「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(344ページ目) - Weblio英語例文検索

The light receiving sections 221, 222 are sensors for detecting the color stimulus value (Z) arranged on the opposite sides in the fluctuating direction of luminous intensity distribution characteristics of a liquid crystal panel with respect to a central face normal N of a region to be measured.例文帳に追加

これらの受光部のうち、受光部２２１，２２２はいずれも色刺激値Ｚを検出するためのセンサであり、液晶パネル１２の配光特性変動方向ＸＸにおいて被測定領域１２１の中心面法線Ｎに対して相互に反対側に配置されている。 - 特許庁

To provide the method for reproducing video data at n-fold speed by which natural dynamic image display is enabled without making a video in the specified area of a single picture into still image by displaying plural videos on the single screen at any arbitrary double speed while fixing processing time regardless by the degree of multiplexing.例文帳に追加

多重化の度合いに関係無く処理時間が一定で複数の映像を任意の倍速で単一画面に表示でき、単一画面の特定領域の映像が静止画になることなく自然な動画表示が可能になるビデオデータｎ倍速再生方法を得る。 - 特許庁

In order to trim the array waveguide grating 1 of the integrated optical multibeam interferometer consisting of many (N) waveguides (i), at least one of those waveguides (i) is processed over an area Bj of its optical path length Lj only by irradiation varying the core refractive index nj.例文帳に追加

多数（Ｎ個）の導波路ｉからなる集積された光マルチビーム干渉計のアレイ導波路格子１のトリミングのために、これらの導波路ｉの少なくとも１つｊが、コア屈折率ｎ_ｊを変化させる照射によってのみ、その光路長Ｌ_ｊに沿った領域Ｂ_ｊにわたって処理される。 - 特許庁

When the tape cassette loaded in the cassette loading part is not a registered cassette (S51: NO) and is not the previous cassette (S65: NO), cumulative usage T obtained by adding an input correction value N to calculated tape usage L is calculated (S67 to S73) after carrying out printing of a character.例文帳に追加

カセット装着部に装着されるテープカセットが登録カセットでなく（Ｓ５１：ＮＯ）、且つ前回カセットでない場合（Ｓ６５：ＮＯ）、キャラクタ印字の実行後に、入力された補正値Ｎと算出されたテープ使用量Ｌとを加算した累積使用量Ｔが算出される（Ｓ６７〜Ｓ７３）。 - 特許庁

Ions, having polarity opposite to that of the impurity ions composing a p-type well 3, are implanted to form a first channel region 5b in the edge part of a gate electrode 7n and a second channel region 12, which gives influence only on the shallow region of an n--type semiconductor region 8.例文帳に追加

ｐ型ウェル３を構成する不純物イオンとは逆の極性を持つイオンをイオン注入にて打ち込み、ゲート電極７ｎの端部の第１チャネル領域５ｂおよびｎ^-型半導体領域８の浅い領域のみに影響を与える第２チャネル領域１２を形成する。 - 特許庁

To provide a composition which is a water-based herbicide composition containing sodium salt of N-phosphonomethylglycine and sodium salt of 2,2,3,3-tetrafluoropropionic acid in a herbicidally effective mixing ratio and which does not undergo crystal deposition even at low temperatures to thereby show excellent stability during production and storage.例文帳に追加

Ｎ−ホスホノメチルグリシンのナトリウム塩および２，２，３，３−テトラフルオロプロピオン酸のナトリウム塩を除草効果を示すことができる配合割合で含む水性除草剤組成物であって、低温でも結晶析出を起こさず、製造時および保存時安定性に優れた組成物を提供する。 - 特許庁

When an automatic transmission AT is in the N range, an oil pump driving device drives a motor driven oil pump OP2 when the number of rotation of an input shaft of the automatic transmission AT is less than a predetermined threshold, or a first clutch CL is released (step S5, step S6).例文帳に追加

オイルポンプ駆動装置は、自動変速機ＡＴのシフトレンジがＮレンジである場合に、自動変速機ＡＴの入力軸の回転数が所定のしきい値未満であるとき、又は第１クラッチＣＬ１が開放しているときには、電動式オイルポンプＯＰ２を駆動させる（ステップＳ５、ステップＳ６）。 - 特許庁

