「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(345ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-channel MOS transistor groups 11 are arranged to be mutually adjacent and the n-channel MOS transistor groups 12 are arranged to be mutually adjacent in each interface of a first circuit block 1A, a second circuit block 1B, a third circuit block 1C, and a fourth circuit block 1D.例文帳に追加

また、第１の回路ブロック１Ａ、第２の回路ブロック１Ｂ、第３の回路ブロック１Ｃ、第４の回路ブロック１Ｄは、各境界で、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ群１１同士が互いに隣接し、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ群１２同士が互いに隣接するように配置される。 - 特許庁

An n-type light-transmitting buffer layer 140 pn-joined to the optical absorption layer 130 is stacked and formed on a p-type conductive optical absorption layer 130 by a compound in a chalcopyrite structure stacked over a pair of back electrode layers 120 on one surface of a glass substrate 110.例文帳に追加

ガラス基板１１０の一面に設けた対をなす裏面電極層１２０に亘ってカルコパイライト構造の化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, electrooptic device, electronic equipment, method for manufacturing semiconductor devices, and a method for manufacturing electrooptic devices, capable of reducing the occurrence of erroneous operations by improving the on-current balance between an N- channel type TFT and a P-channel type TFT used in a complementary circuit.例文帳に追加

相補回路に用いるＮチャネル型のＴＦＴとＰチャネル型のＴＦＴのオン電流バランスを改善することにより誤動作が発生しにくい半導体装置、電気光学装置、電子機器、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This sludge solidifying material contains ≥50 mass% water absorbing material which consists of galactomannan, boron ions and tervalant or higher polyvalent metal ions exclusive of the boron ions, is capable of absorbing an aqueous solution of bivalent or lower valent cation at ≥40 times its own weight and is ≥2×10-5 N/mm2 in the gel strength after the water absorption.例文帳に追加

ガラクトマンナン、ホウ素イオン、及びホウ素イオン以外の三価以上の多価金属イオンから成り、二価以下のカチオン水溶液を自重の４０倍以上吸水でき、且つ吸水後のゲル強度が２×１０^-5Ｎ／ｍｍ^2以上である吸水材を５０質量％以上含有する汚泥固化材。 - 特許庁

The communication control system 1 determines whether or not an area code of a portable terminal 10A corresponds to area codes of portable terminals 10B-10D in a group, and establishes 1 to N communication between the portable terminal 10A and the portable terminals 10B, 10C whose area codes correspond to one another.例文帳に追加

通信制御システム１では、携帯端末１０Ａのエリアコードとグループ内の他の携帯端末１０Ｂ〜１０Ｄのエリアコードが一致しているか否かを判断し、エリアコードが一致する携帯端末１０Ａと携帯端末１０Ｂ，１０Ｃとの間で１対Ｎ通信を確立させる。 - 特許庁

In this semiconductor laser element 38, the part passing through an upper clad layer 18, an active layer 16, and a lower clad layer 14 of a pit- like recessed section 30 formed on a GaAs substrate 12 through an n-type GaAs layer 22 (current blocking layer) is covered with an insulating film 32.例文帳に追加

本半導体レーザ素子３８では、ｎ−ＧａＡs 層２２（電流ブロッキング層）を貫通してＧａＡs 基板１２に達するピット状凹部３０のうち、上部クラッド層１８、活性層１６及び下部クラッド層１４を貫通する凹部の部分が、絶縁膜３２で覆われている。 - 特許庁

A mute means 18 comprises a plurality of n-channel type field effect transistors TR each connected in parallel between the output terminal 1602 of the switching circuit 16 and the input terminal of a low pass filter 20, and a controller 19 for independently controlling turning on/off each of the transistors TR.例文帳に追加

ミュート手段１８はスイッチング回路１６の出力端１６０２とローパスフィルタ２０の入力端２００２との間に並列接続された複数のＮチャンネル型電界効果型トランジスタＴＲと、各トランジスタＴＲのオン、オフを独立して制御するコントローラ１９とを含んで構成されている。 - 特許庁

In a step 126, if the V_sig is positive, the polarity of the rotor is determined to be N-pole since change amount of inductance is small, but if the V_sig is negative, the polarity of the rotor facing to an armature winding is determined to be S-pole since change amount of inductance is large.例文帳に追加

