「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(330ページ目) - Weblio英語例文検索

The toner remaining after jumping development of a latent image on a photoreceptor drum 1 in a developing part is returned to the vessel 8 and is brought into contact with the magnetic brush (the brush density is not uniform in the peripheral direction due to alternated arrangement of magnetic poles N and S of a magnet) and is mechanically and electrostatically peeled off the developing roll and is caught into the magnetic brush.例文帳に追加

現像部で感光ドラム１の潜像をジャンピング現像して余ったトナーは容器８に戻され、磁気ブラシ（磁石の磁極Ｎ、Ｓの交互配置で周方向にブラシ密度の粗密が生じている）が接触して、現像ローラから機械的、静電気的に剥ぎ取られ、磁気ブラシ中に捕捉される。 - 特許庁

A timer starts time count simultaneously with the start of charging (S11), and if the time count exceeds a threshold Ta (Y in S13) before the charging voltage reaches Vf (N in S12), it is determined that the leakage current of the electrolytic capacitor is abnormally large, and the charging is prohibited and an alarm is outputted (S14, S15).例文帳に追加

補充電の開始と同時にタイマによる計時が開始され（Ｓ１１）、充電電圧がＶｆに達する前に（Ｓ１２でＮ）計時が閾値Ｔａを超えた場合（Ｓ１３でＹ）には、電解コンデンサの漏れ電流が異常に大きいと判断し、充電を禁止するとともに警報を出力する（Ｓ１４、Ｓ１５）。 - 特許庁

A memory array part as a DRAM or an SRAM is provided in the package of a memory IC chip as a semiconductor memory device, and in addition to this, a plurality of interface modules corresponding to various memory types such as an SDR, a DDR, a DDR2...a DDR(n), the SRAM, a DPRAM, a FIFO are also provided.例文帳に追加

半導体メモリ装置としてのメモリＩＣチップのパッケージ内に、ＤＲＡＭ又はＳＲＡＭとしてのメモリアレイ部が設けられていることに加え、例えばＳＤＲ、ＤＤＲ、ＤＤＲ２・・・ＤＤＲ（ｎ）、ＳＲＡＭ、ＤＰＲＡＭ、ＦＩＦＯ等の各種のメモリタイプに応じた複数のインターフェースモジュールも設けられているようにする。 - 特許庁

The hybridization between a probe nucleic acid chain and a target nucleic acid chain is allowed to proceed in a reaction system, and then the temperature of the reaction system where the hybridization proceeds is raised to a temperature higher than a predetermined temperature, thereby increasing the S/N ratio in the detection of the hybridization.例文帳に追加

反応場において、プローブ核酸鎖とターゲット核酸鎖との間のハイブリダイゼーションを進行させた後に、そのハイブリダイゼーションが進行する前記反応場の温度を所定温度よりも高くする昇温処理を行うことにより、ハイブリダイゼーション検出時におけるＳ／Ｎ比を高くするハイブリダイゼーション検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device and its drive method that can output an image without deteriorating S/N and decreasing the sensitivity even in a high speed read mode, without deteriorating the resolution in the vertical direction, a complicated drive mode and the need for a special circuit configuration.例文帳に追加

高速読み出しモードにおいても、感度が低くならずＳ／Ｎが劣化しない画像を出力することができると共に、垂直方向の解像度が劣化することがなく、また、駆動モードが複雑にならず、特別な回路構成も必要としない固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

Said method according to the present invention includes a preliminary estimation step in the course of which preliminary estimates hp_i (i=1 to N) and a secondary estimation step in the course of which the preliminary estimates hp_i are to be refined by computing an average value of a correlation parameter, which average value is computed over at least two different carrying signals.例文帳に追加

本発明による方法は、予備推定値ｈｐ_ｉ（ここで、ｉ＝１〜Ｎ）を生成する予備推定ステップと、相関パラメータの平均値を計算することによって予備推定値ｈｐ_ｉを改良する二次推定ステップとを含み、平均値は、少なくとも２つの異なる搬送信号にわたって計算される。 - 特許庁

