「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(336ページ目) - Weblio英語例文検索

The first transistor M1 is an N-channel MOSFET in which the first terminal 22 of its conducting channel is connected to the cathode 14 of the first diode D1, while the second terminal 28, the gate 24, and the back gate 26 of its conducting channel are connected to a fixed-voltage terminal P2.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１は、その伝導チャンネルの第１端子２２が第１ダイオードＤ１のカソード１４と接続され、その伝導チャンネルの第２端子２８、ゲート２４およびバックゲート２６が、固定電圧端子Ｐ２に接続されたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

A plurality of decoder circuits DEC_1-m are provided in each bit of word data D_WD, and each of decoder circuits DEC_1-m receives a bit corresponding to the word data and storage destination data indicating a position after rearrangement, and generates decode data D_DEC with the (m×n) bits.例文帳に追加

複数のデコーダ回路ＤＥＣ_１〜ｍは、ワードデータＤ_ＷＤの各ビットごとに設けられ、それぞれがワードデータの対応するビットおよびその並べ替え後の位置を示す格納先データを受け、（ｍ×ｎ）ビットを有するデコードデータＤ_ＤＥＣを生成する。 - 特許庁

In a pressing roller 2, a resin material-made release layer 2c is arranged, via a rubber material-made elastic layer 2b, on the outer side of a core bar 2a which is an example of a metal rotating body member, and the pressing roller 2 contacts a fixing roller 1 to form the heating nip (N) for a recording material P.例文帳に追加

加圧ローラ２は、金属材料の回転体部材の一例である芯金２ａの外側にゴム材料の弾性層２ｂを介して樹脂材料の離型層２ｃが配置され、定着ローラ１に当接して記録材Ｐの加熱ニップ（Ｎ）を形成する。 - 特許庁

To provide a steel plate having excellent brittle crack propagation arresting properties in which plate thickness is ≥50 mm, yield strength is 355 to 460 MPa and a temperature T_Kca=6,000 at which Kca=6,000 N/mm^1.5 is satisfied is ≤-10°C, and to provide a method for stably and efficiently producing the steel plate.例文帳に追加

板厚５０ｍｍ以上、降伏強度３５５〜４６０ＭＰａ、Ｋｃａ＝６０００Ｎ／ｍｍ^1.5となる温度Ｔ_Kca=6000が−１０℃以下の、脆性き裂伝播停止特性に優れた鋼板及び該鋼板の、安定的かつ効率的な製造方法を提供する。 - 特許庁

The adhesive includes: (a) a thermoplastic resin; (b) a radically polymerizable substance which contains a structure represented by the general formula (B) (in the formula, M denotes an integer of 0 to 10 and N denotes an integer of 1 to 20) and/or formula (C) and has at least two (meth)acryloyl groups and at least two urethane bonds; and (c) a radical polymerization initiator.例文帳に追加

（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）下記一般式（Ｂ）及び／または（Ｃ）の構造を含み且つ分子中に２個以上の（メタ）アクリロイル基及び２個以上のウレタン結合を有するラジカル重合性物質、（ｃ）ラジカル重合開始剤を含む接着剤。 - 特許庁

In the organic electroluminescence element, d which indicates a thickness of the inorganic protective layer 8 satisfies [{(2m+1)/4}-(1/8)]λ<nd<[{(2m+1)/4}+(1/8)]λ, wherein: n indicates a refractive index of the inorganic protective layer 8; λ indicates a maximum peak wavelength of a spectrum of light extracted from the organic electroluminescence element; and m indicates a natural number.例文帳に追加

無機保護層８の膜厚ｄが、無機保護層８の屈折率をｎ、有機エレクトロルミネッセンス素子のから取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長をλ、自然数をｍとした時、［｛（２ｍ＋１）／４｝−（１／８）］λ＜ｎｄ＜［｛（２ｍ＋１）／４｝＋（１／８）］λを満たしている。 - 特許庁

The sound signals from the navigation unit 8 and the telephone unit 9 are audible only in a band to generate the sound signals with the differential frequency of (nf-(n-1)f) of the frequencies of the two sound signals through the interference of the sound waves.例文帳に追加

これにより、音波干渉によって２つの音声信号の周波数の差分の周波数（ｎｆ−（ｎ−１）ｆ）を有する音声信号が生成される領域においてのみ、ナビゲーションユニット８や電話ユニット９からの音声信号が可聴可能となる。 - 特許庁

