「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(339ページ目) - Weblio英語例文検索

In a state prior to the coupling of a hub 1 and the inner race 2, a polarity (S polarity) of the residual magnetism of an axial inside end surface of the hub 1 and a polarity (N polarity) of the residual magnetism of the axial inside end surface of the inner race 2 are made different from each other.例文帳に追加

ハブ１と前記内輪２とを互いに結合する前の状態で、このハブ１の軸方向内端部表面の残留磁気の極性（Ｓ極）と、前記内輪２の軸方向内端部表面の残留磁気の極性（Ｎ極）とを、互いに異ならせる。 - 特許庁

The variable vane 36 is controlled in accordance with not only operation conditions such as the number of revolutions N of an engine, a fuel injection amount Q, an engine water temperature Tw, a supercharging pressure Pb, atmospheric pressure Pa, atmospheric temperature Ta, etc., but also an opening of an EGR valve 50.例文帳に追加

この可変ベーン３６は、エンジン回転数Ｎ、燃料噴射量Ｑ、エンジン水温Ｔｗ、過給圧Ｐｂ、大気圧Ｐａ、大気温度Ｔａ等の運転条件のみならず、ＥＧＲバルブ５０の開度に応じて制御されるように構成されている。 - 特許庁

A chip 1 has a substrate 4, a semiconductor lamination layer part 5 that is provided on the substrate 4 to include a p-type semiconductor region and an n-type semiconductor region, and an electrode 6 that is provided on the semiconductor lamination layer part 5 and is arranged at a position distant from the substrate 4 in an open state.例文帳に追加

チップ１は、基板４と、基板４に設けられ、ｐ形半導体領域及びｎ形半導体領域を含む半導体積層部５と、半導体積層部５に設けられ、かつ基板４から開離されて配置された電極６とを有している。 - 特許庁

In the base station apparatus, a synchronizing signal to be transmitted has an iterative pattern of SYNC' where the FFT size is divided by N, and the iterative pattern of SYNC' is a signal where the polarity is inverted for every SYNC' according to a code which is outputted from a code generation circuit.例文帳に追加

基地局装置は、送信する同期信号を、ＦＦＴサイズをＮ分割したＳＹＮＣ’の繰り返しパターンとし、さらにＳＹＮＣ’の繰り返しパターンを符号発生回路から出力される符号にしたがって、ＳＹＮＣ’毎に極性反転した信号とする。 - 特許庁

This alloy has a compsn. contg., by weight, 1.5 to 20% Cr and 2.5 to 10% Si, in which the total content of C and N is reduced to ≤100 ppm, and the balance iron with inevitable impurities and has ≥60 μΩcm specific resistance and ≥10% yield elongation.例文帳に追加

Cr：1.5 wt％以上20wt％以下、Si：2.5 wt％以上10wt％以下を含有し、かつ、Ｃ及びＮを合計量で100wtppm以下に低減し、残部は鉄及び不可避的不純物からなり、比抵抗が60μΩcm以上であり、降伏伸びが10％以上であるFe−Cr−Si系合金。 - 特許庁

To provide a metal piece detection device capable of reducing a work for searching a metal piece by improving detection precision of the metal piece, enlarging an S/N ratio, and preventing erroneous operation even in a place where a noise is generated, and improving the operation rate of a conveyer.例文帳に追加

ノイズが発生しているような場所においても、金属片の検出精度を向上して、Ｓ／Ｎ比を大きくし、誤動作を防止して金属片を捜す作業を軽減すると共にコンベアの稼働率を向上できる金属片検出装置を提供する。 - 特許庁

This rotation detecting device 1 includes a toroidal magnetic encoder 3, formed by alternately magnetizing each N-pole and each S-pole; Hall sensors 4A-4C, arranged side by side in the circumferential direction of the magnetic encoder 3, for detecting the magnetic flux density of the magnetic encoder 3; and a CPU 5.例文帳に追加

回転検出装置１は、Ｎ極及びＳ極を交互に着磁させてなる環状の磁気エンコーダ３と、磁気エンコーダ３の周方向に並んで配置され、磁気エンコーダ３の磁束密度を検出するホールセンサ４Ａ〜４Ｃと、ＣＰＵ５とを備えている。 - 特許庁

