「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(335ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent current crowding in the overall LED and to improve light extraction efficiency by offsetting an effect due to a horizontally flowing current by making the effective length of a current flowing from an n-electrode pad to a p-electrode as uniform as possible.例文帳に追加

ｎ−電極パッドからｐ−電極の間に流れる電流の有効の長さをできるだけ均一にすることで、水平方向の電流による効果を相殺し、全体的なＬＥＤにおいて電流密集現象を改善し、光抽出効率を向上させる。 - 特許庁

The sound attenuating material is made of a bundle of long fibers of 0.2 to 1.0 mmϕ diameter of the fibers, constituting the bundle and ≤0.10 N/cm^2 in 50% compressive stress of an aggregate filled with long-fiber bundle.例文帳に追加

長繊維からなる繊維束であって、繊維束を構成する繊維の径が０．２〜１．０ｍｍφの範囲にあり、かつ該繊維束を充填した集合体の５０％圧縮応力が０．１０Ｎ／ｃｍ^2以下である長繊維繊維束からなる消音材である。 - 特許庁

The method for controlling perennial gramineous weeds in lawn comprises the scattering of N'-methoxycarbonyl sulfanylamide sodium (general name; asulam) and 1-(4,6-dimethoxypyrimidin-2-yl)-3-[3-(2,2,2-trifluoroethoxy)-2-pyridylsulfonyl]urea (general name; tolyfloxysulfuron) or its salt.例文帳に追加

Ｎ´−メトキシカルボニルスルファニルアミドナトリウム（一般名：アシュラム）と、１−（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）−３−〔（３−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−２−ピリジルスルホニル）ウレア（一般名：トリフロキシスルフロン）又はその塩とを散布することを特徴とする芝生中の多年生イネ科雑草の防除方法。 - 特許庁

Since surrounding pixels in image data tend to have a mutually approximated gradation value, a hit ratio of caching and a hit ratio of branch prediction are improved by parallel processing of N adjacent rasters, and the conversion rate of image data can be improved efficiently.例文帳に追加

画像データには、周辺の画素は互いに近似した階調値を有する傾向があるので、隣接するＮ本のラスタを並行して処理すれば、キャッシュのヒット率や分岐予測の的中率が向上し、画像データの変換速度を効果的に向上させることができる。 - 特許庁

The W polycide wiring 11 is constituted of an n-type doped silicon film 14 and a W silicide film 13 doped with an impurity that is of the same kind and moreover larger in quantity than that of the W silicide film 13.例文帳に追加

Ｐウェル領域３上に配置されたＷポリサイド配線１１は、Ｎ型のドープドポリシコン膜１４とこの膜１４に含まれる不純物と同種で且つそれよりも多い量の不純物が導入されたＷシリサイド膜１３とから構成されている。 - 特許庁

A liquid crystal polarity reverse signal generating part 540 receives one of the sub-frame flag signal, the N line flag signal, and the frame flag signal in response to a selection signal; and generates a liquid crystal polarity reverse signal reversing polarity of the STN liquid crystal.例文帳に追加

液晶極性反転信号発生部は選択信号に応じて前記サブフレームフラグ信号、前記Ｎラインフラグ信号及び前記フレームフラグ信号のうち一つを受信してＳＴＮ液晶の極性を反転させる液晶極性反転信号を発生する。 - 特許庁

The game machine is provided with a signal abnormality monitoring means 26 which judges abnormality when a setting key switch signal Tin e.g. being a signal objected to specific monitoring and a signal N of another signal line arranged in the vicinity of the signal line of the signal Tin are activated simultaneously.例文帳に追加

特定の監視対象信号である例えば設定キースイッチ信号Ｔｉｎと、その信号線の近傍に配設される他の信号線の信号Ｎとが同時期にアクティブとなった場合に異常と判定する信号異常監視手段２６を備える。 - 特許庁

The dentifrice composition contains a particle whose modulus of compressive elasticity measured by a rheology measuring instrument is 0.05×10^6-1.50×10^6 Pa and in which plastic deformation load (breaking strength) is 0.05-1.70 N or plastic deformation point is substantially unrecognizable.例文帳に追加