To provide a magnetic signal reproducing device which is capable of lessening inclusion information and detecting magnetization information at high S/N when detecting the magnetization information in a range further narrower than a heating up region and a reproducting method and a magnetic recording medium.例文帳に追加

昇温領域よりも更に狭い範囲における磁化情報を検出する際に、混入情報を低減し、高いＳ／Ｎ比での磁化情報検出を行うことができる磁気信号再生装置，磁気信号再生方法，磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

A solution containing an N-long-chain acylglutamic acid and/or its salt at a high concentration is dried by a spray-drying granulator having a spray drying part and a flow granulation part in one tank under a specific condition.例文帳に追加

Ｎ−長鎖アシルグルタミン酸及び／又はその塩を高濃度に含有する溶液を一つの槽内に噴霧乾燥部と流動造粒部とを有する噴霧乾燥造粒装置で特定の条件で乾燥させることにより課題を達成できることを見出した。 - 特許庁

In this case, a phase adjustor 5 at the prestage of the peak amplifier 6 and an impedance converter 8 at the poststage of the peak amplifier 6 reduces load impedance R_L seen from the carrier amplifier 2 like an N-Way Doherty amplifier to carry out optimal operation of power amplification.例文帳に追加

このとき、ピーク増幅器６の前段の位相調整器５と後段のインピーダンス変換器８とにより、キャリア増幅器２からみた負荷インピーダンスＲ_ＬをＮ−Ｗａｙドハティ増幅器のように減少させて電力増幅の最適動作を行わせる。 - 特許庁

The film has visible light transmittance of 70% or more and a resistance to tear and transmittance of 10 N/mm or more in the longitudinal and/or width direction and also has a multi-interface structure constituted of at least two kinds of thermoplastic resins.例文帳に追加

可視光線透過率が７０％以上であり、長手方向および／または幅方向の引裂伝播抵抗が１０Ｎ／ｍｍ以上であるとともに、少なくとも２種の熱可塑性樹脂から構成される多界面構造を有することを特徴とするガラス保護フィルム。 - 特許庁

The ladder resistance circuit 10 has a plurality of resistances RA0 to RAn connected in series between a first power supply voltage VGMH and a second power supply voltage VGML, and outputs first to n-th divided voltages divided by the RA0 to RAn.例文帳に追加

ラダー抵抗回路１０は、第１の電源電圧ＶＧＭＨと第２の電源電圧ＶＧＭＬとの間に直列に接続された複数の抵抗ＲＡ０〜ＲＡｎを有し、ＲＡ０〜ＲＡｎによって抵抗分割された第１〜第ｎの分割電圧を出力する。 - 特許庁

When the internal power voltage VDD of rectifier circuit 2 stops supply, the leak of charge accumulated in the capacitance element 8 can be prevented, since it becomes reverse bias by PN junction formed of a drain and an N-WELL of the transistor.例文帳に追加

整流回路２の内部電源電圧ＶＤＤが供給停止となった際、トランジスタのドレインとＮ−ＷＥＬＬによって形成されたＰＮ接合によって逆方向バイアスとなるので、静電容量素子８に蓄積された電荷のリークを防止することができる。 - 特許庁

The invention relates to the electro-optic panel omitting a contact hole CH3 and a holding capacitor HC, in which the drain electrodes of the N channel TFT116n and the P channel TFT 116p are connected by wiring L and the pixel electrode is connected to the wiring L.例文帳に追加

本発明は、コンタクトホールＣＨ３と保持容量ＨＣを省略した電気光学パネルに関するものであり、ＮチャネルＴＦＴ１１６ｎとＰチャネルＴＦＴ１１６ｐのドレイン電極は配線Ｌで接続され、画素電極は配線Ｌに接続されている。 - 特許庁

The polyamic acid is prepared by reacting an acid dianhydride with a diaminobenzoxazole under a condition sufficient to form a polyamic acid having an intrinsic viscosity of not less than 2.0 dl/g measured at 0.2g/dl in N-methyl pyrrolidinone at 25°C.例文帳に追加

