「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(346ページ目) - Weblio英語例文検索

According to this image formation system, the image forming device automatically allocates an IP address inherent to each network device to be used in accordance with n pieces of of image forming devices to be used for data communication and m pieces of network devices belonging to each image forming device.例文帳に追加

本発明に係る画像形成システムによれば、画像形成装置は、データ通信に使用する画像形成装置の台数ｎ及び各画像形成装置が有するネットワークデバイス数ｍに応じて、使用する各ネットワークデバイスに固有のＩＰアドレスを自動的に割り当てる。 - 特許庁

A long sentence in a text obtained as a result of performing speech recognition of input speech is segmented into simple sentence units comprising one set of a subject and a predicate by using a segmenting model including a plurality of n-grams and their respective probabilities, and each simple sentence is translated into a sentence of a target language.例文帳に追加

入力音声を音声認識した結果得られるテキスト中の長文を、複数のｎ−グラムとそのそれぞれの確率とを含む分割モデルを用いて、１組の主部と述部からなる単文単位に分割し、各単文をターゲット言語の文に翻訳する。 - 特許庁

To provide an OFDM signal demodulation circuit and an OFDM signal demodulating method capable of improving the receiving performance of a receiver by suppressing the influence of deterioration in a C/N value due to the amplification of a received OFDM type receiving signal to the receiving performance of the receiver.例文帳に追加

受信したＯＦＤＭ方式の受信信号の増幅に伴うＣ／Ｎ値の劣化が受信装置の受信性能に与える影響を抑止させ、受信性能を向上させるＯＦＤＭ信号復調回路及びＯＦＤＭ信号復調方法を提供すること。 - 特許庁

This pharmaceutical composition is such one that antiallergically effective amounts of DCL is contained in a pharmaceutically acceptable carrier medium containing a DCL-protective amount of a pharmaceutically acceptable carrier, wherein the composition contains <1 wt.% of N-formyl DCL.例文帳に追加

抗アレルギー有効量のデスカルボニルエトキシロラタジンを、ＤＣＬ−保護量の薬学的に受容可能なキャリアを含有する薬学的に受容可能なキャリア媒体中に含有する、薬学的組成物であって、ここで該組成物は、１重量％未満のＮ−ホルミルＤＣＬを含有する、薬学的組成物。 - 特許庁

In the mechanical part made of the resin intermittently given with the lock torque from the drive source that the lock torque is 12 N m or less and used, the resin is a resin composition containing a polyacetal homopolymer and 10-90 ppm of a crystal nucleation inorganic particle having an average particle diameter of 0.1-10 μm.例文帳に追加

ロックトルクが１２Ｎ・ｍ以下である駆動源からロックトルクを断続的に与えられて使用される樹脂製機構部品であって、該樹脂が、ポリアセタールホモポリマーと平均粒径０．１〜１０μｍである結晶核生成無機粒子１０〜９０ｐｐｍを含む樹脂組成物である。 - 特許庁

When an operating state (F, N) is within a range R of preliminary combustion for switching, the control computer C controls a flow rate regulating valve 28 so that exhaust gas is supplied from an exhaust gas passage 22 to an intake passage 33 through a supply passage 27 to lower a temperature in a combustion chamber 112.例文帳に追加

運転状態（Ｆ，Ｎ）が切り換え準備燃焼領域Ｒにあるときには、制御コンピュータＣは、排気通路２２から供給通路２７を経由して吸気通路３３へ排気ガスを供給して燃焼室１１２内の温度を低下させるように、流量調整弁２８を制御する。 - 特許庁

To provide an adhesive composition suitable for adhesion of optical films such as adhesive sheets, laminates or polarizing plates, in which an urethane resin having a high refractive index of ≥1.500 is used and from which an adhesive layer having an adhesive force of ≥1.5 N/25 mm can be formed.例文帳に追加

