「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(343ページ目) - Weblio英語例文検索

The influence of external charge 15 is eliminated by forming a trench 3 in an n-type semiconductor substrate 100, filling inside of this trench 3 with an insulating film 4, forming a recess 5 with a groove deeper than a p well region 6 in this insulating film 4, and forming this field plate electrode 13 in this recess 5.例文帳に追加

ｎ半導体基板１００にトレンチ３を形成し、このトレンチ３内を絶縁膜４で充填し、この絶縁膜４にｐウェル領域６より溝が深い凹部５を形成し、フィールドプレート電極１３をこの凹部５内に形成することで、外部電荷１５の影響を排除し、占有面積の小さく、安定な高い耐圧を確保できる耐圧構造を有する半導体装置とすることができる。 - 特許庁

In the strong adhesive gas barrier transparent film in which at least a transparent inorganic thin film layer is laminated via a transparent primer layer onto at least one side of a thermoplastic polymer film, the transparent primer layer is characterized in that existence of C, N, O, and Si is confirmed by ESCA analysis (analysis conditions: X-ray source monochrome AlKα, X-ray output 30 W).例文帳に追加

熱可塑性高分子フィルムの少なくとも片面に、透明プライマー層を介して透明無機薄膜層が少なくとも積層されている強密着ガスバリア透明フィルムであって、透明プライマー層は、ＥＳＣＡ分析（分析条件：Ｘ線源モノクロＡｌＫα、Ｘ線出力３０Ｗ）により、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉの存在が確認されるものであることを特徴とする。 - 特許庁

When the substrate 210b after replacement is discriminated based on the substrate discrimination flag H, a substrate information read/write section 284 reads the seed A associated with the device serial N stored in the nonvolatile memory 212 from the external storage 260 and updates the information in the nonvolatile memory 212 using the read seed A and updates the substrate discrimination flag H in the nonvolatile memory 212.例文帳に追加

基板情報読出／書込部２８４は、基板判別フラグＨをもとに交換後の基板２１０ｂが判別されたとき、外部記憶装置２６０から不揮発性メモリ２１２に記憶された機器シリアルＮに関連付けられたシードＡを読み出し、不揮発性メモリ２１２の内容を読み出したシードＡで更新するとともに、不揮発性メモリ２１２の基板判別フラグＨを更新する。 - 特許庁

A pair of N pole magnets 12 counterposed in the thickness direction of a yoke housing 10 is larger in energy product per unit volume than an S pole magnet 11 so as to make a magnetic flux, which is equal to a pair of S pole magnets 11 counterposed in the width direction of the housing 10, act on an rotating armature 13 so that each of them is shaped to be thinner by that amount.例文帳に追加

ヨークハウジング１０の厚さ方向に対向配置される一対のＮ極磁石１２は、同ハウジング１０の幅方向に対向される一対のＳ極磁石１１と同等の磁束を回転電機子１３に作用させるべく、Ｓ極磁石１１よりも単位体積あたりのエネルギー積が大とされ、その分に対応した薄肉形状となるよう構成される。 - 特許庁

In the cylindrical bond magnet made of magnetic powder and resin, the cylindrical bond magnet is a single body formed by injection molding, a trace of a gate is disposed at the center of an edge provided in an axial direction of the cylindrical bond magnet, and N and S poles are alternately subjected to multi-pole magnetization in an axial direction.例文帳に追加

本発明は、磁性粉末と樹脂からなる柱状のボンド磁石であって、上記柱状のボンド磁石は、射出成形によって成形された単一の成形体であり、ゲートの痕跡が柱状ボンド磁石の軸方向に設けられた端面の中央部に配置されているとともに、軸方向にＮ極とＳ極が交互に多極磁化されていていることを特徴とする。 - 特許庁

The multiplex pixel pattern is related to a multiplex diffraction grating medium with which different motifs are observed in different wavelength regions by defining micro pixels by further dividing a pixel composing one closed region and defining a unit micro pixel arrangement in which the micro pixels are arranged in m-lines×n-columns, and related to the mechanical reading device using the multiplex diffraction grating medium.例文帳に追加