When light is incident on an active pixel in a photodetector 10; electric charges are generated from a photodiode contained in the pixel, a voltage value corresponding to the quantity of the electric charges is outputted from the pixel via a selecting transistor, and the voltage value is read as a first voltage value V_1, m, n by a first pixel data reading section 20.例文帳に追加

光検出部１０内のアクティブピクセル型の画素部に光が入射すると、その画素部に含まれるフォトダイオードで電荷が発生し、その電荷の量に応じた電圧値が選択用トランジスタを経て画素部から出力され、第１画素データ読出部２０により第１電圧値Ｖ_１,ｍ,ｎとして読み出される。 - 特許庁

To provide a suitable fine hexagonal ferrite for a magnetic recording medium, and the magnetic recording medium excellent in an output level at short wavelength and a carrier to noise ratio (C/N), and in the stability of recorded magnetization, even if the magnetic recording medium formed using the same is reproduced by being combined with and using a magneto-resistive head.例文帳に追加

、磁気記録媒体に好適な微細な六方晶フェライトを提供することと、それを使用した磁気記録媒体とＭＲヘッドとを組み合わせて使用して再生した際でも短波長出力とＣ／Ｎが優れ、かつ記録された磁化の安定性が優れた磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

To provide a small-sized image pickup device which can increase the S/N of reception signals even without being provided with an expensive photodetector and is excellent in portability in the image pickup device provided with an image pickup optical system for image-forming an object image and an image pickup means for converting the object image to an electrical signal.例文帳に追加

被写体像を結像する撮像光学系と、被写体像を電気信号に変換する撮像手段とを備えた撮像装置において、高価な受光素子を備えなくても、受信信号のＳ／Ｎ比を高めることができ、しかも、携帯性に優れる小型の撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The intermediate for the total synthesis of the ecteinascidin is the one having the ecteinascidin skeleton five-membered ring structure and represented by formula 2 (wherein there is an OH group in position 4, a substituent R_5 on the N atom in position 12 is trichloroethoxycarbonyl (Troc), and these groups are susceptible to the introduction of various groups thereinto under mild conditions).例文帳に追加

一般式２で表される４位にＯＨ基及び１２位のＮの置換基Ｒ_5がトリクロロエトキシカルボニル（Ｔｒｏｃ）であり、これらは種々の置換基を緩和な条件で導入可能であることを特徴とするエクテナサイジン類の骨格５環構造を持つエクテナサイジン類の全合成用の中間体化合物。 - 特許庁

The write-in instruction word latency control section 140 and the read-out instruction word latency control section 160 receive respectively a write-in instruction word and a read-out instruction word outputted from a instruction word decoder 120, and output them by delaying them by (N/2) times of a cycle of a clock signal while responding to a latency control signal.例文帳に追加

書込み命令語レイテンシ制御部１４０及び読出し命令語レイテシ制御部１６０は命令語デコーダ１２０から出力される書込み命令語及び読出し命令語を各々受信し、それらを、レイテンシ制御信号に応答して、クロック信号のサイクルの（Ｎ／２）倍だけ遅延させて出力する。 - 特許庁

The film for fusion-cut sealing has tear end resistance of a polylactic acid-based film consisting essentially of a polylactic acid-based resin of ≤100 N/20 mm both in MD and TD, a Charpy impact strength of ≤0.060 MJ/m^2 both in MD and TD and a haze of >1% and ≤10%.例文帳に追加

主としてポリ乳酸系樹脂からなるポリ乳酸系フィルムの端裂抵抗がＭＤ、ＴＤともに１００Ｎ／２０mm以下であり、かつ、シャルピー衝撃強さがＭＤ、ＴＤともに０．０６０ＭＪ／ｍ^2以下であり、さらにヘーズが１％を越え１０％以下であることを特徴とする、溶断シール用フィルム。 - 特許庁

To achieve the high-speed operation of a cryptography method using a result of index calculation which is denoted as gx and calculates modulo n, in a smart card including a CPU in a contact type smart card or a non-contact type smart card and a combination card (that is, a card having two modes of a contact operation and a non-contact operation).例文帳に追加