１．５００以上の高屈折率を有するウレタン樹脂を用いてなり、１．５Ｎ／２５ｍｍ以上の粘着力を有する粘着剤層が形成可能で、粘着シート、積層体、又は偏光板などの光学フィルム接着用に適した粘着剤組成物を提供すること。 - 特許庁

The internet facsimile terminal 1, including a function of receiving electronic mail whose destination is addressed to itself by making communication with a mail server on a communication network N in accordance with a prescribed protocol, is provided with a reception history recording means 10 that records the reception history of the electronic mail.例文帳に追加

通信ネットワークＮ上のメールサーバとの間で、所定のプロトコルに従って通信をすることによって、自身を送信先とした電子メールを受信する機能を備えるインターネットファクシミリ装置１において、電子メールの受信履歴を記録する受信履歴記録手段１０を備える。 - 特許庁

This method for producing the 4-amino-5-chloro-2-ethoxy-N-[[4-(4-fluorobenzyl)-2-morpholinyl]methyl]benzamide includes a process for reacting 4-amino-5-choloro-2-ethoxybenzoic acid or its reactive derivative with 2-aminomethyl-4-(4-fluorobenzy)morpholine in the presence of a ketone-based solvent.例文帳に追加

４−アミノ−５−クロロ−２−エトキシ安息香酸またはその反応性誘導体と２−アミノメチルー４−（４−フルオロベンジル）モルホリンとをケトン系溶媒の存在下反応させる工程を含む４−アミノ−５−クロロ−２−エトキシ−Ｎ−［［４−（４−フルオロベンジル）−２−モルホリニル］メチル］ベンズアミドの製造方法。 - 特許庁

To synchronize frames in cell search and identify a scramble code group whereby scramble codes SC are secured for the number of scramble codes used by the W-CDMA even when an operating frequency bandwidth is narrow and the number N of subcarriers is less than a code length L of the scramble codes SC.例文帳に追加

使用周波数帯域幅が狭く、サブキャリア数ＮがスクランブルコードＳＣのコード長Ｌよりも少ない場合であっても、Ｗ−ＣＤＭＡで使用しているようなコード数分のスクランブルコードＳＣの確保が可能な、セルサーチにおけるフレーム同期とスクランブルコードグループの同定とを行えるようにする。 - 特許庁

The crystal material has a specified coefficient of thermal expansion(CTE) and specified refractive index (n) so that the material becomes extremely transparent at the wavelength λof radiation propagating the path and the CTE and dn/dT are matched with each other to obtain sufficient FOM in the range ΔT.例文帳に追加

結晶材料は、パス中を伝搬する放射線の波長λで非常に透明になり、熱膨張係数（ＣＴＥ）とｄｎ／ｄＴが範囲ΔＴにわたってＦＯＭを満足させるために相互に適合されるように、あるＣＴＥとある屈折率ｎを有している。 - 特許庁

By transferring a partial ECC code coded by each the partial ECC code generation circuit 313 through a signal line SL and an adder 319, 10-bit ECC code data corresponding to the whole holding data are generated and stored in the address n of a code storage memory 321.例文帳に追加

各部分ＥＣＣコード生成回路３１３でコード化された部分ＥＣＣコードを、信号線ＳＬおよび加算器３１９を介して転送させることにより、全保持データに対応する１０ビットのＥＣＣコードデータを生成し、コード記憶メモリ３２１のアドレスｎに格納するようになっている。 - 特許庁

In a semiconductor device formed on a GaAs substrate 1, a base to which an emitter electrode 9 contacts uses an n-GaAsNSb layer 8, and hence if the dry etching method using a chloric gas as an etching gas is applied to etch, there is no fear of impeding the etching reaction at all.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に形成された半導体装置に於いて、エミッタ電極９がコンタクトする下地がｎ−ＧａＡｓＮＳｂ層８になっているので、塩素系ガスをエッチング・ガスとするドライ・エッチング法を適用してエッチングを行なっても、エッチング反応が阻害されるおそれは皆無である。 - 特許庁