当該ポリアミド酸は、２５℃でＮ−メチルピロリジノン中で０．２ｇ／ｄｌで測定した場合に２．０ｄｌ／ｇ以上の固有粘度を有するポリアミド酸を形成させるのに十分な条件下で酸二無水物をジアミノベンゾオキサゾールと反応させることにより製造される。 - 特許庁

At reading, a precharge circuit precharges a read bit line, and the NMOS transistor 11 performs on-operation by a read address selection circuit 3 at the n address selected by an RWS and an RBS to read data bits stored in the storage node.例文帳に追加

リード時では、プリチャージ回路によってリードビット線をプリチャージしておき、ＲＷＳとＲＢＳとによって選択されたｎ番地のリード番地選択回路３によってＮＭＯＳトランジスタ１１がオン動作を行い、蓄積ノードに保持されるデータビットがリードされる。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium of a multilayer structure wherein an uppermost magnetic layer securing practical durability and a satisfactory C/N ratio in high density recording contains extremely particulate magnetic powder and having a smooth surface and extremely thin thickness.例文帳に追加

高密度記録において、実用的な耐久性と良好なＣ／Ｎを確保した、最上層磁性層が極めて微粒子の磁性粉末を含み、平滑な表面を有して厚みが極めて薄い重層構成の磁気記録媒体を提供することを目的としている。 - 特許庁

A transponder 20-1 receives the high frequency signal from the broadcast transmission communication device 10m and carriers from broadcast reception communication devices 10s-1 to 10s-n and gives nonlinearity in an amplification stage to generate and transmit an intermodulation signal.例文帳に追加

トランスポンダ２０−１は、同報発信通信装置１０ｍからの高周波信号及び同報受信通信装置１０ｓ−１〜１０ｓ−ｎからの搬送波を受信し、増幅過程で非線形性を持たせて相互変調信号を発生して送信する。 - 特許庁

A first drive signal P is applied to the X scanning electrodes X0 to X5 in order, and a second drive signal N is given to the X scanning electrode X0 or X5 that is not adjacent to an X scanning electrode with which the first drive signal is given thereto.例文帳に追加

第１の駆動信号ＰをＸ走査電極Ｘ０ないしＸ５に順番に印加し、第２の駆動信号Ｎは、第１の駆動信号が与えられているＸ走査電極に隣接しないＸ走査電極Ｘ０またはＸ５に与えられる。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor film and an organic semiconductor device, in which an n-channel region and a p-channel region are prepared together without needing particular change of a material for forming the organic semiconductor film, and furthermore threshold voltage can be controlled.例文帳に追加

特に有機半導体薄膜を形成する材料を変更しなくても、ｎチャネル領域とｐチャネル領域とを共に作製することが可能であり、さらには、閾値電圧の制御も可能となる有機半導体膜および有機半導体装置を提供する。 - 特許庁

The barrier film having high oxidation resistance under a high temperature and high humidity environment, few pinholes, and high optical transmittance is provided by including at least one layer of a silicon nitride film in which two or more silicon nitride films having different compositional ratios of Si/N are stacked.例文帳に追加

バリア膜がＳｉ／Ｎ組成比が異なる窒化シリコン層を２層以上積層した窒化シリコン膜を少なくとも１層含むことにより、高温高湿環境下での耐酸化性が高く、ピンホールが少なく、かつ光学透過率が高いバリア膜を提供することができる。 - 特許庁

In the organic photoreceptor having an intermediate layer and a photosensitive layer on a conductive supporting body, the conductive supporting body is a cylindrical base body having 5 to 40 μm cylindricality and the intermediate layer comprises N-type semiconductor fine particles and a binder.例文帳に追加

導電性支持体上に中間層、感光層を有する有機感光体において、該導電性支持体が円筒度５〜４０μｍの円筒状基体であり、該中間層がＮ型半導性微粒子とバインダーを含有することを特徴とする有機感光体。 - 特許庁

This hygroscopic and exothermic cellulose-based fiber is obtained by providing a cellulose fiber with an aqueous solution containing a polyalkylene glycol, an N-methylol-based resin processing agent, its reaction catalyst and a water-soluble polymer containing a hydroxy group and a sulfonic acid group in the molecule and heat-treating the cellulose fiber.例文帳に追加

