「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(334ページ目) - Weblio英語例文検索

In the formula, R^1 is a 1-8C linear or 3-8C cyclic alkyl group or the like; n is 0 or an integer of 1-3; and R^2 is a group selected from among a 1-8C linear alkyl group, a 6-12C aromatic group and the like.例文帳に追加

（式中、Ｒ^１は、炭素数１〜８の鎖状あるいは炭素数３〜８の環状のアルキル基などを表す。ｎは、０または１〜３の整数である。Ｒ^２は、炭素数１〜８の鎖状アルキル基、炭素数６〜１２の芳香族基などから選ばれる基を表す。） - 特許庁

A frequency sweep is performed by a frequency sweep oscillator 11, and measured values x(0), x(1), ..., x(n-1) is obtained through a detection circuit 13 and AD converters 19, 20 in each frequency step Δf as response output of a tested circuit 12.例文帳に追加

周波数掃引発振器１１によって周波数掃引を行い、被試験回路１２の応答出力として、周波数ステップΔｆ毎に検波回路１３とＡＤ変換器１９，２０を通して測定値ｘ（０），ｘ（１），・・・ｘ（ｎ−１）が得られる。 - 特許庁

A heating roll for fixing 40 in the fixing device is provided with a sliding shaft 7 as a braking means to impart braking force by which the speed-increasing phenomenon of rotation is suppressed at a period at least before the rear end part Pe of the recording paper comes out a fixing nip part N.例文帳に追加

定着装置における定着用の加熱ロール４０に、記録用紙の後端部Ｐｅが定着ニップ部Ｎを少なくとも抜け出る前の時期に回転の増速現象を抑制するための制動力を付与する制動手段としてのスベリ軸７を設けた。 - 特許庁

A resolution conversion circuit 105 outputs a pixel signal of one line of the output video with resolution different from that of the input video by using a pixel signal stored in the line buffer 101-k (k=1 to N) according to the horizontal synchronizing signal HSYNC_N of the output video.例文帳に追加

解像度変換回路１０５は、出力映像の水平同期信号ＨＳＹＮＣ＿Ｎに応じ、ラインバッファ１０１−ｋ（ｋ＝１〜Ｎ）に記憶された画素信号を用いて、入力映像と異なる解像度の出力映像の１ライン分の画素信号を出力する。 - 特許庁

To enable Huffman coding using a common Huffman table, according to the basic quantization value Q_i,j, and to control increase in the capacity of Huffman table, even when the image data expressed by n-bit within the range from L to K are coded by the JPEG-coding method.例文帳に追加

Ｌ乃至Ｋの範囲内にあるｎビットで表わされる画像データをＪＰＥＧ符号化する場合であっても、基本量子化値Ｑ_i,jに応じた共通のハフマンテーブルを用いてハフマン符号化することが可能となり、ハフマンテーブルの容量を増大することを抑制する。 - 特許庁

The basic part of this solar cell is constituted in a heterojunction of a transition metal oxide composed of titanium dioxide (TiO_2) or strontium titanate (SrTiO_3) doped with a small amount of Nb etc., to have n-type semiconductor characteristics and a transition metal oxide, such as vanadium dioxide (VO_2).例文帳に追加

デバイスの基本となる部分は、Ｎｂなどを少量ドープしてｎ型半導体特性を持たせた二酸化チタン（ＴｉＯ_２）またはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）と、二酸化バナジウム（ＶＯ_２）などの遷移金属酸化物からなる遷移金属酸化物ヘテロ接合である。 - 特許庁

The source terminal of the N-type MOS transistor 160 is connected to the ground potential level; a set signal is supplied to the gate terminal in a pixel unit only for the flip-flop FF corresponding to the pixel for writing and this set signal brings the node 1 into the ground potential level.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１６０のソース端子は接地電位レベルに接続され、ゲート端子には書き込み対象の画素に対応するフリップフロップＦＦにのみ、画素単位でセット信号が供給され、このセット信号によりノードＮ１は接地電位レベルとされる。 - 特許庁