この多重画素パターンは、一つの閉領域を構成する画素を、さらに分割して微小画素とし、この微小画素をｍ行ｎ列に配置した単位微小画素配列というものを定義することで、異なる波長領域において、異なるモチーフを観察することができる多重回折格子媒体及びそれを用いた機械読取装置に関するものである。 - 特許庁

The invention provides pharmaceutical compositions comprising a therapeutically effective amount of compounds of general formula (I), wherein R_1-R_6, R_a-R_c, Q, Y_1, Y_2 and n are as defined in the specification, and the compositions are formulated in order to administer to the subject in dosage between about 0.1 mg/kg to about 50 mg/kg body weight.例文帳に追加

１つの局面において、本発明は、Ｒ_１ないしＲ_６、Ｒ_ａないしＲ_ｃ、Ｑ、Ｙ_１、Ｙ_２およびｎが明細書中で定義された一般式（Ｉ）の化合物の治療上有効な量を含む薬学的組成物を提供し、それにより、該組成物は約０．１ｍｇ／ｋｇないし約５０ｍｇ／ｋｇ体重の間の投与量にて被験体に投与するために処方される。 - 特許庁

Then, electrodes 8a, 8b are formed so as to get on the semi-buried insulation film 5 and the STI7, respectively, and the impurity is implanted to the imaging region A by using the electrode 8a and the semi-buried insulation film 5 as a mask, thus forming an n-type region 3 constituting a photodiode in a region in contact with the p-type region 4 in the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

次に、半埋込絶縁膜５及びＳＴＩ７にそれぞれ乗り上げるように電極８ａ及び８ｂを形成し、電極８ａ及び半埋込絶縁膜５をマスクとして撮像領域Ａに不純物を注入することにより、半導体基板２におけるｐ型領域４に接する領域に、フォトダイオードを構成するｎ型領域３を形成する。 - 特許庁

A peeling load of the joint is set to 43 N or larger in the foamed polyolefin resin coated compound piping which is obtained by mutually cementing the skin sheets in each of plurality of foamed polyolefin resin coated pipes in the longitudinal direction with an adhesive where the foamed polyolefin resin coated pipe is formed by coating the pipe with a foaming heat insulating material and coating the foaming heat insulating material with the skin sheet.例文帳に追加

配管を発泡断熱材で被覆し、該発泡断熱材を表皮シートによって被覆する発泡ポリオレフィン樹脂被覆配管複数を、接着剤を用いて、各発泡ポリオレフィン樹脂被覆配管の前記表皮シート同士を長手方向で接着することにより得られる発泡ポリオレフィン樹脂複合配管において、接着部の引き剥がし荷重を４３Ｎ以上とする。 - 特許庁

There are disclosed a protein which has a specific amino acid sequence derived from the genus Bacillus or Geobacillus, a protein in which 1 to 51 arbitrary numerical and contiguous amino acid residues from the N-terminal of the protein is deleted, and a protein which comprises an amino acid sequence in which one or several amino acids in the protein are deleted, substituted, inserted or added and which has DNA polymerase activity.例文帳に追加

バシラス属またはジェオバシラス属由来の特定のアミノ酸配列を有するタンパク質、前記タンパク質において、Ｎ末端から１〜５１個の任意の個数の連続するアミノ酸残基が欠失したタンパク質もしくは前記タンパク質において、１または数個のアミノ酸が欠失、置換、挿入または付加されたアミノ酸配列からなり、且つ、ＤＮＡポリメラーゼ活性を有するタンパク質。 - 特許庁

This woven fabric comprises at least either warps and wefts composed of a polytrimethylene terephthalate filament yarn, has stress at 10% elongation of 100-400 N/5 cm width in either the warp direction or the weft direction (direction A) and the ratio of the stress in the direction A to stress in another direction (direction B) of 2.0-10.0.例文帳に追加

経糸又は緯糸の少なくとも一方が、ポリトリメチレンテレフタレートフィラメント糸により構成された織物であって、１０％伸長時の応力が、経糸方向又は緯糸方向のいずれかの方向（Ａ方向）が１００〜４００Ｎ／５ｃｍ巾であり、かつ、他方（Ｂ方向）の応力の比（Ａ方向の応力／Ｂ方向の応力）が２．０〜１０．０であることを特徴とする織物。 - 特許庁