セルロース繊維に、ポリアルキレングリコール、Ｎ-メチロール系樹脂加工剤とその反応触媒および分子中に水酸基とスルホン酸基を有する水溶性ポリマーを含む水溶液を付与し、これを加熱処理して得られる吸湿発熱性セルロース系繊維。 - 特許庁

To enable a semiconductor device and its manufacturing method to realize an ultra high-speed semiconductor device, wherein using Si/SiC Hetero junction in an active region, a suitable strain for n-channel transistor and p-channel transistor respectively is made to be applicable by SiC.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、動作領域にＳｉ／ＳｉＣのヘテロ接合を用い、ＳｉＣに依ってｎチャネル・トランジスタ及びｐチャネル・トランジスタそれぞれに好適な歪みを印加できるようにして超高速の半導体装置を実現しようとする。 - 特許庁

To provide an optical pickup device, capable of performing reproduction with high S/N and high-speed when reproduction of information recorded in an optical recording medium, is performed by measuring light quantities of a plurality of polarization angle components of light from the optical recording medium.例文帳に追加

光記録媒体からの光の複数の偏光角成分の光量を測定することによって光記録媒体に記録された情報の再生を行う場合に、高Ｓ／Ｎかつ高速な再生を行うことができる光ピックアップ装置を提供する。 - 特許庁

The in-vivo bioactive synthetic chemokine such as PANTES G1755, G1805 and G1806 has a water-soluble polymer binding to the N-terminus and/or the C-terminus, and is characterized by downmodulation of a corresponding receptor.例文帳に追加

ＲＡＮＴＥＳ Ｇ１７５５，Ｇ１８０５，及びＧ１８０６等の合成ケモカインで、Ｎ末端および／またはＣ末端に結合する水溶性ポリマーを有し、対応する受容体のダウンモジュレーション（ｄｏｗｎｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）によって特徴付けられるｉｎ ｖｉｔｒｏ生物活性を有する合成ケモカイン。 - 特許庁

Controlling an application timing of the control signals to n-sets of the output buffers in time division and dividing the simultaneous operating signal can decrease number of simultaneous operating signals and divide the simultaneous operating signal so as to decrease number of the simultaneous operating signals, occurrence of ground noise and reduce power consumption.例文帳に追加

ｎ個の出力バッファへの制御信号の印加タイミングを時分割的に制御し、同時動作信号を分割することにより、同時動作信号数を減少し、グランドノイズの発生が低減され、また、低消費電力化を図ることができる。 - 特許庁

The body fluid sample is brought into contact with an immunocoupling partner having specificity in the peptide of the N-terminal of a III type procollagen, and the problem to be solved is solved by a method of measuring a product produced an immunoreaction between the body fluid and the immunocoupling partner.例文帳に追加

体液試料を、III型プロコラーゲンのＮ末端のペプチドに特異性を有する免疫結合的パートナーと接触させ、体液試料と免疫結合パートナーとの間の免疫反応で生じる生成物を測定する方法により上記の課題を解決する。 - 特許庁

This new molecular sensor, i.e. a ribonucleopeptide fluorescence sensor, is produced by producing an RNA-peptide conjugate( ribonucleopeptide ) highly selectively bindable to adenosine triphosphate(ATP) by using an in vitro selection technique and then modifying the N-terminal group of the peptide subunit of the conjugate with a fluorescent molecule.例文帳に追加

インビトロセレクション法を用いて、アデノシン三リン酸（ＡＴＰ）に高選択的に結合するＲＮＡ−ペプチド複合体（リボヌクレオペプチド）を作製し、さらにそのペプチドサブユニットのＮ末端アミノ基を蛍光分子で修飾することにより、リボヌクレオペプチド蛍光センサーを作製した。 - 特許庁

N nodes connected to the Internet are mapped on a (k)-dimensional geometric coordinate space, the respective nodes on the global coordinate space are divided into predetermined K clusters, and each node has a local coordinate space in the cluster where the node is mapped.例文帳に追加

インターネットに接続するＮ個のノードに対して、各ノードを次元ｋの幾何学的な座標空間にマッピングし、そのグローバルな座標空間上の各ノードを予め定めたＫ個のクラスタに分割し、各ノードは自身がマッピングされたクラスタにおいてローカルな座標空間を持つ。 - 特許庁

