「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(354ページ目) - Weblio英語例文検索

A correction value operation unit 36 registers the difference as a correction value in a memory array 37 associatively with the rotational frequency before the variation and identification information for identifying an air capacity calculation module among 10-1 to 10-N which outputs an air capacity value that the rotational frequency operation unit 21 uses to calculate the rotational frequency.例文帳に追加

補正値演算部３６は、変化前の回転数と、回転数演算部２１が回転数の算出に用いた風量値を出力した風量算出モジュール１０−１〜１０−Ｎを識別する識別情報とに対応付けて、前記差分を補正値としてメモリアレイ３７に登録する。 - 特許庁

The numbering of a micro mirror 62 composing DMD 50 by a natural number S which is consecutive from a start train to the last one is executed for each train in the scanning direction, and the group of the micro mirror 62 is constituted for each line of which the remainder calculated by dividing the number with the designated natural number N of 2 or higher.例文帳に追加

ＤＭＤ５０を構成するマイクロミラー６２を、走査方向の各列ごとに、順に先頭列から最終行まで連続な自然数Ｓで番号付けを行い、この番号を、２以上の所定の自然数Ｎで割った余りが等しい行ごとに、マイクロミラー６２のグループを構成する。 - 特許庁

In a pressure reduction CVD device, an ammonia-family gas and SiCl4 are supplied as a raw material of N and Si, respectively, onto the SiN film formed by allowing an Si substrate to be subjected to thermal nitriding, and a CVD-SiN film is deposited at temperature of 650°C or less and 550°C or more.例文帳に追加

減圧ＣＶＤ装置において、Ｓｉ基板を熱窒化して形成したＳｉＮ膜上に、アンモニア系ガスとＳｉＣｌ_4とを、それぞれＮおよびＳｉの原料として供給し、６５０°Ｃ以下、５５０°Ｃ以上の温度においてＣＶＤ−ＳｉＮ膜を堆積する。 - 特許庁

An error is found in its early stage by conducting an error test by attenuating the input signal from the magnetic head 2 of the disk device (making S/N worse) suitably to each drive by using an attenuator and a fault can be predicted with a sufficient margin before the fault actually occurs.例文帳に追加

ディスク装置の磁気ヘッド２からの入力信号を、減衰器４を使用して各ドライブに最適に減衰（Ｓ／Ｎ比を劣化）させてエラーテストを行うことで、エラーを早期発見し、故障発生状態に至るまでに十分に余裕をもって故障予知を行うことを可能にする。 - 特許庁

This foamed dust-preventing material is constituted by a foamed material, in which the foamed material has characteristics of having 10-90 μm mean cell diameter, 0.1-3.0 N/cm^2 initial repulsive load on compressing by 50% and 0.01-0.10 g/cm^3 apparent density.例文帳に追加

発泡防塵材は、発泡体により構成された防塵材であって、前記発泡体が、平均セル径が１０〜９０μｍ、５０％圧縮した時の対反発荷重が０．１〜３．０Ｎ／ｃｍ^2、見掛け密度が０．０１〜０．１０ｇ／ｃｍ^3の特性を有していることを特徴とする。 - 特許庁

In the method of driving the plasma display panel by which luminescence of sub-fields at prescribed gradations is obtained by employing (n) sustaining pulses, the time from the start of charge recovery of the sustaining pulses to the fixation to a sustaining potential and the time T to the fixation to the ground potential are made variable.例文帳に追加

ｎ個の維持パルスを用いて所定の階調でサブフィールドを発光させるプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、前記維持パルスの電荷回収の開始時点から維持電位へ固定する迄の時間とグランド電位への固定する迄の時間Ｔとを可変することを特徴とする。 - 特許庁

The radiation sensitive resist composition contains a silicon (Si)-containing resin having a velocity of dissolution in an alkali developing solution increased by the action of an acid, a photo-acid generating agent, a solvent and a basic compound having ≥5 repeating units with a specified structure as an average number (n) of repeating units.例文帳に追加