A high reliability semiconductor device is realized by forming gate electrodes to be of a laminated structure, and separately making a TFT (n-channel TFT in a drive circuit), having a low density impurity area superposed on the gate electrode via a gate insulating film and a TFT (TFT in a pixel part) having a low density impurity area not superposed on the gate electrode in each circuit.例文帳に追加

ゲート電極を積層構造とし、それぞれの回路においてゲート絶縁膜を介してゲート電極と重なる低濃度不純物領域を有するＴＦＴ（駆動回路におけるｎチャネル型ＴＦＴ）とゲート電極と重ならない低濃度不純物領域を有するＴＦＴ（画素部におけるＴＦＴ）とを作りわけることにより、信頼性の高い半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a detergent composition which has good detergency in cleaning treatment, above all, floor cleaning treatment, does not contain any pollutant in itself, can separate contaminants such as an oil component by simple working alone particularly in the drainage treatment after floor cleaning, and can reduce the chemical oxygen demand, the n-hexane extracted substance content, the hydrogen ion concentration and the like.例文帳に追加

洗浄処理、中でも床洗浄処理において、洗浄性が良好で、またそれ自体に環境汚染物質を含まず、洗浄後、中でも床洗浄後の排水処理において、簡易な作業だけで、油分などの汚染物を分離することができ、化学的酸素要求量、ｎ‐ヘキサン抽出物質含有量、水素イオン濃度などを低下させうる洗浄剤組成物を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device 100 including a vertical MOS transistor 50 of a trench gate structure, at least impurities are implanted into an implantation region corresponding to n wells 21 forming a channel at not less than a critical implantation quantity in which the implantation region can become a complete amorphous state, thereby forming an amorphous region 20 in a complete amorphous state.例文帳に追加

トレンチゲート構造の縦型ＭＯＳトランジスタ５０を含む半導体装置１００の製造方法であって、チャネルが構成されるＮウェル２１に対応する注入領域に、少なくとも不純物を、注入領域が完全に非晶質状態となる臨界注入量以上にイオン注入して、完全に非晶質化された非晶質領域２０を形成する。 - 特許庁

The controller 7 contains control means 12-20 for selectively performing governor control for controlling the amount of fuel f* to be injected into the turbine 3 in response to the revolution (n) of the turbine 3 or load limit control for controlling the amount of fuel f* in response to the output (p), and a hunting detection means 11 for detecting frequency hunting in the system 2.例文帳に追加

制御装置（７）は、ガスタービン（３）のガスタービン回転数（ｎ）に応答してガスタービン（３）への燃料投入量（ｆ^＊）を制御するガバナ制御と、発電機出力（ｐ）に応答して燃料投入量（ｆ^＊）を制御するロードリミット制御とのいずれかを選択的に行う制御手段（１２〜２０）と、電力系統（２）の周波数ハンチングを検出するハンチング検出手段（１１）とを含む。 - 特許庁

In a field emission type electron source 10, a strong electric field drift region 6 made of oxidized porous polycrystalline silicon and a conductive region 8 made of n-type polycrystalline silicon are spaced away from each other and placed in parallel with each other in a plane of an undoped polycrystalline silicon layer 3 as a semiconductor layer that is formed on one surface of an insulation board 11 of a glass board.例文帳に追加

電界放射型電子源１０は、ガラス基板よりなる絶縁性基板１１の一表面上に形成された半導体層たるノンドープの多結晶シリコン層３に、酸化した多孔質多結晶シリコンよりなる強電界ドリフト領域６とｎ形多結晶シリコンよりなる導電性領域８とが面内方向に並んで所定距離だけ離間して形成されている。 - 特許庁

A system performs nonuniform modulation-demodulation for arranging each signal points nonuniformly so that roughness and density occurs between signal points in a signal space face, and enables a large difference to be made in a bit error ratio of the each type in a multi-type accommodated binary signal for a modulation signal C/N (ratio of carrier to noise power) of a multivalued modulation section and a multivalued demodulation section.例文帳に追加

信号空間平面において信号点同士の間隔に粗密が生じるように不均等に各信号点を配置するように不均等変復調を行い、多値変調部及び多値復調部の変調信号のＣ／Ｎ（搬送波対雑音電力比）に対して、収容される複数系列の２値信号についての系列毎のビット誤り率に大きな差が開くようにする。 - 特許庁

