「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(332ページ目) - Weblio英語例文検索

The control signal C, on the other hand, is nearly equal in amplitude to and opposite in phase from the noise signal N and generated on the basis of a reference signal R extracted from a noise source, and an exciter which vibrates corresponding to the vibration frequency of the control signal C is fitted to the windshield 25 on the side of the driver's seat 24 instead of a speaker.例文帳に追加

一方、制御信号Ｃは、騒音信号Ｎと略々同振幅かつ逆位相の信号であって、騒音源から抽出された参照信号Ｒに基づき作成され、更に、運転席２４のフロントガラス２５には、制御信号Ｃの振動数に応じて振動する加振器がスピーカの代わりに取付けられている。 - 特許庁

This steel filament 1 for reinforcing the tire has 0.10-1.00% elongation percentage at the first time and 0-7% ratio of lowering of elongation at the fifth time when 49 N tensile load is repetitively applied 5 times in the steel filament 1 having 0.28-0.50 mm wire diameter (d) and a nearly helical or a nearly planar wavy preform in the longitudinal direction.例文帳に追加

線径ｄが０．２８〜０．５０mmで、長手に亘り、略螺旋状あるいは略平面上の波形くせを有する単一のスチールフィラメント１において、このフィラメント１は、４９Ｎの引張荷重を繰り返し５回負荷したとき、その１回目の伸び率が０．１０〜１．００％であり、かつ５回目の伸び低下率が０〜７％である。 - 特許庁

As a targeted reaction, the following methods are cited: a method of producing an acrylonitrile by a gas phase ammoxidation reaction in which propane and/or propylene is used as a raw material, and a method of producing a maleic acid anhydride by a gas phase oxidation reaction in which one or more selected from n-butane, 1-butene, 2-butene, butadiene, and benzene are used as a raw material.例文帳に追加

対象反応としては、プロパンおよび／またはプロピレンを原料とする気相アンモ酸化反応によってアクリロニトリルを製造する方法、でｎ−ブタン、１−ブテン、２−ブテン、ブタジエン、ベンゼンから選ばれる一つ以上を原料とする気相酸化反応によって無水マレイン酸を製造する方法が挙げられる。 - 特許庁

Then, until a total value p of the construction expenses M, N and the premium B becomes smaller than the total value q of the construction expense M and the premium A, the selection of the accident prevention facility and the risk factor is performed repeatedly, so that the structure can be designed in a more detailed manner in consideration of the initial cost and the operation cost.例文帳に追加

そして、構築費Ｍ，Ｎおよび保険料Ｂの合計値ｐが構築費Ｍおよび保険料Ａの合計値ｑよりも小さくなるまで災害予防設備およびリスクファクタの選択を繰り返し行うことにより、初期コストおよび稼働コストを考慮して構造物をさらに詳細に設計することができる。 - 特許庁

In a test before operating the MRI system, a transmission function of the sound of the cooling machine is calculated in advance from an acoustic signal measured by a sensor 11 for the sound of the cooling machine and an acoustic signal measured by sensors 12(1) to (n) for coil sound while the cooling machine 7 operates and the coils 5 and 6 are not exited.例文帳に追加

ＭＲＩ装置を稼動する前の試験で、冷凍機７が稼動中、かつ、コイル５、６が非励磁状態のときに、冷凍機音用のセンサ１１で計測した音響信号とコイル音用センサ１２(１)〜(ｎ)で計測した音響信号から、冷凍機音の伝達関数を予め算出しておく。 - 特許庁

Moreover, in the B photoelectric charge transfer process whose execution is started after the end of B photoelectric charge storage processes, the stored electric charges by the B photoelectric charge storage process are sequentially transferred by each line and in this case, the electric charges are not transferred for an upper end non use part (N lines) at the outside of the image projection area among all lines.例文帳に追加

また、Ｂ光電荷蓄積工程終了後に実行を開始するＢ光電荷転送工程では、Ｂ光電荷蓄積工程による蓄積電荷を、１ライン毎に順次転送するが、このとき、全ラインのうち画像投影領域外である上端不使用部分（Ｎライン分）についての電荷転送を行わない。 - 特許庁

