「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(358ページ目) - Weblio英語例文検索

Further the amplifier has a controller that changes the number N of the transistors that are turned ON to control the switching for the switching amplifier, inputs a power value P from the power detector, and sets an output value q and a threshold x of the quantizer in the ΔΣ modulator depending on the power value P.例文帳に追加

スイッチングアンプに対してＯＮとなるトランジスタの数Ｎを変化させてスイッチングを制御し、電力検出器から電力値Ｐを入力し、ΔΣ変調器の量子化器に対して、電力値Ｐに応じた出力値ｑ・閾値ｘを設定する制御部を更に有する。 - 特許庁

If they do not coincide (N at S22), reception of a voice signal at the receiving section is permitted (S23), private feature data is extracted from the voice signal received at the receiving section (S26) and compared with a speaker model stored in the storage section (S27).例文帳に追加

それらが一致しなかった場合（Ｓ２２のＮ）、受信部による音声信号の受信を許可し（Ｓ２３）、受信部により受信した音声信号から個人性特徴データを抽出して（Ｓ２６）、その個人性特徴データと記憶部に記憶されている話者モデルとを比較する（Ｓ２７）。 - 特許庁

The limiter compressor processor 7 performs suppression processing and release processing to voice data from a delay unit 6 to allow processing timing to match an input voice signal (a) by maximum voice level information (r) in the section of a level detector 1, and outputs an output signal (n).例文帳に追加

リミッタ・コンプレッサ処理部７はレベル検出部１の区間内の最大音声レベル情報ｒによって入力音声信号ａに対して処理タイミングを一致させるための遅延器６からの音声データに対して抑圧処理及び開放処理を行い、出力信号ｎを出力する。 - 特許庁

To provide a method for forming a film containing SnO, inexpensively obtaining a high-performance p-type oxide semiconductor film, and eliminating the necessity of separately forming an n-type semiconductor and a p-type semiconductor, to thereby reduce manufacturing costs in manufacturing a complementary element using the oxide semiconductor.例文帳に追加

高性能なｐ型酸化物半導体膜を安価に得られ、また酸化物半導体を用いた相補型素子を作製する際には、ｎ型半導体とｐ型半導体を別々の工程で成膜しなくてもよくコスト低減可能なＳｎＯを含む膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the formula (1), A denotes an alkoxy group; M denotes a metal atom; B denotes a ≤6C alkyl group or a phenyl group; and the sum of m and n may be any natural number if it is the valence of the ≤6C alkyl group or the metal atom M of the phenyl group.例文帳に追加

Ａ_n−Ｍ−Ｂ_m 式（１） （Ａはアルコキシ基を示し、Ｍは金属原子を示し、Ｂは炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基を示す。またｍとｎの和は炭素数６以下のアルキル基またはフェニル基金属原子Ｍの価数であればいずれの自然数でも良い。） - 特許庁

When a rewritable type recording medium and a write-once type recording medium each with a recordable capacity being a prescribed recording capacity or more are loaded to the electronic camera and the residual capacity of the battery is a prescribed capacity or below (N in S215), a write enable flag of the write-once type recording medium is cleared (S210).例文帳に追加

所定の記録容量以上の記録可能容量を有する、リライタブル型記録媒体とライトワンス型記録媒体が装着されているときに、電池の電池残量が所定量以下であったときには（Ｓ２１５がＮ）、ライトワンス型記録媒体書き込み許可フラグをクリアする（Ｓ２１０）。 - 特許庁

This chemiluminescent reagent for assaying the peroxidase is characterized as comprising a buffer solution containing (b) a 2,3-dihydro-1,4- phthalazinedione compound and (c) a chemiluminescence enhancer in a buffer solution at pH 7.0-10.0 prepared by using (a) an amino acid having an N- hydroxyalkyl group.例文帳に追加

Ｎ−ヒドロキシアルキル基を有するアミノ酸（ａ）を用いて調製されたｐＨ７．０〜１０．０の緩衝液に、２，３−ジヒドロ−１，４−フタラジンジオン化合物（ｂ）及び化学発光増強剤（ｃ）を含有させてなる緩衝溶液を含むことを特徴とするペルオキシターゼ測定用化学発光試薬を用いる。 - 特許庁