ステップ１２６では、Ｖ_ｓｉｇが正数の場合、インダクタンスの変化量が少ないため、回転子の極性がＮ極であると判別し、Ｖ_ｓｉｇが負数の場合、インダクタンスの変化量が多いため、電機子巻線と対峙する回転子の極性がＳ極であると判別する。 - 特許庁

After the gate electrode 3 of the transfer transistor is formed on a p-type silicon substrate 1, the p-type ion-implanted layer 4 of the photodiode is formed and, in addition, the n-type ion-implanted layer 5 of the photodiode and the threshold controlling ion-implanted layer 6 of the transfer transistor are formed simultaneously.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上に転送トランジスタのゲート電極３を形成後に、フォトダイオードのｐ型イオン注入層４を形成し、さらにフォトダイオードのｎ型イオン注入層５と転送トランジスタのしきい値制御イオン注入層６とを同時にイオン注入により形成する。 - 特許庁

Moreover, p-type well regions, which are respectively formed selectively within the main surfaces of a gate oxide film 7 and an N-type drift layer 3, which are the base film and the base layer of the electrodes 8a and 8b, are also respectively formed in an annular shape so as to encircle the region 10c.例文帳に追加

また、ゲート電極８ａ，８ｂの下地であるゲート酸化膜７、及びｎ型ドリフト層３の主面内に選択的に形成されているｐ型ウェル領域４ａ，４ｂも、ｐ^+型不純物領域１０ｃを取り囲むようにそれぞれ円環状に形成されている。 - 特許庁

A desired object is retrieved by using a common retrieval method utilizing signatures from the objects registered according to a common registration method utilizing each signature in nodes of maximum 2^n having a node-ID specifying itself and connected to a network, respectively.例文帳に追加

ネットワークに接続されてそれぞれ自己を特定するノードＩＤを有する最大２^ｎ個のノードに、それぞれシグネチャを利用した共通の登録方法に従って登録されているオブジェクトからシグネチャを利用した共通の検索方法を用いて所望のオブジェクトを検索する。 - 特許庁

In the image processing apparatus 15, a false gradation processing portion a5 applies false gradation processing to M-bit image data and converts the data into N-bit image data, and a JPEG compression portion 6 suppresses the variations of frequency of the false gradation processing within a fixed range, and performs irreversible compression processing.例文帳に追加

画像処理装置１５は、Ｍビットの画像データに対して擬似階調処理部ａ５は擬似階調処理を施してＮビットの画像データに変換し、ＪＰＥＧ圧縮部６は、擬似階調処理の周波数を一定範囲の変動に押さえて非可逆圧縮処理を施す。 - 特許庁

In the case of growing an epitaxial layer containing an active layer 4 and a window layer 6 on an n-type GaAs substrate 1 by an MOVPE method, the layer 8 has a carrier concentration of 5×1018 cm-3 or more and is formed of an AlGaInP layer having a larger band gap than that of the layer 4.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＯＶＰＥ法によって活性層４およびウィンドウ層６を含むエピタキシャル層を成長させる際に、ウィンドウ層６は、５×１０^18ｃｍ^-3以上のキャリア濃度を有し、かつ、活性層４よりバンドギャップの大きいＡｌＧａｌｎＰ層により構成する。 - 特許庁

Preferably, the dislocation defect density of a second clad layer 5 composed of an n-type gallium nitride series semiconductor forming a part of an underlaying layer of the active layer 6 is 10^9 to 10^11/cm^2, and preferably, the gap of a dislocation defect in the second clad layer 5 is 120 to 170 nm.例文帳に追加

活性層６の下地層の一部をなすｎ型窒化ガリウム系半導体からなる第２クラッド層５の転位欠陥密度が１０^９〜１０^１１／ｃｍ^２であることが好ましく、第２クラッド層５における転位欠陥の間隔が１２０〜１７０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁

The automatic accompaniment device selects a specific music genre (1-1) out of music genres (1-1 to 1-M) in response to user's operation and selects a specific chord progression (2-1) out of a plurality of chord progressions (2-1 to 2-N) corresponding to the specific music genre (1-1).例文帳に追加