A casing 11 comprising a hollow delivering space 13 for receiving and downward dropping the fibrous powder is provided, and a large amount delivering roll 14a, a medium amount delivering roll 14b, and a small amount delivering roll 14c are installed in the hollow delivering space 13 so as to be freely rotated and driven in directions as shown by arrows L, M, N, respectively.例文帳に追加

繊維状粉体を受けて下方へ落下させる中空送り空間１３を有するケ−シング１１が設けられ、中空送り空間１３内には、大量送りロ−ル１４ａ、中量送りロ−ル１４ｂおよび小量送りロ−ル１４ｃが矢印Ｌ、Ｍ、Ｎの方向に回転駆動可能に設置される。 - 特許庁

Output signals from the panel temp. sensors 22-n are converted into digital data respectively in the temp. judging means 31 in a CPU 11 and when at least data of one or more among the converted digital data are equal to or lower than a certain determined value (temp. proper to a display), the means 31 outputs the signal of 'H' level to a display data generating means 32.例文帳に追加

パネル温度センサ２２−ｎからの出力信号は、ＣＰＵ１１内の温度判定手段３１で夫々デジタルデータに変換され、変換されたデジタルデータのうち少なくとも１つ以上がある定めた値（表示好適温度）以下の場合、表示データ生成手段３２に対して“Ｈ”レベルの信号を出力する。 - 特許庁

On the basis of a relation between a direction of a normal N of the object 2 on each of the representative points 4 and a specific direction decided by the environment of the virtual three dimensional space 1, necessity of mapping in each of the representative points 4 of a texture 8 which expresses the phenomena of which the generation state changes in relation to the specific direction is determined.例文帳に追加

各代表点４におけるオブジェクト２の法線Ｎの方向と、仮想３次元空間１の環境によって定められる特定方向との関係に基づいて、その特定方向に関連して発生状態が変化すべき現象を表現したテクスチャ８の各代表点４におけるマッピングの要否を判定する。 - 特許庁

This compound contains an amino acid sequence of 1 to about 5 amino acid residues containing an N-terminal protecting group and a C terminal Asp residue connected to an electric negative eliminable group in which the amino acid sequence is substantially equivalent to a sequence Ala-Tyr-Val- His-Asp, namely at least a part of residue 112-116 of sequence number 3 in the specification.例文帳に追加

Ｎ末端保護基および電気的陰性脱離基に連結されたＣ末端Asp 残基を有する１〜約５個のアミノ酸残基のアミノ酸配列を有し、そのアミノ酸配列が、配列Ala-Tyr-Val-His-Asp 、すなわち配列番号３の残基１１２〜１１６の少なくとも一部分に実質的に相当する化合物。 - 特許庁

In a device rise mode, the first rotation body is rotated so that the rotating speed of the first rotation body when the temperature of the first rotation body shifts to a heating-fixing temperature for an unfixed image t in the standby mode is different from the rotating speed when the material P to be heated is sandwiched and conveyed by a nip part N.例文帳に追加

装置立上げモードにおいて待機モードによる第１の回転体の温度が未定着像ｔの加熱定着可能温度へ移行する際の前記第１の回転体の回転速度と、ニップ部Ｎで被加熱材Ｐを挟持搬送するときの回転速度と異なるように第１の回転体の回転をおこなう。 - 特許庁

In this manufacturing method, the light-emitting diode layer is formed on a dummy substrate, and the transparent P-type semiconductor bonding substrate is bonded on the dummy substrate, After the dummy substrate is eliminated, the transparent N-type semiconductor bonding substrate is bonded instead of the dummy substrate, and the entirety is worked in a nearly spherical type.例文帳に追加

これを製造する方法として、ダミー基板の上に発光ダイオード層を形成した後、その上に透明なｐ型半導体接着基板を接着し、その後ダミー基板を除去して代わりに透明なｎ型半導体接着基板を接着し、全体をほぼ球状に加工する方法を提供する。 - 特許庁

An optimum scheduler 201 receives object information, creates operation schedules of a power generator 30, a power storage device 40 and apparatuses 10-1 to 10-n in accordance with the object information, and controls the power generator 30 and the power storage device 40 in accordance with the operation schedules of the power generator 30 and the power storage device 40.例文帳に追加