A valve actuator 40 is provided with a rotor 42 arranged with permanent magnets 42b, 42c of N pole and S pole as well as a rotary shaft 41 which rotates integrally with it, and a first coil 47 and a second coil 48 generating magnetic field in a first direction and a second direction to yokes 43-45.例文帳に追加

バルブアクチュエータ４０は、回転軸４１と一体的に回転するとともにＮ極及びＳ極の永久磁石４２ｂ，４２ｃを配設した回転子４２と、ヨーク４３〜４５に第１方向及び第２方向の磁界を発生する第１コイル４７及び第２コイル４８とを備える。 - 特許庁

Upon detecting the reference and dating of the cache region, the corresponding block of the cache data storage device 102 is specified, and data n times the length of data to be referred to and updated is transferred in blocks between a region outside the cache region and the cache data storage device or between the cache data storage devices.例文帳に追加

キャッシュ領域の参照、更新を検出した時点でキャッシュデータ記憶装置１０２の対応するブロックを特定し、参照、更新するデータ長のｎ倍のデータをキャッシュ領域外の領域とキャッシュデータ記憶装置との間、または、キャッシュデータ記憶装置間でブロック単位にデータ転送する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating n-type group XIII nitride semiconductor having a high resistance value without substantial change of crystal structure with irradiation of light from external side and also provide a surface light-emitting laser and a method for fabricating a current pinching structure in surface light-emitting laser.例文帳に追加

外部からの光照射によって結晶構造を実質的に変化させることなく高抵抗化することが可能となるｎ型の１３族窒化物半導体の製造方法、面発光レーザ、面発光レーザにおける電流狭窄構造の製造方法等を提供する。 - 特許庁

An addition unit 50 computes the total of digital values output from the AD conversion unit 40 according to the amount of the electric charges generated by two photodiodes PD_1 and PD_2 included in each pixel part P_m, n of the photodetection unit 10 and outputs a digital value of the total.例文帳に追加

加算部５０において、受光部１０の各画素部Ｐ_ｍ,ｎについて、該画素部に含まれる２個のフォトダイオードＰＤ_１，ＰＤ_２それぞれで発生した電荷の量に応じてＡＤ変換部４０から出力されるデジタル値の総和が演算され、その総和値であるデジタル値が出力される。 - 特許庁

In moving the carriage to the capping position, the printer repeats operations of dropping an input current amount I to the motor to an initial value Ikeep, every time a position coordinate P(n) of the carriage increases by one and then gradually increasing the current I from the initial value, thereby moving the carriage at a minimum speed.例文帳に追加

また、キャリッジをキャッピング位置に移動させる際には、キャリッジの位置座標Ｐ（ｎ）が１増える度、モータへの入力電流量Ｉを初期値Ｉｋｅｅｐに落とし、その後、電流Ｉを初期値から徐々に上げる動作を繰り返すことにより、キャリッジを微小速度で移動させる。 - 特許庁

In the additive camera-shake correction, which forms a composite image with less influence by camera shake by aligning two or more divided-exposure images and for additive synthesis, N divided-exposure images, more than the number of sheets necessary for additive synthesis, are continuously photographed.例文帳に追加

複数の分割露光画像を位置合わせして加算合成することにより手ぶれの影響が抑制された１枚の合成画像を生成する加算式手ぶれ補正処理において、加算合成に必要な枚数以上のＮ枚の分割露光画像を連続撮影する。 - 特許庁

In the diode, a semiconductor substrate and one surface are set to (111) crystal surface, an angle being formed by the horizontal surface of one surface of the semiconductor substrate and a surface where the pn junction between p- and n+-type semiconductor regions is exposed is set to 75 degrees or more and less than 90 degrees.例文帳に追加

半導体基体と一方表面は（１１１）結晶面であって、その半導体基体の一方表面の水平面と、ｐ型半導体領域とｎ^+ 型半導体領域とのｐｎ接合が露出する面とのなす角が、７５度以上，９０度未満であるダイオード。 - 特許庁