接触型スマートカード又は非接触型スマートカード及びコンビネーション・カード（即ち、接触動作及び非接触動作の２つのモードを有するカード）におけるCPUを含むスマートカードにおいて、ｇｘと表記し、モジュロ（modulo）ｎの計算をする指数計算の結果を使う暗号化方法の高速演算を実現する。 - 特許庁

Since the etching rate of a SiO2 film 3 for isolation in the n-type well 6, into which both of phosphorus and boron are implanted, is higher than that of the points where either of phosphorus or boron is implanted, a recess or step difference 3a is formed in the SiO2 film 3 during the etching operation of the SiO2 film 4 for protection which becomes positioning patterns 10.例文帳に追加

燐と硼素の双方が注入されるｎ型ウェル６でのアイソレーション用ＳｉＯ_2膜３のエッチングレートは、燐と硼素のいずれかが注入された箇所のそれよりも高くなるので、保護用ＳｉＯ_2膜４のエッチング工程でＳｉＯ_2膜３に位置合わせパターン１０となる窪みないし段差３ａが形成される。 - 特許庁

The dates, on which a post name coping with the past organization environment, a managerial position, user information and the information of the office are updated are stored in office information tables 32b1, 32b2,..., 32b(n-1), and a post name corresponding to the present organization environment, managerial position and user information are stored in an office information table 32bn.例文帳に追加

オフィス情報テーブル３２ｂ１，３２ｂ２，…，３２ｂ（ｎ−１）には、過去の組織環境に対応した部署名、役職、ユーザの情報及びそのオフィスの情報が更新された日付が格納され、オフィス情報テーブル３２ｂｎには、現在の組織環境に対応した部署名、役職及びユーザの情報が格納されている。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal wafer consisting of an N-region where neither V-rich region nor I-rich region is present and the defect density is extremely low in the entire surface of the crystal produced by the CZ method, under the condition that can be controlled easily in a wide range, while maintaining high yield and high productivity.例文帳に追加

制御幅が広く、制御し易い製造条件の下で、Ｖ−リッチ領域およびＩ−リッチ領域のいずれも存在しない、結晶全面に亙って極低欠陥密度であるＮ−領域からなるＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを、高歩留り、高生産性を維持しながら製造する方法を提供する。 - 特許庁

A subfield successively applies scan pulses to N scan electrodes, applies inputted video data signal pulses to a plurality of address electrodes and includes an address interval which specifies the cells to be displayed and a sustain discharge interval in which sustain discharge pulses are applied to the specified cells in accordance with the luminance weight of the subfield.例文帳に追加

サブフイールドは、Ｎ本のスキャン電極に逐次スキャンパルスを印加すると共に、入力される映像データー信号パルスを複数のアドレス電極に印加し、表示しようとするセルを指定するアドレス期間と、前記指定された各セルに該当サブフィールドの輝度ウェイトによって維持放電パルスを印加する維持放電期問とを含む。 - 特許庁

On the n-type GaN substrate 11 in which the groove 16 is formed, a GaN-based semiconductor layer 25 which includes an active layer 19 formed of a nitride-based III-V group compound semiconductor including In and Ga is grown to manufacturer a GaN-based semiconductor laser having the end surface window structure.例文帳に追加

この溝１６が形成されたｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させることにより、端面窓構造を有するＧａＮ系半導体レーザを製造する。 - 特許庁

The use of a composition including a combination of an N-substituted triazole sterilizing compound and a urea compound exhibits a dramatic effect of preventing the growth of rotting fungi in lumber and woody materials in comparison with conventional wood preservation compositions and prevents the growth of stain fungi and molds.例文帳に追加

Ｎ−置換トリアゾール系殺菌化合物と尿素系化合物を組み合わせた組成物を用いることにより、従来の木材保存組成物などと比べ、木材及び木質材料に対して飛躍的に腐朽菌の発育を防止する効果があり、変色菌及びカビの発育を防止することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing the α-chain of hepatocyte growth factor or an N-terminal fragment thereof (NK polypeptide) by expression of a nucleic acid encoding the NK polypeptide in a microbial host cell, isolation of inclusion bodies containing the NK polypeptide in a denatured form, solubilization of the inclusion bodies and regeneration of the denaturated NK polypeptide.例文帳に追加