レオロジー測定器で測定した圧縮弾性率が０．０５×１０^6〜１．５０×１０^6Ｐａで、塑性変形荷重（崩壊強度）が０．０５〜１．７０Ｎであるか又は実質的に塑性変形点が認められない粒子を配合したことを特徴とする歯磨組成物。 - 特許庁

In the P-type silicon layer 3, every memory cell, N-type source and drain diffusion layers 7, 8 extended to the buried oxide film 2 are so formed that the region sandwiched between the source and drain diffusion layers 7, 8 becomes a body region 9 under a gate insulation layer 5.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層３には、メモリセル毎に、埋込酸化膜２まで達するＮ型のソース拡散層７及びドレイン拡散層８が形成され、ゲート絶縁膜５の下でソース拡散層７及びドレイン拡散層８に挟まれた領域がボディ領域９となっている。 - 特許庁

In each iteration, the estimator processes a window of the N most recently received noisy channel outputs to compare output level metrics for all possible channel output level, and selects a noiseless output level with maximal posterior probability.例文帳に追加

各々の繰返しにおいて、推定器は、直近に受信されたＮ個のノイズの多いチャネル出力のウインドウを処理して、すべての起こり得るチャネル出力レベルについての出力レベルメトリックスを比較し、最大事後確率でノイズの無い出力のレベルを選択する。 - 特許庁

At the edge of this compound semiconductor light emitting element, a notched groove is formed from the surface to the side face of the element, and a surface-side conductive film 41 is formed from an n-type layer 21 which is in contact with the groove on the inside of the groove to the groove.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の端に当たる部分にて、表側の面から側面にかけて切り欠き溝が形成されており、切り欠き溝に接する内側の部分にあるｎ型層２１から切り欠き溝にかけて、表側導電膜４１が形成されている。 - 特許庁

This method for producing methyl 3-chloro-3H-indole-3-carboxylate includes reacting a proper 3-carboxylate indole compound with N-chlorosuccinimide in the presence of a tertiary amine having a lower nucleophilicity than that of DABCO (1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane) and having a pK_b of 8 to 11.例文帳に追加

求核性がＤＡＢＣＯよりも低く、ｐＫ_ｂが８〜１１である第三アミンの存在下で適当な３−カルボキシレートインドール化合物をＮ−クロロスクシンイミドと反応させることを含む３−クロロ−３Ｈ−インドール−３−カルボン酸メチルの製造方法。 - 特許庁

The advertisement information consisting of images or sounds prepared in a storing means 10 is supplied to an information presenting means 50A installed on a street by a presentation control means via the Internet N to be presented to a passerby A (an object to present the advertisement).例文帳に追加

格納手段１０内に用意された画像や音からなる広告情報が、提示制御手段３０によって、インターネットＮ経由で、街頭に設置された情報提示手段５０Ａへと供給され、通行人Ａ（広告提示対象者）に提示される。 - 特許庁

The integrated circuit device includes first to n-th circuit blocks CB1-CBN provided along a D1 direction, and an information storage block ISB in which initial adjustment information for initial adjustment of the circuit block of the integrated circuit device is programmed and stored.例文帳に追加

集積回路装置は、Ｄ１方向に沿って配置される第１〜第Ｎの回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮと、集積回路装置の回路ブロックの初期調整を行うための初期調整情報がプログラミングされて記憶される情報記憶ブロックＩＳＢを含む。 - 特許庁

Since the range of the output value is maximized while keeping the linearity between the input and output as to respective photo sensors with dispersion in a range of linear response, the S/N of the read image data is increased and read image quality can be enhanced.例文帳に追加

そのため、線形に応答する範囲にばらつきがある光センサのそれぞれについて、入出力の線形性を保ちつつ、出力値の範囲を最大とすることができるため、読み取った画像データのＳ／Ｎ比が大きくなり読み取り画質が向上する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor laser in which the quality of a double heterostructure part including an n-type Multiple Quantum Well is enhanced by accelerating surface migration of group III material species thereby flattening the cross-sectional shape of a DH structure part.例文帳に追加