In the N MOS transistor 12, a source terminal is connected to a power source voltage terminal giving a reference potential Vss (e.g. zero volt) of L level, a drain terminal is connected to a data storage node Na, and a gate terminal is connected to an output terminal of the inversion circuit 14.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ１２は、ソース端子がＬレベルの基準電位Ｖ_SS（たとえば零ボルト）を与える電源電圧端子に接続され、ドレイン端子がデータ・ストレージノードＮａに接続され、ゲート端子が反転回路１４の出力端子に接続されている。 - 特許庁

The offset drain having a multi-RESURF structure is constituted in an elevated structure by respectively laminating an elevated offset drain layer 7a and a p-type elevated offset drain layer 7b upon an n-type offset drain layer 6a, and a p-type offset drain layer 6b formed on an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成されたｎ型オフセットドレイン層６ａおよびｐ型オフセットドレイン層６ｂ上にエレベーテッドオフセットドレイン層７ａおよびｐ型エレベーテッドオフセットドレイン層７ｂをそれぞれ積層し、マルチリサーフ構造を持つオフセットドレインをせり上げ構造とする。 - 特許庁

In this case a power supply interruption detection circuit 20 detects interruption of the external power supply and provides an output of a power interruption detection signal POF at a high level, then an N-channel MOS TR QN 2 is turned on to set the node (a) forcibly to a ground level.例文帳に追加

この際、電源遮断検出回路２０が前記外部電源の遮断を検出して、Ｈレベルの電源遮断検出信号ＰＯＦを出力するので、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱＮ２がオンし、前記ノードａは強制的に接地電位に設定される。 - 特許庁

When the large-capacity memory device 3 has no data having the same ID as the received data (S102; N) but the received data have a storage command (S105; Y), the received data are stored in the large-capacity memory device 3 as data having a new ID (S104) to complete the process.例文帳に追加

また、受信したデータと同一ＩＤのデータが大容量記憶装置３にないが（Ｓ１０２；Ｎ）、受信したデータが蓄積コマンドである場合（Ｓ１０５；Ｙ）、新たなＩＤのデータとして大容量記憶装置３に蓄積し（Ｓ１０４）、処理を終了する。 - 特許庁

In the holding device S for drawing out the abrading cloth N of the belt-type elevating and carrying abrading machine from an elevating and carrying tower and fixing it under a stretched condition, operations such as drawing-out and temporarily fixing of the abrading cloth are facilitated by using a temporarily holding means 11.例文帳に追加

本発明は、ベルト式揚送研磨機の研磨布Ｎを揚送塔内から引き出し、緊張状態に固定する保持装置Ｓについて、仮保持手段１１を採用することにより研磨布の引き出し及び仮固定の操作を容易化したものである。 - 特許庁

The filter medium includes at least two kinds of polyolefinic sheets thermally bonded to each other, with at least one kind of the sheet members comprising a non-halogen flame retardant in a ratio of 1.0 to 3.0 weight%, the flame retardant of which is a mixture of N-alkoxy-hindered-amine compound and a phosphazene compound.例文帳に追加

少なくとも２種類のポリオレフィン系シートが熱接着されており、かつ少なくとも１種類のシート部に、Ｎ−アルコキシヒンダードアミン系化合物とフォスファゼン系化合物の混合体である非ハロゲン系難燃剤を１．０〜３．０重量％含有している。 - 特許庁

This thermotherapy device comprises a radiation means 3 disposed in a part equivalent to the lower side of the neck N of a person 2 to have the therapy and capable of radiating far-infrared energy, and a heating means 4 capable of warming the person 2 to have the therapy by warming the radiation means 3.例文帳に追加

被施療者２の首Ｎより下側に相当する部位に配されると共に遠赤外線エネルギーを放射可能なる放射手段３と、該放射手段３を暖めることで被施療者２を暖めることが可能な加温手段４とより構成してなる。 - 特許庁

Then, in the case of converting the data into mapping data corresponding to QPSK by every symbol, amplitude values of each sub-carrier are set so that ratio (namely, S/N ratio) between an amplitude value of the sub-carrier and the superposed noise level becomes a value larger than the target SN ratio and the data are transmitted.例文帳に追加