An RSS server device (storage device) 2 acquires the metadata of a web page described by the format of RSS from a plurality of web server devices 3 connected to a communication network N, and the image output device 1 receives the metadata from the RSS server device 2 and stores them in a storage part 110.例文帳に追加

ＲＳＳサーバ装置（記憶装置）２は、ＲＳＳのフォーマットで記述されたウェブページのメタデータを通信ネットワークＮに接続されたウェブサーバ装置３，３，…から取得し、画像出力装置１は、ＲＳＳサーバ装置２からメタデータを受信して記憶部１１０で記憶する。 - 特許庁

To provide an electronic watermark embedded image content creating method capable of reconstituting an image content with a combination pattern of many kinds of electronic watermark in a short time by preparing (n) sets of image contents having (m) pieces of areas where electronic watermarks are previously embedded.例文帳に追加

本発明は、予め電子透かしを埋め込んだｍ個の領域を有するｎセットの画像コンテンツを用意しておくことで短時間で多くの種類の電子透かしの組み合わせパターンの画像コンテンツを再構成できる電子透かし埋込画像コンテンツ作成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Such lubricant applicator includes a lubricant supplying member cleaning means 44, such as a flicker made of a resin, downstream of an image carrier contact position (m) of the lubricant supplying member and upstream of the lubricant contact position (n) in the rotating direction (b) of the lubricant supplying member.例文帳に追加

そのような潤滑剤塗布装置において、潤滑剤供給部材の回転方向ｂにあって、その潤滑剤供給部材の像担持体接触位置ｍの下流であり、潤滑剤接触位置ｎの上流に、樹脂製のフリッカなどの潤滑剤供給部材清掃手段４４を備える。 - 特許庁

The water-soluble film for packaging an acid material comprises a modified polyvinyl alcohol containing an N-vinyl amide monomer unit of 1-10 mol% in a molecule and having a saponification value of 82-99.5 mole%, the pH of 1 wt.% aqueous solution or aqueous dispersion of the film being ≤6.例文帳に追加

分子内にＮ−ビニルアミド系単量体単位を１〜１０モル％含有し、けん化度が８２〜９９．５モル％である変性ポリビニルアルコールからなる１重量％の水溶液または水分散液にしたときのｐＨが６以下の酸性物質包装用水溶性フィルム。 - 特許庁

This recording and reproducing device is configured so as to buffer music data stored in a HDD 5 into a memory 2, and read out the data by using signals RD1 to RDn which are transferred from DMAC 61 to FIFO buffers 63, 73, 83, 93 for distributing the music data to each of a room 1 to a room n and are synchronized.例文帳に追加

ＨＤＤ５に蓄積されている曲データはメモリ２にバッファリングされ、ＤＭＡＣ６１によりルーム１〜ルームｎの各部屋に曲データを配信するためのＦＩＦＯバッファ６３，７３，…，９３に転送されて同期した信号ＲＤ１〜ＲＤｎにより読み出される。 - 特許庁

P-channel type MOSFETs M7A, M8A are connected to drains of MOSFETs M7, M8 of the same P-channel type, gates of these MOSFETs M7A, M8A are connected in common, and a drain of the MOSFET M7A is connected with a drain of an MOSFET M5 via an N-channel type MOSFET M5A.例文帳に追加

Ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴＭ７，Ｍ８のドレインにはそれぞれ同じＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴＭ７Ａ，Ｍ８Ａが接続され、これらのＭＯＳＦＥＴＭ７Ａ，Ｍ８Ａのゲートが共通に接続されるとともに、このＭＯＳＦＥＴＭ７ＡのドレインがＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴＭ５Ａを介してＭＯＳＦＥＴＭ５のドレインと接続されている。 - 特許庁

After an input cryptographic key is preserved (S1) and image information is preserved (S2), the image information is divided into blocks composed of n×m pixels so that horizontally and vertically adjoining divided blocks may partially overlap each other (S3) and, when the division is not completed ('No' in S4), 'Hash NO' storing hash values is initialized (S5).例文帳に追加