A method for screening the variant diaphorase forming a three-dimensional structure in which a distance between tryptophane at the 60th site from the N-terminal and the first site imino nitrogen of the coenzyme flavin mononucleotide in a three-dimensional structure on the formation of complex with the coenzyme flavin mononucleotide by a molecular dynamics simulation is larger than the distance in a three-dimensional structure by a wild type diaphorase.例文帳に追加

また、分子動力学シミュレーションを用いて、補酵素フラビンモノヌクレオチドとの複合体形成時の立体構造における、Ｎ末端から６０番目のトリプトファンと前記補酵素フラビンモノヌクレオチドの１位イミノ窒素との距離が、野生型ジアホラーゼがとる立体構造における該距離よりも大きい立体構造をとりうる変異型ジアホラーゼをスクリーニングする方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a thermoelectric element module 1 in which an n-type semiconductor 2 and a p-type semiconductor 3 are alternately connected by electrodes 4, 5 at ends of the semiconductors 2, 3 so as to be electrically in series, characterized in that the electrode 4 at the elevated temperature side contacts with the semiconductors 2, 3 through a plurality of contact projections 6 provided on a front surface of the electrode 4.例文帳に追加

ｎ型及びｐ型の半導体２，３がそれら端部で電極４，５によって電気的に直列となるよう交互に接続された熱電素子モジュール１において、高温となる側の電極４が、電極４の表面に設けられた複数の接触突起部６を介してこれら半導体２，３と接触していることを特徴とする熱電素子モジュール１を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the silicon single crystal by a Czochralski method, the single crystal in which the whole surface of the crystal is the N region and/or I region is grown by doping boron and carbon so that the total concentration of the dopants in the crystal becomes within a range of ≥1×10^17 atoms/cc when the single crystal is grown.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する方法において、単結晶を育成する際に、ボロン及び炭素を、単結晶中の濃度が合せて１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の範囲となるようにドープして、結晶全面がＮ領域及び／又はＩ領域の単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

In this radiographic image conversion panel having a phosphor layer comprising a storage phosphor particle and a binder, a light transmittance T of the phosphor layer in a light emission peak wavelength of the storage phosphor particle, and total particle number N (particles/cm^2) per a unit area of the phosphor particles in the phosphor layer satisfy the following relation.例文帳に追加

蓄積性蛍光体粒子と結合剤とからなる蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、蓄積性蛍光体粒子の発光ピーク波長における該蛍光体層の光透過率Ｔと、該蛍光体層における蛍光体粒子の単位面積当りの総粒子数Ｎ（個／ｃｍ^2）とが、下記の関係式を満足する放射線像変換パネル。 - 特許庁

This transparent or translucent cosmetic excellent in the solubilizing power of the slightly water-soluble ingredient and capable of well suppressing the formation of sediments and clouding with time and excellent in stability is obtained by formulating an N-long-chain acyl amino acid and/or its salt in a cosmetic comprising a nonionic surfactant selected from the polyglycerol ester of the fatty acid and/or the sucrose ester of the fatty acid.例文帳に追加

ポリグリセリン脂肪酸エステル，ショ糖脂肪酸エステルから選ばれる非イオン性界面活性剤を含有する化粧料に、Ｎ−長鎖アシルアミノ酸および／またはその塩を配合することにより、水難溶性成分の可溶化力に優れ、経時的に生成するオリや白濁化を良好に抑制して、安定性に優れる透明ないし半透明化粧料とする。 - 特許庁

Each item such as paper size and paper cassette is determined in a state that a classification confirming image plane 21 indicating a setting group of paper and its setting image plane 25 are displayed together, and then each item of enlargement/reduction and N in 1 is set in a state that a classification confirming image plane 22 indicating a setting group of the layout and a setting image plane 26 are displayed together.例文帳に追加

用紙の設定グループを示す分類確認用画面２１とその設定画面２５が並べて表示されている状態で用紙のサイズ、用紙カセット等の各項目を設定し、次にレイアウトの設定グループを示す分類確認用画面２２及び設定画面２６が並べて表示されている状態で拡大縮小、Ｎ ｉｎ １の各項目を設定する。 - 特許庁