本発明の自動伴奏装置は、ユーザの操作により音楽ジャンル（１−１〜１−Ｍ）から特定音楽ジャンル（１−１）を選択し、その特定音楽ジャンル（１−１）に対応する複数のコード進行（２−１〜２−Ｎ）のうちの特定コード進行（２−１）を選択する。 - 特許庁

To provide a controller, capable of controlling driving power N of a vehicle Ve through an operation of only an accelerator pedal by setting an opening extent (balance point A) of the accelerator pedal for generating driving power Nb, balanced with a road load in accordance with the traveling environment of the vehicle Ve.例文帳に追加

ロードロードに釣り合う駆動力Ｎｂを発生させるアクセルペダルの開度（釣合点Ａ）を車両Ｖｅの走行環境に応じて設定することにより、アクセルペダルのみの操作によって車両Ｖｅの駆動力Ｎを制御することができる制御装置を提供する。 - 特許庁

A multifunction machine X1 divides image information into first partial image information and second partial image information, records the first partial image information in a portable recording medium such as a USB memory, and transmits the second partial image information to a personal computer Y1 through Ethernet N.例文帳に追加

複合機Ｘ１において画像情報を第１部分画像情報と第２部分画像情報とに分割し，前記第１部分画像情報をＵＳＢメモリ等の可搬性記憶媒体に記録，前記第２部分画像情報をイーサーネットＮによりパーソナルコンピュータＹ１に送信する。 - 特許庁

By appropriately adjusting Al composition and In composition of the n-side intermediate layer 12 and p-side intermediate layer 14, a band gap is provided, which is larger than the energy corresponding to the emission wavelength of the active layer 13, and the effect of polarization field is relaxed at the interface with an adjoining layer.例文帳に追加

ｎ側中間層１２およびｐ側中間層１４のＡｌ組成とＩｎ組成とを適切に調整することにより、活性層１３の発光波長に相当するエネルギーより大きいバンドギャップとなると共に、隣接する層との界面における分極場の影響が緩和される。 - 特許庁

In a photovoltaic device where an i-type amorphous silicon thin film 2 is provided between an n-type single crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon based thin film 3, boron atoms are introduced to an interface region of the silicon substrate 1 and the i-type amorphous silicon thin film 2.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコ系薄膜３との間にｉ型非晶質シリコン薄膜２を介在させた光起電力装置において、シリコン基板１ｉ型非晶系シリコン薄膜２とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。 - 特許庁

Micromirrors 62, constituting a DMD 50, are successively numbered with serial natural numbers S from the preceding row to the final line each row in the scanning direction, and groups of the micromirros 62 are constituted at each line equal to the residual dividing the numbers by a prescribed natural number N of 2 or larger.例文帳に追加

ＤＭＤ５０を構成するマイクロミラー６２を、走査方向の各列ごとに、順に先頭列から最終行まで連続な自然数Ｓで番号付けを行い、この番号を、２以上の所定の自然数Ｎで割った余りが等しい行ごとに、マイクロミラー６２のグループを構成する。 - 特許庁

Thereby, the electronic map 41 in the navigation apparatus 42 can easily and quickly be updated on the basis of DUC 24 which contains the leading address IA, the number N to be rewritten, relative address RA from the leading address IA and the value X to be rewritten of the object unit to be updated.例文帳に追加

これにより、更新対象であるユニットの先頭アドレスＩＡと書き替える数Ｎと先頭アドレスＩＡからの相対アドレスＲＡと書き替え値Ｘとを含むＤＵＣ２４に基づいて容易且つ迅速に、ナビゲーション装置４２における電子地図４１を更新することができる。 - 特許庁

To provide a technique for discriminating combinations of electrodes having improved electron and hole injection efficiencies in an organic semiconductor of an organic TET, achieve two kinds of FETs, i.e., n- and p-type FETs, and to provide a complementary MOS (CMOS).例文帳に追加

有機ＴＦＴにおいて、電子注入効率とホール注入効率を改善した電極と有機半導体の組み合わせをそれぞれ判別する手法を提供し、ｎ型チャネルＦＥＴとｐ型チャネルＦＥＴの２種類のＦＥＴを実現し、さらに、相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）トランジスタを提供する。 - 特許庁

The rotation sensor of magnetic pick up type provided with the magnet 12 behind the pole piece 11 which is provided in the bobbin 10 for holding the wound coil 14, is faced opposite to the sensor rotor 22 with alternately arranged N, S poles on the whole periphery outside the rotation center.例文帳に追加