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加するケイ素（Ｓｉ）を含有する樹脂と、光酸発生剤と、溶剤と、特定構造の繰り返し単位を平均繰り返し単位数（ｎ）で５個以上有する塩基性化合物とを含有してなる感放射線性レジスト組成物。 - 特許庁

In the power MOSFET 30, a P base layer 5 is selectively formed on the surface of a semiconductor substrate 1, and an N^+ source layer 6 and a P^+ contact layer 7 as a source of the power MOSFET 30 are formed on the surface of the P base layer 5 of a source region 31a.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ３０では、半導体基板１の表面にPベース層５が選択的に形成され、ソース領域３１ａのPベース層５の表面にパワーＭＯＳＦＥＴ３０のソースとしてのＮ^＋ソース層６及びＰ^＋コンタクト層７が選択的に形成されている。 - 特許庁

When a high level input signal is input to an input terminal IN, during the clock signal to be applied to a clock terminal CKm keeps high level voltage, one end and the end of the current path of the n-channel TFT 51a are conducted, and high level voltage is applied to a node n1.例文帳に追加

クロック端子ＣＫｍに印加されるクロック信号がハイレベルの電圧である間に、入力端子ＩＮにハイレベルの入力信号が入力すると、ｎチャネルＴＦＴ５１ａは電流路の一端と他端が導通し、ノードｎ１にハイレベルの電圧を印加する。 - 特許庁

Also, the ions, having polarity opposite to that of the impurity ions composing an n-type well 4, are implanted to form a first channel region 5a in the edge part of a gate electrode 7p and a second channel region 13, which gives influence only on a shallow region of a p--type semiconductor region 9.例文帳に追加

また、ｎ型ウェル４を構成する不純物イオンとは逆の極性を持つイオンをイオン注入にて打ち込み、ゲート電極７ｐの端部の第１チャネル領域５ａおよびｐ^-型半導体領域９の浅い領域のみに影響を与える第２チャネル領域１３を形成する。 - 特許庁

To provide an image reader which has an S/N ratio improved at the time of color reading in the image reader, which has a black-and-white reading speed improved by a 4 line CCD equipped with a black-and-white reading private line by using a light source of the minimum required luminance for black-and-white reading.例文帳に追加

白黒読取に必要最小限の輝度の光源を用いて白黒読み取り専用ラインを備えた４ラインＣＣＤにより白黒読取速度を向上させた画像読取装置において、カラー読取時にＳ／Ｎ比を向上させる画像読取装置を提供。 - 特許庁

The three-dimensional image display device 10 is equipped with projectors (e1) to (en) arranged in a horizontal direction, a screen 14 that is a display part, and the common lens 19 arranged between them and guiding respective image light beams 22-1 to 22-n from the respective projectors (e1) to (en) to the screen 14.例文帳に追加

３次元画像表示装置１０は、水平方向に配列されたプロジェクタｅ１〜ｅｎと、表示部となるスクリーン１４と、これらの間に配置され、各プロジェクタｅ１〜ｅｎからの各画像光２２−１〜２２−ｎをスクリーン１４に導く共有レンズ１９とを備えている。 - 特許庁

The acrylic resin has at least one pendant group represented by formula (1) [in the formula, X maybe the same or different and is hydrogen or a methyl group; n is an integer of 1-3; R is an alkyl chain which may have a substituent; P is a group expressed by formula (2); and A represents a group formed by removing the OH groups from a diol compound].例文帳に追加

式： ［式中、Ｘは同一または異なって、水素またはメチル基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、Ｒは置換を有してもよいアルキル鎖を示し、Ｐは式：で表わされる基であり、Ａはジオール化合物からＯＨ基を除いたものを表わす。 - 特許庁

In the method for coiling a metal strip 1 for using a belt wrapper 20, the belt tension per unit width of the wrapper belt 3 provided on the belt wrapper is taken as ≥30 N/cm for a 1st period from the contact of the tip part of the metallic strip with the wrapper belt till at least one or more turns are wound around a coiling shaft 2.例文帳に追加