最適スケジューラ２０１は、目的情報を受け付け、その目的情報に応じて、発電装置３０、蓄電装置４０および機器１０−１〜１０−ｎの各運転計画を作成し、発電装置３０および蓄電装置４０の運転計画に従って、発電装置３０および蓄電装置４０を制御する。 - 特許庁

On a principal surface s1 of a silicon substrate 1, a gate electrode GEn for nMIS is formed in an nMIS region R, a gate electrode GEp for pMIS is formed in a pMIS region Rp, and an n-type source-drain region sdn and a p-type source-drain region sdp are formed by and below them, respectively.例文帳に追加

シリコン基板１の主面ｓ１上のうち、ｎＭＩＳ領域ＲｎにｎＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｎを形成し、ｐＭＩＳ領域ＲｐにｐＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｐを形成し、それらの側方下部に、それぞれ、ｎ型ソース・ドレイン領域ｓｄｎおよびｐ型ソース・ドレイン領域ｓｄｐを形成する。 - 特許庁

In a low power consumption mode, a second step-down power supply circuit 20 outputs the internal power supply voltage VDDP to the control system circuit 5 and in a standby mode, the internal power supply voltage VDDP stepped down by an N channel MOS transistor of a third step-down power supply circuit 21 is outputted to the control system circuit 5.例文帳に追加

低消費電力モードでは、第２降圧電源回路２０によって内部電源電圧ＶＤＤＰが制御系回路５に出力され、スタンバイモードにおいては、第３降圧電源回路２１のＮチャネルＭＯＳトランジスタによって降圧された内部電源電圧ＶＤＤＰが制御系回路５に出力される。 - 特許庁

A method of forming a nitride system semiconductor device includes a step in which a plurality of columns 1a made of Si are formed on an upper surface of an Si substrate 1 by machining the upper surface of the Si substrate 1, and a step in which an n-type GaN layer 5 is made to grow on the plurality of columns 1a.例文帳に追加

この窒化物系半導体の形成方法は、Ｓｉ基板１の上面を加工することによって、Ｓｉ基板１の上面に、Ｓｉからなる複数の円柱状部１ａを形成する工程と、その複数の円柱状部１ａ上に、ｎ型ＧａＮ層５を成長させる工程とを備えている。 - 特許庁

The high-purity hafnium is characterized in that: a zirconium content is, by weight, 1-1,000 ppm; oxygen is ≤500 ppm; nitrogen and carbon are each ≤100 ppm; iron, chromium and nickel are each ≤10 ppm; and the purity excluding the gas components such as carbon, oxygen, nitrogen and the like is in the range of 4 to 6 N.例文帳に追加

ジルコニウム含有量が１〜１０００ｗｔｐｐｍ、酸素５００ｗｔｐｐｍ以下、窒素及び炭素がそれぞれ１００ｗｔｐｐｍ以下、鉄、クロム、ニッケルがそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であり、かつ純度が炭素、酸素、窒素等のガス成分を除き４Ｎ〜６Ｎであることを特徴とする高純度ハフニウム。 - 特許庁

When the radio subsidiary devices 15-1, 15-2 and 15-n did not continuously receive signals transmitted from radio body devices 13-1 and 13-2 over a specified period or did receive signals in a specified packet number or less in a specified period, the radio subsidiary devices estimate that they became a state where radio signals can not received.例文帳に追加

前記無線子機１５−１，１５−２…１５−ｎは、前記無線親機１３−１，１３−２から送信される無線信号を規定時間連続して受信不能になった場合、または規定時間内に規定パケット数以下の受信となった場合に無線信号受信不可能な状態になったと判断している。 - 特許庁

In this remote monitoring system, monitoring modes of remote devices (#1-#N) in the server 1 are each set to one of 'an execution mode' and 'a suspension mode', and display update of the event data of the remote device 2 set to the suspension mode is not performed to prevent unnecessary display and to display the necessary monitor data.例文帳に追加

本発明の遠隔監視システムでは、サーバ１におけるリモート装置２（＃１〜＃Ｎ）の監視モードをそれぞれ「実行モード」と「休止モード」のいずれかに設定して、休止モードに設定されたリモート装置２のイベントデータの表示更新を行わない様にすることにより不要な表示を防ぎ、必要なモニタデータが表示出来る。 - 特許庁

