「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(337ページ目) - Weblio英語例文検索

The table correcting/updating section 2-5 makes a (total demand air volume)-(rotational speed of a fan) table TA' from the relationship between the rotational speed of the fan N and the total demand air volume VTsp and replaces TA in a fan rotational speed determining section 2-1.例文帳に追加

テーブル修正・更新部２−５は、近似曲線によって示されるファン回転数Ｎと合計要求風量ＶＴｓｐとの関係を合計要求風量−ファン回転数テーブルＴＡ′とし、ファン回転数決定部２−１におけるＴＡと入れ替える。 - 特許庁

The intermediate portion of the length direction of the body belt is formed of an elastic woven or knitted cloth 21, and the front and rear ends may be made of a load-bearing strip 22 exhibiting a stress (F) of 600 (N/5 cm) or higher when it is elongated by 10% in the length direction.例文帳に追加

装身ベルトの長さ方向における中間部分を弾性織編布帛２１によって構成し、その前後両端部分は長さ方向における１０％伸長時の応力（Ｆ）が６００（Ｎ／５ｃｍ）以上の耐力帯２２によって構成してもよい。 - 特許庁

To obtain an emulsified composition capable of ensuring more sufficient safety and formulation stability while enhancing pharmacodynamic effects of a resorcinol derivative in an emulsified composition such as a cosmetic or a skin medicine for external use comprising the resorcinol derivative such as 4-n-butylresorcinol.例文帳に追加

４−ｎ−ブチルレゾルシノール等のレゾルシノール誘導体を含有する化粧料や皮膚外用医薬品等の乳化組成物において、レゾルシノール誘導体の薬効を高めながら、さらに充分な安全性と製剤安定性が確保された乳化組成物を提供する。 - 特許庁

The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加

分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁

In the super-junction structure wherein an n-type column and a p-type column are repeated, the width of a column where a carrier passes through is 4.5 μm or less, and the concentration of impurity of the column where the carrier passes through is adjusted to be lower than a concentration satisfying the reduced surface field.例文帳に追加

ｎ型コラムとｐ型コラムが繰返されているスーパージャンクション構造において、キャリアが通過するコラムの幅は４．５μｍ以下であり、かつキャリアが通過するコラムの不純物濃度がリサーフ条件を満たす濃度よりも低濃度に調整する。 - 特許庁

A resin is impregnated in a base paper composed of a pulp containing softwood pulp (N pulp) and hardwood pulp (L pulp) at a mass ratio of 5/5 to 7/3 and having a beating degree of 25-40°SR measured by a Schopper freeness tester, and a heat sealing agent layer is formed on one surface of the impregnated base paper.例文帳に追加

針葉樹パルプ（Ｎ材）と広葉樹パルプ（Ｌ材）との比率が質量比で５／５〜７／３で、ショッパーフリーネスでの叩解度が２５〜４０°ＳＲであるパルプからなる原紙に樹脂を含浸し、その一方にヒートシール剤層を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁

When an empty region, in which the monitor result is stored, runs out of the storage region, as a result of a long term monitoring, the PM circuit 10 selects not more than n-bit data among the m-bit data as the monitor result, and outputs the data via a data bus 17 to an I/O 16.例文帳に追加

長期間にわたるモニタの結果、記憶領域にモニタ結果を格納する空き領域がなくなった場合には、ＰＭ回路１０は、モニタ結果のｍｂｉｔデータの内、ｎｂｉｔ以下を選択し、データバス１７を介して、Ｉ／Ｏ１６より外部に出力する。 - 特許庁

Also, in the storage devices 104a, 104b, the data size "n" of the body to be detected, which is acquired from a controller 108 by a CPU 107c, is transferred upon initial communication at the time of activation or the like, and the optimum correction parameter is selected for the data size of the body to be detected.例文帳に追加

なお、記憶器１０４ａ、１０４ｂでは、起動時等の初期通信時に、ＣＰＵ１０７ｃが制御装置１０８から取得した被検出体のデータサイズ「ｎ」が転送されており、被検出体のデータサイズに対して最適な補正パラメータを選択する。 - 特許庁