The adhesive layer is formed from a cured material layer of the active energy ray-curable resin composition containing as a curable component an N-substituted amide-based monomer and an acid group-containing (meth)acrylate-based monomer in which a (meth)acryloyl group is bonded to an acid group through a 1-10C organic group.例文帳に追加

硬化性成分として、Ｎ−置換アミド系モノマー、および（メタ）アクリロイル基と酸基とが炭素数１〜１０の有機基を介して結合した酸基含有（メタ）アクリレート系モノマーを含有する活性エネルギー線硬化型樹脂組成物の硬化物層により接着剤層を形成する。 - 特許庁

The center projecting portion 11 forms the bottom wall 10a of the combustion chamber 10, projecting in a conical shape toward the fuel injection nozzle N, and having a skirt portion 111 continuously connected to a portion on the side of the bottom wall of the peripheral wall 10b of the combustion chamber 10 by a toroidal curved surface.例文帳に追加

中央突部１１は、燃焼室１０の底壁１０ａを形成し、燃料噴射ノズルＮに向かって円錐形状に突出するとともに、燃焼室１０の周壁１０ｂの底壁側の部分に対してトロイダル曲面によって連続的に裾部１１１が接続されている。 - 特許庁

Therefore, the generation of a low concentration region can be prevented in the vicinity of an interface between the n-type active region 121 and the p-type active region 122 even if the region 121 and the region 122 are mixed so as to be mutually contacted (butting diffusion).例文帳に追加

従って、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２とが互いに接するように混在する場合（バッティングディフュージョン）においても、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２との界面付近に低濃度領域が生じることを防ぐことができる。 - 特許庁

A first control means (control means) 17 provided in a control unit 3 transfers weak fluctuation data of the measuring object with little fluctuation among respective data consisting of the serial data to the information display means every period of N times of the renewal period T of the serial data.例文帳に追加

コントールユニット３に備えられる第１の制御手段（制御手段）１７は、前記シリアルデータを構成する各データの内、変動の少ない被測定対象の弱変動データを、前記シリアルデータの更新周期ＴのＮ倍の周期毎に前記情報表示手段へ転送する。 - 特許庁

In the stream receiving apparatus, before a user operates an input part 15, a control part 12 uses the location information of selected (n) stream transmitting stations to generate a distribution request R of data for requesting the transmission of streams ST stored therein.例文帳に追加

ストリーム受信装置において、制御部１２は、ユーザが入力部１５を操作する前に、選択したｎ台のストリーム送信局２それぞれの位置情報を使って、それぞれが蓄積しているストリームＳＴの配信を要求するためのデータである配信要求Ｒを生成し送信する。 - 特許庁

When the packet header information is not registered, a sampling part 34 extracts one packet with respect to N packets, transfers the packet to a packet header analyzing part 35 and requests registration of the arrival time of the packet and the packet header information, when an SYN flag is raised and when there is a space in the table 40.例文帳に追加

そうでない場合にサンプリング部３４でＮ個のパケットに対し１個のパケットを抽出してパケットヘッダ解析部３５に転送し、ＳＹＮフラグが立っておりかつテーブル４０に空きがあれば該パケットの到着時刻やパケットヘッダ情報を登録することを要請する。 - 特許庁

In order to attain a low on resistance by setting the VGS (gate-source voltage) at 2VDD when the second charge transfer MOS transistor M2(N) is turned on, output voltage B(2VDD) of the charge pump circuit is employed as the power supply of a second clock driver CD2 for driving the pumping packet.例文帳に追加

そして、第２の電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ２（Ｎ）がオンするときのＶＧＳ（ゲートソース間電圧）を２ＶＤＤにして、低いオン抵抗を得るために、ポンピングパケットを駆動する第２のクロックドライバーＣＤ２の電源としてチャージポンプ回路の出力電圧Ｂ（２ＶＤＤ）を用いた。 - 特許庁

When a number n of direction keys and angles θas the sensitivity of the direction keys are inputted from an input setting part 7 to the movement destination element judging part 4, a focus movement destination element corresponding to the operation of each direction key is decided for each element, and the obtained result is stored in a table processing part 5.例文帳に追加

入力設定部７から方向キーの数ｎと、方向キーの感度として角度θが移動先要素そして、判定部４に入力されると、各要素に対して、各方向キーの操作に対するフォーカス移動先要素を決定し、得られた結果はテーブル処理部５にストアする。 - 特許庁