The micromirror device is obtained by using a semiconductor anisotropic etching process to process a silicon substrate and has a structure, wherein a shear-type strain gauge 3 which measures the angle of rotation of a mirror 1 and utilizes a piezoresistance effect is provided in a torsion bar 2 divided p-type or n-type semiconductor areas in a perpendicular direction of the silicon substrate.例文帳に追加

半導体異方性エッチングプロセスを使用してシリコン基板を加工したマイクロミラーデバイスであって、シリコン基板の厚さ方向にｐ型またはｎ型の半導体領域に分割したトーションバー２に、ミラー１の回転角を測定するピエゾ抵抗効果を利用したせん断型歪ゲージ３を設けた構造を特徴とする。 - 特許庁

In the oxide layer in which the n-type impurity is doped with high concentration, since its surface coarseness becomes large, before the surface coarseness caused by the dope oxide layer 2a becomes very large; by covering with the undope oxide layer 2b which can secure flat surface, a flat oxide film can be formed.例文帳に追加

ｎ型不純物を高濃度にドーピングした酸化物層は、その表面の荒れが大きくなるので、ドープ酸化物層２ａによる表面荒れが非常に大きくなる前に、表面平坦を確保できるアンドープ酸化物層２ｂで覆うことにより平坦な酸化物薄膜を形成することができる。 - 特許庁

The diode element comprises a P type silicon layer 3 formed at a part positioned in an underlayer of the partial separation insulating film 4 in the active region 30, and a P type diffusion layer 5 and an N type diffusion layer 6 formed to reach the buried insulating film 2 while sandwiching the partial separation insulating film 4 and the P type silicon layer 3.例文帳に追加

ダイオード素子は、活性領域３０における部分分離絶縁膜４の下層に位置する部分に形成されるＰ型シリコン層３と、埋込み絶縁膜２に達し、部分分離絶縁膜４およびＰ型シリコン層３を挟むように形成された、Ｐ型拡散層５およびＮ型拡散層６とを有する。 - 特許庁

A sing-along music network system connects sing-along music terminals KT and KT arranged in respective boxes BX1 and BX2 to a sub-host station SH via the network line N, and can mutually play the game between the terminals via the network line by arranging TV game machines 5a to 5c in the sub-host station SH.例文帳に追加

ネットワーク回線Ｎを介して各ボックスＢＸ１，ＢＸ２，……内に設置されたカラオケ端末ＫＴ，ＫＴ，……とサブホスト局ＳＨとを接続してなるカラオケネットワークシステムにおいて、サブホスト局ＳＨにテレビゲーム機５ａ〜５ｃを設置し、ネットワーク回線Ｎを介して端末間で互いにゲームプレイを行えるようにした。 - 特許庁

In decision processing, the comparison test between the output signal SRm of a transfer paper detector Rm (1≤m≤n) 11 and 12 in prescribed timing and the output signal PRm of a parallel I/F 10 is performed, and a flag FRm indicating whether or not the PRm and the SRm of the last decision processing were coincident is checked.例文帳に追加

判定処理時に、所定のタイミングにおける転写紙検知器Ｒ_m （１≦ｍ≦ｎ）１１および１２の出力信号ＳＲ_m とパラレルＩ／Ｆ１０の出力信号ＰＲ_m とを比較判定すると共に、直前の判定処理時にＰＲ_m とＳＲ_m とが一致していたか否かを示すフラグＦＲ_m をチェックする。 - 特許庁

When sudden ATAPI and CPU access become much and recording processing is not in time in a memory controller (170), an ECC data transfer finish time of N-1(N:integer of 2 or more)th for a modulating part is made a first error check point and finish existence of the Nth RCC processing is detected.例文帳に追加

メモリコントローラ（１７０）において、突発的なＡＴＡＰＩやＣＰＵアクセスが多くなり、記録処理に間に合わない場合、変調部へのＮ−１（Ｎは２以上正の整数）番目のＥＣＣデータ転送終了時を第１エラーチェックポイントとしてＮ番目のＥＣＣ処理の終了有無が検出される。 - 特許庁