ベルトラッパー20を用いる金属帯１の巻取方法において、前記ベルトラッパーに備わるラッパーベルト３の単位幅当たりのベルト張力を、金属帯先端部がラッパーベルトに接触してから巻軸２に少なくとも１巻きを超えて巻き付くまでの第１期間では30Ｎ/cm 以上とする。 - 特許庁

A so-called visible watermark-embedded image is generated by compositing attached image data with a K(0≤K≤K-1)-th bit plane in a pixel length N of image data (image composition means 31), and compression encoding is applied to the visible watermark-embedded image to generate a compression encoding sequence (encoding means 32).例文帳に追加

付加画像データが画像データの画素長Ｎ中のＫ（０≦Ｋ≦Ｎ−１）番目のビットプレーンに合成されることでいわゆる可視透かし入り画像を生成し（画像合成手段３１）、この可視透かし入り画像を圧縮符号化して圧縮符号列を生成する（符号化手段３２）。 - 特許庁

When a rotator 10 forming plural [(n) pieces of] recessed parts 11 starts rotating by a motor device 19, a first PACHINKO ball (b) to be moved while being held in the recessed part 11 is dropped into one drop hole 6 and next, the second PACHINKO ball is dropped into another drop hole 7.例文帳に追加

モータ装置１９により複数（ｎ個）の凹部１１が形成された回転体１０が回転し始めると、その凹部１１により抱持されて移送されるパチンコ球ｂは一方の落下口６に最初の１個目が落下し、ついで、他方の落下口７に２個目のパチンコ球が落下する。 - 特許庁

When voltage is applied between the m-type regions 8a and the surface electrode 7 by placing the surface electrode 7 on the high-potential side, by the electric field acting on the drift parts 6a, electrons injected from the n-type regions 8a drift in the drift parts 6a and are emitted through the surface electrode 7.例文帳に追加

ｎ形領域８ａと表面電極７との間に表面電極７を高電位側として電圧を印加すると、ドリフト部６ａに作用する電界によりｎ形領域８ａから注入された電子がドリフト部６ａをドリフトし表面電極７を通して放出される。 - 特許庁

The connection body 1 has a space 12a inside a hinge part 12 that is bent for hanging the object N as the hinge part 12 is bent to engage a protruded part 11b on a second part 11 into a through hole 10a in a first part 10.例文帳に追加

連結体１は、ヒンジ部１２を屈曲させて第一部分１０の貫通穴１０ａに第二部分１１の突出部１１ｂをはめ入れた状態において、屈曲されたヒンジ部１２の内方に被吊り下げ対象物Ｎの吊り下げ可能な部分を保持可能な空間１２ａを持つようにしてある。 - 特許庁

A coupler for joining reinforcements: has a sleeve 1 as a main body in a shape of a hollow cylinder made of high-strength cast iron having tensile strength of equal to or larger than 1200 N/mm^2; and joins two pieces of reinforcement 2 of joining objects respectively inserted into the sleeve from both edges thereof with a grout material filled and solidified inside the sleeve.例文帳に追加

引張強度が1200N/mm^2以上の高強度鋳鉄製の中空円筒状のスリーブ１を主体とし、接合対象の鉄筋２をそれぞれスリーブの両端からその内部に挿入し、スリーブ内にグラウト材を充填して硬化せしめて双方の鉄筋どうしを接合する。 - 特許庁

In a band holding mechanism 200 to be used for mounting the high pressure tank T on a vehicle, a tank band 140 having one fixed end is held with a bolt 202, and a magnet 210 and a magnet 212 are faced to each other at the same magnet pole ( N pole, for instance) between a second fixed end 142 and a bolt head of the bolt 202.例文帳に追加

高圧タンクＴの車載に用いるバンド保持機構２００は、一端が固定されたタンクバンド１４０をボルト２０２にて保持した上で、第２固定端１４２とボルト２０２のボルトヘッドとの間に、磁石２１０と磁石２１２とを同じ磁極（例えば、Ｎ極）で向かい合わせている。 - 特許庁