そして、データを各シンボル毎にＱＰＳＫに対応したマッピングデータに変換する際、サブキャリアの振幅値と重畳ノイズレベルとの比（つまり、ＳＮ比）が目標ＳＮ比よりも大きな値となるように各サブキャリアの振幅値を設定し、データを送信する。 - 特許庁

A radiographing device 10 of this image radiographing system 100 is provided with a sensor for detecting the amount of radiation transmitting through a subject in a radiography and transmits radiation amount data indicating the detected amount of the radiation to a control device via a network N.例文帳に追加

画像撮影システム１００の撮影装置１０は、放射線撮影時に被写体を透過した放射線量を検出するセンサを備え、検出された放射線量を示す放射線量データを、ネットワークＮを介して制御装置３０に送信する。 - 特許庁

Therefore when horizontal deformation occurs to the first quake-absorbing damper 11 in the range of 100% or more and below 250% with respect to the thickness of a rubber elastic body, the second quake-absorbing damper 15 is arranged so as to substantially bear a stress of 1 N/mm^2 or more.例文帳に追加

第１免震ダンパー１１にそのゴム弾性体の厚さに対して１００％以上で２５０％未満の範囲で水平変位が生じたとき、第２免震ダンパー１５が実質的に１Ｎ／ｍｍ^２以上の応力を受けるように配置されている。 - 特許庁

In a bit weighting current source circuit 43, during reference current write operation, reference current IREF[2] from a reference current line 40 is guided so as to pass through an n-type TFT 48, and a gate voltage at that time is held at a capacitor 49.例文帳に追加

ビット重み付け電流源回路４３において、基準電流書込み動作時には、基準電流線４０からの基準電流ＩＲＥＦ［２］がｎ型ＴＦＴ４８を通過するように導かれ、そのときのゲート電圧がキャパシタ４９に保持される。 - 特許庁

In LT previous-state return mode, a signal LTB goes up to 'H' level and the N channel MOS transistor 47 turns on; and then the same state as a state wherein none of the fuses 48 to 51 is cut is entered and the internal source potential intVCC returns to the level at wafer test time.例文帳に追加

ＬＴ前状態復帰モード時は、信号ＬＴＢが「Ｈ」レベルになってＮチャネルＭＯＳトランジスタ４７が導通し、ヒューズ４８〜５１が全く切断されていない状態と同じ状態になって内部電源電位ｉｎｔＶＣＣがウェハテスト時のレベルに戻る。 - 特許庁

To provide an optical head and an optical disk unit having the stable reproduction output over the using temperature range, with which the S/N ratio of the reproduced signal becomes high and the high recording density of the optical disk is obtainable, in the case the signal is reproduced by using the self-combination effect of a semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザの自己結合効果を用いて信号を再生する場合に、再生信号のＳＮ比が高く、光ディスクの高記録密度化が可能で、使用温度範囲わたって再生出力の安定な光ヘッドおよび光ディスク装置を提供する。 - 特許庁

The nonoriented magnetic steel sheet has a composition comprising C, Si, Al, Mn, P, S and N in specified ranges, further comprising 0.003 to 0.01% rare earth metals, >0.0015 to 0.005% Ti, 0.01 to 0.1% Sn and 0.0020 to 0.0050% O, and the balance substantially iron.例文帳に追加

特定の範囲のＣ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｐ、Ｓ、Ｎを含有し、さらにＲＥＭ：０．００３〜０．０１％、Ｔｉ：０．００１５超〜０．００５％、Ｓｎ：０．０１〜０．１％、Ｏ：０．００２０〜０．００５０％を含み、残部は実質的に鉄よりなる無方向性電磁鋼板。 - 特許庁

To enable proper observations corresponding to observation conditions, in which an image having a high S/N ratio and easily observed is desired and an observation condition, where a mixture of other fluorescent components needs to be suppressed, even when fluorescence is observed at the same wavelength.例文帳に追加

同一波長の蛍光を観察する場合においても、Ｓ／Ｎ比の高い観察しやすい画像が望まれる観察条件と、他の蛍光成分の混入を抑えることが望まれる観察条件とに応じて、それぞれ適正な観察を行うことを可能にする。 - 特許庁