In this thermoelectric module, plural (p) type and (n) type thermoelectric elements 4 are alternately arrayed, and each thermoelectric element 4 is connected by plural electrodes 2 so as to be serially connected, and at least one substrate 1 is connected with the electrode 2.例文帳に追加

熱電モジュールは、ｐ型及びｎ型の複数個の熱電素子４が交互に配列され、各熱電素子４が直列に接続されるように複数個の電極２により接続され、更に電極２に少なくとも１枚以上の基板１が接合されている。 - 特許庁

An antenna switching part 21 is arranged, which selects one of the antennas 7-1 to 7-n and performs electric connection with respect to the communication circuit 22, thereby enabling to switch over to the antenna with most excellent sensitivity in the alarm after installation.例文帳に追加

そして、アンテナ７−１〜７−ｎのうちの１つのアンテナを選択して通信回路２２に対して電気的な接続を行うアンテナ切換部２１を備えることによって、設置後の警報器において最も感度が良好となるアンテナに切り換えることができる。 - 特許庁

Further, the ATM monitoring control section 24, when comparing the found discarding occurrence frequency coefficient X(n) with a designated threshold Xth1 to judge that ATM cells are discarded above the designated frequency, judges that ATM cells are in a congested state.例文帳に追加

また、ＡＴＭ監視制御部２４は、求めた破棄発生頻度係数Ｘ（ｎ）と所定の閾値Ｘｔｈ１とを比較することによって、ＡＴＭセルの破棄が所定の頻度以上発生していると判断すると、ＡＴＭセルの輻輳中であると判定する。 - 特許庁

Furthermore, by calculating the position of center of gravity of the optical relay part 4 to the reference position in the light reception region 100, on the basis of the first light intensity profile data V_X(n), the operation angle of the scale plate can be calculated from the position of center of gravity.例文帳に追加

更に、第１光強度プロファイルデータＶ_Ｘ(ｎ)に基づき、受光領域１００中の基準位置に対する識別された光中継部４の重心位置を算出し、その重心位置からスケール板の動作角度を算出することができる。 - 特許庁

A comparison section 76 compares a bit string corresponding to a predetermined pit pattern held in a detected bit string holding section 75 with the bit string of the n-bit string holding section 74, and outputs the input signal to registers 77 and 78 when the compared bit stings are equal to each other.例文帳に追加

比較部７６は、検出ビット列保存部７５に保存されている所定のピットパターンに対応したビット列と、ｎビット列保持部７４のビット列とを比較して同一であった場合、レジスタ７７および７８に、入力された信号を出力させる。 - 特許庁

To provide a substrate inspection device and a substrate observation device for performing quality determination of a very small concentration fluctuation by improving an S/N ratio by emphasizing a micro-concentration fluctuation generated in a colored film applied onto a substrate by an optical filter.例文帳に追加

基板上に塗布された着色膜に生じる微小な濃度変動を光学フィルターによって強調することでＳ／Ｎ比を向上させ、きわめて小さな濃度変動の良否判定を行う基板検査装置および基板観察装置を提供すること。 - 特許庁

Thus, the concentration of the impurity in the low concentration (p)-type region being a channel can be reduced, and the breakdown voltage of the parasitic transistor formed of an epitaxial layer 13, high concentration (p)-type region 15, and (n) type source region 19.例文帳に追加

これにより、チャネルとなる低濃度ｐ型領域の不純物濃度を低くすることができるとともに、エピタキシャル層１３、高濃度ｐ型領域１５およびｎ型ソース領域１９で形成される寄生トランジスタのブレークダウン電圧を高くすることができる。 - 特許庁

Even when positive electric charges are stored in a gate oxide film by irradiation with X rays, the P channel MOSFET has no false channel formed right below the gate oxide film and can reduce a leak through a channel as compared with an N channel MOSFET.例文帳に追加

Ｘ線の照射によってゲート酸化膜に正の電荷が蓄積した場合でも、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴではゲート酸化膜直下に擬似的なチャネルが形成されず、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴに比べてチャネルを通したリークを軽減することができる。 - 特許庁

In this information providing method, a web server 1 whose web site used for this invention is registered, client computers 2 for accommodations, a client computer 3 for a general user and a server computer 4 for a booking center are connected via a network N, respectively.例文帳に追加