In a state that the lower container 2 is moved to the shaping position N, a downstream moving pipe 5 is connected to a second fixing pipe 62 through a second joint part 72 and the pressure fluid is supplied to the bladder 3 from a fluid supply device 42 to shape a green tire.例文帳に追加

下部コンテナ２がシェーピング位置Ｎに移動した状態では、下流側移動管５が第２固定管６２に第２ジョイント部７２を介して接続し、流体供給装置４２からブラダー３へ加圧流体が供給され、グリーンタイヤをシェーピングすることができる。 - 特許庁

In the input and output circuit, the high level of the logical signal to be outputted by the voltage limiting n channel type transistor 19 is reduced to the voltage of a second power source VDD2 so that a small amplitude operation can be attained while the power consumption of the second power source VDD2 can be reduced.例文帳に追加

入出力回路は、電圧制限ｎチャネル型トランジスタ１９が出力する論理信号のハイレベルを第２の電源ＶＤＤ２の電圧に抑えるので、第２の電源ＶＤＤ２の消費電力が少ない小振幅動作が行える。 - 特許庁

In formula, n is 0 or 1, the group A is a substituted 2-naphthothiazolyl group etc., the group B is a substituted phenyl group etc., R^1 is a carboxy group etc., and R^2 to R^4 are each independently a hydrogen atom, an unsubstituted 1-4C alkyl group, a substituted 1-4C alkoxy group etc.例文帳に追加

（式中、ｎは０又は１、基Ａは置換２−ナフトチアゾリル基等、基Ｂは置換フェニル基等、Ｒ^1はカルボキシ基等、Ｒ^2からＲ^4はそれぞれ独立に水素原子、非置換Ｃ１−Ｃ４アルキル基、置換Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基等を、それぞれ表す。） - 特許庁

Signals with amplification rate of m and n, held as the samples are respectively changed over in a time sharing manner by analog switches 12-1 and 12-2 and guided to an A/D converter 6 to be subjected to A/D conversion, before being inputted to a DSP 8a to be subjected to digital signal processing.例文帳に追加

サンプルホールドされた増幅率がｍ，ｎの信号がそれぞれアナログスイッチ１２−１，１２−２により時分割で切り換えられてＡ／Ｄ変換器６に導かれてＡ／Ｄ変換された後、ＤＳＰ８ａに入力されてデジタル信号処理が行なわれる。 - 特許庁

A hybrid control part controls a switching element of an inverter device to be turned off, by outputting a stop command for controlling a motor generator not to be driven, to the inverter device (S02), when determining that the N (neutral) range is selected (YES in S01).例文帳に追加

ハイブリッド制御部は、Ｎ（ニュートラル）ポジションが選択されていると判定すると（Ｓ０１にてＹＥＳ）、モータジェネレータを非駆動状態に制御するための停止指令をインバータ装置へ出力することにより（Ｓ０２）、インバータ装置のスイッチング素子をオフ状態に制御する。 - 特許庁

An NMOS (n-pole metal insulator transistor) and a PMOS (p-pole metal insulator transistor), whose gate electrodes 10n, 10p are constituted of a conductive type silicon film reversed to the conductive type semiconductor region for source drain, are formed in a first circumferential circuit unit which requires low consumption operation and a memory unit.例文帳に追加

低消費動作が要求される第１の周辺回路部およびメモリセル部には、ゲート電極１０ｎ，１０ｐがソース・ドレイン用の半導体領域の導電型とは逆の導電型のシリコン膜で構成されたＮＭＯＳ，ＰＭＯＳを形成する。 - 特許庁

Corner main reinforcements 12, outside hoops 13, inside main reinforcements 14, and inside hoops 15 are arranged in the inside of a reinforced concrete column 1 using 100 N/mm^2 or more ultra high strength concrete 11 and integrated together with the concrete 11.例文帳に追加

コンクリート１１に圧縮強度が１００Ｎ／ｍｍ^２以上の超高強度コンクリートを用いた鉄筋コンクリート柱１の内部に、コーナー主筋１２、外側フープ筋１３、内側主筋１４及び内側フープ筋１５が配筋され、コンクリート１１と一体化されている。 - 特許庁

To obtain maximum efficient throughput while occurrence of an image margin due to the temperature rise of a paper non-passing part caused when small size paper passes as processing speed gets higher is suppressed the minimum, in a heating device where carried and introduced material P to be heated is heated by a heating part N and ejected.例文帳に追加