ＩＩＩ族原料種の表面マイグレーションを促進することにより、ＤＨ構造部の断面形状を平坦化することで、ｎ型多重量子井戸構造を含むダブルへテロ構造部の品質を向上させた半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

The controller 11 instructs the recording and reproducing device 14 so as to reproduce from the "n+1"-th recording among the recordings stored in a voice storage device 15 when information indicating that a reproduction button 162 is operated is received from the input device 16.例文帳に追加

制御装置１１は、入力装置１６から再生ボタン１６２が操作されたことを示す情報を受け取ると、音声記憶装置１５に記憶されている録音のうち、「ｎ＋１」件目の録音から再生するように、録音再生装置１４に指示する。 - 特許庁

In the formation process of a nitride semiconductor laminate structure made of a group III nitride semiconductor, first an n-type GaN layer (first layer), and a p-type GaN layer (second layer) containing Mg are formed on a wafer by an MOCVD method with H_2 as a carrier gas.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる窒化物半導体積層構造の形成工程において、キャリヤガスをＨ_２とするＭＯＣＶＤ法によって、まず、ウエハの上にｎ型ＧａＮ層（第１層）およびＭｇを含むｐ型ＧａＮ層（第２層）が形成される。 - 特許庁

The S/N is improved and reliability is enhanced at the time of information reproduction by varying the reproducing power of laser, for the region in which information can not be reproduced accurately, without using expensive parts for the information recording and reproducing device.例文帳に追加

情報記録再生装置に高価な部品を使用せず、情報を正確に再生できない領域について、レーザの再生パワーを可変することによって、信号対雑音比の向上を図り、情報再生時の信頼性を向上させるようにしたものである。 - 特許庁

By executing this thermal processing, a conversion reaction is promoted by oxygen radicals (O^*), hydrogen radicals (H^*) and hydroxyl group radicals (OH^*) etc. in or around the flames, a non-conversion portion (remaining Si-N etc.) is reduced and the film quality of the polysilazane conversion SiO_2 can be improved.例文帳に追加

かかる熱処理によれば、火炎中もしくは火炎の周囲の酸素ラジカル（Ｏ^*）、水素ラジカル（Ｈ^*）および水酸基ラジカル（ＯＨ^*）等により、転化反応が促進され、未転化部（残存Ｓｉ−Ｎ等）が低減し、ポリシラザン転化ＳｉＯ_2の膜質が向上する。 - 特許庁

The compensation circuit C2 controls the temperature Tpi of each device Dpi and/or a temperature difference between a device Dpi and Dpj different from each other (j=1...n and i≠j) and transmits an output signal Sig-IN' having distortion opposite or inverse to the circuit C1.例文帳に追加

補償回路Ｃ２は、各デバイスＤｐｉの温度Ｔｐｉ及び／又は異なるデバイスＤｐｉとＤｐｊ（ｊ＝１．．．ｎ及びｉ≠ｊ）との間の温度差を制御して、回路Ｃ１とは反対又は逆の歪みを有する出力信号Ｓｉｇ＿ＩＮ´を送出する。 - 特許庁

When a pre-encoding processor 103B estimates the code quantity from a multi-step quantization, Q_-n units 212 quantize with different quantizing scale values Q to result in decimals which are integrated every value Q by an integrator Σ231.例文帳に追加

プリエンコード処理部１０３Ｂで多段階ステップの量子化により符号量を見積もる際に、夫々異なる量子化スケール値Ｑで量子化を行う各Ｑ＿ｎ部２１２での量子化により発生した小数部が積算部Σ２３１で値Ｑ毎に積算される。 - 特許庁

This breath-refreshing agent administered by swallowing is characterized in that the agent contains (A) one or two kinds of compounds selected from the group consisting of 3-L-menthoxypropane-1,2-diol and N-ethyl- p-menthane-3-carboxamide, and (B) an oily component.例文帳に追加