In general formula (1), X denotes any one of a substituted or unsubstituted alkyl group, an oxygen atom, and a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group; R_1, R_2, R_3, R_4, R_5 and R_6 each denote any one of a hydrogen atom, a methyl group and an ethyl group; and n denotes an integer of 1 to 4.例文帳に追加

（式中、Ｘは、置換もしくは無置換のアルキル基、酸素原子、又は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表わし、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６は、水素原子、メチル基、又はエチル基を表わし、ｎは１〜４の整数を表わす。） - 特許庁

In a junction structure, P+type base regions 3 located on the both sides of a trench 5 are positioned at the lower part than the lowest position of an oxide film 8, and an N-type channel layer 6 is pinched between the two P+type base regions 3 from the both sides on the bottom of the trench 5.例文帳に追加

トレンチ５の両側に位置するＰ＋型ベース領域３を酸化膜８の最下方位置よりも下方に位置させ、トレンチ５の底面においてＮ−型チャネル層６を２つのＰ＋型ベース領域３で両側から挟みこんだジャンクション構造とする。 - 特許庁

To reduce the influence of exciting light and to provide an image of a sufficiently high S/N, without increasing the thickness of an exciting light cut-off filter in a device for linearly irradiating a storage phosphor sheet with the excitation light and reading radiation image information by a line sensor.例文帳に追加

蓄積性蛍光体シートに励起光を線状に照射し、ラインセンサにより放射線画像情報を読み取る装置において、励起光カットフィルタの厚さを大きくすることなく、励起光の影響を減少させ、Ｓ／Ｎが十分高い画像を得る。 - 特許庁

The sensor units 2-1 to 2-n are arranged precisely in inspection portions by moving the sensor units to the inspection portions to conduct flaw detection, by the such tank inspection device 1, and the inspection portion positioned precisely is flaw-detected by this manner.例文帳に追加

このようなタンク検査装置１によれば、センサユニットを検査部位に移動させて探傷することより、センサユニット２−１〜２−ｎをより高い精度で検査部位に配置することができ、より高い精度で位置決めされた検査部位を探傷することができる。 - 特許庁

This water-bases ink for ball point pen comprises at least a coloring agent and water and a polyoxyethylenestearyl ester represented by formula (I) C17H35COO(CH2CH2O)nH [wherein (n) is 30-60] and compounded in an amount of 0.3-3 wt.% based on the total amount of ink.例文帳に追加

少なくとも、着色剤および水を含有し、次式（Ｉ） Ｃ_17Ｈ_35ＣＯＯ（ＣＨ_2ＣＨ_2Ｏ）_nＨ （Ｉ） （式中、ｎは３０〜６０の数を意味する）で表されるポリオキシエチレンステアリルエステルをインキ全量に対して０．３〜３重量％配合した水性ボールペン用インキ。 - 特許庁

Thereafter, the p-type GaN substrate 7 is turned into a thin film so as to be restrained from increasing in resistance and turned to a p-type GaN electrode forming region 8 (Figure 1 (d)), and a p-type electrode 11 and an n-type electrode 12 are formed using evaporation, lithography, and dry etching (Figure 1 (e)).例文帳に追加

その後、抵抗値を抑えるためにｐ型ＧａＮ基板７を薄膜化してｐ型ＧａＮ電極形成領域８とし（図１（ｄ））、ｐ型電極１１およびｎ型電極１２を、蒸着、リソグラフィ、ドライエッチングを用いて形成する（図１（ｅ））。 - 特許庁

At this time, for each of image data groups of (m+1) frames (where m<n), the positions of m individual connectors that each serve as a connector between image data items of adjacent frames are found by optical position determination processing using information on a subject in each frame, so that m or less connectors are determined.例文帳に追加

このときに、（ｍ＋１）個（但しｍ＜ｎ）のフレーム画像データ群毎に、隣接フレーム画像データ間のつなぎ目となるｍ個の各つなぎ目の位置を、各フレームの被写体情報を用いた最適位置判定処理によって求め、ｍ個以下のつなぎ目を確定させる。 - 特許庁

In this constitution, a magnetic response area 4a can be strictly regulated by end faces of the cap layers 6, and moreover a current from the leads 7 concentratedly enters the magnetic response area 4a from leading end parts of the cap layers 6, so that an S/N ratio is improved.例文帳に追加