コイル１４を巻回保持するボビン１０の内側にポールピース１１を設け、そのポールピース１１後側に磁石１２を有する電磁ピックアップ式回転検出センサに、回転中心外側全周縁に亘ってＮ極とＳ極をその周方向に交互に配置したセンサロータ２２を対向させる。 - 特許庁

In the computer system mutually connecting plural modules 1, 2,..., (n) through a bus 12, a spare bus line 13 is prepared for substituting the fault line of the bus 12 and when the fault line of the bus 12 is detected, that fault line is switched to the spare bus line 13 for use.例文帳に追加

複数のモジュール１、２、…、ｎがバス１２を通じて相互に接続された計算機システムにおいて、バス１２の障害ラインを代替するスペアバスライン１３を用意し、バス１２の障害ラインが検出された場合にその障害ラインをスペアバスライン１３に切り替えて使用する。 - 特許庁

When the poultry manure 1 is incinerated, the C, and N contained in the poultry manure 1 is eliminated by combining with O, but the P, K, Ca needed by plants are remaining, the organic fertilizer 2 contains P, K, Ca abundantly and is preferable as a fertilizer for plants.例文帳に追加

鶏糞１を焼却すると、鶏糞１に含まれる炭素や窒素等は酸素と結び付いて気体となってなくなり、植物が必要とするリン、カリウムおよびカルシウム等の成分が残るから、有機肥料２にはリン、カリウムおよびカルシウムが多く含まれており、植物の肥料としては好適である。 - 特許庁

Also, a novel means of eliminating the need for fresh wiring of a fixed voltage power source to the integrated circuit by connecting an n-channel MOS transistor and a p-channel MOS transistor in compliance with logic, thereby performing the logic operation for selection of the specific pixel is provided as well.例文帳に追加

また、ｎ−チャンネルＭＯＳトランジスタとｐ−チャンネルＭＯＳトランジスタを論理に合わせて接続することでその特定画素選択のための論理演算を行い、それによりその集積回路への新たな固定電圧電源の配線を不要とする新規手段も提供する。 - 特許庁

The gradation voltage generating circuit 4A includes a gradation resistor group, having a plurality of resistors R connected in series through a node N and a voltage follower 43, having an output terminal connected to one end of the gradation resistor group and supplying a reference supply voltage to the gradation resistor group.例文帳に追加

本発明による階調電圧発生回路４Ａは、ノードＮを介して直列接続された複数の抵抗Ｒを備える階調抵抗群と、出力端が階調抵抗群の一端に接続され、階調抵抗群に基準供給電圧を供給する電圧フォロワ４３とを具備する。 - 特許庁

When any one of a P range, R range, N range, and D range is selected, a light-emitting lamp 53 corresponding to range indication indicating a selected range of a range kind indicating portion 51 is turned on, and a gear stage kind indicating portion 52 is made to be in a non-lighting state.例文帳に追加

Ｐレンジ、Ｒレンジ、Ｎレンジ及びＤレンジのうちのいずれかのレンジが選択された場合には、レンジ種表示部５１の選択されたレンジを示すレンジ表示に対応する発光ランプ５３を点灯させると共に、ギア段種表示部５２を非点灯状態にする。 - 特許庁

To prevent waveform distortions due to delay time difference or sensitivity difference, which is apt to generate at a high multiple speed reproduction, when a method to obtain a synthetic RF signal by a band synthesis is used so as to obtain a reproduction signal having satisfied S/N, in an optical disk drive arranging an exclusive RF light receiving surface concurrently therewith.例文帳に追加

専用ＲＦ受光面を併設した光ディスク装置において、Ｓ／Ｎの良い再生信号を得られるよう、帯域合成により合成ＲＦ信号を得る方法を用いた際、高倍速再生において生じやすい、遅延時間差や感度差による波形歪を防ぐ。 - 特許庁

Then, the method and the apparatus store a second table, the converted value of which is set corresponding to the graphic data which are converted using the first table, in an memory address corresponding to, at least one of input values of v(k)=ck+d (where c and d are constants, as well as K=0, 1, 2 to n).例文帳に追加