The method of producing the dispersion of the quinoline derivative has a step for dissolving an N-aryl anthranilic acid derivative in an organic sulfonic acid to prepare a solution, a step for obtaining a reaction solution in which the quinoline derivative is formed by heating the solution to cause condensation ring closure reaction and a step for mixing the reaction solution and an aqueous solution in the presence of a dispersant to obtain the dispersion of the quinoline derivative.例文帳に追加

Ｎ−アリールアントラニル酸誘導体を有機スルホン酸に溶解させて溶解液を用意する工程と、該溶解液を加熱して縮合閉環反応によりキノリン誘導体が生成した反応液を得る工程と、該反応液と水溶液とを分散剤の存在下で混合してキノリン誘導体の分散体を得る工程とを有するキノリン誘導体の分散体の製造方法。 - 特許庁

Moreover, an n+ source region 6 is formed in the layer 3, in such a way that the region 6 is involed in the region 5 and is exposed to the surface of the layer 3 and an insulating gate 8 is formed on the region 5, which is interposed between the regions 4 and 6 on the surface of the layer 3 via a gate oxide film 7 of a thin film thickness.例文帳に追加

また、ｐ型ウェル領域５に内包され、半導体層３の表面に露出するように半導体層３内にｎ＋型ソース領域６が形成されており、半導体層３表面における、ｎ＋型ドレイン領域４とｎ＋型ソース領域６との間に介在するｐ型ウェル領域５上には、薄い膜厚のゲート酸化膜７を介して絶縁ゲート８が形成されている。 - 特許庁

P-type wells HPW1 to HPW3 are provided separately from each other in the n-type buried well DNW of a semiconductor substrate 1S in a flash memory forming region; and a capacitor unit C, a data writing/erasing electric charge injection/discharge unit CWE, and a data readout MISFET QR are arranged in each of the p-type wells HPW1 to HPW3.例文帳に追加

フラッシュメモリの形成領域の半導体基板１Ｓのｎ型の埋込ウエルＤＮＷ内にｐ型のウエルＨＰＷ１〜ＨＰＷ３を互いに分離した状態で設け、そのウエルＨＰＷ１〜ＨＰＷ３にそれぞれ容量部Ｃ、データ書き込み・消去用の電荷注入放出部ＣＷＥおよびデータ読み出し用のＭＩＳ・ＦＥＴＱＲを配置した。 - 特許庁

Respective n pieces of table-updating processes take out the data for update from the queues, decide storing areas for updating business data so as to avoid overlap with other process, and then update the business data stored in the decided storing area in a table corresponding to the taken out data for update on the basis of the taken out data for update in parallel with each other.例文帳に追加

ｎ個のテーブル更新プロセスは、キューから更新用データを取り出し、業務データの更新を行う格納領域を他のプロセスと重ならないように決定した後に、取り出した更新用データに対応するテーブルのうち決定した格納領域に格納されている業務データを、取り出した更新用データに基づいて更新する処理を互いに並列に行う。 - 特許庁

The heat treatment for compensating the oxygen defect in the Ta2O5 film is performed in an atmosphere containing N and O at low temperatures while generating nitrogen radials and oxygen radicals, by applying ultraviolet rays to rapidly end dangling bonds on the surface of the Si substrate by the generated nitrogen radicals and to compensate the oxygen defect in the Ta2O5 film by the generated oxygen radicals.例文帳に追加

前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償する熱処理を、ＮとＯとを含む雰囲気中において、紫外光照射により窒素ラジカルと酸素ラジカルとを発生させながら低温で行い、発生した窒素ラジカルによりＳｉ基板表面のダングリングボンドを速やかに終端させ、また発生した酸素ラジカルにより、Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償する。 - 特許庁

Using a photoresist film 3e, which is a mask for etching/ removing a gate insulating film 7a in a formation region of a relatively thin gate insulating film, an impurity for adjusting the threshold voltage of an n- channel type field effect transistor and p-channel type field effect transistor having a relatively thin gate insulating film, is introduced in batch in a semiconductor substrate 1 exposed there.例文帳に追加