In this system to perform communications with the vehicle side by dividing route data searched at a center 10, whenever the divided pieces of route data are transmitted, the passing times of the divided routes are calculated from position and time then, this calculation is performed in the case of communications with the sides of plural vehicles M1 to n and the passing times are stored.例文帳に追加

センタ１０で探索した経路データを分割して車両側に通信するシステムで、分割した経路データを送信する度に、その時の位置と時刻から、分割した経路の通過時間を算出し、これを複数の車両側Ｍ_１〜ｎとの通信の際に行って、それらの通過時間を蓄積しておく。 - 特許庁

In the case that a frequency of the IF signal cannot be obtained at this time, an oscillation frequency of the OSC 106 artificially measured by a counter circuit 110 is compared with a standard value which is standardizes on the basis of an N value and a standard width setting value by an operation circuit 113 and is held in a standard value holding circuit 114, by a comparison circuit 115.例文帳に追加

この際、ＩＦ信号の周波数が得られないと、カウンタ回路１１０により擬似的に計測されたＯＳＣ１０６の発振周波数を、比較回路１１５により、Ｎ値および規格幅設定値をもとに演算回路１１３にて規格化され、規格値保持回路１１４で保持された規格値と比較する。 - 特許庁

When a high-level voltage is applied to a first control input terminal 33, a P-channel MOS 9 and N-channels MOS 10 and MOS 11 become conducting, hence the time constant of the RC filter 2 becomes small; and at the same time, oscillation in the crystal oscillator 5 is stopped, including self-excited vibration in output buffers 15 and 16.例文帳に追加

第１の制御入力端子３３に高レベル電圧を印加すると、ＰチャネルＭＯＳ９、ＮチャネルＭＯＳ１０、ＮチャネルＭＯＳ１１が導通するため、ＲＣフィルタ２の時定数が小となるとともに、出力バッファ１５、１６の自励発振を含めて水晶発振器５は発振停止の状態となる。 - 特許庁

A sampling means 62 samples (n) pieces of output signals (m) times in time series, when operating a remote command device, so as to follow after the movement of the multi-finger robot hand 1, in a state of operating the multi-finger robot hand 1, by inputting a joint angle command value according to a predetermined time series joint angle pattern.例文帳に追加

サンプリング手段６２は、予め定めた時系列関節角度パターンに従って関節角度指令値を入力して多指ロボットハンド１を動作させた状態において、多指ロボットハンド１の動きに倣うように遠隔指令装置を操作したときにｎ個の出力信号を時系列でｍ回サンプリングする。 - 特許庁

In the method for producing metal nanoparticles, the metal ions of metal species including at least one selected from silver, palladium, platinum, rhodium and ruthenium are reduced in a state where at least one organic molecule selected from a compound group containing a carbon-nitrogen double bond (C=N) is made coexistent.例文帳に追加

本実施例の金属ナノ粒子の製造方法は、炭素窒素二重結合（Ｃ＝Ｎ）を含む化合物群から選ばれる少なくとも１つの有機分子を共存させた状態で、銀、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウムのうちの少なくとも１種を含む金属種の金属イオンを還元することを特徴とする。 - 特許庁

The multifunctional catalysts which are useful for the synthesis of chiral vicinal diols by tandem and/or simultaneous reactions involving Heck coupling, N-oxidation and AD reaction of olefins in presence of cinchona alkaloid compounds both as a native one and immobilized one in the matrix support and consist of palladium, tungsten and osmium species are prepared.例文帳に追加

そのままのものとマトリックス支持体に固定されたものの両方としてのキナアルカロイド化合物の存在下でのオレフィンのＡＤ反応、Ｎ−酸化及びヘックカップリングを含む逐次及び／又は同時反応によるキラルビシナルジオールの合成に有益な、パラジウム、タングステン及びオスミウム種からなる多機能触媒の調製とする。 - 特許庁

When a positive polarity gray scale voltage VP is inputted into each of gray scale output circuits 100-1 to 100-n, an offset voltage of an operational amplifier 103 is stored in a capacitor 121, and the output of the amplifier 103 is corrected using the offset voltage stored in the capacitor 121.例文帳に追加