入力暗号キーの保存（Ｓ１）、画像情報の保存（Ｓ２）をし、画像情報をｎ×ｍピクセルで上下左右に隣接するブロック間の一部重複する分割を行い（Ｓ３）、分割ブロックの全処理終了でないとき（Ｓ４のＮｏ）、ハッシュ値を格納の「ＨashＮＯ」初期化（Ｓ５）。 - 特許庁

The front side of the magnet 40 is set to an N magnetic pole and the back side thereof is set to an S magnetic pole, and the G2 lens 28 is moved between the G1 lens and the G3 lens in accordance with the direction of currents supplied to the first and the second coils 38 and 41 and moved to a variable power position on either a telephoto side or a wide side.例文帳に追加

永久磁石４０の前面側をＮ磁極、背面側をＳ磁極にし、第一，第二コイル３８，４１に供給する電流の向きに応じてＧ２レンズ２８をＧ１，Ｇ３レンズ間で移動させ、テレ／ワイドのいずれかの変倍位置に移動させる。 - 特許庁

In the predetermined period, an operation security period 1403 of the moving image of the second frame is set, after moving image processing 1407 of the second frame is performed, and an operation security period 1404 of the still image is set; and still image restart processings 1408, from the (n+1)MCU-th to the mMCU-th, are performed.例文帳に追加

この所定期間では、２フレーム目の動画の動作保障期間１４０３が設定され、２フレーム目の動画処理１４０７が行われた後、静止画の動作保障期間１４０４が設定されて、ｎ＋１ＭＣＵ目〜ｍＭＣＵ目までの静止画再開処理１４０８が行われる。 - 特許庁

In a case where it is determined that the number of pieces of reception data is equal to or more than the first predetermined value, at a communication switching mechanism 3, a CPU load indicating the magnitude of communication processing being executed by CPUs 4-1 to 4-n for processing the data received by the LAN cards 2-1, 2-2 is compared with a second predetermined value.例文帳に追加

受信データ数が第１の所定値以上であると判別した場合に、通信切替機構３において、ＬＡＮカード２−１、２−２が受信したデータを処理するＣＰＵ４−１〜４−ｎが実行中の通信処理の大きさを示すＣＰＵ負荷と第２の所定値とを比較する。 - 特許庁

To improve avalanche resistance in a super junction semiconductor device having such a parallel pn structure that a drift layer is formed by bonding alternately and repeatedly a drift area formed of an n-type semiconductor area with higher impurity concentration and a partitioning area formed of a p-type semiconductor area.例文帳に追加

ドリフト層を、不純物濃度を高めたｎ型半導体領域よりなるドリフト領域とｐ型半導体領域よりなる仕切領域とを交互に繰り返し接合した構成の並列ｐｎ構造とした超接合半導体素子において、アバランシェ耐量を向上させること。 - 特許庁

The nitrogen adding treatment is a treatment in which nitrogen is added to the raw material to adjust carbon percentage (C/N ratio> to ≤10 and the raw material is blended with a nitrogen-rich fertilizer such as urea and ammonium sulfate or fowl droppings or sewage sludge or the like to lower carbon percentage of the raw material to 8 to 10.例文帳に追加

窒素添加処理は、原料に窒素を添加して炭素率（Ｃ／Ｎ比）を１０以下に調整する処理であり、原料に、尿素、硫酸アンモニウムのような窒素質肥料、あるいは鶏糞や下水汚泥などを混合して原料の炭素率を８〜１０に低下させる。 - 特許庁

According to this constitution, it is possible to prevent a leakage current from flowing in a P-N junction by the second gate region 6 and the channel layer 4 by means of the high resistance layer 6b and to realize good operation of a silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

このような構成とすることで、高抵抗層６ｂによって第２ゲート領域６とチャネル層４とによるＰＮ接合部にリーク電流が流れることを防止することが可能となり、炭化珪素半導体装置の動作が良好に行えるようにすることが可能である。 - 特許庁