A semiconductor structure made on the growth substrate includes a light emitting layer formed between a n-type region and a p-type region, and is attached to a carrier with coupling portions which support the semiconductor structure certainly in order to make the removing of the growth substrate possible.例文帳に追加

成長基板上に形成され、かつｎ型領域とｐ型領域の間に配置された発光層を含む半導体構造が、成長基板の除去を可能にするように、半導体構造を十分に支持する結合部によってキャリアに取付けられる。 - 特許庁

When a defect part X is included in either of one turn of the positive electrode plate P or one turn of the negative electrode plate N, the defect part X is removed by the defect part removing devices 2221, 2222 before producing the wound electrode body 100.例文帳に追加

一方，正極板Ｐの一巻分と負極板Ｎの一巻分とのいずれかに欠陥部分Ｘが含まれている場合に，その欠陥部分Ｘを欠陥部分除去装置２２２１，２２２２により除去した後に，捲回電極体１００を製作する。 - 特許庁

In general formula (1), R^1 is a 1-6C alkyl group; R^2 to R^6 are each independently a hydrogen atom, a 1-8C alkyl group, or a 6-14C aryl group; and n is a natural number of 1-50,000.例文帳に追加

（一般式（１）中、Ｒ^１は炭素数１以上６以下のアルキル基を、Ｒ^２乃至Ｒ^６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上８以下のアルキル基、または炭素数６以上１４以下のアリール基を、ｎは１以上５００００以下の自然数を表す。） - 特許庁

In an epitaxy side down type, i.e., an inverted III-nitride light emitting device(LED), a high reflectance ohmic contact has an N-type electrode 22 and a P-type electrode metal coating 20 which are translucent, have high reflectance and perform superior current diffusion.例文帳に追加

エピタキシーサイドダウン型すなわち反転型ＩＩＩ−窒化物発光デバイス（ＬＥＤ）において、半透明で、高反射率を持ち、優れた電流拡散を行なうｎ型電極２２及びｐ型電極金属被覆２０を有する、高反射率オーミックコンタクトを備える。 - 特許庁

One axis line A1 produced when the center point of cooling water piping 5 is divided into n equal parts (for example, two equal parts) is used as an axis line of a reference pressure sensor 11, and other pressure sensor 12 installed in a range of ±360/2n degree on other axis line A2 is installed.例文帳に追加

冷却水配管５の中心点をｎ等分（例えば２等分）したときの一つの軸線Ａ１を基準となる圧力センサ１１の軸線とし、他の軸線Ａ２を中心として±３６０／２ｎ度の範囲に他方の圧力センサ１２を設ける。 - 特許庁

A short rubber string is attached to the front top center of a wrap box which is provided with a base board formed to hold the center core of a wrap, a base board folded in an N-shape to hold the side face of the box, a rotary pipe supporting the pull out of the wrap, etc.例文帳に追加

ラップの心棒を保持できるように形成された基板と、箱の側面を挟むようにＮ字方に折りたたんだ基板、並びにラップの引き出しをサポートする、回転パイプ等を取り付けたラップの箱に、更に前面上部中央に短いゴム紐を貼付する。 - 特許庁

To provide model material being able to simulate a deformation process of a workpiece with small stress such as one-several thousandth or less in plastic working of a metal, wherein a work-hardening factor (n value), a deformation characteristic value, of metallic materials can be adjusted over a wide range.例文帳に追加

金属の塑性加工において、被加工物の変形過程を数千分の一以下の小さい応力で再現できるモデル材料で、金属材料の変形特性値である加工硬化指数（ｎ値）を広い範囲で調整が可能なモデル材料を提供する。 - 特許庁

A female junction 21 of the existing pile 15-n and a male junction 5 of the casing pipe 1 are engaged, and the casing pipe 1 is pressed into the ground 25 while jetting a jet 35 from a nozzle 9 provided in the inner peripheral surface near a tip part 8 of the casing pipe 1.例文帳に追加

既設のパイル１５−ｎのメスジャンクション２１とケーシングパイプ１のオスジャンクション５を噛み合わせ、ケーシングパイプ１の先端部８付近の内周面に設けられた噴出口９からジェット３５を噴出しつつ、地盤２５にケーシングパイプ１を圧入する。 - 特許庁