３−Ｌ−メントキシプロパン−１，２−ジオール及びＮ−エチル−ｐ−メンタン−３−カルボキサミドからなる群より選択される１種類又は２種類の化合物（Ａ）と油性成分（Ｂ）を含有することを特徴とする燕下により服用される呼気清涼化剤。 - 特許庁

Cam rotation angle per signal change quantity is calculated when N is specified rotation speed or less, +α°CA is calculated by an interpolation timer when timing detecting CaB in relation to crank pulse signal of 10°CA is 10°CA + α°CA.例文帳に追加

Ｎが規定の回転数以下の場合は、信号変化量当たりのカム回転角度を算出し、１０°ＣＡのクランクパルス信号に対してＣａＢを検出したタイミングが、１０°ＣＡ＋α°ＣＡである場合は、＋α°ＣＡを補間タイマーによって算出する。 - 特許庁

Noise components are obtained from a noise interval of the input signals (23), noise interval signals are suppressed by the noise components (32) and a S/N is estimated from residual noise and the signals (outputs of 34) in which noise is suppressed for a voice interval signals (33).例文帳に追加

入力音声信号の雑音区間から雑音成分を求め（２３）、その雑音成分で雑音区間信号を抑圧し（３２）、その残り雑音と、音声区間信号に対して雑音抑圧した信号（３４の出力）とからＳ／Ｎを推定する（３３）。 - 特許庁

To provide thermoelectric converting materials constituted of n-type substances capable of developing excellent thermal electric characteristics in high temperature air, and to provide new materials constituted of elements with little toxicity and large abundance with excellent thermal resistivity and chemical durability or the like.例文帳に追加

高温の空気中において優れた熱電特性を発揮できるｎ型物質からなる熱電変換材料であって、毒性が少なく存在量の多い元素により構成され、耐熱性、化学的耐久性等に優れた新規な材料を提供する。 - 特許庁

An obtained metallized film S is subjected to heat treatment at a temperature of 100-150°C in a heat treatment apparatus B while tension of 2.4-4.9 N/mm^2 per unit cross sectional area is applied, and then, is taken up by the take-up roll 7 so that the secondary metallic layer gets face up.例文帳に追加

得られた金属化樹脂フィルムＳを、熱処理装置Ｂで単位断面積当たり２.４〜４.９Ｎ／ｍｍ^２の張力を加えながら１００〜１５０℃の温度で熱処理を施した後、二次金属層が表向きになるように巻取ロール７に巻き取る。 - 特許庁

As a result of n-axially rotating the vessel, the directions of gravitation applied on the cells are dispersed, enabling the respective cells to be proliferated/grown omnidirectionally, thus enabling the cells to be cultured in a three-dimensional way.例文帳に追加

培養容器（２、１２）がｎ軸回転（ｎは２以上の整数）されることにより、培養細胞に働く重力方向が分散され、各細胞があらゆる方向に向けて増殖・進展することができるようになり、培養細胞の３次元的な培養が可能になる。 - 特許庁

A hard coat film includes a hard coat layer on at least one surface of a base film, in which a contact angle of water on a surface is 78° or more and 90° or less, a contact angle of n-dodecane is 22° or less, and the number of defects having a diameter of 30 μm or larger is 20 pieces/m^2 or less.例文帳に追加

基材フィルムの少なくとも片面に、表面の水の接触角が７８度以上９０度以下、ｎ−ドデカンの接触角が２２度以下であり、径が３０μｍ以上の欠点の個数が２０個／ｍ^２以下であるハードコート層を有するハードコートフィルム。 - 特許庁

In the network, n-pieces of transmission channels can freely access each of sub-centers 11-18 and the previously defined allocation of the group of the transmission channels to the previously defined sub-centers is prevented from being executed.例文帳に追加

本発明によるポイントツーマルチポイント伝送ネットワークは、特に、ｎ個の伝送チャネルの各々が、各サブセンタ（１１から１８）に自由にアクセスでき、事前定義されたサブセンタへの伝送チャネルのグループの事前定義された割り当てが行われることがないことを特徴とする。 - 特許庁