The novel intermediates are to prepare [R-(R^*,R^*)]-N-[3-[1-[5,6-dihydro-4-hydroxy-2-oxo-6-(2-phenylethyl)-6-propyl-2H-pyran-3-yl]propyl]phenyl]-5-(trifluoromethyl)-2-pyridinesulfonamide (XIX) of the figure which is a protease inhibitor useful in treating humans infected with the HIV virus.例文帳に追加

ＨＩＶウイルスに感染したヒトを治療するのに有用な阻害剤である、[Ｒ-(Ｒ^*,Ｒ^*)]-Ｎ-[３-[１-[５,６-ジヒドロ-４-ヒドロキシ-２-オキソ-６-(２-フェニルエチル)-６-プロピル-２Ｈ-ピラン-３-イル]プロピル]フェニル]-５-(トリフルオロメチル)-２-ピリジンスルホンアミド(ＸＩＸ)：(ＸＩＸ)を調製するための新規な中間体。 - 特許庁

A mater station 10 side measures a light-receiving power, when the band assignment of all slave stations 1-n is lost, and successively compares the light-receiving power with a measured light-receiving power, when each slave station is set with the maximum band, so that the slave station in which any abnormality is generated can be specified.例文帳に追加

親局１０側で、全ての子局１〜ｎの帯域割り当てをなくしたときの受光電力を測定し、この受光電力とひとつの子局づつ最大帯域設定したときの測定受光電圧とを順次比較することによって、障害が発生している子局を特定する。 - 特許庁

The system is provided with a duplex main control unit 3 having a main control unit 3a of an acting system (ACT system) and a main control unit 3b of a standby system (SBY system), and a signal control unit (SC)4 in which N+1 redundancy is applied to SC-0 to SC-7 and a backup SC-0.例文帳に追加

運用系（ＡＣＴ系）の主制御装置３ａ、待機系（ＳＢＹ系）の主制装置３ｂを有する２重化された主制御装置３と、ＳＣ−０〜ＳＣ−７とバックアップＳＣ−０のＮ＋１冗長化された信号制御装置（ＳＣ）４とを備える。 - 特許庁

For example, at the time of the acceleration, since a part of the mixed gas enters the upstream part of the branch by the compression and a part of the mixed gas in the upstream part of the branch enters the downstream part of the branch, the EGR ratio R_C(n) of the mixed gas introduced into the cylinder by transfer accompanying the following air intake is changed.例文帳に追加

例えば加速時には、圧縮により混合ガスの一部がブランチ上流に侵入し、ブランチ上流の混合ガスの一部がブランチ下流に侵入するため、その後の吸気に伴う移送により筒内に導入される混合ガスのＥＧＲ率Ｒ_Ｃ（ｎ）が変化する。 - 特許庁

In a power-on-reset device generating a signal at turning on of the power supply of a power source unit, an output means 1 for notifying that the value of a supply voltage VDD has reached a value for operating a P-channel MOS transistor Mp, and an N-channel MOS transistor Mn is provided.例文帳に追加

電源装置の電源立ち上がり時に信号を発生するパワーオンリセット装置において、電源電圧ＶＤＤの値がＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐとＮチャネルＭＯＳトランジスタＭｎが動作可能となる値になったことを知らせる出力手段１を有する。 - 特許庁

Also, while a second signal train comprising the data bit group of two or more digits indicating the rotation amount of a detection object is changed in either increasing or decreasing direction, when the bits of the lower orders are not changed while the N-th bit of the signal train is changed for two or more times, the abnormality is judged.例文帳に追加

また、検出対象の回転量を表す複数桁のデータビット群からなる第２の信号列が増減いずれかの一方向に変化しているときに、この信号列のＮビット目が２回以上変化する間に、それより下位のビットに変化がなければ、異常と判定する。 - 特許庁

Upon reception of a line address signal A<m+n:0>, a determination circuit A performs a coincidence comparison operation between its higher-order address signal A<m+n:m+1> and the higher-order address FA<m+n:m+1> of a defective memory cell stored in a fuse latch group A to determine the selection/nonselection of a spare row block A.例文帳に追加