この構成により、キャップ層６の端面で磁気応答領域４ａを厳密に規定できるとともに、リード７からの電流がキャップ層６の先端部から磁気応答領域４ａへ集中して流れ込むようになり、Ｓ／Ｎ比が向上する。 - 特許庁

To provide a parking device improving a lifting and lowering driving device having lifting and lowering vehicle supporting bases using a hanging rope, in the parking device equipped with a plurality of lifting and lowering vehicle supporting bases 2A to 3C parallel with each other lifting and lowering between an entering and leaving parking device level N and supporting levels U and D.例文帳に追加

入出庫レベルＮと支持レベルＵ，Ｄとの間で昇降する複数台の並列する昇降車両支持台２Ａ〜３Ｃを備えた駐車装置に於いて、吊り索を使用する昇降車両支持台の昇降駆動装置を改善する。 - 特許庁

During a period of time in which an electric charge is transferred from a capacitor Cs1 to a capacitor Cf1, a substrate potential switching circuit 13 fixes the substrate potential of a P-channel MOS transistor Qp5 to a power supply voltage Vcc and fixes the substrate potential of an N-channel MOS transistor Qn5 to ground potential.例文帳に追加

基板電位切替回路１３は、キャパシタＣs1からキャパシタＣf1に電荷が転送される期間中には、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱp5の基板電位を電源電圧Ｖccに固定するとともにＮチャネルＭＯＳトランジスタＱn5の基板電位を接地電位に固定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor element by which the concentration of an n-type carrier can be increased easily and, in addition, the conductivity of the carrier can be changed and the characteristics of a semiconductor element can be improved according to the kind of the element, and to provide a semiconductor element obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

簡易な手法でｎ型キャリアの濃度を高め、更には伝導型を変化させることが可能であり、素子の種類に応じて特性を改善させることが可能な半導体素子の製造方法およびそれにより得られた半導体素子を提供する。 - 特許庁

A correction capacitor 14 whose static capacitance is C/2^x (wherein x is 2 or 3) is connected via a switch 15 between an internal node N and a line of a reference voltage VL, and charged up to a voltage VL-VT (wherein VT is a threshold voltage of an inverter 21) in a hold operation state.例文帳に追加

内部ノードＮとゼロスケール基準電圧ＶＬの間に、スイッチ１５を介して静電容量がＣ／２^ｘ（但し、ｘは２または３）の補正キャパシタ１４を接続し、ホールド動作時にＶＬ−ＶＴ（但し、ＶＴはインバータ２１の閾値電圧）に充電する。 - 特許庁

The frequency converters 62 to 70 provided to each carrier signal generating means 52 to 58 and an interruption control signal generating means 60 extract the partial stream of bit stream of the basic carrier signal, and generate the signal in the frequency 2n times the frequency of the basic carrier signal.例文帳に追加

各キャリア信号発生部５２〜５８と割込制御信号発生部６０とのそれぞれに設けられた周波数変換器６２〜７０が基本キャリア信号のビット列の部分列を取り出し、基本キャリア信号の２^n倍の周波数の信号を生成する。 - 特許庁

In this clock generation system, frequency division ratios are dispersed to frequency dividers of the respective PLL circuits and the frequency division ratios of the respective PLL circuits are so set that S/N's of at least the 2nd and succeeding PLL circuits are not determined by the S/N of the noise floor.例文帳に追加

このクロック生成システムで、各ＰＬＬ回路の分周器に分周率を分散させ、複数のＰＬＬ回路の各々の分周率を、少なくとも２段目以降のＰＬＬ回路のＳ／ＮがノイズフロアのＳ／Ｎで決定されない分周率に、設定する。 - 特許庁

In, for example, a high-breakdown-voltage P-type MOS transistor structure, a low-density P-type diffusion region 109 is formed on a low-density N-type diffusion region 108 to the right and the left of a gate G, and a high-density P-type diffusion region 106 is formed thereupon.例文帳に追加

例えば高耐圧Ｐ型ＭＯＳトランジスタ構造では、低濃度Ｎ型拡散領域１０８の上において、ゲートＧの右方及び左方に、低濃度Ｐ型拡散領域１０９が形成され、その上に高濃度Ｐ型拡散領域１０６が形成される。 - 特許庁