肝細胞成長因子のα−鎖又はそのＮ末端フラグメント（ＮＫポリペプチド）を、微生物宿主細胞におけるＮＫポリペプチドをコードする核酸の発現、変性型の当該ＮＫポリペプチドを含む封入体の単離、封入体の可溶化、及び変性したＮＫポリペプチドの再生により産生するための方法。 - 特許庁

A relative ratio operating means 523 operates a relative ratio of a moving object in a block of the nth frame specified with the representative block coordinates and, for the corresponding (n+α)th frame, operates a relative ratio of the moving object in the search range of each search range candidate.例文帳に追加

相対割合演算手段５２３は、前記代表ブロック座標で特定される第ｎフレームのブロック内における移動オブジェクトの占める相対割合を演算するとともに、対応する前記第ｎ＋αフレームについて、前記各探索範囲候補の探索範囲内における移動オブジェクトの占める相対割合を演算する。 - 特許庁

A hydrophilic substance is easily and stably blended in a cosmetic mainly composed of an oily ingredient by including a silylated peptide-silane compound copolymer composition and one kind or more selected from among water-soluble ascorbic acid derivatives and the salts thereof, and N-glyceryl amino acids and the salts thereof in the cosmetic.例文帳に追加

シリル化ペプチド−シラン化合物共重合組成物を水溶性アスコルビン酸誘導体およびその塩、Ｎ−グリセリルアミノ酸またはその塩から選ばれる１種または２種以上と共に油性成分を主剤とする化粧料に含有させることによって親水性物質を容易にかつ安定に配合できる。 - 特許庁

The method for production of nickel paste electrode includes filling a paste containing nickel hydroxide and electroconductive cobalt auxiliary in an electroconductive base material, then the material is dried and formed through compression, poly-N vinylacetamide is added to the paste, the electrode formed with compression is immersed in an alkaline solution.例文帳に追加

水酸化ニッケル及びコバルト導電助剤を含有するペーストを導電性基材に充填し、乾燥後圧縮成形してなるペースト式ニッケル電極の製造方法であって、上記ペースト中にポリＮ−ビニルアセトアミドを含有させるとともに、上記圧縮成形後、さらに電極をアルカリ溶液中に浸漬処理する。 - 特許庁

In a waste liquid treatment apparatus provided with a flocculation treatment part 1 for flocculating impurities contained in an alkaline waste liquid by an acidic flocculant, a neutralizing treatment part N for neutralizing an alkaline waste liquid by bringing the alkaline waste liquid before supplied to the flocculation treatment part 1 into contact with combustion exhaust gas is provided.例文帳に追加

アルカリ性廃液に含まれる不純物を酸性の凝集剤にて凝集させる凝集処理部１が設けられた廃液処理装置であって、凝集処理部１に供給される前のアルカリ性廃液を燃焼排ガスと接触させて、アルカリ性廃液を中和する中和処理部Ｎが設けられている。 - 特許庁

This ink jet ink composition comprises a chemically modified carbon black dispersion in the presence or absence of a black dye, a polymer such as an ethoxylated polyethyleneimine in combination with N- methylpyrrolidone and other commonly used additives to improve water fastness on coated substrates to greater than 90%.例文帳に追加

黒色染料の存在または不在における化学的に改質されたカーボンブラック分散液；エトキシ化されたポリエチレンイミンのようなポリマーを、Ｎ−メチル−ピロリドンおよびその他の一般的に使用される添加剤とともに含み、塗布された基板上での水堅牢性を９０％よりも高く改良するインクジェットインキ組成物。 - 特許庁

To suppress the diffusion of launched Cesium (Cs) atoms in the horizontal direction to improve an S/N ratio of a spectrum in a collimation apparatus for Cs atomic fountain for trapping and cooling the atoms by a plurality of laser beams and detecting the passing of the launched Cs atoms through a micro wave resonator.例文帳に追加