When a shutter switch is operated thereafter, processing in step S8 is carried out, and a photographed image (current image) fetched into an image RAM this time is compared with photographed images (past images 1, 2, ..., (n)) fetched into the image RAM sequentially five by five per second, for example.例文帳に追加

この後、シャッタスイッチを操作すると、ステップＳ８の処理が実行され、今回画像ＲＡＭに取り込まれた撮影画像（現在画像）と既に画像ＲＡＭに順次例えば１秒間に５枚ずつ取り込まれている撮影画像（過去画像１、２・・・ｎ）とを所定もマークの領域において比較する。 - 特許庁

As a result, the feedback control of a supply voltage VLED brings the lowest voltage in the output terminal voltage of the current output circuits 2-1 to 2-n closer to the minimum voltage of the margin, and is stably operated, thus efficiently driving the load with a lower supply voltage VLED.例文帳に追加

これにより、電流出力回路２−１〜２−ｎの出力端子電圧における最低電圧をマージン分の最小限の電圧に近づける電源電圧ＶＬＥＤの帰還制御が安定に動作するため、より低い電源電圧ＶＬＥＤで効率よく負荷を駆動できる。 - 特許庁

P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードＩＩとＮＰＮトランジスタＩとの分割部領域にＰ型埋め込み拡散層２をそれぞれ形成するとともに、ＮＰＮトランジスタＩの領域内にＮ型埋め込み拡散層３を形成する。 - 特許庁

To provide a gel composition compounded with an amino acid derivative-based oil-gelatinizing agent represented by N-2-ethylhexanoylglutamic acid dibutylamide, wherein the oil-gelatinizing agent is mixed in an oil substrate without being dissolved by heating under very high temperature conditions of ≥150°C.例文帳に追加

Ｎ−２−エチルヘキサノイルグルタミン酸ジブチルアミドに代表されるアミノ酸誘導体系の油ゲル化剤を配合したゲル状組成物において、１５０℃以上といった非常に高い温度条件下で加熱溶解することなく、油性基剤中に当該油ゲル化剤を均一に混合する。 - 特許庁

To provide a small-sized reader to enhance the S/N of an output signal of a photoelectric conversion element with less power consumption without the need for an auxiliary power supply source and a control means of the power supply in the case of stabilizing a clock voltage to drive the photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換素子を駆動するクロック電圧の安定化を図る場合に、補助の電力供給源やその電源の制御手段を用意することなく、消費電力が少なく、小型の装置で、光電変換素子の出力信号のＳ／Ｎの改善を可能とする。 - 特許庁

A dispersive processing control part 1 spatially divides the problem of a time analysis object into blocks, and combines the divided blocks of the electromagnetic field analysis problem with the other kind of analysis problem connected to its blocks, and also sets the combination as the sub-problem divided in time with every time step number (n).例文帳に追加

分散処理制御部１は、時間解析対象の問題を空間的にブロック分割し、分割された電磁界解析問題のブロックと、それに接続される他種解析問題とを組合わせ、さらに時間的にタイムステップ数ｎ毎に分割した副問題とする。 - 特許庁

In addition, the read is made to be performed by a read speed of one-fold, and the read is performed by a read address RA2 for monitoring to access the data of divided amount of addresses corresponding to 1/N of the amount of unit addresses.例文帳に追加

これに加えて、１倍速による読み出し速度によって読み出しが行われるようにすると共に、単位アドレス量の１／Ｎ分に相当するアドレス量のデータに対して分割的にアクセスが行われるようにするためのモニタ用読み出しアドレスＲＡ２によって読み出しを行うようにする。 - 特許庁

In an array waveguide diffraction grating (AWG) including input waveguides to the number of M and output waveguides to the number of N, the output waveguides are arranged so that each transmission wavelength has an interval of Δλ, and the input waveguides are arranged so that each transmission wavelength has an interval of Δλ+u.例文帳に追加

Ｍ本の入力導波路とＮ本の出力導波路を備えるアレイ導波路回折格子（ＡＷＧ）において、出力導波路は、各透過波長がΔλ間隔になるように配置されており、入力導波路は、各透過波長がΔλ＋ｕ間隔になるように配置される。 - 特許庁