An intense electric field drift part 6 is composed of a heat radiation part 62, having a high thermal conductivity, provided with filling holes 63 arranged in the direction across the thickness of an n-type silicon substrate 1 as an electroconductive substrate and drifting parts 61 filling the holes 63, where electrons drift.例文帳に追加

強電界ドリフト部６は、導電性基板たるｎ形シリコン基板１の厚み方向に沿った埋込穴６３が形成され高熱伝導性を有する放熱部６２と、埋込穴６３に充填され上記電子がドリフトするドリフト部６１とからなる。 - 特許庁

A p^++-type source region 40 much higher in impurity concentration than a p-type semiconductor substrate 10 is provided on the surface of the p-type semiconductor substrate 10 so as to bring, at least, a part of its side face into contact with an n^--type extended drain region 20.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１０の表層部に、Ｐ型半導体基板１０よりも十分に高い不純物濃度で形成されたＰ^++型ソース領域４０は、少なくともその側面の一部でＮ^-型延長ドレイン領域２０と接するように形成されている。 - 特許庁

A first model tracking unit 27a to an n-th model tracking unit 27n shift particles in accordance with movement models each assigned to the tracking units 27a-27n, and performs likelihood observation of a candidate curved line corresponding to each particle for an edge image generated by an image processing part 22.例文帳に追加

第１モデル追跡部２７ａから第ｎモデル追跡部２７ｎは、それぞれに割り当てられた運動モデルに従いパーティクルを遷移させ、画像処理部２２が生成したエッジ画像に対する、各パーティクルに対応する候補曲線の尤度観測を行う。 - 特許庁

The light-receiving device includes an InP substrate, and a superlattice light-receiving layer formed by alternatively laminating a sink layer of a group third-fifth compound semiconductor containing In, Ga, As, and N and a raised layer of a group third-fifth compound semiconductor containing Ga, As, and Sb to form a type 2 junction.例文帳に追加

ＩｎＰを基板とし、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｎを含む３−５族化合物半導体の沈降層と、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｂを含む３−５族化合物半導体の隆起層とを交互に積層し、タイプ２の接合を形成した超格子を受光層とする。 - 特許庁

To provide a laminated SOI substrate and a method for manufacturing it for preventing the generation of the deterioration of the electric characteristics of a device due to the effect of boron contamination when injecting ions, and for preventing the occurrence of dislocation in the n^+ layer of an SOI layer, and for reducing the manufacturing costs.例文帳に追加

イオン注入時のボロン汚染の影響によるデバイスの電気特性の劣化が発生せず、ＳＯＩ層のｎ^＋層中に転位の発生もなく、さらに製造コストも廉価となる貼り合わせＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A return map expressing probability distribution for changes with time in sound-series data is prepared, based on a series of initially reflecting sounds {Ai (gi, ti)}, [i=0 to n] made up of pairs, arrival sound amplitude gi and arrival time ti, fetched via a memory from an initial echo memory part.例文帳に追加

この発明では、初期エコー記憶部ＥＲからメモリ１を介して取込まれた到達音振幅ｇｉ・到達時間ｔｉ対から成る初期反射音列｛Ａｉ（ｇｉ，ｔｉ）｝〔ｉ＝０〜ｎ〕に基づいて、音列データの経時的変化の確率分布を表わすリターンマップが生成される（２）。 - 特許庁

To solve a problem that enhancement of outputting, noise, C/N and the like cannot be expected since grain size distribution or dispersion property becomes adverse in the case of making into fine particles for high-density magnetic recording, when using an iron-nitride magnetic powder for a magnetic powder of a coated magnetic recording medium.例文帳に追加

窒化鉄系磁性粉末を塗布型磁気記録媒体の磁性粉末に使用するさいに，高密度磁気記録用として微粒子化すると，粒度分布や分散性が悪くなって出力，ノイズ，Ｃ／Ｎ比などの改善が望めなくなる点を改善する。 - 特許庁

Processing by this routine is started, and after a second count value S is made 1 once, a first count value (n) takes a value in a range 1-11, so that when a first count value is '0', it is indicated that data of a SRAM are cleared by cutoff of a power source.例文帳に追加