、本発明の情報提供方法は、ネットワークＮを介して、本発明に用いられるウェブサイトが登録されたウェブサーバ１、宿泊施設用のクライアントコンピュータ２、一般ユーザ用のクライアントコンピュータ３、予約センタ用のサーバコンピュータ４がそれぞれ接続されている。 - 特許庁

To obtain an insulated gate N-channel field effect type transistor having high breakdown voltage and a high ESD endurance strength without increasing a process and a circuit, and the body potential of an element can be set freely without recourse to semiconductor substrate potential in a BiCMOS integrated circuit.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳ集積回路において、工程や回路面積を増加させずに、高耐圧と高ＥＳＤ耐量を有し、素子のＢｏｄｙ電位を半導体基板電位によらず自由に設定できる絶縁ゲートＮチャネル電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

The items (titles, artist names, categories, review texts, tempos, beats, rhythms and so on) of music metadata are classified into the respective ones of cluster layers (first to n-th layers) and the actual information of the items are classified (clustered) into the respective ones of clusters provided in the cluster layers.例文帳に追加

楽曲のメタデータの各項目（タイトル、アーティスト名、ジャンル、レビューテキスト、テンポ、ビート、リズムなど）をクラスタ層（第１乃至ｎ層）のいずれかに分類し、各項目の実情報を分類したクラスタ層に設けられる複数のクラスタのいずれかに分類（クラスタリング）する。 - 特許庁

This method for producing an N- or P-type single crystal with a resistivity of 1-50 Ω.cm comprises the following practice: a silicon single crystal seed 1 containing germanium at a concentration of 1018 to 1020 atoms/cm3 is used and a neck part 2 comparable in diameter to the seed is parallel-grown.例文帳に追加

チョクラルスキー法により抵抗値１〜５０Ω・ｃｍのＮ型又はＰ型のシリコン単結晶を製造するに際し、１０^18〜１０^20 atoms／ｃｍ^3 のゲルマニウムを含むシリコン単結晶のシード１を使用し、シードと同程度の直径のネック部２をパラレル成長させる。 - 特許庁

The tuning information Sk is transmitted to the administrative server 5 via a wireless communication network N and the administrative server 5 generates statistic information Sx collecting a result that which radio station program is listened in each of the vehicles 2 based on the tuning information Sk.例文帳に追加

この選局情報Ｓｋは無線通信のネットワークＮを介して管理サーバ５に伝達され、管理サーバ５は選局情報Ｓｋに基づき、車両２でどのラジオ局の番組が聴かれているか等を取りまとめた統計情報Ｓｘを生成する。 - 特許庁

This thermal fixing device is characterized in having an electrode 41 coming into contact with the recording material P and a means 43 applying bias having the same polarity to the electrode 41 and the pressure member 32 at least while the recording material P passes through the press- contact nip part N.例文帳に追加

前記記録材Ｐと接触する電極４１と、少なくとも記録材が前記圧接ニップ部Ｎを通過中、前記電極４１と前記加圧部材３２に同じ極性のバイアスを印加する手段４３と、を有することを特徴とする加熱定着装置。 - 特許庁

In this process, by specifying the mass proportion M(%) of the hydrophilic polymer to the hydrophobic polymer and the water content N(%) of the final membrane on a dry basis so as to meet a specific relationship( fall within a specific range ), the porous membrane with good properties can be obtained efficiently without causing any breakage.例文帳に追加

この際、疎水性ポリマーに対する親水性ポリマーの質量割合Ｍ（％）と、乾量基準含水率をＮ（％）との関係を特定の範囲とすることにより、良好な性質の多孔質膜を破損させること無く、かつ効率的に得ることができる。 - 特許庁

Even when a distance D corresponding to a predetermined threshold T of the output signal S exists in both the point-blank range and the ranging range L, the distance D of the ranged object can be accurately detected by referring to the point-blank range signal N.例文帳に追加