In this case, by setting up a blank holding load F [N] so as to satisfy the formula, 2btσB/5 μ≤F≤btσB/μ, the press forming is performed imparting the tensile stress of 40 to 100% against the material tensile strength to the longitudinal wall portion.例文帳に追加

しわ押さえ荷重Ｆ［Ｎ］を下記（１）式を満たす範囲に設定することにより、縦壁部に材料引張強さの４０〜１００％の引張応力を付与しながら成形を行うことを特徴とする成形品の寸法精度に優れたプレス成形方法。 - 特許庁

By using the principle that abnormal sound due to flaws, adhering matter, etc. occur symmetrically to the return point of reciprocating movements as a center, it is possible to easily ignore abnormal sound due to noise which occurs in random order and perform inspection of a high S/N ratio.例文帳に追加

傷又は付着物等による異音は、往復動作の折り返し点を中心に対称に出現するという原理を用いて、ランダムに発生するノイズによる異音を簡単に無視することが可能となり、Ｓ／Ｎ比の高い検査を行うことが可能となった。 - 特許庁

To minimize degradation in S/N of a video signal by using a video signal, which is to be displayed on a monitor, to control illumination for a monitor camera system and reducing the gain of an AGC circuit as much as possible.例文帳に追加

監視カメラシステムの照明装置を制御するために用いる映像信号として、モニタに表示される映像信号を用い、且つＡＧＣ回路のゲインをできるだけ小さなものとして、映像信号のＳ／Ｎが劣化したとしても、それを最小限に止める。 - 特許庁

When an alarm signal supplied to an inverter 60b comprising an I/F 60 contained in a high-side circuit becomes active, 'L' the output of the inverter 60b becomes 'H', and as the result of this a N-channel MOS FET 60a is seto to 'ON' state.例文帳に追加

ハイサイド側の回路に具備されたＩ／Ｆ６０を構成するインバータ６０ｂに供給されるアラーム信号がアクティブ“Ｌ”の状態になると、インバータ６０ｂの出力は“Ｈ”の状態となり、その結果、ＮチャネルＭＯＳ形ＦＥＴ６０ａがＯＮの状態となる。 - 特許庁

In this vehicular pedestrian detection device, a distance image creation means 12 creates a distance image F3 removed with information not needing analysis related to a luminance change, and a normalization means 13 and a deciding cell setting means 15 set a deciding cell S(n, m) of a smaller range than the distance image F3.例文帳に追加

距離画像作成手段１２は輝度変化に関わる解析不要な情報を除去した距離画像Ｆ３を作成し、正規化手段１３と判定用セル設定手段１５は距離画像Ｆ３よりも小範囲の判定用セルＳ（ｎ，ｍ）を設定する。 - 特許庁

In a GaN-HFET (Heterostructure Field-Effect Transistor), an undoped or n-type AlGaN layer 2 is formed on an undoped GaN layer 1, and a source electrode 3 and a drain electrode 4, both connected to the AlGaN layer 2, are formed on the AlGaN layer 2, while a gate electrode 5 is formed between the source and drain electrodes.例文帳に追加

ＧａＮ−ＨＦＥＴにおいて、アンドープのＧａＮ層１上にアンドープ又はｎ型のＡｌＧａＮ層２を設け、その上に、それぞれＡｌＧａＮ層２に接続されたソース電極３及びドレイン電極４を設け、その間にゲート電極５を設ける。 - 特許庁

By utilizing the fact that a margin occurs, in such a case of so-called N-up printing, the background design image is printed on the margin, so that regardless of the image to be printed, the background design image can be printed at a position that does not interfere with the image.例文帳に追加

このようにいわゆるＮ−ｕｐ印刷の場合は余白が生じることを利用し、この余白に地紋画像を印刷することにより、印刷される画像がどのようなものであってもそれと干渉しない位置に地紋画像を印刷することができる。 - 特許庁

Regarding the method for producing the heat-resistant ferritic steel, an alloy comprising, by weight, 8.0 to 13.5% Cr, 0.002 to 0.15% N and conventionally known elements as those in this kind of heat resistant steel is subjected to heat treatment of being quenched or normalized, and thereafter tempered.例文帳に追加