本発明は複数のレーザ光でトラップと冷却か行われると共に上方に打ち上げられたセシウム原子がマイクロ波共振器を通過することを検出するセシウム原子泉コリメーション装置に関し，打ち上げた原子の水平方向への拡散を抑制し，スペクトルのＳ／Ｎ比を向上することを目的とする。 - 特許庁

The cellulose nanofiber is provided by adding an oxidizer to a cellulosic raw material in the presence of N-oxyl compound and bromide, iodide, or a mixture thereof, treating the cellulosic raw material in water to prepare oxidized cellulose, and performing wet micronization of the oxidized cellulose to produce nanofibers.例文帳に追加

前記セルロースナノファイバーは、セルロース系原料に、Ｎ−オキシル化合物、並びに臭化物、ヨウ化物又はこれらの混合物の存在下で、酸化剤を添加し、水中にて前記セルロース系原料を処理して酸化されたセルロースを調製し、該酸化されたセルロースを湿式微粒化処理してナノファイバー化されたものである。 - 特許庁

In the semiconductor device thus configured, a sheet n-type burried diffusion layer 3 over the lower section of the entire semiconductor element formation region S connected to the drain leading electrodes 15A, 15B is embedded inside the semiconductor substrate in the entire lower section of the semiconductor element formation region S.例文帳に追加

こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 - 特許庁

When an up-shift command is output, maximum wheel driving force F is obtained based on an engine load corresponding to present vehicle speed on the down-shift line in a high speed stage in a shifting pattern or the gear ratio of the high speed stage.例文帳に追加

S11 では、変速パターンにおける高速段から現在の変速段へのダウンシフト線上での現在の車速に対応するスロットル開度TVO _DWN を検索し、S12 で、TVO _DWN およびN _t から、高速段での最大タービントルクＴ_t (2) を検索し、S13 で、Ｔ_t (2) と、高速段ギヤ比Ｇ_RTO (2) と、定数ｋとを掛けて高速段での最大車輪駆動力F2を算出する。 - 特許庁

In a power transistor composed by arranging a plurality of vertical type PNP transistors on a P type silicon substrate 1, one or a plurality of electrodes parts a of N+ type embedded layer 2 for separating the collector of the plurality of vertical type PNP transistors from the P type silicon substrate 1 are provided in an active region of the power transistor.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上に縦型ＰＮＰトランジスタを複数並べて構成されたパワートランジスタにおいて、前記Ｐ型シリコン基板１と前記複数の縦型ＰＮＰトランジスタのコレクタを分離するためのＮ+型埋込層２の電極部aをパワートランジスタの能動領域内に1箇所または複数有する。 - 特許庁

To provide a resist undercoat-forming material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process or for a three-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly to short-wavelength exposure light, that is, has high transparency, optimum n value and k value, and excels in etching resistance in substrate processing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用又は３層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

There is provided an optical polysiloxane having no specific light-absorption band in the visible light range, which is formed by mixing a polysiloxane with n-type photosemiconductor particles whose band gap energy is in the wavelength range of below 400 nm and crosslinking the polysiloxane by irradiating light of a wavelength having an energy above the band gap energy of the semiconductor.例文帳に追加

バンドギャップエネルギーが４００nm以下の波長範囲にあるｎ−型光半導体粒子をポリシロキサンと混合し、該半導体のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを有する波長の光を照射してポリシロキサンを架橋させた可視光領域に特定の光吸収帯を有さない光学用ポリシロキサン。 - 特許庁

In the manufacturing method of the stretched film having a process for stretching a thermoplastic resin film by a tenter stretching machine and taking over the stretched film by a take-over roll, the tension in the traveling direction of the film is adjusted within a range of 50-600 N by the take-over roll to stretch the film.例文帳に追加

熱可塑性樹脂フィルムをテンター延伸機によりフィルムを延伸し、引き取りロールによって引き取る工程を有する延伸フィルムの製造方法において、引き取りロールによって、該フィルムの走行方向の張力を５０〜６００Ｎの範囲内で調整して延伸することを特徴とする延伸フィルムの製造方法。 - 特許庁

