「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(341ページ目) - Weblio英語例文検索

The NOx gas sensor in which the variable V/A, comprising the capacity V of the second chamber S2 and the electrode area A of the second inner electrode 25a, is set to be between 0.01 [mm] and 0.1 [mm] can shorten the light-off time, and prevent any degradation of the S/N ratio.例文帳に追加

そして、第２室Ｓ２の容積Ｖと第２内側電極２５ａ電極面積Ａとからなる変数Ｖ／Ａの値が０．０１［ｍｍ］〜０．１［ｍｍ］に設定されたＮＯｘガスセンサは、ライトオフ時間を短縮し、かつＳ／Ｎ比の悪化を防止することができる。 - 特許庁

The method for making a planographic printing plate is carried out by exposing a photographic material having a silver halide emulsion layer, developing (without including a process of silver complex salt diffusion transfer development), and then treating with a treating liquid containing a pyridine-N-oxide compound having a mercapto group in the molecule.例文帳に追加

ハロゲン化銀乳剤層を有する写真材料を露光し、現像処理（銀錯塩拡散転写現像を含まない）後、分子中にメルカプト基を有するピリジン−Ｎ−オキシド化合物を含有する処理液で処理する平版印刷版の作成方法。 - 特許庁

To provide a coding communication unit that can realize stable data transmission reception even under a low C/N environment and extend the communication distance without the need for a carrier recovery circuit and a frequency correction circuit or the like in data communication adopting the spread spectrum communication technology.例文帳に追加

スペクトラム拡散通信技術を用いたデータ通信において、キャリア再生回路，周波数補正回路等を必要とせず、低Ｃ／Ｎの環境でも安定したデータの送受信が実現でき、通信距離を延ばすことが可能な符号化通信装置を提供する。 - 特許庁

When a source/drain regions 12, 14 are formed in CMIS, Argon is implanted into a P-type well layer 4 as a dislocation suppressive element and nitrogen is implanted into a N-type well layer 5 as the dislocation suppressive element, prior to the ion-implantation of impurities into a silicon substrate 1.例文帳に追加

ＣＭＩＳにおけるソース・ドレイン領域１２、１４の形成時、シリコン基板１に不純物をイオン注入する前に、Ｐウエル層４には転位抑制元素としてアルゴンを打ち込み、かつＮウエル層５には窒素を転位抑制元素として打ち込む。 - 特許庁

The objective protein is a new pearl layer substrate protein having an amino acid sequence of the formula at the N terminal position, capable of being obtained from pearl layer in shell epidermis of Pinctada fucata but incapable of being obtained from its prismatic layer and having 14 kDa or 17 kDa molecular weight determined by SDS-PAGE, and enables us to artificially synthesize pearls.例文帳に追加

アコヤガイの殻体の真珠層からのアルカリ可溶性有機基質成分を精製することにより、１４ｋＤ及び１７ｋＤの分子量を有し稜柱層には存在せず真珠層のみに存在する新規な真珠層基質タンパク質が得られる。 - 特許庁

Practically, in the blade surfaces C and D faced to the exhaust port, the angle of elevation α1 at the intake port side varies from 20 degree to 50 degree, and the angle of elevation α2 at the intake port side when the angle of elevation α1 is equal to N, varies from 10 degree to (L-5) degree.例文帳に追加

具体的には、排気口に面した側のブレード面Ｃ、Ｄにおける、吸気口側の仰角α１を２０度〜５０度の範囲とし、この吸気口側の仰角α１＝Ｎとした場合の排気口側の仰角α２を１０度〜（Ｌ−５）度の範囲とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a 2-hydroxycyclohexanone compound represented by formula (1) (wherein R is a 1 to 4C alkyl group or a 1 to 4C alkoxyl group; and n is an integer of 0 to 9) in high yields by crystallizing the compound within a short time into an easily handleable form.例文帳に追加

本発明は、下式（１）で示される２−ヒドロキシシクロヘキサノン化合物を、取り扱いの容易な形状で、短時間に晶析させて、高い取得収率で得ることができる２−ヒドロキシシクロヘキサノン化合物の製造法を提供することを課題とする。 - 特許庁