次に、全入力値のうち少なくともｖ（ｋ）＝ｃｋ＋ｄ（ただし、ｃ、ｄは定数、ｋ＝０，１，２…ｎ）で表される入力値：ｖ（ｋ）に対応するアドレスに、第一テーブルを用いて変換された画像データに応じて設定される変換値が格納された第二テーブルをメモリに格納する。 - 特許庁

In the thermal recording material comprising a heat sensitive color developing layer containing a normally colorless or pale color developable compound and a developable compound capable of color developing the color developable compound at a heat time on a support, the developing layer contains a compound represented by formula (1) as the color developable compound and an N-acetylxylidine as a sensitizer.例文帳に追加

支持体上に通常無色ないし淡色の発色性化合物、該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を含有する感熱発色層を設けた感熱記録材料において、該感熱発色層が顕色性化合物として下記の一般式（１） - 特許庁

Before the communication body, a training part, based on a short code diffusion for repeating the same pattern in each symbol length is formed, and propagation of a transmission line is measured by the training part, while setting the length of the short code as a measuring section and setting the N periods of a carrier as the time resolution of measurement.例文帳に追加

通信本体に先立ち、シンボル長毎に同一パターンを繰り返すショートコード拡散によるトレーニング部を設け、トレーニング部を用いて前記ショートコードの長さを測定区間とし搬送波のＮ周期分を測定の時間分解能にして伝送路の伝播測定を行なう。 - 特許庁

A second transistor M2 is the N-channel MOSFET in which a first terminal 22 of a conduction channel, a gate 24 and a back gate 26 are connected to a stationary voltage terminal P2, and a second terminal 28 of the conduction channel is connected to a second terminal 18 of the conduction channel of the first transistor M1.例文帳に追加

第２トランジスタＭ２は、伝導チャンネルの第１端子２２、ゲート２４およびバックゲート２６が、固定電圧端子Ｐ２に接続され、伝導チャンネルの第２端子２８が、第１トランジスタＭ１の伝導チャンネルの第２端子１８に接続されたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

A thermoelectric conversion module has p-type thermoelectric conversion element bodies (11) and n-type thermoelectric conversion element bodies (12), which are connected to each other in series via electrode members (13, 14) and are arranged to be opposite to each other so as to constitute a first plane on a high temperature side and a second plane on a low temperature side.例文帳に追加

熱電変換モジュールは、高温側の第１の平面と低温側の第２の平面を構成するように電極部材(13、14)により互いに直列に接続されかつ相互に対抗して配置されるｐ型熱電変換素子本体(11)およびｎ型熱電変換素子本体(12)を備える。 - 特許庁

To provide a lubricant which is used for processing a metallic material, i.e. used for processing a high-tensile steel plate with a tensile strength of 340 N/mm^2 or higher, is excellent in the rust-prevention capability after MAG welding of a work having a lubricant attached thereto, and also has degreasing property.例文帳に追加

引張強さ３４０Ｎ／ｍｍ^2以上の高張力鋼板加工用に使用する金属材料加工用の潤滑油であり、潤滑油が付着した加工物のＭＡＧ溶接後の防錆性能に優れるとともに、脱脂性をも兼ね備えた潤滑油を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a solar cell 100, a metal mask M3 has two openings H3 corresponding to a formation pattern of two island-shaped n-type amorphous semiconductor layers 12n_1, and an opening H4 corresponding to a formation pattern of a p-type amorphous semiconductor layer 12p.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池１００の製造方法において、メタルマスクＭ３は、２本の島状ｎ型非晶質半導体層１２ｎ_１の形成パターンに応じた２つの開口部Ｈ３と、ｐ型非晶質半導体層１２ｐの形成パターンに応じた開口部Ｈ４とを有する。 - 特許庁

The load of methanol loaded from methanol loading means 32 is controlled so as to maintain the concentration of methanol of the water to be treated 12 in the reactor 10 at 100 mg/L or lower, and a C/N ratio at 0.1 or higher.例文帳に追加

反応槽１０内における被処理水１２のメタノール初期濃度が５００ｍｇ／Ｌ以下とし、メタノールを初期添加した後には、被処理水１２のメタノール濃度が１００ｍｇ／Ｌ以下で、かつＣ／Ｎ比が０．１以上を維持するようにメタノール添加手段３２からのメタノールの添加量を制御する。 - 特許庁