When reacting the hydrocarbons by bringing the hydrocarbons into contact with the oxygen in the presence of an N-hydroxy cyclic imide and a transition metal compound, the reaction is carried out while continuously feeding an oxygen-containing gas to the reaction system, and discharging a gas having 1-10 vol.% oxygen concentration from the reaction system.例文帳に追加

炭化水素類を、Ｎ−ヒドロキシ環状イミドおよび遷移金属化合物の存在下、酸素と接触させて反応させる際、反応系内に酸素含有ガスを継続して供給し、反応系内から酸素濃度１〜１０容量％のガスを排出しながら反応を行う。 - 特許庁

Compounds of formula (I) (wherein Q^1, Q^2, Q^3 and Q^4 have any of the meanings given in the specification), their N-oxide, and their pharmaceutically acceptable salts are nonpeptide antagonists of SP and NKA, and useful for the treatment of asthma and the like.例文帳に追加

式（Ｉ）の化合物（式中、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３およびＱ^４は明細書に示したいずれかの意味をもつ）、それらのＮ−オキシドおよびそれらの薬剤学的に許容しうる塩類はＳＰおよびＮＫＡの非ペプチド系アンタゴニストであり、喘息などの処置に有用である。 - 特許庁

To provide an N-acetylglucosamine sugar chain-recognizing protein present in the smooth muscle cells, cardiac muscle cells and/or skeletal myoblast of blood vessel-damaged sites, to provide an easily producible drug delivery agent capable of specifically delivering a drug via the protein to such sites, and to provide a cationic resin-gene conjugate.例文帳に追加

血管傷害部位の平滑筋細胞、心筋細胞や骨格筋芽細胞に存在するＮ−アセチルグルコサミン糖鎖認識タンパク質、その部位へこのタンパク質を介して特異的に薬物を輸送でき簡便に製造できる薬物輸送剤およびカチオン性樹脂遺伝子複合体を提供する。 - 特許庁

In NMISQN and PMISQP each equipped with the gate insulating film 7 made of high-k material, channels are made at a position deeper than a contacting interface between the gate insulating film 7 and a p-type semiconductor layer 2a or an n-type semiconductor layer 2b.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ材料で形成されるゲート絶縁膜７を有するＮＭＩＳＱＮとＰＭＩＳＱＰにおいて、その動作時にチャネルがゲート絶縁膜７とＰ型半導体層２ａまたはＮ型半導体層２ｂとの接触界面よりも深い位置に形成されるようにする。 - 特許庁

To provide a technology for well performing temperature detection of a heated object, without detriment to good appearance and easiness to clean, in a cooking heater device mainly used for cooking with an electric heating part for heating an object N such as a pan.例文帳に追加

本発明は、主として調理に用いられ、鍋等の被加熱物Ｎを加熱する電気式加熱部を備えたクッキングヒータ装置１００おいて、美観及び掃除のし易さを損なうことなく、被加熱物の温度検出を良好に行なうことができる技術を実現することを目的とする。 - 特許庁

In the independent output pulse from N-piece X-ray detectors 11-1N, two output pulses which are almost simultaneous, namely a difference between their arrival (output) times is within a predetermined certain short interval (for example, 100 ns), are extracted as an output pulse set.例文帳に追加

Ｎ個のＸ線検出器１１〜１Ｎからの独立した出力パルスにおいて、ほぼ同時、すなわち、到着（出力）時刻の時間差が予め設定されたある一定の短い間隔（例えば１００ｎｓ）内である２つの出力パルスが出力パルス組として取り出される。 - 特許庁

To provide an information processing program, an information processor, and an information processing method with high usability, capable of efficiently generating pages of Nin1 images corresponding to a desire of a user when generating the Nin1 images for which N is 2 or larger from image data whose form is converted in an external device.例文帳に追加

外部装置にて形式を変換させた画像データから、Ｎが２以上であるＮｉｎ１画像を生成する場合に、ユーザの所望に応じたＮｉｎ１画像のページを効率良く生成でき、ユーザビリティの高い情報処理プログラム、情報処理装置、及び情報処理方法を提供すること。 - 特許庁