判定回路Ａは、外部からの行アドレス信号Ａ＜ｍ＋ｎ：０＞を受けると、その上位アドレス信号Ａ＜ｍ＋ｎ：ｍ＋１＞と、ヒューズラッチ群Ａの記憶する不良メモリセルの上位アドレスＦＡ＜ｍ＋ｎ：ｍ＋１＞との一致比較動作を実行して、スペアロウブロックＡの選択／非選択を判定する。 - 特許庁

In this method for synthesizing a compound represented by formula I (R' and R" are each an alkyl, an aryl, an amino or the like; Y is C or N), a compound represented by formula II (R^2 to R^5 are each an alkyl, an aryl or the like) is reacted with a compound represented by formula III (R, R' and Y are each as shown above).例文帳に追加

下記１式の合成において、 （式中Ｒ，Ｒ’，Ｒ”はアルキル，アリール，アミノ等を，ＹはＣまたはＮを表す），下記IIの化合物（Ｒ^2〜Ｒ^5は アルキル，アリール等を表わす）と式IIIの化合物（Ｒ，Ｒ’，Ｙは前記の通り）とを塩基存在下で反応させることを特徴とする。 - 特許庁

In the formulae 1, 2, 3 and 4, Dd is the long diameter of the nucleus, Dt is the maximum height of the nucleus, n is the number of nuclei defined by the formulae 1 and 2 per 1 mm of the continuous dot-like coating stripe flaw and t is the length of the continuous dot-like coating stripe flaw.例文帳に追加

式１ １０μｍ≦Ｄｄ≦３５μｍ式２ ３０ｎｍ≦Ｄｔ≦８００ｎｍ式３ ｎ≧２式４ ｔ≧１０ｍｍＤｄ：核の長径Ｄｔ：核の最大高さｎ：連弾状塗布筋欠点１ｍｍ当たりの、式１及び式２で定義される核の数ｔ：連弾状塗布筋欠点の長さ - 特許庁

To suppress the reduction of the quantity of signals (carrier level) due to the reduction of magneto-optical effect and the lowering of the sensitivity of a photodetector caused by shortening the wavelength of laser light in a magneto-optical recording and reproducing method using violaceous laser light and to consequently suppress the lowering of the carrier to noise ratio (C-N ratio) and the increase of jitter.例文帳に追加

青紫色レーザ光を用いた光磁気記録再生方法による場合のレーザ光の短波長化に伴う磁気光学効果の減少とフォトディテクタ感度の減少による信号量（キャリアレベル）の減少、したがって、キャリアとノイズの比（Ｃ／Ｎ）の低下、ジッタの増加の改善を図る。 - 特許庁

In the case of the power saving standby mode, the CPU is activated by an interruption (S4), the CPU counts the detection of the call signal, waits until the count value becomes a value resulting from subtracting '1' from the preset value N (S6 and S7), when the count value becomes that value, a response is performed and that signal is received (S8).例文帳に追加

低消費電力スタンバイモードの場合は、割り込みでＣＰＵが起動され（Ｓ４）、ＣＰＵは呼出信号の検出を計数し、計数値が予め設定された設定値Ｎから１減算した値になるのを待ち（Ｓ６，７）、なったら応答し受信する（Ｓ８）。 - 特許庁

In the semiconductor laser element of AlGaInP constitution, the Al composition ratio x of a p-type etching stop layer 5 is specified so as to be a<x, b<x and c<x with respect to respective Al composition ratios a, b, c of an n-type clad layer 2, a first p-type clad layer 4 and a second p-type clad layer 6.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子において、ｐ型エッチングストップ層５のＡｌ組成比ｘを、ｎ型クラッド層２，第１のｐ型クラッド層４，及び第２のｐ型クラッド層６それぞれのＡｌ組成比ａ，ｂ，ｃに対して、ａ＜ｘ，ｂ＜ｘ，及びｃ＜ｘとする。 - 特許庁