出力信号Ｓのうちの所定の閾値Ｔに対応する距離Ｄが、至近距離範囲内と測距範囲Ｌ内との両方に存在する場合においても、至近距離信号Ｎを参照することにより、測距対象物の距離Ｄを正確に検知できる。 - 特許庁

To provide a method for efficiently manufacturing high-purity vanadium from vanadium raw material (vanadium oxide) containing iron, aluminum, silicon, carbon, oxygen, etc., in large quantities and to provide a technology for efficiently manufacturing high-purity vanadium of ≥4 N (99.99 wt.%) purity from the raw material.例文帳に追加

鉄、アルミニウム、シリコン、炭素、酸素等が多く含有されるバナジウム原料（酸化バナジウム）から、効率的な高純度バナジウム製造方法を提供するものであり、同原料から純度４Ｎ（９９．９９ｗｔ％）以上の高純度バナジウムを効率的に製造する技術を提供する。 - 特許庁

On the other hand, an (n) well 501 is formed by additionally implanting As at a does of 1×1012-2×1013 cm-2 with implantation energy of 70-120 KeV only into a region 040 for fabricating transistors in order to regulate the threshold voltage for minimizing off-leak.例文帳に追加

また、トランジスタ形成領域０４０に対してのみ、打ち込みエネルギ７０〜１２０ＫｅＶ，打ち込み量１×１０^12〜２×１０^13ｃｍ^-2のＡｓを、オフリークを極小化するためのしきい値電圧調整用として追加注入し、ｎウェル５０１を形成する。 - 特許庁

In a work range having a prescribed rotational speed band (Δn) above an engagement rotational speed (n_E), a control characteristic curve (10) expressing a relation between the input power (P) of the electric drive motor (2) and a rotational speed (n) is set by a control unit (4).例文帳に追加

係合回転数（ｎ_Ｅ）よりも上の所定回転数帯域（Δｎ）を備えた作業範囲（Ａ）において、電気駆動原動機（２）の入力電力（Ｐ）と回転数（ｎ）との関係を表わす制御特性曲線（１０）を制御ユニット（４）によって設定する。 - 特許庁

The method for producing the soybean-processed product having the low purine content of ≤2.5 mg amount of purine body per 1 g protein also comprises subjecting an aqueous solution or a water suspension of the soybean or the soybean raw material to an anionic ion-exchange resin in the presence of 0.05-0.25 N ion.例文帳に追加

また大豆及び大豆原料の水溶液または水懸濁液を０．０５〜０．２５Ｎのイオン存在下に陰イオン交換樹脂処理して得られる、蛋白質１ｇに対するプリン体量が２．５ｍｇ以下の、低プリン含有大豆加工品の製造方法。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte secondary battery provided with a positive electrode, a negative electrode, and a nonaqueous electrolyte composed of a molten salt, this is provided with at least one kind of cation consisting of chemical formulae 1, 2 or the like and at least dicyanamide anion ([N(CN)_2]^-).例文帳に追加

正極と、負極と、溶融塩からなる非水電解質とを具備した非水電解質二次電池において、化学式１，２等からなる少なくとも１種類のカチオンと、少なくともジシアナミドアニオン（［Ｎ(ＣＮ)_2］^-）を具備することを特徴とする非水電解質電池。 - 特許庁

Since a length L2 of a silicide layer 20a1 in the structure 4 is as long as to cause a thin wire effect, most (or all) of the current flows not through the silicide layer 20a1 but from an n+ type impurity zone 26a to a p type zone 15a.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ構造体４のシリサイド層２０ａ１の長さＬ２は、細線効果を生じる大きさなので、電流の大部分（または全部）は、シリサイド層２０ａ１を経由することなく、ｎ^+型不純物領域２６ａからｐ型領域１５ａへと流れる。 - 特許庁

A texture color determining section 523 determines a region in which tip of the brightness vector is included of regions divided by the respective threshold values on the basis of size relation between n pieces of radiation strengths and threshold values corresponding to the strengths for every predetermined unit.例文帳に追加

テクスチャ色決定部５２３は、各所定の単位について、ｎ個の照射強度とそれらに対応するしきい値との大小関係に基づいて、各当該しきい値によって分けられる領域のうち、明るさベクトルの先端が含まれる領域を決定する。 - 特許庁

