradation values close to each other, a cache hit rate and a hit rate of branch prediction are improved by processing of N lines of the adjacent rasters in parallel to effectively enhance the conversion speed of image data.例文帳に追加

画像データには、周辺の画素は互いに近似した階調値を有する傾向があるので、隣接するＮ本のラスタを並行して処理すれば、キャッシュのヒット率や分岐予測の的中率が向上し、画像データの変換速度を効果的に向上させることができる。 - 特許庁

The method for preparing a crosslinked poly(meth)acrylic acid nitroxide compound comprises reacting a crosslinked poly(meth)acrylic acid imino compound obtained by crosslinking a poly(meth)acrylic acid imino compound, with an oxidizing agent in the presence of a catalyst containing a 2,2,6,6-tetramethylpiperidine-N-oxyl compound.例文帳に追加

ポリ（メタ）アクリル酸イミノ化合物が架橋されてなる架橋ポリ（メタ）アクリル酸イミノ化合物と酸化剤とを、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシル化合物を含む触媒の存在下で反応させることを特徴とする、架橋ポリ（メタ）アクリル酸ニトロキシド化合物の製造方法。 - 特許庁

In the electrophotographic image forming device of the tandem system, the intermediate layer of a photoreceptor used for each image forming unit is an insulated layer incorporating N-type semiconductive particles and binder and also having a Bernard cell structure.例文帳に追加

タンデム式の電子写真画像形成装置において、各画像形成ユニットに用いられる感光体の中間層が、Ｎ型半導体粒子とバインダーを含有し、ベナードセル構造を有する絶縁層であることを特徴とする電子写真画像形成装置により達成される。 - 特許庁

To improve an S/N ratio by reducing noise of a reproduced signal by preventing white light from a sun/lighting fixture from being guided to a photodetecting unit substantially using a photodetector having a band-pass filter for selectively transmitting light in a specific wavelength band.例文帳に追加

特定の波長帯域の光を選択的に透過させるバンドパスフィルタを有する光検出デバイスを用いて、太陽・照明器具からの白色光が実質的に光検出ユニットに導入されないようにし、再生信号のノイズを低下させ、Ｓ／Ｎ比を向上させる。 - 特許庁

The peptide conjugate significantly reduced in the sensitivity to cleavage by various proteases comprises a pharmacologically active peptide(X) and a stabilizing peptide(Z) of a specific 4-20 amino acid residues covalently bound to the peptide X on its C-terminal, N-terminal or both of the terminals.例文帳に追加

薬理学的に活性なペプチド(X)に、そのＣ末端、Ｎ末端、またはＮ，Ｃ両末端において、4〜20残基のアミノ酸の特定の配列からなる、安定化ペプチド(Z)を共有結合させる事により、各種プロテアーゼによる切断に対する感受性が有意に低下した、ペプチド複合体。 - 特許庁

To provide a frequency conversion circuit 10 for a cable television transmitter that uses a frequency mixer 2 to conduct frequency conversion so as to simplify the entire configuration and to prevent deterioration in the C/N thereby effectively eliminating an unnecessary frequency component.例文帳に追加

１個の周波数混合器２を用いて周波数変換を行い、全体構成を簡素化するとともにキャリア対ノイズ比の悪化を防ぎ、不要な周波数成分を有効的に除去することを可能にしたケーブルテレビジョン送信機の周波数変換回路１０を提供する。 - 特許庁