A current control circuit 11 detects that a transition edge of a delay clock CK(1) may be generated during an effective period including a transition edge of a delay clock CK(n) and controls the amount of the output current Iout of the charge pump circuit 30 in accordance with a result of the detection.例文帳に追加

電流制御回路１１は、遅延クロックＣＫ（ｎ）の遷移エッジを含む有効期間中に遅延クロックＣＫ（１）の遷移エッジが発生することを検出し、その検出結果に応じてチャージポンプ回路３０の出力電流Ｉｏｕｔの電流量を制御する。 - 特許庁

Conversely, when the multi-path delay in the transmission path is small, the OFDM transmitter 2 generates a transmission signal one transmission frame of which includes N/2 samples and guard bits by k/2 samples and transmits the transmission signal to the OFDM receiver 5 so as to suppress a peak value of the amplitude of the transmission signal.例文帳に追加

反対に、伝送路におけるマルチパス遅延量が小さい小さい場合には、ＯＦＤＭ送信機２は、１伝送フレームにＮ／２個のサンプルとｋ／２サンプル分のガードビットとを含む伝送信号を生成して、ＯＦＤＭ受信機５に対して送信し、送信信号の振幅のピーク値を抑える。 - 特許庁

The coated metal oxide particles are produced by adding a base dissolved in water to a dispersion comprising a metal oxide, at least one compound of the formula X_nSi(OR)_4-n and water under stirring, separating the resulting reaction product and optionally washing and drying the product.例文帳に追加

水中に溶解させた塩基を、金属酸化物、型Ｘ_ｎＳｉ（ＯＲ）_４_-__ｎの少なくとも１つの化合物及び水を含んでいる分散液に撹拌しながら添加し、反応生成物を分離し、場合により水で洗浄しかつ乾燥させることにより製造される被覆金属酸化物粒子。 - 特許庁

A standard deviation variation degree determining section 23 gives the difference between the maximum value and the minimum value of the standard deviation values, between the frames by using N of standard deviation values stored in the memory 22 and identifies to be a living body fingerprint, if the value is at or larger a threshold.例文帳に追加

標準偏差変化度合判定部２３は、標準偏差値メモリ２２に格納されたＮ個の標準偏差値を用いて、各フレーム間における標準偏差値の最大値と最小値との差を求め、その値が閾値以上であれば生体指紋であると判別する。 - 特許庁

Furthermore, by keeping the temperature of an n^+ type single crystal silicon substrate 1 at 5°C in processing the gate electrode 9a, the reattachment of an etching residue to the processed surface can be prevented, and by making the shape of the processed surface smooth, the yield and reliability of the trench gate MOSFET can be improved.例文帳に追加

また、ゲート電極９ａの加工時のｎ^＋型単結晶シリコン基板１の温度を５℃とすることで、エッチング残渣が加工表面へ再付着するのを防ぎ、加工表面を滑らかな形状にすることにより、トレンチゲート型ＭＯＳＦＥＴの歩留まりおよび信頼性を高めることができる。 - 特許庁

The fluorine-containing polymer has a unit expressed by formula (A) (wherein, n is 1 or 2; R^F1 is a fluorine atom or a trifluoromethyl group; and R^F2 is a fluorine atom or a 1-5C perfluoroalkyl group); and a solution composition comprises a solution dissolving the fluorine-containing polymer in an organic solvent.例文帳に追加

下式（Ａ）で表される単位を含む含フッ素重合体（Ｉ）（ただし、ｎは１または２、Ｒ^Ｆ１はフッ素原子またはトリフルオロメチル基、Ｒ^Ｆ２はフッ素原子または炭素数１〜５のペルフルオロアルキル基、を示す。）、および含フッ素重合体（Ｉ）を有機溶媒に溶解させた溶液組成物。 - 特許庁