Ｃｒ：８．０〜１３．５重量％、Ｎ：０．００２〜０．１５重量％及びこの種耐熱鋼として従来周知の元素などを含んだ合金を、焼入れあるいは焼ならし後、焼き戻しする熱処理のフェライト系耐熱鋼の製造方法である。 - 特許庁

Since all the images are not imaged (S5:NO), the variable n is set to be 2 (S6), the embroidery frame is moved to the position of a second image (S2), the image is imaged by the image sensor (S3), and it is stored in a second partial image of the partial image storage area (S4).例文帳に追加

まだ全ての画像は撮像されていないので（Ｓ５：ＮＯ）、変数ｎが２とされ（Ｓ６）、２番目の画像の位置へ刺繍枠が移動され（Ｓ２）、イメージセンサにより画像が撮像されて（Ｓ３）、部分画像記憶エリアの２番目の部分画像に記憶される（Ｓ４）。 - 特許庁

Until count N of an opening of big bonus opening 17 reaches 8, that is, until the big bonus opening has opened 8 times, a V zone 46 stops at a defined position (center position in the lateral direction) during release of the lucky-hit opening.例文帳に追加

大入賞口１７の開放回数のカウント値Ｎが「８」まで、即ち大入賞口１７の開放回数が「８回」までは大入賞口１７の開放中、Ｖゾーン４６は所定の特定位置（左右水平方向の中央位置）で停止している（Ｓ２１：ＹＥＳ、Ｓ２２）。 - 特許庁

New compounds of general formula (I) are provided, and methods for synthesizinging them and methods for the application of them in the treatment of cancer are also provided, wherein R_1-R_7, X_1, X_2, R, Q, and n are specified.例文帳に追加

本発明は、一般式（Ｉ）の新規の化合物を提供し、そしてこれらの合成方法および癌の処置におけるこれらの使用方法をさらに提供し、ここで、Ｒ_１〜Ｒ_７、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｒ、Ｑ、およびｎは、本明細書中で規定される通りである。 - 特許庁

For example, in this RFID system, the reader/writer (R/W) transmits a question command ALL (A) for making RFID tags of a communication system (A) respond at a time toward X RFID tags (C) having a communication system (C) and the N RFID tags (A) having the communication system (A).例文帳に追加

例えば、リーダ・ライタＲ／Ｗが、通信方式（Ａ）を備えたＮ個のＲＦＩＤタグ（Ａ）と通信方式（Ｃ）を備えたＸ個のＲＦＩＤタグ（Ｃ）に向けて、通信方式（Ａ）のＲＦＩＤタグを一度に応答させる質問コマンドＡＬＬ（Ａ）を送信する。 - 特許庁

(In the formula, X denotes a single bond, -CH2-, -C2H4-, -CH=CH- or -NHCH2-, Y -CO-, -SO2-, -CONH- or -CSNH- and R a 6 or higher C alkyl. Besides, (n) denotes an integer of 1-3).例文帳に追加

（上式中、Ｘは単結合、−ＣＨ_２−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＮＨＣＨ_２−を表し、Ｙは−ＣＯ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯＮＨ−又は−ＣＳＮＨ−を表し、Ｒは炭素数６以上のアルキル基を表す。また、ｎは１〜３の整数を表す。） - 特許庁

Within an n-type drain region 14 in a semiconductor device, the impurity concentration of an impurity layer which is a region located by a 2 μm or smaller distance from the main surface of a semiconductor layer is set lower than a prescribed impurity concentration which is lower than the impurity concentration of the region 14, which is other than the impurity layer.例文帳に追加

ｎ型ドレイン領域１４内で、半導体主表面から２μｍ以下の領域である不純物層の不純物濃度が、不純物層以外のｎ型ドレイン領域１４の不純物濃度より低い、所定の不純物濃度以下にする。 - 特許庁

The header compression section 104 decides a compression format for the header on the basis of the comparison result and the packet information stored in a transmission packet storage section 105, compresses the header including the S/N and the CRC bits, links it with the transmission data, and outputs them to a transmission section 106.例文帳に追加