This single steel filament 1 longitudinally having wave pattern kinks in about spiral or flat form has 0.25-0.40 mm filament diameter, 2,900-4,000 N/mm^2 tensile strength and 150-180 GPa Young's modulus after imparting the above wave pattern kinks.例文帳に追加

長手に亘り略螺旋状あるいは略平面状の波形くせを有する単線１において、線径が０．２５〜０．４０ｍｍで引張強度が２９００〜４０００Ｎ／ｍｍ^２であり、かつ上記波形くせを施した後の縦弾性係数が１５０〜１８０ＧＰａである。 - 特許庁

The praying-hands band A is provided with a flexible band member 1 wound around the clasped both wrists N, engagement means 2 provided in both ends of the band member 1 and detachably engaged therewith, and a lace ornament 3 provided around the outer circumference of the band member 1.例文帳に追加

合掌バンドＡは、合掌した両手首Ｎに巻かれ、伸縮自在なバンド部材１と、該バンド部材１の両端部に設けられ係脱自在に係合し得る係合手段２と、バンド部材１の外周面に設けられるレース飾り３とからなる。 - 特許庁

A primary amine, urea and/or an N-unsubstituted carbamic acid ester and an alcohol are caused to react in the presence of a catalyst to give a carbamate followed by a thermal decomposition reaction of the carbamate to give an isocyanate and a residue, and subsequently the catalyst is recovered from the residue.例文帳に追加

１級アミンと、尿素および／またはＮ−無置換カルバミン酸エステルと、アルコールとを、触媒の存在下において反応させ、カルバメートを製造し、次いで、カルバメートを熱分解反応させ、イソシアネートおよび残渣を得た後、残渣から、触媒を回収する。 - 特許庁

This light control system includes m pieces of lighting systems and n pieces of illuminance detectors and a control device, and the control device memorizes a contribution a_i,j of illuminance F_j of light illuminated from each lighting system to illuminance E_i detected by each illuminance detector in a contribution memorizing means.例文帳に追加

ｍ個の照明装置とｎ個の照度検出器制御装置とを備え、制御装置は、各照度検出器で検出される照度Ｅ_ｉに対する各照明装置から照出される照光の照度Ｆ_ｊの寄与度ａ_ｉ，ｊを寄与度記憶手段に記憶する。 - 特許庁

The semiconductor apparatus includes the N-channel MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor) formed on a semiconductor substrate having a main surface of which plane orientation is (110) plane, having the silicide of nickel or nickel alloy at least in one upper portion of the source region and the drain region.例文帳に追加

半導体装置は、面方位が（１１０）面たる主表面を有する半導体基板上に形成され、ソース領域およびドレイン領域の少なくとも一方の上部にニッケルまたはニッケル合金のシリサイドを有するＮチャネルＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）を備える。 - 特許庁

By applying compressive strain to the crystal of such a compound semiconductor, an expansion strain in the crystal caused by nitrogen holes can be reduced, thus obtaining a good N type compound semiconductor which has fewer lattice defects and a superior crystallinity.例文帳に追加

このような化合物半導体により形成される結晶に圧縮歪みを与え、窒素空孔に起因する結晶中の拡張歪を緩和することができるので、格子欠陥の少ない結晶性に優れた良好なＮ型化合物半導体が得られる。 - 特許庁

Each DC power supply unit 2001-200N is a charger for charging batteries supplying electric energy to an electric automobile or a gasoline-and-electric hybrid automobile, and is configured to output the maximum output by n DC power supply units housed in one housing.例文帳に追加

各直流電源ユニット2001〜200Nは、電気自動車もしくは、ガソリン、電気のハイブリッド自動車に電気的エネルギーを供給するバッテリー充電用の充電器で、最大出力を１つの筐体に納められたｎ台の直流電源ユニットにて出力する構成とされる。 - 特許庁

Rod elements 11 and 12 composed of an n-type thermoelectric conductor and a p-type thermoelectric conductor are arranged and fixed regularly, with an insulating layer 30 in between and end surfaces of the rod type elements 11 and 12 are exposed respectively to form two wiring surfaces 40a and 40b.例文帳に追加

ｎ型熱電半導体とｐ型熱電半導体からなる複数の棒状素子１１、１２を絶縁層３０を介して規則的に配置して固定し、各棒状素子１１、１２の端面をそれぞれ露出させて二面の配線面４０ａ、４０ｂを作る。 - 特許庁