Packetized data, which is (N×I)-byte data generated by gathering M pieces of (K+L)-bit data obtained by adding L-bit dummy data to the K-bit data, wherein L and M are variably set depending on K, is inserted in a data field of the received packet through the serial bus.例文帳に追加

シリアルバスを介して受信したパケットのデータフィールドには、Ｋビットのデータに対してＬビットのダミーデータを付加することで得られる（Ｋ＋Ｌ）ビットのデータが、Ｍ個ずつ集まった（Ｎ×Ｉ）バイトのデータであって、Ｋに応じてＬ及びＭが可変に設定されるパック化データが挿入される。 - 特許庁

In a satellite broadcasting receiving unit 1, when the receiving state of a parabolic antenna is adverse and a baseband signal ϕB is low S/N, PCM demodulation is turned into asynchronous state, a flag signal ϕF is turned into 'H' level and an output terminal 15 for CN ratio detecting voltage VCN is grounded by a switch 9.例文帳に追加

衛星放送受信ユニット１において、パラボラアンテナの受信状態が悪くベースバンド信号φＢが低Ｓ／Ｎの場合は、ＰＣＭ復調が非同期状態になってフラグ信号φＦが「Ｈ」レベルになり、スイッチ９がＣＮ比検出電圧ＶＣＮ用の出力端子１５を接地させる。 - 特許庁

The entire system consists of a 1st device 1, a 2nd device 2 and a third device 3 or the (n)-th device 4, and these devices are respectively provided with an interface with a data configuration conforming to IEEE1394 and connected as digital buses a, b and c in a daisy chain system.例文帳に追加

全体システム第１機器１と第２機器２と第３機器３ないし第ｎ機器４で構成され、これらのそれぞれには、ＩＥＥＥ１３９４に準拠したデータ構成でなるインターフェイスが設けられ、それがデジタルバスａ，ｂ，ｃとしてディジチェーン方式で接続されている。 - 特許庁

The manufacturing method of a nitride semiconductor device has a step, in which a first nitride semiconductor layer 17 and a second nitride semiconductor layer 18 having a Fermi level larger than that of the first nitride semiconductor layer 17, as well as, containing an n-type impurity are formed on a substrate 11 sequentially from the substrate 11 side.例文帳に追加

窒化物半導体装置の製造方法は、基板１１の上に、第１の窒化物半導体層１７と該第１の窒化物半導体層１７と比べてフェルミ準位が大きく且つｎ型不純物を含む第２の窒化物半導体層１８とを基板１１側から順次形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 80 is provided with a semiconductor layered body 82 made of an AlGaInP group chemical compound semiconductor layer on an n type GaAg substrate 81 with a step structure 14 on a slope tilted by 10-degrees in the [0-1-1] orientation from the (100) plane.例文帳に追加

本半導体レーザ素子８０は、（１００）面より〔０−１−１〕方向に１０°傾斜した傾斜面にステップ状構造１４を備えたｎ型ＧａＡｓ基板８１上に、ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体層からなる半導体積層体８２を備えている。 - 特許庁

In order to allow even one caring person to help the bathing person moving to the prescribed position a recess part is formed at the water receiving part 1 of a stretcher S and an auxiliary water receiver is installed on the side of a litter corresponding to the part 41'n the stretcher of the special bathing device.例文帳に追加

一人の介護者でも入浴者を所定位置にまで移動介助出来るように、ストレッチャーＳの水受け１に凹み部分４を設けると共に、この凹み部分４に対応して補助水受け２３を担架側に設置した特殊入浴装置のストレッチャーである。 - 特許庁

In a financial institution 3, when the money amount of security credit is notified from the collection guarantee company computer C2 through the Internet N, the credit is offered as security to the financial institution 3 by a prior agreement and a credit line is automatically set by the ratio of a preset rating factors.例文帳に追加

金融機関３では、集金保証会社コンピュータＣ２からインターネットＮを通じて担保債権の金額が通知されたときは、事前の約定によりその債権が担保として金融機関３へ差し入れられ、あらかじめ設定された掛け目の割合により自動的に融資枠が設定される。 - 特許庁

This aqueous polishing agent composition for a floor contains a polyoxyalkylene diester compound represented by general formula (1); wherein, R^1 and R^2 in the formula (1) each independently represents 1-24C alkyl group, m represents an integer of 2-4, and n represents a number of 2-40.例文帳に追加