In a measurement method, to measure an axial load N of a threaded fastener, at the yield point of the fastener and a final pretension, change in traveling time Δt of an ultrasonic wave being induced to the fastener is utilized, thus measuring the axial load of the a threaded fastener being tightened beyond the yield point.例文帳に追加

本発明は、部品の軸方向負荷（Ｎ）を測定するために、部品の降伏点と最終プレテンションとの両方に、部品に誘導される超音波の走行時間（Δｔ）の変化を利用することによって降伏点以上に締め付ける際のねじ部品の軸方向負荷を測定する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating type magnetic recording medium of low price, having satisfactory electromagnetic transducing characteristics, improved C/N especially in a high density recording area, excellent productivity and excellent high density characteristics of low noise while running properties are secured in a recording and reproducing system with which an MR head is combined.例文帳に追加

電磁変換特性が良好で特に高密度記録領域でのＣ／Ｎ比が格段に改良された、生産性に優れ、低価格な磁気記録媒体であって、かつＭＲヘッドを組み合わせた記録再生システムにおいて走行性を確保しつつノイズの低い高密度特性に優れる塗布型磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

To provide the subject reaction process comprising formation of the cuprous salt of a compound having enolic hydroxy group (C(OH)=N) in the molecule followed by reacting an alkylating agent with the above salt, wherein the cuprous salt formation reaction is controlled so as to cause no bubbling in the reaction system through rapidly advancing the reaction.例文帳に追加

分子内にエノール性水酸基（−Ｃ（ＯＨ）＝Ｎ−）を有する化合物のＣｕ（Ｉ）塩を形成させ、次いでアルキル化剤を反応させるＯ−アルキル化反応であって、該銅塩生成反応を制御して、急激に反応が進行して反応系内に泡立ちが生じることのないのＯ−アルキル化反応法を提供する。 - 特許庁

The pellicle 1 is characterized in that a peel strength is 0.004-0.10 N/mm when a non-surface-treated polyethylene terephthalate film having a thickness of 125 μm is peeled in a direction of 180° to the adhering surface at 23°C after the polyethylene terephthalate film has been adhered to a mask adhering layer 9 of the pellicle.例文帳に追加

厚さ１２５μｍの表面処理されていないポリエチレンテレフタレートフィルムをペリクルのマスク接着層９に接着させた後、温度２３℃で、前記ポリエチレンテレフタレートフィルムを接着面に対して１８０°方向に剥離する際の剥離強度が０．００４Ｎ／ｍｍ以上０．１０Ｎ／ｍｍ以下であることを特徴とするペリクル１。 - 特許庁

A conveyer mechanism 4 raised higher in the rear direction is mounted on the tractor 2 and the tray-picking up mechanism 7 equipped with a picking up member 15 that picks and hangs up the seedling trays N extended on the ground and places on the inclined conveyer mechanism is arranged in the front side of the inclined conveyer mechanism.例文帳に追加

動車体２上に後上がり傾斜状の傾斜コンベヤ機構４を設け、この傾斜コンベヤ機構４の前方に、地上に展開している苗箱Ｎの縁部Ｎａに掛合して持ち上げながら前記傾斜コンベヤ機構４に乗せる拾い上げ部材１５を有する拾い上げ機構７を配置する。 - 特許庁

The first block B1 and the second block B2 comprise a transverse group of batteries 2A with N pieces of batteries transversely in parallel and M pieces of orthogonal batteries 2B near the electrode side end of the battery of the transverse group of batteries 2A arranged in orthogonal direction to the transverse group of batteries 2A.例文帳に追加

第１ブロックＢ１と第２ブロックＢ２は、Ｎ本の電池を横並びに平行に並べてなる横列電池群２Ａと、この横列電池群２Ａの電池の電極側端部に接近し、かつ、横列電池群２Ａの電池に対して直交する姿勢で配設してなるＭ本の直交電池２Ｂとからなる。 - 特許庁