Next, the original paper is fed so as to partly in duplicate with a lower prescribed pixel area of the k-th band, R, G, B image data of a (k+1)-th band are read by one bandwidth and image data R2, G2, B2 of a pixel coordinates X(n, m') are sequentially stored.例文帳に追加

次いで、第ｋバンドの下部所定画素領域と一部が重複するように原稿用紙を送り込み、第（ｋ＋１）バンドのＲ、Ｇ、Ｂ画像データを１バンド幅で読み取り、画素座標Ｘ（ｎ，ｍ′）の画像データＲ２、Ｇ２、Ｂ２を順次保存する。 - 特許庁

The game machine has a recommended stopping operation promotion notifying means 143 for giving notice for promoting a recommended stopping operation to a player according to a prescribed condition in a normal game after an n-1 number of rounds of the specific game during the specific introduction game are terminated.例文帳に追加

前記特定導入遊技中の特定遊技がｎ−１回終了後の通常遊技において、所定条件に応じ、遊技者に推奨停止操作を促すための報知を行うことができる推奨停止操作促進報知手段１４３を設けた。 - 特許庁

An n-type thin-film transistor is provided on a surface at a liquid-crystal side of at least one of substrates that are arranged oppositely via liquid crystal, and a layer that is subjected to hydrogen treatment or high- condensation doping is formed on the sidewall surface of a semiconductor layer in the thin-film transistor.例文帳に追加

液晶を介して対向配置される基板のうち少なくとも一方の基板の液晶側の面にｎ型薄膜トランジスタを備え、該薄膜トランジスタの半導体層の側壁面には水素処理あるいは高濃度ドープがなされた層が形成されている。 - 特許庁

In an impurity injection process, injection ranges of impurities are controlled into relation, such that an n-type semiconductor region 13 and a p-type semiconductor region 14 appear adjacent on the top surface of a semiconductor substrate 9, and impurities are injected into the semiconductor substrate 9.例文帳に追加

不純物注入工程では、半導体基板９の表面にｎ型半導体領域１３とｐ型半導体領域１４が隣接して出現する関係に不純物の注入範囲を管理して、不純物を半導体基板９に注入する。 - 特許庁

The reference voltage for each input upper limit value is set to satisfy a relation V_1≤V_2≤...≤V_n, wherein the number of set input upper limit values is n, and the reference voltages for the input upper limit values are V_1, V_2, ..., V_n in the descending order.例文帳に追加

入力上限値毎の基準電圧は、設定された入力上限値の数をｎとし、入力上限値毎の基準電圧を、対応する入力上限値の値が高いものから順にＶ_1、Ｖ_2、・・・、Ｖ_nとしたときに、Ｖ_1≦Ｖ_2≦・・・≦Ｖ_nとなるように設定する。 - 特許庁

In order to reflect a circuit characteristic of a product chip as an evaluation equation Z, items such as an N/P drain current ratio, a time constant, or the series resistance of a wiring and a contact as a function of two kinds or more of electric characteristic data, are further added to the electric characteristic data.例文帳に追加

製品チップの回路特性を反映するために、評価式Ｚとして、電気特性データの他に、２種類以上の電気特性データの関数である、Ｎ／Ｐドレイン電流比や時定数、配線とコンタクトの直列抵抗の項目を追加している。 - 特許庁

In the general formula (1), R^1 to R^4 represent hydrogen atom, alkyl group having the number of substituted or non-substituted carbon of 1 to 20, and the like respectively independently, Ar^1 represents allyl group having the number of substituted or non-substituted carbon of 6 to 30 or the like, and repetition number n is 0 or 1.例文帳に追加

（一般式（１）中、Ｒ^1〜Ｒ^4は、それぞれ独立しており、水素原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基等であり、Ａｒ^1は、置換または非置換の炭素数６〜３０のアリール基等であり、繰り返し数ｎは０または１である。） - 特許庁

The metal gate electrode having a structure in which a work function control layer 5 containing N etc., an intermediate layer 6 containing Si or Al, and a low resistance layer 7 of MoN layer etc. are laminated through a gate insulating film 4 is formed on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２上に、ゲート絶縁膜４を介して、Ｎ等を含有する仕事関数制御層５、ＳｉまたはＡｌを含んだ中間層６、およびＭｏＮ層等の低抵抗層７が積層された構造を有するメタルゲート電極を形成する。 - 特許庁