ヘッダ圧縮部１０４は、比較結果と送信パケット記憶部１０５に記憶されているパケット情報からヘッダの圧縮形式を決定し、ＳＮとＣＲＣビットとを含むヘッダを圧縮し、送信データと繋ぎ合わせて送信部１０６に出力する。 - 特許庁

The high transparency optical laminated polyester film is a film having a coating layer on at least one side of a biaxially oriented polyester film, and its film base is ≤1.5% and the number (N) of coating omissions in the coating layer surface is 0-20/30 m^2.例文帳に追加

二軸延伸されたポリエステルフィルムの少なくとも片面に塗布層が設けられたフィルムであって、そのフィルムヘーズが１．５％以下であり、塗布層面の塗布ヌケ個数（Ｎ）が０〜２０個/３０ｍ^２であることを特徴とする高透明光学用積層ポリエステルフィルム。 - 特許庁

The number (n) of the total of the peripheral groove 4 crossing on its both sides is 8-12 pieces in a grounding surface F to one zigzag peripheral directional groove 3, and a groove width WY of the peripheral groove 4 is 8-25% of the pitch length Py between the peripheral grooves 4 and 4.例文帳に追加

１本のジグザグ周方向溝３に対し、その両側で交わる横溝４の合計の本数ｎは接地面Ｆ内において８〜１２本であり、しかも前記横溝４の溝幅ＷＹは、横溝４、４間のピッチ長さＰｙの８〜２５％である。 - 特許庁

Then, the electronic percussion instrument judges whether the given hit is the hit by roll rendition or not by performing reference while going back n parameters including the parameter one by one each time a new parameter is stored in the buffer area and according to contents of all referred parameters.例文帳に追加

そして、新たなパラメータがバッファ領域に記憶される毎に、そのパラメータを含むｎ個のパラメータを順次遡りながら参照し、参照したすべてのパラメータの内容に応じて、与えられた打撃がロール奏法によるものであるか否かを判断する。 - 特許庁

When a room number is inputted to a controller 3 connected to a network N for throwing in an amount corresponding to a viewing charge, a view permission signal from the controller 3 allows terminal equipment 2 of the room number to be set so that a paid program can be viewed.例文帳に追加

ネットワークＮに接続するコントローラ３にルーム番号を入力して視聴料相当の金額を投入すると、コントローラ３からの視聴許可信号によって、当該ルーム番号の端末装置２を有料プログラムの視聴可能状態にセットする。 - 特許庁

Thus, the tip of a document does not abut on a nip N between the feed roller 3 and the plate-like member 4, and a conveying force of the feed roller 3 and the roller body 14 can certainly feed the document downstream in a document conveying direction.例文帳に追加

したがって、原稿先端が分離用フィードローラ３と分離用板状部材４とのニップＮに当接することなく、しかも、分離用フィードローラ３とコロ体１４との搬送力によって原稿を確実に原稿搬送方向下流へ送ることができる。 - 特許庁

The electromagnetic actuator includes a magnet rotor magnetized in two poles on the outer circumference of the rotating shaft, and a pair of stators forming pole magnetization teeth of N and S poles opposing the magnetic poles of the magnet rotor, wherein the pair of stators are arranged so as to face at equal intervals on the outer circumference of the rotor.例文帳に追加

回転軸の外周に２極着磁されたマグネットロータと、このマグネットロータの磁極に対向するＮ極とＳ極の極磁歯を形成する一対のステータとから構成され、この一対のステータをロータの外周に等間隔で対向するように配置する。 - 特許庁

First switch elements 5a, 5b, 5c... and second switch elements 6a, 6b, 6c- are operated on, off with a phase difference of 360°/n in the respective step-down converter circuits 4a, 4b, 4c.... Thus, the inductance values of choke coils 7a, 7b, 7c... are reduced.例文帳に追加

また、第１のスイッチ素子５ａ，５ｂ，５ｃ…および第２のスイッチ素子６ａ，６ｂ，６ｃ…が、各降圧コンバータ回路４ａ，４ｂ，４ｃ…毎に３６０°／ｎの位相差を有してそれぞれオン，オフ動作されるように構成し、各チョークコイル７ａ，７ｂ，７ｃ…のインダクタンス値を小さくする。 - 特許庁