The first sensor performs the detecting operation (S1), and when the sensor detects an obstacle (YES in S2), the sensor continuously performs the detecting operation by a predetermined frequency (N times) (S3), and whether the detection frequency of the obstacle exceeds a predetermined detection decision accumulated frequency (M times) or not is determined (S4).例文帳に追加

１番目のセンサが検出動作を行い（Ｓ１）、センサが障害物を検出した場合は（Ｓ２でＹＥＳ）、所定の回数（Ｎ回）だけ連続して検出動作を行い（Ｓ３）、障害物の検出回数が所定の検出確定累積回数（Ｍ回）を超えたか否かを判断する（Ｓ４）。 - 特許庁

The power generation device includes a plurality of pn stacks 11 in which p-type semiconductor layers 11a and n-type semiconductor layers 11b are stacked, and a mode switch 16 which switches its mode into a photovoltaic mode or a thermal power generation mode by connecting the fellow plural pn stacks 11.例文帳に追加

本発明に係る発電装置の一形態は、ｐ型半導体層１１ａとｎ型半導体層１１ｂとが積層された複数のｐｎ積層体１１と、複数のｐｎ積層体１１同士を接続して、光発電モード又は熱発電モードに切り替えるモード切り替え部１６と、を備える。 - 特許庁

A compensation unit including compensation circuits 3-0 to 3-(n-1) and a control circuit 8 compensates for the frequency characteristics of signals inputted to the input connectors 1-0 to 1-(m-1), respectively, in accordance with the connection relationship switched by the signal switching circuit 2.例文帳に追加

また、補償回路３‐０〜３‐（ｎ−１）および制御回路８を含む補償部は、入力コネクタ１‐０〜１‐（ｍ−１）のそれぞれに入力された各信号の周波数特性のそれぞれを、信号切替回路２にて切り替えられた接続関係に応じて補償する。 - 特許庁

As a result, for a reflection signal from the short-distance target object, pulses are partially removed by breaking operation of the reception signal and the pulse width becomes short, while a high S/N ratio is maintained by changing the bandwidth of a filter for the decrease in the pulse width.例文帳に追加

これにより近距離の目標物体からの反射信号は前記受信信号の遮断動作によってパルスの一部が除去されてパルス幅が短くなるが、このパルス幅の短縮に対してはフィルタの帯域幅を変化させることで高いＳＮ比を保つようにする。 - 特許庁

(where R^1 represents 1-4C alkyl group, phenyl group, H or OH; R^2 represents 1-4C alkyl group or phenyl group; A represents OH, 1-4C alkyl group, or -O- involving in crosslinking; m_1 and m_2 each represent an integer of 1-10; and n represents an integer of 1-20.)例文帳に追加

（Ｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基、Ｈ又はＯＨ、Ｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基、又はフェニル基、ＡはＯＨ、炭素数１〜４のアルキル基、又は架橋に関与する−Ｏ−であり、ｍ_１，ｍ_２はそれぞれ１〜１０の整数、ｎは１〜２０の整数） - 特許庁

Currents flowing to respective strings and voltages thereof are measured by a current detector for measuring the currents of the respective strings 51-1 to 51-N, and a voltage detector 77 for measuring the voltages of the respective strings, and a current integration value and a power integration value in a certain period for each string are obtained.例文帳に追加

各ストリング５１−１〜ストリング５１−Ｎの電流を測定する電流検出器と、各ストリングの電圧を測定する電圧検出器７７により、各ストリングに流れる電流と電圧を測定し、各ストリングについて一定期間の電流積算値または電力積算値を求める。 - 特許庁

The hardness of the cement based molding material before molding is adjusted so that the penetration depth of a penetration needle at the time of carrying out penetration of the penetration needle of a cross section of 78.5 mm^2 to the cement based molding material by the penetration force of 2.94 N may be in the range of 3-20 mm.例文帳に追加

成形前の前記セメント系成形材料の硬さを、このセメント系成形材料に断面積７８．５ｍｍ^２の貫入針を２．９４Ｎの貫入力で貫入した場合の貫入針の貫入深さが３〜２０ｍｍの範囲となるように調整する。 - 特許庁