相対的に薄いゲート絶縁膜の形成領域におけるゲート絶縁膜７ａをエッチング除去するためのマスクであるフォトレジスト膜３ｅを用いて、そこから露出する半導体基板１に相対的に薄いゲート絶縁膜を持つｎチャネル型電界効果トランジスタおよびｐチャネル型電界効果トランジスタのしきい値電圧調整用の不純物を一括して導入する。 - 特許庁

To surely exhibit function by suitably arranging a shield for preventing electric and magnetic interference between a WB coil and an inclined magnetic field coil even in a silencing type MRI device as well as to maintain S/N at receiving time and generating efficiency of a spin exciting magnetic field in an excellent value by minimizing reduction in efficiency of the WB coil caused by arranging the shield.例文帳に追加

静音化タイプのＭＲＩ装置であっても、ＷＢコイルと傾斜磁場コイルとの電気的、磁気的な干渉を防ぐシールドを好適に配置して、その機能を確実に発揮させる一方で、シールドを配置したことに因るＷＢコイルの効率の低下を最小限に止め、これにより受信時のＳ／Ｎ及びスピン励起用磁場の発生効率を良好な値に維持させる。 - 特許庁

A series of timing or time plates for input pins and corresponding output pins is controlled by a timing generator in the automatic test device; when the number (n) of the time plates is larger than the number (m) of timing generators, a test is actualized in several steps and the timing generators are reused to implement other time plates in 2nd and succeeding steps.例文帳に追加

入力ピンおよび対応する出力ピンに用の、各一連のタイミングまたはタイムプレートは、自動テスト装置中のタイミング発生器によって制御され、タイムプレートの数ｎが、タイミング発生器の数ｍよりも多いときに、テストは、いくつかのステップで実現され、タイミング発生器は、第２のステップまたはそれより後のステップの間に他のタイムプレートを実施するために再使用される。 - 特許庁

The fast Fourier transformation (FFT) processor performs twice radix-2 butterfly computation for every one clock cycle to a pair of data of N points which is classified by a parity value obtained from an index value of input data in each computing step and stored in two single port memories, stores an computing result in the two single port memories to perform FFT operation.例文帳に追加

それぞれの演算段階で入力データのインデックス値から得られるパリティ値によって分類されて２個のシングルポートメモリに保存されたＮポイントのデータ対に対して一つのクロックサイクルごとに２回のｒａｄｉｘ−２ バタフライ演算を行ってその演算結果を２個のシングルポートメモリに保存することによって、ＦＦＴ演算を行う高速フーリエ変換（ＦＦＴ）プロセッサ。 - 特許庁

In the aerosol type deodorant composition containing a deodorant agent and an injection agent, the injection agent is composed of a liquefied petroleum gas containing ≥ 35 mass% propane to the total amount of a mixture in the mixture of propane and at least one kind selected from n-butane and isobutane and 40-90 mass% injection agent is contained in the whole composition.例文帳に追加

デオドラント剤と噴射剤とを含有するエアゾール型デオドラント組成物として、噴射剤がｎ−ブタン、イソブタンから選ばれる少なくとも１種とプロパンとの混合物中に、プロパンが混合物全量に対して、３５質量％以上を含む液化石油ガスからなり、かつ、該噴射剤が全組成物中に４０〜９０質量％含有するものから構成する。 - 特許庁

Each time a radio operation signal including an authentication code is received, whether or not the authentication code in the radio operation signal is a valid authentication code matching one of a plurality of first to N-th authentication codes stored in a memory is decided, and when it is decided that the authentication code in the radio operation signal is valid, an operation signal is output to a main device.例文帳に追加

認証符号を含む無線操作信号を受信する度に、該無線操作信号中の前記認証符号が、メモリに記憶されている1番目からＮ番目までの複数の認証符号のうちの１つと一致する有効な認証符号であるか否かを判定し、前記無線操作信号中の前記認証符号が有効と判定されたとき、主装置へ操作信号を出力する。 - 特許庁

An electronic certificate issue system 10 includes an electronic certificate creating apparatus 1 installed in a certificate issue organization CI; a time certificate creating apparatus 2 installed in a time certifying organization TC; an electronic certificate verification apparatus 3 arranged in a service providing organization SP; user terminals 4i (i=a, b to n) that users have; and a computer network 5 for connecting those apparatuses.例文帳に追加