The high heat conductive roller 40 is arranged near the downstream or near the upstream of a part 18 corresponding to the press contact position N with the pressure roller 20 in the rotating direction of the heating roller, and the heater 15 is arranged on the downstream side so as to be deviated from the rotational center of the heating roller.例文帳に追加

高熱伝導ローラ４０は、加熱ローラの回転方向に関し、加圧ローラ２０との圧接位置Ｎに対応する部位１８の下流近傍または上流近傍に設け、ヒータ１５は、加熱ローラの回転中心から偏倚させて下流側に配置する。 - 特許庁

An n-well area 12 is formed shallow at a slit 14 in the surface layer of a p^- substrate, and separated p^- offset areas 13a and 13b are formed, so that no cavity of a depletion layer is produced at the slit 14 and the reduction of withstand voltage can be prevented.例文帳に追加

ｐ^- 基板の表面層に、スリット１４箇所で、ｎウェル領域１２の深さを浅くし、分離したｐ^- オフセット領域１３ａ、１３ｂを形成することで、スリット１４箇所に空乏層の空洞領域が発生しないようにして、耐圧低下を防止できる。 - 特許庁

When a test operation is performed, the memory divides the n-bit data output pins into eight groups to make the groups correspond to respective area in the memory, when a failure memory cell is relieved, failure relieving operation is performed for each memory area corresponding to data output pins of the eight groups.例文帳に追加

メモリはテスト動作時にｎビットデータ出力ピンを８個のグループに分割して内部のメモリ領域に対応させ、欠陥メモリセルを欠陥救済する場合、８個のグループのデータ出力ピンに対応するメモリ領域別に欠陥救済動作を行う。 - 特許庁

To solve the following problem: it is difficult to apply a conventional data communication system to a case where a wide wiring space can not be secured, since circuit boards are connected to a control substrate in parallel with each other and N pieces of wiring are required between a driving device and a control device.例文帳に追加

従来のデータ通信システムは、各回路基板が制御基板に対して互いに並列に接続されているので、駆動装置と制御装置との間にＮ本の配線が必要であり、配線スペースを広く確保できない場合に適用が困難である。 - 特許庁

In formula (1), each of R^1 and R^2 represents a 1-4C alkyl group and they may be same or different or may be bonded with each other to form a heterocyclic group containing a nitrogen atom, n represents an integer 1 to 4, and Ar represents a substituted or unsubstituted aromatic cyclic group.例文帳に追加

（Ｒ^１，Ｒ^２は、炭素数１〜４のアルキル基を表わし、同一でも異なっていてもよい。また、互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｎは１〜４の整数を、Ａｒは置換もしくは無置換の芳香環基を表わす。） - 特許庁

A steering bar 41 for steering the front wheel is provided behind the pivot shaft 25, and the suspension mechanism 37 and a steering mechanism 54 are arranged below the line N to connect a mounting part of the steering bar 41 to an axle 42 of the front wheel 28 in side view of a motorcycle.例文帳に追加

また、前輪操舵用のステアリングバー４１をピボット軸２５よりも後方に設け、車両側面視でステアリングバー４１の取り付け部と前輪２８の車軸４２とを結ぶ直線Ｎよりも下方にサスペンション機構３７と操舵機構５４を配置した。 - 特許庁

An operation part master updating means 114 transfers the master file stored in the control part master group 113 to a system operation part 12 and the system operation servers 2-1-2-n based on the recorded ID, and operates the update processing of an operation part master group 121.例文帳に追加

運用部マスタ更新手段１１４は、この記録されたＩＤに基づき管理部マスタ群１１３に格納されている当該マスタファイルをシステム運用部１２およびシステム運用サーバ２−１〜２−ｎへ転送し、運用部マスタ群１２１の更新処理を行う。 - 特許庁

As a result, a transmission line in the unit is changed from 'band control circuit - interface panel (i)-subscriber devices' into 'band control circuit - interface panel (N+1) - subscriber devices' to restore the line without the need for interrupting the line on the fault occurrence of the interface panel (i).例文帳に追加