This nonoriented silicon steel sheet excellent in magnetic properties after blanking contains 2.5 to 10% Si and 1.5 to 20% Cr by mass, and the total content of C and N is ≤0.01%, the content of Al is ≤0.0050%, and the residue is Fe and inevitable impurities.例文帳に追加

Si：2.5 〜10mass％及びCr：1.5 〜20mass％を含有し、Ｃ及びＮを合計量で0.01mass％以下に低減するとともに、Alを0.0050mass％以下に低減し、残部がFe及び不可避的不純物からなることを特徴とする打ち抜き加工後の磁気特性に優れる無方向性電磁鋼板。 - 特許庁

The i-th data file for output created by extracting maximum data and minimum data from every 2p pieces of data sections of the (i-1)-th data files for output sequentially (steps 210, 214 and 218) on each i from 1 to n is previously stored in a storage device 3 (a, b, c).例文帳に追加

１からｎまでの各ｉについて順次（ステップ２１０、２１４、２１８）、第（i-1）出力用データファイルの２ｐ個ずつのデータ区間から最大データと最小データを抽出して作成した第i出力用データファイルを記憶装置３に予め記憶する（a,b,c）。 - 特許庁

Near the vicinity of the outer circumferential part of the upper surface of the substrate 1, reflective portions 61 and 62 composed of a compound semiconductor layer laminating the N-type semiconductor layer 2, the active layer 3, and the P-type semiconductor layer 4 in this order are formed to face the side surface of the light-emitting portion 60.例文帳に追加

基板１の上面外周部付近には、発光部６０の側面に対峙して、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４の順に積層された化合物半導体層で構成された反射部６１、６２を形成してある。 - 特許庁

The oil-in-water emulsion composition contains: (A) salt D-amino acid; (B) an N-acyl methyl taurine salt; (C) higher alcohol; (D) water; and (E) an oil liquid at ordinary temperatures, and forms a gel having a transition temperature of ≥60°C by the (B), (C), (D) and (E) components.例文帳に追加

（Ａ）塩型のＤ−アミノ酸、（Ｂ）Ｎ−アシルメチルタウリン塩、（Ｃ）高級アルコール、（Ｄ）水、及び（Ｅ）常温で液状の油分を含有し、前記（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）成分で６０℃以上の転移温度を持つゲルを形成する水中油型乳化組成物。 - 特許庁

In the disk having different the depth of the groove/pit, the difference d3 between the height d1 from the bottom surface to the upper surface of the groove and the height d2 from the bottom surface to the upper surface of the pit satisfies equation λ/8n≤d3≤λ/5n (λ: the wavelength of the laser beam, n: refractive index of the disk).例文帳に追加

グルーブ／ピットの深さが異なるディスクは、底面からグルーブの上部面までの高さｄ_1及び底面からピットの上部面までの高さｄ_2間の差ｄ_3が式λ／８ｎ≦ｄ_3≦λ／５ｎ（λ：レーザービームの波長、ｎ：ディスクの屈折率）を満足する。 - 特許庁

The general formula (I) is X_nSi(OR)_4-n, and here, in the formula, X indicates a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group, a fluorine-substiuted alkyl group, an aryl group or a vinyl group of carbon number 1-8, and R indicates the hydrogen atom or the alkyl group, aryl group or vinyl group of carbon number 1-8.例文帳に追加

Ｘ_nＳｉ（ＯＲ）_4-n_・・・・（Ｉ）（式中、Ｘは水素原子、フッ素原子、または炭素数１〜８のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、Ｒは水素原子、または炭素数１〜８のアルキル基、アリール基もしくはビニル基等を表す。） - 特許庁

The combined medicine is combined with a noradrenaline reuptake inhibitor such as reboxetine and contains agomelatine or N-[2-(7-methoxy-1-naphthyl)ethyl]acetamide and is used to enhance treatment effect, for example, on resistant depression in combination with single use of agomelatine.例文帳に追加