In an output circuit including N-channel MOS transistors M1, M2, M6 and P-channel MOS transistors M3, M4, M5, a MOS transistor M7 having drain and gate connected to a drain of the MOS transistor M2 and a gate of the transistor M5, respectively, and a sources connected to a drain of the MOS transistor M4.例文帳に追加

ＮチャネルＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２，Ｍ６と、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５を備える出力回路において、ドレインとゲートがＭＯＳトランジスタＭ２のドレインおよびトランジスタＭ５のゲートに接続され、ソースがＭＯＳトランジスタＭ４のドレインに接続されたＭＯＳトランジスタＭ７を設けた。 - 特許庁

The aluminum material is characterized in that the content of carbon (C) is ≤10 ppm by atomic ratio, the content of oxygen(O) is ≤1ppm by atomic ratio, the content of nitrogen(N) is ≤20 ppm by atomic ratio, and the total content of iron(Fe), silicon(Si) and copper(Cu) is ≤0.3 ppm by atomic ratio.例文帳に追加

炭素（Ｃ）含有量が原子比で１０ｐｐｍ以下、酸素（Ｏ）含有量が原子比で１ｐｐｍ以下、窒素（Ｎ）含有量が原子比で２０ｐｐｍ以下であり、鉄（Ｆｅ）と珪素（Ｓｉ）と銅（Ｃｕ）の合計含有量が原子比で０．３ｐｐｍ以下であることを特徴とするアルミニウム材である。 - 特許庁

Then the pressing members 30a, 30b and 30c are displaced in position toward the pressing roller 31 to change the pressing state of the nip forming member 26, thereby changing a curved shape of a part of a fixing nip N and a direction of the discharge of a recording medium from the fixing nip.例文帳に追加

そして、押圧部材３０ａ，３０ｂ，３０ｃの位置を加圧ローラ３１方向へそれぞれ変位させ、ニップ形成部材２６の押圧状態を変えることにより、定着ニップＮ部分の湾曲形状、および記録媒体の定着ニップからの排出方向を変えることができる。 - 特許庁

The semiconductor device is formed with P-type embedded diffusion regions 4 discretely connected to a partial bottom face of the P-type body region 3, each extending in a direction parallel to the substrate surface, and having high concentration relative to that of the N-type drift region 5 so that respective tips reach the inside of the drift region 5.例文帳に追加

そして、Ｐ型ボディ領域３の一部底面に離散的に連結すると共に、それぞれが基板面に平行な方向に延伸し、各先端がドリフト領域５内に達するよう、Ｎ型ドリフト領域５より高濃度のＰ型埋め込み拡散領域４が形成される。 - 特許庁

A list Lc of connection information (server name/IP address and the like) recorded with up-to-date load information (CPU load rate/the number of connected clients/display resolution of each client under connection and the like) in each server 10 on a network N is managed by a DB 10Md of a management server 10M connected commonly to each server 10.例文帳に追加

ネットワークＮ上の各サーバ１０…の最新の負荷情報(CPU負荷率/クライアント接続台数/接続中の各クライアントの表示解像度など)を記録した接続情報(サーバ名/IPアドレスなど)のリストＬｃを、各サーバ１０…に共通接続された管理サーバ１０ＭのＤＢ１０Ｍｄで管理する。 - 特許庁

Since temperature protection of a battery pack 10 can be carried out by means of an N-type FET 15 and a resistor 17, regardless of whether a terminal for temperature protection of the battery pack 10 exists in a battery protection IC 11, implementation of temperature protection of the battery pack 10 is not related to the presence or the absence of a terminal.例文帳に追加

電池保護ＩＣ１１に電池パック１０の温度保護のための端子が存在してもしなくても、Ｎ型ＦＥＴ１５及び抵抗１７によって電池パック１０は温度保護を実施できるので、この端子の存在に電池パック１０の温度保護の実施は関係しない。 - 特許庁