A securities transaction extraction device 1 outputs to an operation terminal 2, an extraction condition input screen which receives input of extraction conditions separately for each of a plurality of different transaction statuses from a first to an n-th transaction statuses in securities transaction.例文帳に追加

有価証券取引抽出装置１は、有価証券取引における第１の取引状況から第ｎの取引状況までの異なる複数の取引状況ごとの抽出条件の入力を別々に受け付ける抽出条件入力画面を操作端末２へ出力する。 - 特許庁

When a change of the turbine rotating speed Nt is satisfied with preset conditions (for example, the turbine rotating speed shows a tendency to reduce continuously n-times due to others than noises), a piston is determined to be in contact and a time interval ti between a current time and a precharge control starting time is found.例文帳に追加

タービン回転数Ｎｔの変化が所定の条件（例えば、ｎ回連続してタービン回転数が減少傾向を示し、ノイズによるものでない場合）を満たすに到った場合、ピストンが接触したものと判定し、該時点とプリチャージ制御開始時点との時間間隔ｔｉを求める。 - 特許庁

The first forward bias is the bias which is set independently of state information required for setting the second forward bias and increases the potential of the transfer member 46 to a level where a toner image is transferred in the second area, when the second area passes through the nip portion N.例文帳に追加

第１順バイアスは、第２順バイアスの設定に必要な状態情報とは無関係に設定されたバイアスであり、かつ第２領域がニップ部Ｎを通過するときに第２領域においてトナー像の転写が行われる程度に転写部材４６の電位を上昇させるバイアスである。 - 特許庁

A transmitter 2 is mounted to each of wheels, detects air pressure of a tire of the wheel by a sensing part 21, encrypts detection signals by an encryption rule according to an encryption instructing signal N at an encryption part 22b, stores them in a transmission frame, and transmits them via an antenna 23.例文帳に追加

送信機２は、各車輪に取り付けられ、センシング部２１により車輪のタイヤ空気圧を検出し、その検出信号を暗号化部２２ｂにて暗号化指示信号Ｎに応じた暗号化則で暗号化して送信フレームに格納し、これをアンテナ２３を介して送信する。 - 特許庁

Thus, the output circuit can be operable at a higher speed and a source-drain voltage between a third P-channel MOS transistor 71 and a third N-channel MOS transistor 72 of the over-voltage protection circuit caused at a change in an output signal OUT can be decreased.例文帳に追加

これにより，より高速に動作することが可能になり，さらに，出力信号ＯＵＴの変化時にかかる過電圧保護回路の第３のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ７１，および第３のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ７２のソース−ドレイン間電圧を小さくできる。 - 特許庁

The monitor station 40 is provided with an image preparation processor 43 and terminal devices 46a, 46b,..., and the image preparation processor 43 segments images from the video from the monitor cameras 1A-1 to 1A-n at a constant cycle, combines the images and distributes the combined images in a stream format.例文帳に追加

監視局４０に画像作成処理装置４３および端末装置４６ａ、４６ｂ…を設け、画像作成処理装置４３では、監視用カメラ１Ａ−１〜１Ａ−ｎの映像から一定周期で画像を切り出し、これらの画像を合成してストリーム形式で配信する。 - 特許庁

A back electrode 14 is formed on the second principal surface 20b such that it has contact with both the p-type collector area 9 and the n-type cathode region 10, and has a titanium layer 11, a nickel layer 12 and a gold layer 13 laminated in turn from the side of the second principal surface 20b.例文帳に追加

裏面電極１４は、ｐ型コレクタ領域９およびｎ型カソード領域１０との双方に接するように第２主面２０ｂ上に形成され、かつ第２主面２０ｂ側から順に積層されたチタン層１１、ニッケル層１２および金層１３を有している。 - 特許庁

As a result, minimum coolant amount originally required as a result of a thermal load calculation by the control device can be normally circulated in a refrigerating cycle without calculating a control current value that the compressor 4 is not capable of discharging coolant as the second control current duty Dt(n).例文帳に追加

これにより、第２制御電流デューティＤｔ（ｎ）としてコンプレッサ４が冷媒を吐出できない制御電流値を算出することがなく、制御装置が熱負荷計算の結果として本来必要とする最低冷媒量を、常時冷凍サイクルに流通することができる。 - 特許庁