レボキセチンのようなノルアドレナリン再取り込み阻害剤と組み合わせられたアゴメラチン又はＮ−［２−（７−メトキシ−１−ナフチル）エチル］アセトアミドを含む組み合わせの医薬の使用により、アゴメラチン単独との比較において、例えば抵抗性うつ病の治療効果が強化される。 - 特許庁

Thereby, the optically active N-substituted pipecolic acid ester can be prepared in high yield and the optically active pipecolic acid or the derivative thereof useful as the synthetic raw material or the intermediate for the medicines can economically be produced and provided.例文帳に追加

これによって，高い収率で光学活性Ｎ−置換ピペコリン酸エステルを得ることができるようになり，医薬品の合成原料や中間体として有用な光学活性ピペコリン酸やその誘導体を経済的に製造し提供することが可能となる。 - 特許庁

To prevent malfunctions in detecting adjacent sections associated with scale detection errors when performing absolute detection over sections N-times the wavelength of two sets of scales with different wavelengths by the phase difference between phase modulation signals outputted from the two sets of scales.例文帳に追加

異なる波長を有する２組のスケールから出力される位相変調信号の位相差によって上記スケールの波長のＮ倍の区間に亘ってアブソリュートに検出するに当たり、上記スケールの検出誤差に伴う隣接区間検出の誤動作を防ぐ。 - 特許庁

The catalyst is used, wherein a catalyst component is carried by a carrier having 39.7-46.3 mass% silicon content or 85-99 mass% silicon content expressed in terms of silicon dioxide or a silicic carrier having ≥30 N compressive strength.例文帳に追加

珪素含有量が３９．７質量％〜４６．３質量％の範囲または二酸化珪素換算で８５質量％〜９９質量％の範囲にある担体または圧縮強度が３０Ｎ以上である珪酸質担体に触媒成分を担持させた触媒を用いる。 - 特許庁

The photocatalyst coating liquid is characterized in that photocatalyst particles comprising crystal fine particles of a metal oxide that is an n-type semiconductor, are dispersed therein and a water-soluble cage silsesquioxane is contained by 0.01 to 100 mass% based on the photocatalyst solid content.例文帳に追加

ｎ型半導体である金属酸化物の結晶微粒子からなる光触媒粒子が分散され、かつ水溶性カゴ型シルセスキオキサンを光触媒固形分に対して０．０１〜１００質量％含有していることを特徴とする光触媒塗工液。 - 特許庁

The method includes at least a step of alkenylating the α-position by reacting an N-containing aromatic heterocyclic compound having H at the α-position with an alkyne compound in the presence of a nickel catalyst, a phosphine-based ligand and a Lewis acid catalyst.例文帳に追加

少なくともα位に水素原子を有する含窒素芳香族複素環化合物とアルキン化合物を、ニッケル触媒とホスフィン系配位子とルイス酸触媒の存在下で反応させ、当該α位をアルケニル化する工程を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

In this semiconductor device, an n-type InGaAlP layer is inserted between an InGaAs ohmic contact layer and an InAlAs Schottky contact layer to reduce an amount of band discontinuation of a conduction band of a hetero junction, thereby lower the source and drain resistances.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓオーミックコンタクト層とＩｎＡｌＡｓショットキーコンタクト層の間にｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層を挿入することによって、ヘテロ接合の伝導帯のバンド不連続量を小さくし、ソース抵抗およびドレイン抵抗を低減した半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a sulfonic acid from a sulfonate salt through simple operations with good productivity, when an amide is formed by subjecting an oxime into a rearrangement reaction in the presence of the sulfonic anhydride and an N-disubstituted amide.例文帳に追加

スルホン酸無水物およびＮ，Ｎ−二置換アミド化合物の存在下でオキシム化合物を転位反応することによりアミド化合物を製造する方法において、簡単な操作で且つ生産性良くスルホン酸塩からスルホン酸を製造する方法を提供する - 特許庁

On the other hand, when a shift position of a shift lever is in an N-range and the MG1 feedback control is performed, the ECU 100 makes MG2 to output motor torque Tm corresponding to generator torque Tg outputted for suppressing a torque reaction of the engine 200.例文帳に追加