階調出力回路１００−１〜１００−ｎの各々において、正極性の階調電圧ＶＰが入力される場合、演算増幅器１０３のオフセット電圧がキャパシタ１２１に記憶され、キャパシタ１２１に記憶されたオフセット電圧を用いて演算増幅器１０３の出力が補正される。 - 特許庁

In the thermoelectric transducer module having one pair or a plurality of pairs of the thermoelectric transducer where a P type thermoelectric transducer and an N type thermoelectric transducer are connected in series electrically through an electrode, the thermoelectric transducer and the electrode are bonded through a crosslinked polymer containing conductive particles.例文帳に追加

Ｐ型熱電変換素子とＮ型熱電変換素子とを電極を介して電気的に直列に接続してなる熱電変換素子対を１対もしくは複数対有する熱電変換モジュールにおいて、前記熱電変換素子と電極とを、導電性粒子を含む架橋されたポリマーを介して接合する。 - 特許庁

In operation, a column select signal YR is controlled and when a column read out amplifier uses an N-channel path transistor, this signal is driven below VSS in the sleep mode; when a P-channel device is used instead, the signal is driven to the source voltage level of VCC.例文帳に追加

動作時に列選択信号ＹＲが制御され、列読出し増幅器でＮチャネルパストランジスタが使用される場合には、スリープモード中にこの信号がＶＳＳ未満で駆動されるようにし、代わりにＰチャネル装置が使用される場合には、この信号がＶＣＣの電源電圧レベルに駆動されるようにする。 - 特許庁

A p type semiconductor base layer 16 is formed on the pillar layer and trenches reaching the tapered n type pillar layer 15 are provided in the p type semiconductor base layer 16 while spaced apart equally and then a gate electrode 18 composed of polysilicon, or the like, is buried in the trench through an insulating film 17.例文帳に追加

このピラー層の上には、ｐ型の半導体ベース層１６が形成されており、この半導体ベース層１６は、テーパ状に形成されｎ型ピラー層１５に達するトレンチを等間隔に有しており、このトレンチに絶縁膜１７を介してポリシリコン等からなるゲート電極１８が埋め込まれている。 - 特許庁

The SIMD type arithmetic operation having N units of processors capable of operating in parallel, is characterized by having a means for allowing a plurality of element processors operating in parallel to encode image signal consisting of a plurality of pixels, and a means for composing a code word obtained by the means to a consecutive bit string are provided.例文帳に追加

Ｎ個の並列動作可能なプロセッサーを有するＳＩＭＤ型演算手段において、複数の並列に動作する要素プロセッサー夫々に複数の画素から成る画像信号の符号化を行わせる手段と、該手段で得られた符号語を連続したビット列に結合する手段を有する事を特徴とする。 - 特許庁

Then in the case that the terminal device 20 cannot receive a new polling signal from the central device 10 until the period polling time expires, the terminal 20 transmits data of a prescribed amount to the central device 10 in timing counted by terminal device over N periods at maximum until receiving the succeeding periodic polling signal.例文帳に追加

そして、端末装置２０は、周期的なポーリングのタイムアウト時間までに中央装置１０からの新たなポーリングを受信することができなかった場合には、次に周期的なポーリングを受信するまで最大Ｎ周期にわたって、自己が計数するタイミングで一定量のデータを中央装置１０へ送信する。 - 特許庁

In order to achieve the purpose, the laser device is constructed to form a current constrictive layer by injecting ions into a p-type layer in the laser device of end surface emitting type comprising the nitride semiconductor having a structure where an active layer is sandwiched between a n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明のレーザ素子は、活性層がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体からなる端面発光型のレーザ素子において、前記ｐ型層に、イオン注入を行うことによって電流狭窄層が形成される構成とする。 - 特許庁

The backlight used for the liquid crystal display 10 including a plurality of liquid crystal display elements 11 arranged in a matrix of (n) rows and (m) columns, in which optical transmittance of each of the liquid crystal display elements is changed, thereby switching the image every one frame period comprises a plurality of electron-emitting elements 21 and a phosphor 24.例文帳に追加

ｎ行ｍ列のマトリクス状に配列された複数の液晶表示素子１１を備えるとともに、各液晶表示素子の光の透過率を変更することによりフレーム期間毎に画像を切り換える液晶ディスプレイ１０に適用されるバックライトであって、複数の電子放出素子２１と蛍光体２４とを備える。 - 特許庁