下記一般式（１）で表されるポリオキシアルキレンジエステル化合物を含有することを特徴とする床用水性艶出し剤組成物； 但し、（１）式中のＲ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２４のアルキル基を表し、ｍは２〜４の整数、ｎは２〜４０の数を表す。 - 特許庁

The operation of the memory array is thereby programmed by a method for injecting holes generated by the avalanche phenomenon into multi-dielectric layers of respective memory cells and performed by a method for injecting electrons existing in channels through F-N tunneling into the multi-dielectric layers of respective cells at the time of erasing.例文帳に追加

従って、メモリアレイの動作は、前記アバランシュ現象により生成されたホールを各メモリセルの多重誘電層に注入させる方式でプログラムし、イレース時にはＦ−Ｎトンネルリングによりチャンネルにある電子を前記各セルの多重誘電層に注入させる方式で行うことになる。 - 特許庁

When an element 21, a Hall element, is formed on a slope 16a having a large step, an n-type impurity ion is implanted on the whole surface of the substrate 12 from an oblique direction in parallel with or having a sharp angle β° with the slope 16a by the use of the oblique ion implantation.例文帳に追加

段差の大きな斜面１６ａ上にホール素子であるエレメント２１を形成する際に、斜めイオン注入法を用い、斜面１６ａに対して平行か又は鋭角の角度β゜を成すように斜め方向から、基板１２全面にＮ形不純物イオンを注入する。 - 特許庁

To provide a contact-type microphone that can pick up a very small vibration sound with a sound pressure level of about several dBs in air, even under a normal environment, provides a sufficiently superior output S/N used for broadcasting and a high output voltage which does not need a special post- stage amplifier.例文帳に追加

通常の環境下においても空気中での音圧レベルが数ｄＢ程度の微小振動音を収音可能とし、その出力のＳ／Ｎは放送に使用できるほど十分によく、特殊な後置増幅器を必要としないほど出力電圧も大きい接触型マイクロホンを実現する。 - 特許庁

In a conventional CCD solid-state imaging device, the potential of an n-type impurity zone of a vertical charge transfer (charge transfer region) is pulled up at its both sides with round shapes, which becomes a cause of deterioration of a transfer characteristic.例文帳に追加

従来のＣＣＤ固体撮像素子において、垂直電荷転送部（電荷転送領域）のｎ型不純物領域のポテンシャルは、隣接するｐ型不純物領域の影響によって両側が丸みを帯びた状態で引き上げられ、転送特性劣化の要因となる。 - 特許庁

A semiconductor detector detecting a radiation from an electronic positive hole couple, which is generated when the radiation is made incident on a depletion layer generated in the semiconductor substrate by the application of inverse direction voltage between the P+ layers 102 and 103 and the N+ layer 104 when it is applied, is provided.例文帳に追加

Ｐ^+層１０２，１０３とＮ^+層１０４との間に逆方向電圧を印加したとき、これにより半導体基板内に生じる空乏層中に放射線が入射した際に発生する電子正孔対から放射線を検出する半導体検出器を提供する。 - 特許庁

Pairs of P-type elements 22 and N-type elements 24 are connected in series via a copper pattern 28 formed on a ceramic substrate 30 through metallization, an outer circuit 34 is formed along an outer edge of the substrate 30, and an inner circuit 36 is formed inside the outer circuit 34.例文帳に追加

セラミック基板（３０）上にメタライジングによって形成した銅パターン（２８）を介して、Ｐ型素子（２２）とＮ型素子（２４）からなる素子対を直列接続し、セラミック基板（３０）の外縁に沿って外側回路（３４）を形成し、該外側回路（３４）の内側に内側回路（３６）を形成する。 - 特許庁

In the electrostatic atomizer, a cooling part is electrically connected to the atomizing electrodes 13, 14 and is constituted of an N-type thermoelectric element 15 and a P-type thermoelectric element 16 energized by a current supply part 20 as a power supply part so that the atomizing electrode 13, 14 sides become endothermic sides.例文帳に追加

冷却部が霧化電極１３，１４と電気的に接続されるとともにこの霧化電極１３，１４側が吸熱側となるように電力供給部としての電流供給部２０にて通電されるＮ型熱電素子１５及びＰ型熱電素子１６で構成される。 - 特許庁