搬送導入される被加熱材Ｐを加熱部Ｎで加熱して排出する加熱装置において、プロセススピードの高速化にともなう小サイズ通紙時の非通紙部昇温の像代を最小限に抑えつつ、最大限効率的なスループットを得ること。 - 特許庁

A read command is output from No.N antenna of a non-contact reader device (SB3), whether or not key information is received is decided by No. N antenna (SB4), and '0' indicating the absence of a key in No.N current data is written when key information is not received (SB5).例文帳に追加

非接触リーダー装置の第Ｎのアンテナから読出命令を出力して（ＳＢ３）、第Ｎのアンテナにて鍵情報を受信したか否かを判断し（ＳＢ４）、鍵情報が受信されなかったら、第Ｎの現在データに鍵がないことを示す”０”を書き込む（ＳＢ５）。 - 特許庁

A buried current block layer 10 in which a first buried layer 7 made of p-type InP, a second buried layer 8 made of n-type InP and a third buried layer 9 made of semi-insulated Fe-doped InP are sequentially laminated is formed on both sides of the ridge 6.例文帳に追加

リッジ部６の両側には、ｐ型ＩｎＰからなる第１埋め込み層７、ｎ型ＩｎＰからなる第２埋め込み層８、半絶縁性ＦｅドープＩｎＰからなる第３埋め込み層９が順に積層された埋め込み電流ブロック層１０が形成されている。 - 特許庁

In this optical semiconductor element, a light emitting layer 22 having a p-n junction is formed on the upper surface 25 of a transparent substrate 21 having translucency to a light emitting wavelength, and upper- and lower-surface electrodes 23 and 24 are respectively formed on the upper and lower surfaces 25 and 26 of the substrate 21.例文帳に追加

発光波長に対して透光性を有する透明基板２１の上面にｐｎ接合を有する発光層２２を形成し、透明基板２１の上面２５および下面２６に上面電極２３および下面電極２４をそれぞれ形成している。 - 特許庁

When the reduced image is generated from the high sensitivity image information, a contrasty image having a high S/N ratio can be obtained, and when the reduced image is generated from the low sensitivity image information, an image in which the reproducing area of the RAW data can be suitably expressed can be obtained.例文帳に追加

高感度画像情報から縮小画像を生成すると、Ｓ／Ｎ比のよい硬調な画像を得ることができ、低感度画像情報から縮小画像を生成すると、ＲＡＷデータの再現域を適切に表現した画像を得ることができる。 - 特許庁

In the Formulas (1) and (2), X and Y represent a 1-4C alkyl group or halogen group, k and i represent a positive integer of 0 or 1-4, R_1 and R_2 represent an 1-8C alkyl group, n represents a positive integer of 3-7, and A represents an acid component.例文帳に追加

（一般式〔１〕及び〔２〕中、Ｘ及びＹは、炭素数１〜４のアルキル基またはハロゲン基を、ｋ及びｉは、０または１〜４の正整数を、Ｒ_１及びＲ_２は炭素数１〜８のアルキル基を、ｎは、炭素数３〜７の正整数を、Ａは、酸成分を表す。） - 特許庁

By together using in this way the magnetic field formed by the magnet 25 and a magnetic field formed by the correction coil 28, the intensity of the magnetic field formed between the N pole 25a and S pole 25b can be made constant independently of the temperature of the magnet 25b.例文帳に追加

このように、磁石２５による磁界及び磁界補正コイル２８による磁界を併用することによって、磁石２５の温度に関係なく、磁石２５のＮ極２５ａとＳ極２５ｂとの間に形成される磁界の強さを一定にすることができる。 - 特許庁

In an electronic controller 14, impedance of the electromagnetic coil 32 of the electromagnetic pressure controller 23 is estimated (step S190), and a duty factor DT(n) for controlling the current passing through the electromagnetic coil 32 is calculated on the basis of the impedance (step S200).例文帳に追加

電子制御装置１４において、電磁式圧力制御装置２３の電磁コイル３２のインピーダンスを推定し（ステップＳ１９０）、電磁コイル３２に流れる電流を制御するためのデューティ比ＤＴ（ｎ）をインピーダンスに基づいて算出する（ステップＳ２００）。 - 特許庁