電子証明書発行システム１０は、証明書発行機関ＣＩに設置された電子証明書作成装置１、時刻証明機関ＴＣに設置された時刻証明書作成装置２、サービス提供機関ＳＰに設置された電子証明書検証装置３、利用者が有する利用者端末４ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，…，ｎ）、およびこれら各装置を接続するコンピュータネットワーク５を備える。 - 特許庁

The electric charges generated in the photodiode contained in the pixel are outputted from the pixel via a discharging transistor, inputted into a second pixel data reading section 30 via a switch SW_n, the electric charges having flowed are accumulated in a capacitive element, and a voltage value corresponding to the accumulated electric charges are outputted as a second voltage value V_2, m, n from the section 30.例文帳に追加

画素部に含まれるフォトダイオードで発生した電荷は、放電用トランジスタを経て画素部から出力され、スイッチＳＷ_ｎを経て第２画素データ読出部３０に入力し、その流入した電荷が容量素子に蓄積されて、その蓄積された電荷の量に応じた電圧値が第２画素データ読出部３０から第２電圧値Ｖ_２,ｍ,ｎとして出力される。 - 特許庁

In a photodiode array 1 where a plurality of photodiodes 4 are formed in an array on the side of an n-type silicon substrate 3 opposite to the incident surface of a light L to be detected, recesses 6 having a specified depth caved from regions not corresponding to regions where the photodiodes are formed are provided in regions on the incident surface side not corresponding to the regions where the photodiode 4 are formed.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板３の被検出光Ｌの入射面の反対面側に、複数のホトダイオード４がアレイ状に形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側のホトダイオード４が形成された領域と対応する領域に、ホトダイオードが形成された領域と対応しない領域よりも窪んだ所定の深さを有する凹部６を設けてホトダイオードアレイ１とする。 - 特許庁

This thin-film photoelectric module 1 is provided with a serial array 11, in which a substrate 2 and thin film photoelectric conversion cells 10 formed on the substrate 2, are serially connected in not less than n (n is an integer which is 10 or larger) stages.例文帳に追加

本発明の薄膜光電変換モジュール１は、基板２と該基板２上に形成された薄膜光電変換セル１０を直列にｎ段（ｎは１０以上の整数）以上接続してなる直列アレイ１１とを具備し、前記薄膜光電変換セル１０のそれぞれの下記条件下における開放電圧をｅ（Ｖ）とした場合に、遮光時に前記薄膜光電変換セル１０のそれぞれはその発電方向と同方向に前記直列アレイ１１の下記条件下における短絡電流と等しい大きさの電流を（ｎ−１）×ｅ（Ｖ）以下の逆バイアス電圧で流すことを特徴とする。 - 特許庁

In the backside incident CMOS image sensor; a wiring layer 720 is disposed on a first face (surface) of an epitaxial substrate 710 where a photodiode, reading circuits (n-type region 750 and n+region 760) and the like are arranged; and a light receiving face is disposed at a second face (backside).例文帳に追加

フォトダイオードや読み出し回路（ｎ型領域７５０、ｎ＋型領域７６０）等を設けたエピタキシャル基板７１０の第１面（表面）に配線層７２０を設け、第２面（裏面）に受光面を設けた裏面入射型のＣＭＯＳイメージセンサにおいて、フォトダイオード及びその周囲のＰ型ウェル領域７４０を基板裏面（受光面）に到達しない層構造で配置し、かつ、基板７１０中に電場を形成して基板裏面（受光面）から入射した電子をフォトダイオードに適正に誘導するようにした。 - 特許庁

A field effect transistor uses carbon nanotubes as channels, wherein the drain electrode and the source electrode are connected in series with a plurality of carbon nanotubes, and carbon nanotubes 1, in contact with the gate via a gate insulating layer, are doped to have an n-type or a p-type, and carbon nanotubes 2, in contact with the source and drain electrodes, are doped in a complementary fashion with the carbon nanotubes 1.例文帳に追加

本発明に係る電界効果型トランジスタは、カーボンナノチューブをチャネルに用いる電界効果型トランジスタにおいて、ドレイン電極とソース電極が複数のカーボンナノチューブで直列に接続されていて、ゲートとゲート絶縁層を介して接しているカーボンナノチューブ１がｎ型またはｐ型にドーピングされて、ソースおよびドレイン電極と接触しているカーボンナノチューブ２がカーボンナノチューブ１とは相補的にドーピングされていることを特徴とする。 - 特許庁