本ルーチンによる処理が開始され、一旦第２カウント値Ｓが「１」とされた後には、第１カウント値ｎは「１〜１１」の範囲の値をとるので、第１カウント値ｎが「０」の場合には、ＳＲＡＭ２９のデータが電源遮断によりクリアになったことを示す。 - 特許庁

To provide a poly radical compound in which redox of an n type can be stably performed, moreover, stable charge and discharge can be carried out when applied to an electricity storage device, and a big discharge capacity is obtained, and to provide an electricity storage device which uses the same for an electrode active material.例文帳に追加

ｎ型の酸化還元を安定して行うことができ、また蓄電デバイスに適用した場合に安定した充放電をすることができ、かつ大きな放電容量が得られるポリラジカル化合物と、それを電極活物質に用いた蓄電デバイスを提供する。 - 特許庁

Then, when arrangement of protection links in each of the spare topology information groups is considered, link groups to be connected to the high load node are arranged so as to be equal as much as possible between initial information groups of N pieces of spare topology information by referring to topology information.例文帳に追加

そして、予備トポロジ情報群それぞれにおけるプロテクトリンクの配置を考えるとき、トポロジ情報を参照して、高負荷ノードに接続するリンク群を、Ｎ個の予備トポロジ情報の初期情報群の間で、できるだけ均等になるよう配置する。 - 特許庁

On the other hand, when the power saving flag stored in the flag memory 13 shows ON, a display control circuit 17 reads out an image from any one of display memories 14-1 to 14-N and outputs an image signal for showing the image on the display part 18.例文帳に追加

他方、フラグメモリ１３が記憶する省電力フラグがＯＮを示す場合、表示制御回路１７は、複数の表示メモリ１４−１〜１４−Ｎの何れか１つから画像を読み出して当該画像を示す映像信号を表示部１８に出力する。 - 特許庁

Each screw N of the migration mechanism 40 of the communication unit 30A is loosened, and while watching the deflection of the needle of an ammeter 33, an X-axis stage 41 and a Y-axis stage 42 are moved in X-axis and Y-axis directions to perform alignment of changing the position of a light-emitting element 35.例文帳に追加

通信ユニット３０Ａの移動機構４０の各ねじＮを緩め、電流計３３の針の振れを見ながら、Ｘ軸ステージ４１およびＹ軸ステージ４２をＸ軸・Ｙ軸方向に移動させて発光素子３５の位置を変更する位置合わせを行う。 - 特許庁

When transmission of a video captured by a monitoring camera 21 is demanded from the center device 1, the video captured by the monitoring camera 21 is directly transmitted from the on-road devices 2-1 to 2-N to the center device 1 and is displayed on a display monitor 14 provided in the center device 1.例文帳に追加

センタ装置１から監視カメラ２１の撮影映像の伝送が求められた場合は、路上装置２−１〜２−Ｎからセンタ装置１に、監視カメラ２１の撮影映像を直接伝送し、センタ装置１に備えられた表示モニタ１４に表示する。 - 特許庁

Then, a voltage drop by an internal resistance of the electrode pattern 11 is utilized to gradually reduce the electric potential of the surface of the semiconductor element portion 8, in a direction from the n^+-type cathode region 6 of the high-potential side toward the p^+-type anode region 7 of the low-potential side.例文帳に追加

そして、電極パターン１１の内部抵抗による電圧降下を利用して、高電位側のｎ^+型カソード領域６から低電位側のｐ^+型アノード領域７に向かう方向において、半導体素子部８の表面の電位が徐々に低下させる。 - 特許庁

When the same count value as the count value obtained from a probability variation announcement lottery counter is set in a probability variation announcement probability table 23j when the number N of times of successively made jackpots during the probability variable state reaches three, execution of probability variation announcement is determined (S91-S99).例文帳に追加

確変中の連続大当り発生回数Ｎが３回に達し、確変報知抽選カウンタから取得したカウント値と同じカウント値が確変報知確率テーブル２３ｊに設定されている場合は確変報知を行うことを決定する（Ｓ９１〜Ｓ９９）。 - 特許庁