この結果装置内伝送路を「帯域制御回路−インタフェース盤（ｉ）−加入者装置」から「帯域制御回路−インタフェース盤（Ｎ＋１）−加入者装置」として、インタフェース盤（ｉ）の故障時に回線を断にすることなく回線を復旧することができる。 - 特許庁

The magnetic bearing driving control unit controls a current flowing in the four electromagnet coils 53 so that magnetic flux lines coming out of the pair of N-pole protrusions 52xp, 52xm enter the pair of S-pole protrusions 52yp, 52ym, based on a value detected by the displacement sensor.例文帳に追加

磁気軸受駆動制御部は、変位センサの検出値に基づいて、一対のＮ極用凸部５２ｘｐ、５２ｘｍから出た磁束線が一対のＳ極用凸部５２ｙｐ、５２ｙｍへと入るように４つの電磁石コイル５３に流れる電流を制御する。 - 特許庁

The film for preventing scattering disposed on protective glass of the liquid crystal display comprises a hardened body of photocurable resin and indicates an adhesive strength of 0.3 N/25 mm width or larger and an elongation of 20% or higher, when measured in conformity to JIS A 5759.例文帳に追加

液晶表示装置の保護ガラス上に配置された飛散防止膜において、前記飛散防止膜が光硬化性樹脂の硬化体からなり、JIS A 5759に準じて測定し、0.3Ｎ／25mm幅以上の接着力及び20％以上の伸びを示すことを特徴とする。 - 特許庁

In the general Formulas (1) and (2), X and Y represent a 1-4C alkyl group or halogen group, k and i represent a positive integer of 0 or 1-4, R_1 and R_2 represent a 1-8C alkyl group, n represents a positive integer of 3-7, and A represents an acid component.例文帳に追加

（一般式〔１〕及び〔２〕式中、Ｘ及びＹは、炭素数１〜４のアルキル基またはハロゲン基を、ｋ及びｉは、０または１〜４の正整数を、Ｒ_１及びＲ_２は炭素数１〜８のアルキル基を、ｎは、３〜７の正整数を、Ａは酸成分をそれぞれ表す。） - 特許庁

Heat can be sufficiently released from a part of the intermediate transfer belt 7 heated at a transfer fixing part N before a photoreceptor drum 1a is reached even when the intermediate transfer belt 7 is rotated in a direction of an arrow R7 at a rotational speed of ≥100 mm/sec.例文帳に追加

中間転写ベルト７を矢印Ｒ７方向に、１００mm／sec 以上の回転速度で回転させた場合でも、中間転写ベルト７における転写定着部Ｎで加熱された部分が感光ドラム１ａに到達するまでに十分に放熱することができる。 - 特許庁

On receipt of information from a community management center 150 related to a change of adjacent terminals 302, 303, etc. (S201), an origination information disclosure controller 121 first examines whether the adjacent terminals are smaller in number than a predetermined number and a minimum continuation communication number n (S202).例文帳に追加

発信情報開示制御部１２１は、コミュニティ管理部１５０から隣接端末３０２、３０３などの変化に関する情報を受け取ると（Ｓ２０１）、まず隣接端末が所定の数、最低継続通信数ｎより少ないかどうかを調べる（Ｓ２０２）。 - 特許庁

Even if a cluster 1-n of a sector 1 is not used when writing the first file data of the generated file data, a cluster 2-1, which is the first cluster of a sector 2 in which all the clusters are not used, is allocated for writing.例文帳に追加

生成されたファイルデータのうちの先頭のファイルデータの書き込み先のクラスタとして、セクタ１のクラスタ１−ｎが空いている場合であっても、全てのクラスタが空き領域になっているセクタ２の、先頭にあるクラスタであるクラスタ２−１が確保され、書き込まれる。 - 特許庁

Quality is made different in a film of a trench-type element separation region 12 surrounding the side of an active region 11 of a p-channel type MIS transistor PTr, and that of trench-type element separation region 22 surrounding the side of an active region 21 of an n-channel type MIS transistor NTr.例文帳に追加

Ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタＰＴｒの活性領域１１の側方を囲むトレンチ型素子分離１２と、Ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタＮＴｒの活性領域２１の側方を囲むトレンチ型素子分離２２との膜質を異なるものとする。 - 特許庁