一方、シフトレバーのシフト位置がＮレンジであり且つＭＧ１フィードバック制御を実行する場合、ＥＣＵ１００は、エンジン２００のトルク反力を抑えるために出力されるジェネレータトルクＴｇに対応するモータトルクＴｍをＭＧ２から出力させる。 - 特許庁

An Agrobacterium bacterium improved in productivity of the carotenoid is obtained by breeding carotenoid-producing marine Agrobacterium bacterium N-81106 strain.例文帳に追加

カロテノイド生産性海洋性アグロバクテリウム属細菌Ｎ−８１１０６株（独立行政法人産業技術総合研究所特許生物寄託センターにＦＥＲＭ Ｐ−１４０２３として寄託されている）の育種により得られる、カロテノイド生産性が向上したアグロバクテリウム属細菌。 - 特許庁

The composition for promoting the accumulation and/or suppressing the decrease in collagen contains a urea compound expressed by formula (I) (X is a halogen atom, a lower alkyl, a lower alkoxy or trifluoromethyl; and (n) is an integer or 0-3).例文帳に追加

式（Ｉ）（式中、Ｘはハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はトリフルオロメチル基を示し、ｎは０から３の整数を示す。）で示される尿素化合物を含有する、コラーゲン蓄積促進及び／又は減少抑制のための組成物等が提供可能となった。 - 特許庁

The bit conversion operation in each comparator circuit is finished until each latch circuit 105 enters the latching operation corresponding to latching clock signals CLKi (i=1 to n) generated while having relatively delays during the hold operating period of the sample-hold circuit 104.例文帳に追加

この各比較回路におけるビット変換動作は、サンプルホールド回路１０４のホールド動作期間内に相対的に遅延を持って発生するラッチ用クロック信号ＣＬＫｉ（ｉ＝１〜ｎ）によって対応する各ラッチ回路１０５がラッチ動作に入るまでには終了する。 - 特許庁

An objective quinazolin-4-one derivative is produced in a high yield by a method for reacting an N-formylanthranilic acid derivative with formaldehyde by using ammonia and any one or more of acetic acid and ammonium acetate as catalysts.例文帳に追加

Ｎ−ホルミルアントラニル酸誘導体とホルムアミドを、触媒としてアンモニアと共に、酢酸、酢酸アンモニウムの何れか一種以上を用いる方法にて反応させることにより、高収率で目的とするキナゾリン−４−オン誘導体を製造することが可能となる。 - 特許庁

(in formula 2, (n) is 0 to 3; concretely, 2-(3-methylbutyl)benzimidazole, 2-(3-methylbutyl) tosylimidazole, and 2-(3-methylbutyl)xylylimidazole are given.).例文帳に追加

（式１中、ｎは０〜３。具体的には、２−（１−エチルペンチル）ベンズイミダゾール、２−（１−エチルペンチル）トシルイミダゾール、２−（１−エチルペンチル）キシリルイミダゾールが挙げられる。） （式２中、ｎは０〜３、具体的には、２−（３−メチルブチル）ベンズイミダゾール、２−（３−メチルブチル）トシルイミダゾール、２−（３−メチルブチル）キシリルイミダゾールが挙げられる。） - 特許庁

In the formula, R^10 represents hydrogen atom, metal cation or quaternary ammonium cation, L^10 represents single bond or divalent organic group, R^11-R^13 each independently represent hydrogen atom, or substituted or unsubstituted alkyl, and n represents 1 or 2.例文帳に追加

（式（１）中、Ｒ^10は、水素原子、金属カチオン、または第四級アンモニウムカチオンを表す。Ｌ^10は、単結合、または、二価の有機基を表す。Ｒ^11〜Ｒ^13は、それぞれ独立して、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。ｎは１または２を表す。） - 特許庁

To provide a polymer having a N-substituted acrylamide unit useful as a basic resin for a photoresist which enables high sensibility and high resolution of the photoresist by satisfying good optical transparency, alkaline solubility and heat resistance in an excimer laser lithography at the same time.例文帳に追加

エキシマレーザーリソグラフィーにおいて、良好な光透過性、アルカリ溶解性、耐熱性を同時に満たすことで、フォトレジストの高感度化、高解像度化を可能にするフォトレジスト用ベース樹脂として有用な、Ｎ−置換アクリルアミド単位を有する重合体を提供すること。 - 特許庁