Since the width of the first region A1 is laid out small because of no wiring region connecting units in the first region A1, the length of the connecting wiring between PMOS and NMOS transistor can be small and an area of N well and P well NW1, PW1 can be small and consequently the layout efficiency and the improvement in element characteristics are achieved.例文帳に追加

第１領域Ａ１にはユニット間配線領域がないため幅が短くレイアウトされるので、ＰＭＯＳ／ＮＭＯＳトランジスタ間の接続配線長が短く、Ｎ／Ｐ型ウェル領域ＮＷ１、ＰＷ１の面積が小さくなり、レイアウト効率と回路特性の向上を図ることができる。 - 特許庁

The cloth is produced by immersing a cloth containing a polyester fiber in an aqueous solution containing N-methylol acrylamide, squeezing and drying the immersed cloth, subjecting the cloth to a low-temperature plasma treatment with a non-polymerizable gas, immersing the treated cloth in an aqueous solution containing a hydrophilic resin and an acidic catalyst or a latently acidic catalyst and squeezing, drying and heat-treating the product.例文帳に追加

Ｎ−メチロールアクリルアミドを含む水溶液にポリエステル系繊維含有布帛を含浸、絞液、乾燥後、非重合性ガスの低温プラズマ処理を行い、次いで親水性樹脂と酸性触媒もしくは潜在酸性触媒を含む水溶液にポリエステル系繊維含有布帛を含浸、絞液、乾燥、熱処理を行う。 - 特許庁

The photo-detecting planes of the imaging device have the inclinations determined in accordance with the aspect ratio, such that a photo-detecting area can be secured widely in comparison with conventional technology, a quantity of photo-detecting light is increased, the level of the signal outputted from the CCD line sensor 1 can be increased, and the S/N can be improved.例文帳に追加

撮像素子の各受光面がその縦横比に応じて定まる傾きを有するので、従来技術と比較して、受光面積を広く取ることができ、受光光量を増加させ、ＣＣＤラインセンサ１から出力される信号レベルを大きくすることを可能にし、Ｓ／Ｎを向上させることができる。 - 特許庁

Inductance is reduced by enlarging the forms of bus bars which connect the P phase and the N phase of an inverter and the positive or the negative electrode of smoothing capacitors, and the form of a wiring bus bar which connects an intermediate layer of capacitors connected in series to enlarge areas where they overlap each other; and by making currents flow in the opposite directions to each other.例文帳に追加

逆変換部のＰ相、Ｎ相と、平滑コンデンサの正極、または負極とを接続したバスバーと直列接続されたコンデンサの中間層を接続する配線バスバーの形状を大きくし、互いに重なり合う面積を大きくして、流れる電流を互いに逆方向とすることで、インダクタンスを低減する。 - 特許庁

To efficiently carry out dry type methane fermentation while properly keeping the NH_4-N concentration and TS (total solid) concentration in a fermentation tank without requiring a hardly decomposable solid matter such as wood chips in the case of dry type methane fermentation of easily decomposable organic wastes at 60-100% organic matter decomposition ratio.例文帳に追加

有機物分解率６０〜１００％というような易分解性有機性廃棄物を乾式メタン発酵処理するに当たり、木材チップ等の難分解性固形物を必要とすることなく、発酵槽内のＮＨ_４−Ｎ態窒素濃度とＴＳ濃度を適正に保ち、効率的な乾式メタン発酵処理を行う。 - 特許庁

To compensate with high accuracy and suppress the chip area in a compensating circuit 42, which constitutes a Darlington circuit 41 in an integrated circuit and compensates optical leak currents I1, I2 generated at a base of a PNP transistor QP1 and a corrector of an NPN transistor QN1 with large areas of n-type epitaxial layers, respectively.例文帳に追加

集積回路内でダーリントン回路４１を構成し、Ｎ型エピタキシャル層の面積が大きいＰＮＰトランジスタＱＰ１のベースおよびＮＰＮトランジスタＱＮ１のコレクタにそれぞれ発生する光リーク電流Ｉ１，Ｉ２を補償する補償回路４２において、高精度に補償を行うとともに、チップ面積を抑制する。 - 特許庁