A signal processing circuit 7, on receiving two signal currents I1 and I2 from the light receiving element 5, outputs an output signal S showing the distance D to the ranged object and a point-blank range signal N showing whether the ranged object exists in the point-blank range.例文帳に追加

受光素子５から２つの信号電流Ｉ1、Ｉ2を受けた信号処理回路７は、測距対象物までの距離Ｄを表す出力信号Ｓと、測距対象物が至近距離範囲内に有るか否かを示す至近距離信号Ｎとを出力する。 - 特許庁

When a fault is generated in one of the systems 30-1 to 30-n, an affinity information DB 10f relationally stores the basic device generating the fault, basic devices related to the basic device, information indicating the sort of the fault, and the number of times of generating the fault.例文帳に追加

相性情報ＤＢ１０ｆは、被管理システム３０−１〜３０−ｎにおいて故障が発生した場合には、故障した基本装置、その基本装置に関連する基本装置、その故障の種類を示す情報、および、その発生回数を関連付けて記憶する。 - 特許庁

To provide an ultrasonic level instrument capable of preventing or suppressing effectively reduction of an S/N ratio with respect to surface level detection which is caused by reverberation, even in a measuring system wherein a plate thickness characteristic vibration frequency of a container bottom part is positioned close to a sensor antiresonance point.例文帳に追加

容器底部の板厚固有振動周波数がセンサ反共振点に近接して位置するような測定系においても、液面検出にかかるＳ／Ｎ比の残響による低下を効果的に防止ないし抑制できる超音波液面計を提供する。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 1, a gate oxide film 3 is formed, thereon an N-type polycrystalline silicon film 4 is formed, furthermore thereon a silicon nitride film 5 for preventing impurity diffusion is formed, and the films 3, 4, 5 are patterned so as to left in an NMOS region.例文帳に追加

シリコン基板１の表面上にゲート酸化膜３を形成し、その上にｎ型の多結晶シリコン膜４を形成し、さらにその上に不純物拡散防止用のシリコン窒化膜５を形成し、これらをｎＭＯＳ領域に残すようにパターニングする。 - 特許庁

The S/N ratio of a signal depends on the oscillation line width of the magnetic oscillation element 21, while a stable magnetic oscillation element having narrow oscillation line width can be obtained by using an artificial antiferromagnetic film or an artificial ferrimagnetic film, or a perpendicular magnetic film for a free layer in the free layer.例文帳に追加

また、信号のＳ／Ｎ比は磁性発振素子２１の発振線幅に依存するが、フリー層に人工反強磁性膜又は人工フェリ磁性膜若しくは垂直磁化膜を用いることにより発振線幅の狭い安定な磁性発振素子が得られる。 - 特許庁

Gates 107 and 110 and the diffused regions of N-type transistors TN1 and TN2 are formed like similarly in a hook-type structure, having bent parts 107b, 107c, 110b,110c, 111a and 108a bent at the right and left sides at upper and lower ends.例文帳に追加

Ｎ型トランジスタＴＮ１,ＴＮ２のゲート１０７,１１０及び拡散領域も同様に、各々、上下端部において左右側方に折れ曲がった折曲部１０７ｂ,１０７ｃ,１１０ｂ,１１０ｃ,１１１ａ,１０８ａを持つ鉤型構造に形成される。 - 特許庁

A communication procedure and communication data exchanged in data communication executed between a medical apparatus 21A and a connection target device 23, for example, are captured by a capture system 22 via a network, and are transmitted to this emulator system 32 via the network N.例文帳に追加

ネットワークを介して、例えば医用機器２１Ａと接続相手装置２３との間で実行されるデータ通信においてやり取りされる通信データ、及び通信手順をキャプチャシステム２２によってキャプチャし、ネットワークＮを介してエミュレータシステム３２に送信する。 - 特許庁

In the virtual network system for achieving a virtual network satisfying the plurality of requested network systems, virtual network operation parts 10-1 to 10-N are provided corresponding to the plurality of network systems, and the virtual network to be constructed is designed and operated.例文帳に追加