A controller 58 calculates a necessary nitrification time (TN) required to reduce an NH4-N concentration in waste water from secular change of an oxygen consumption speed measured with an activity measuring device 22, and the calculated necessary nitrification time (TN) is compared with a retaining time (TMAX) of the waste water in the nitrification tank 16.例文帳に追加

コントローラ５８では、活性測定装置２２で測定した酸素消費速度の経時変化から廃水中のＮＨ_4-Ｎ濃度を所定値まで低減させるために必要な必要硝化時間〔Ｔ_N 〕を演算し、演算した必要硝化時間〔Ｔ_N 〕と硝化槽１６内の廃水の滞留時間〔Ｔ_MAX 〕とを比較する。 - 特許庁

This cushion pad 1 is provided with a pad body 2 formed of polyurethane foam, and a slab 3 integrated with the rear face of the pad body by foam molding of the polyurethane foam, and the slab has 25% rigidity of 150-300 N and disposed in the bottom part in the hip lower part 16 of the pad body 2.例文帳に追加

ポリウレタンフォームからなるパッド本体２と、該パッド本体の裏面に前記ポリウレタンフォームの発泡成形により一体化されたスラブ３とを備えてなるクッションパッド１であって、前記スラブ３は、２５％硬度が１５０〜３００Ｎであり、かつ、パッド本体２の尻下部１６における底部に配置されている。 - 特許庁

Even if a shift lever 3 is obliquely moved and erroneously shifted to the reverse range R in shifting from the drive range D to the neutral range N, it cannot be directly shifted to the reverse range R since the other end part 6b of a second lock lever 6 is protruded to the reverse range R in a neutral range lock state.例文帳に追加

シフトレバー３をドライブレンジＤからニュートラルレンジＮにシフト操作するときに、シフトレバー３が斜めに移動して誤ってリバースレンジＲにシフト操作されようとしても、ニュートラルレンジロック状態では、第２ロックレバー６の他端部６ｂがリバースレンジＲに突出しているから、リバースレンジＲに直接シフト操作できなくなる。 - 特許庁

The CPU 14 controls the driver 10 to read data required for different display on display devices 2-1-2-n from a disk 11, data divided by each display device are stored in the track buffer 12 and a reproduction sequence of the data to be reproduced next is checked from the data stored in the track buffer 12.例文帳に追加

ＣＰＵ１４は、ドライブ装置１０を制御して表示装置２−１〜２−ｎに対して異なる表示を行うために必要なデータをディスク１１から読み取り、表示装置毎にデータを分けてトラックバッファ１２に蓄積するとともに、トラックバッファ１２に蓄積されたデータから、次に再生するデータの再生順序を調べる。 - 特許庁

Also, another slime control method consists of forming hypobromous acid and/or its water soluble salt, and an N-monochloro-5,5-dialkyl-substituted hydantoin, in a water system, by that hypochlorous acid and/or its water soluble salt, bromide for releasing bromide ions in water and 5,5-dialkyl-substituted hydantoin are added to a water system and mixed.例文帳に追加

次亜塩素酸及び／又はその水溶性塩、水中で臭素イオンを放出する臭化物、及び５，５−ジアルキル置換ヒダントインを水系に添加混合して水系において（Ａ）次亜臭素酸及び／又はその水溶性塩と（Ｂ）Ｎ−モノクロロ−５，５−ジアルキル置換ヒダントインを生成させてなる水系におけるスライムコントロール方法。 - 特許庁

There is a difference in height between a GaAs/AlGaAs based infrared colored laser element 20 and an AlGaInP based infrared colored laser element 30 formed on an n-GaAs substrate 10, while the element-mounting face of the sub-mount member 40 has a step, corresponding to the difference in the height of both laser elements.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１０表面上に形成されているＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系赤外色レーザ素子２０とＡｌＧａＩｎＰ系赤外色レーザ素子３０とには高低差がある一方、サブマウント部材４０の素子搭載面には両レーザ素子の高低差に対応した段差が設けられている。 - 特許庁