The light diffusion plate 40 is characterized in that 100 sets of optical elements are selected so that combinations of the optical elements included in the groups of optical elements each comprising N consecutive optical elements in the second direction are different from one another, and the maximum occurrence frequency is ≤50 times when the occurrence frequency of the width of each of the 100 sets of optical elements in the second direction is measured for each of Ns of 8-14.例文帳に追加

光拡散板４０では、第２の方向に連続したＮ個の光学要素からなる光学要素群に含まれる光学要素の組み合わせが互いに異なるように１００組の光学要素群を選択し、それら１００組の光学要素群各々の第２の方向における幅の出現頻度を、Ｎが８以上１４以下の各Ｎにおいて計測した場合、その最大出現頻度が５０回以下となっている。 - 特許庁

In the method for preparing a transistor having a semiconductor containing source and drain regions and a channel formation regions, a gate insulated film in contact with the semiconductor, and a gate electrode in contact with the gate insulated film; the source and drain regions are formed by adding N or P type impurities in the semiconductor and then radiating an Nd: YAG laser beam onto the semiconductor having the impurities added therein.例文帳に追加

ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む半導体、該半導体に接したゲート絶縁膜並びに該ゲート絶縁膜に接したゲート電極を有するトランジスタの作製方法において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、半導体にＮ型もしくはＰ型の不純物を添加した後、前記不純物が添加された半導体にＮｄ：ＹＡＧレーザー光を照射して形成されることを特徴とするトランジスタの作製方法。 - 特許庁

In a semiconductor device which provides a P channel transistor having a silicon germanium layer 132 in a gate electrode 115, and an N channel transistor having the silicon germanium layer 132 in a gate electrode 114, the gate electrode is composed of a laminating structure between the silicon germanium layer 132 and a silicon layer 133 formed on each silicon germanium layer, and a spread preventing layer 134 preventing the spread of germanium is formed in each silicon layer 133.例文帳に追加

ゲート電極１１５にシリコン・ゲルマニウム層１３２を有するＰチャネルトランジスタとゲート電極１１４にシリコン・ゲルマニウム層１３２を有するＮチャネルトランジスタとを備えた半導体装置であって、前記ゲート電極は、前記シリコン・ゲルマニウム層１３２と、前記各シリコン・ゲルマニウム層上に形成したシリコン層１３３との積層構造からなり、前記各シリコン層１３３中にゲルマニウムの拡散を防止する拡散防止層１３４が形成されているものである。 - 特許庁

A means which detects a variation and a means which detects the luminance state in n pixels before and after the variation are provided with respect to video signal of colors in the right end and the left end in a cell constituted for every dot in order to express a color, and a means which calculates an extent of correction on the basis of two detection results.例文帳に追加

カラーを表現するために各ドット毎に構成するセル内で左端及び右端の色の映像信号に対し、変動量を検出する手段と、変動の前後ｎピクセル間の輝度状態を検出する手段を設け、２つの検出結果により補正量を算出する手段を設け、この出力によって、左端の色については変動の後、右端の色については、変動前のピクセルのレベルを補正量に応じて減じる。 - 特許庁

To provide a method for producing an N-alkoxycarbonyl compound in which a unreacted dicarbonate can be simply removed in a reaction of amino or imino compound with the dicarbonate in an organic solvent without compatibility with water, especially in extracting the amino or imino compound with the organic solvent and then reacting the amino or imino compound with the dicarbonate, if necessary, after washing with water or/and concentrated the extracted organic solvent.例文帳に追加

アミノ化合物又はイミノ化合物とジカーボネートとを水と相溶性のない有機溶媒中で反応させる方法、特に、アミノ化合物又はイミノ化合物を水と相溶性のない有機溶媒で抽出し、必要に応じ、水洗又は／及び濃縮した有機溶媒相を用いてジカーボネートと反応させる方法において、簡便な方法で、未反応のジカーボネートを除去できるＮ−アルコキシカルボニル化合物の製造法を提供する。 - 特許庁