Consequently, when, for example, a solid-black image G is formed on the second face of the aforementioned A4 size paper with blanks of 4 mm and 15 mm respectively on the lead-edge and trail-edge of the transporting direction, it is possible to form an approximate 5 mm-length white-out portion N in the image G.例文帳に追加

このため、例えば、当該Ａ４サイズの用紙Ｐに、前記搬送方向前端に４ｍｍ，後端に１５ｍｍの余白を空けて黒ベタの画像Ｇを裏面の画像として形成した場合、画像Ｇに約５ｍｍの白抜け部分Ｎが形成される可能性がある。 - 特許庁

When k (0≤k≤n) TS packets are made to pass through, the PID of packets for passing are held in PID-holding registers R-1 to R-k, a switch SW2 is turned OFF; and a switch SW1 is controlled, corresponding to the passing signals of the PID-holding registers R-1 to R-k.例文帳に追加

ｋ（０≦ｋ≦ｎ）個のＴＳパケットを通過させるとき、通過させるパケットのＰＩＤをＰＩＤ保持レジスタＲ−１〜Ｒ−ｋに保持させるとともに、スイッチＳＷ２をＯＦＦにし、ＰＩＤ保持レジスタＲ−１〜Ｒ−ｎの通過信号に応じてスイッチＳＷ１を制御する。 - 特許庁

Here, R^1 to R^4 represent hydrogen atoms, and a direct coupling to spacer group Z^1 or monovalent groups; n represents 1 to 4; A1 represents a hydrogen atom or a specific cross-linking group; however, at least one A^1 in a molecule is a cross-linking group; and E^1 is -O-R^0 or -Ar^2.例文帳に追加

（Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、連結基Ｚ^１への直接結合または１価の基。ｎは１〜４。Ａ^１は、水素原子または特定の架橋基を示す。但し、一分子中において、少なくとも１つのＡ^１は架橋基である。Ｅ^１は、−Ｏ−Ｒ^０または−Ａｒ^２。） - 特許庁

It is found that the end point can surely be determined at timing T_1 when the etching of a polysilicon film 3 of an n-type region 5 is completed, because, when a changing rate b/a of light emitting intensity in Fig.(a) becomes 0.3 or more, a change (b) of light emitting intensity becomes extremely large.例文帳に追加

図７（ａ）に示す発光強度の変化率ｂ／ａが０．３以上となると、発光強度の変化量ｂが非常に大きくなるので、ｎ型領域５のポリシリコン膜３のエッチングが終了した時点Ｔ_１で確実に終点判定を行なうことができることがわかった。 - 特許庁

The compound of the formula I(wherein, n is 0-4; p is 0-4; q is 0-5; and X, Y, Z, R^1, R^2, L^1, L^2, M^1 and M^2 are each as defined in the Specification), or a pharmaceutically acceptable salt or solvate thereof is provided.例文帳に追加

式Ｉの化合物、またはそれらの薬学的に受容可能な塩または溶媒和物であって、式中、ｎは０〜４であり、ｐは０〜４であり、ｑは０〜５であり、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｍ^１、Ｍ^２はそれぞれ明細書中に定義されるとおりである、化合物。 - 特許庁

The adhesive property expression pressure is the minimum pressure at which adhesive power reaches ≥5.0 N/25 mm; wherein the adhesive power is the one measured under the condition of tension speed 300 mm/min on the basis of a 180-degree peeling method in JIS Z0237-2000 after copy paper is superimposed on the pressure-sensitive adhesive layer, and pressing is performed.例文帳に追加

ここで、前記粘着力は、感圧接着剤層にコピー用紙（株式会社リコー製、商品名「マイリサイクルペーパー１００」）を重ね、圧着させた後、ＪＩＳ Ｚ０２３７−２０００の１８０度引き剥がし法に基づき、引張速度３００ｍｍ／分の条件で測定した粘着力である。 - 特許庁