要求される複数のネットワーク方式を満足する仮想ネットワークを実現するための仮想ネットワークシステムにおいて、複数のネットワーク方式に対応して仮想ネットワーク運営部１０−１〜１０−Ｎを設け、構築すべき仮想ネットワークの設計および運営を行う。 - 特許庁

A light detecting layer 12, a multilayered film semiconductor layer 13, and a p-type contact layer 14 are laminated in this sequence on an n-type semiconductor substrate 11 for the formation of a semiconductor photodetector 10, and the semiconductor photodetector is formed integrally with a surface-emission semiconductor laser 20.例文帳に追加

半導体光検出器１０はｎ型半導体基板１１上に、光検出層１２、多層膜半導体層１３およびｐ型コンタクト層１４をこの順に積層して構成されており、面発光型半導体レーザ２０と共に一体に形成されている。 - 特許庁

The intensity of the fluorescence can be measured with accuracy, even from the microarray having the high S/N radio and dynamic range and low intensity of fluorescence, by using an image obtained by picking up the image of light obtained by photographing the exciting light, in a state with the microarray not existing, as the background.例文帳に追加

マイクロアレイが無い状態で励起光を照射して得られる光を撮像し得られた画像をバックグランドとすることにより、Ｓ／Ｎ及びダイナミックレンジが高く、蛍光強度の低いアレイにおいても、精度良く蛍光強度の測定を実施できる。 - 特許庁

The stimulation element section 14 has a common n-InP lower clad layer, an active layer 32 in common with a variable wavelength layer, and a common i-InP layer, and has a p-InP spacer layer 34, a p-diffraction grating 36, and a p-InP buried layer 38 on it.例文帳に追加

励起素子部１４は、共通のｎ−ＩｎＰ下部クラッド層、波長可変層と共通の活性層３２、及び共通のｉ−ＩｎＰ層を備え、その上にｐ−ＩｎＰスペーサ層３４、ｐ−回折格子３６、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層３８を備える。 - 特許庁

Disclosed are the nitride semiconductor light-emitting element including a reflective layer 105 made of a dielectric, a transparent conductive layer 106, a p-type nitride semiconductor layer 109, a light-emitting layer 110, and an n-type nitride semiconductor layer 111 in this order; and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

誘電体からなる反射層１０５、透明導電層１０６、ｐ型窒化物半導体層１０９、発光層１１０およびｎ型窒化物半導体層１１１をこの順で含む窒化物半導体発光素子およびその製造方法である。 - 特許庁

To provide an edge detecting method and a device, wherein the edge can be detected stably by suppressing an effect of noises even in the case of an image having an inferior S/N ratio obtained by a charged particle beam device such as a scanning electron microscope or the like.例文帳に追加

本発明は、走査電子顕微鏡等の荷電粒子線装置によって得られたＳ／Ｎ比の悪い画像であっても、ノイズの影響を抑えて安定してエッジを検出することが可能なエッジ検出方法、及び装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

On a display surface, the driving of respective pixel parts is controlled based on the control of a display control circuit part, and images Gn, Gn+1, Gn+2, Gn+3, Gn+4, Gn+5 are displayed with a continuing series of frames (from N'th frame to N+5'th frame, in the Fig.).例文帳に追加

表示面には、表示制御回路部の制御下で各画素部の駆動が制御され、連続する一連のフレーム（図中第Ｎフレームから第Ｎ＋５フレーム）によって、画像Ｇｎ、Ｇｎ＋１、Ｇｎ＋２、Ｇｎ＋３、Ｇｎ＋４ｍＧｎ＋５が表示される。 - 特許庁

A p-type current block layer 14 and an n-type current block layer 15 are formed in the spot size transformation part on a first p-type clad layer 13 formed on the waveguide layer 12, thereby preventing inflow of a current into the spot size transformation part by an inverse joint.例文帳に追加

ｐ型電流ブロック層１４及びｎ型電流ブロック層１５は、導波路層１２上に形成された第１ｐ型クラッド層１３上のスポットサイズ変換部に形成され、逆接合によってスポットサイズ変換部への電流流入を阻止する。 - 特許庁