The epoxy resin composition for sealing semiconductors contains an epoxy resin, a curing agent, a cure-accelerator, and the inorganic filler, and it contains a bisphenol A-type epoxy resin as the epoxy resin component and a phenol resin having a structure shown by formula (1) in which m shows an integer of 1-3, and n shows an integer of 1-10, as the curing agent component.例文帳に追加

エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び無機充填材を含有する半導体封止用エポキシ樹脂であって、前記エポキシ樹脂成分としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を、前記硬化剤成分として下記式（１）に示す構造を有するフェノール樹脂 - 特許庁

When return to the point of origin is instructed by the normal operation on a key manipuration part (S1; N), the index table is rotated quickly in the plus direction from the minus side of the On-operating position until the dog switch is turned on (S3), and then is rotated at a low speed to return to the point of origin (S4-S6).例文帳に追加

キー操作部の通常操作により原点復帰が指示されると（Ｓ１；Ｎ）、インデックステーブルをオン動作位置よりも逆方向側からドグスイッチがオン動作するまで正方向に高速回転させ（Ｓ３）、その後低速で回転させて原点復帰させる（Ｓ４〜Ｓ６）。 - 特許庁

The resin film is 0.2-10 μm-thick and is formed from a resin composition having an acid value of 40-90, a urethane group content (in terms of NCO group content) of 12-20 wt.%, an elastic modulus at 100°C of 1,000-60,000 N/cm2, and a flow start temperature of 75-170°C.例文帳に追加

樹脂皮膜を酸価が４０〜９０、ウレタン結合含有量がイソシアネ−ト基（ＮＣＯ）換算で１２〜２０重量％、１００℃における弾性率が１０００〜６００００Ｎ／ｃｍ^2および流動開始温度が７５〜１７０℃である樹脂組成物にして、皮膜厚を０.２〜１０μｍにした。 - 特許庁

When the number N of times wherein the judge values Δy obtained by flaw detection of a predetermined number Cx of times are within a range of an average value La ± Y of them is larger than a predetermined value Nα that is, the same fluctuation is generated in the respective detection values (y), a flaw is judged to be present (steps S8-S17).例文帳に追加

このＣｘ回の探傷により得られる判定値Δｙがこれらの平均値Ｌａ±Ｙの範囲内にある回数Ｎが所定値Ｎαより大きいとき、つまり、各検出値ｙに同様の変動が生じているときに疵であると判断する（ステップＳ８〜Ｓ１７））。 - 特許庁

To provide a method for producing the salt of an amino acid ester and an acid without formation of the by-product of N-alkyl-amino acid ester and an acid that cannot avoid the formation of the by-product through the conventional process in which the amino acid, an acid and an alcohol are brought into contact with one another at once.例文帳に追加

アミノ酸、酸、及びアルコールを一度に接触させる従来の製法ではその副生を避けることができず、しかもその除去が困難である「Ｎ−アルキル−アミノ酸エステルと酸との塩」を副生することなく、アミノ酸エステルと酸との塩を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a means which has a small number of components, is easily assembled and manufactured and can obtain a satisfactory S/N ratio by suppressing the influence of radiation noise from a switching regulator in a radio receiver provided with the switching regulator for providing a power feeding means with stabilization voltage.例文帳に追加

電力供給手段に安定化電圧を得るためのスイッチング・レギュレータが備えられてなるラジオ受信装置において、部品点数が少なく且つ組立・製造が簡便であって、受信手段がスイッチング・レギュレータから輻射ノイズ影響を抑えて良好なＳ／Ｎ比を得ことを目的とする。 - 特許庁

In the drain region 17, an n-type embedded drain 17a whose impurity concentration is lower than the drain region 17 is so formed that the end on the source region 16 side of the drain region 17 extends to the source region 16 side without reaching the surface of semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ドレイン領域１７には、ドレイン領域１７におけるソース領域１６側の端部が半導体基板１１の表面に達することなくソース領域１６側に延びるように、ドレイン領域１７よりも不純物濃度が小さいｎ型の埋込みドレイン部１７ａが形成されている。 - 特許庁