Idling currents and a current drive to a push-pull circuit 3 are controlled, by changing threshold voltages of the transistor Q17 and Q18 by utilizing substrate bias effects with changes in the voltages applied to the N-well and P-well.例文帳に追加

ＮウェルおよびＰウェルに印加する電圧を変化させることにより、基板バイアス効果を利用して、Ｎｃｈ−ＭＯＳトランジスタＱ１７およびＰｃｈ−ＭＯＳトランジスタＱ１８のスレッシュホールド電圧を変化させることで、プッシュプル回路３に流れるアイドリング電流や電流駆動能力を制御する。 - 特許庁

An n-type light-transmitting buffer layer 140 pn-joined to the optical absorption layer 130 is stacked and formed on a p-type conductive optical absorption layer 130 by the compound in a chalcopyrite structure stacked over a pair of back electrode layers 120 on the surface of a glass substrate 110.例文帳に追加

ガラス基板１１０面上の対をなす裏面電極層１２０に亘って積層したカルコパイライト構造化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層形成する。 - 特許庁

By using the curable resin composition having ≥0.6 power-law exponent at ≥10^3 s^-1 shear rate, deterioration in the distribution of discharge flow amounts attributed to non-uniformity of a slit can be suppressed.例文帳に追加

τ＝μ×Ｄ …（Ｉａ） μ＝η×Ｄ^（n-1） …（Ｉｂ）（ただし、τ：ずり応力 μ：粘度 η：定数 Ｄ：ずり速度 ｎ：べき乗指数） ずり速度が１０^３以上におけるべき乗指数が０．６以上であるような硬化性樹脂組成物であれば、スリットの不均一に起因した吐出流量の分布劣化を抑制し得る。 - 特許庁

To provide a moving image noise cancellation apparatus, moving regional image cancellation apparatus, moving image noise cancellation program and moving regional image noise cancellation program, in which even from a moving image signal of a low S/N, noise can be canceled with accuracy.例文帳に追加

信号対雑音比が低い動画像信号であっても、精度良く雑音を除去することが可能な動画像雑音除去装置、動領域画像雑音除去装置、動画像雑音除去プログラム及び動領域画像雑音除去プログラムを提供することを目的とする。 - 特許庁

In the semiconductor laser, having an InGaAlAs active layer using an InP substrate, an n-type clad layer making direct contact with the active layer is made of InP or InGaAsP, and a p-type optical waveguide layer making direct contact with the active layer is made of an InGaAlAs or an InAlAs.例文帳に追加

ＩｎＰ基板を用いたＩｎＧａＡｌＡｓ系活性層を有する半導体レーザにおいて、活性層に直接接するｎ−クラッド層をＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰとし、活性層に直接接するｐ−光ガイド層をＩｎＧａＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＡｓとする。 - 特許庁

An n-type well layer 21 for relaxing an electric field is formed deeper than the trench 14 under the channel formation region 10 and the offset layer 20 in the separated region Z1, and, what is more, so as to be joined to the channel formation region 10 while covering the lower end of the trench 14.例文帳に追加

ｎ型の電界緩和用ウエル層２１が、素子間分離された領域Ｚ１においてチャネル形成領域１０およびオフセット層２０の下にトレンチ１４よりも深く、かつ、チャネル形成領域１０につながるとともにトレンチ１４の下端を覆うように形成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing a(n) (environmentally friendly) brewed liquor with which active ingredients in a raw material can thoroughly and effectively be utilized and considerations for the environment are taken by minimizing a large amount of residues discharged from each step of crushing, pressing and filtering and reducing wastes.例文帳に追加

原料の有効成分をあますことなく有効に利用することを可能とすると共に、破砕・圧搾・濾過の各工程から出ていた大量の残渣を極力少なくし廃棄物を減らすことにより環境に配慮した（環境にやさしい）醸造酒の製造方法を提供する。 - 特許庁

First spacers are respectively inserted between wafers consisting of a p-type thermoelectric material and wafers consisting of an n-type thermoelectric material, which are alternately arranged, and joined with each other to form a thermoelectric material laminate and then thermoelectric material laminate is cut out in a direction rectangular to the lamination direction at prescribed intervals.例文帳に追加

交互に配置されたｐ型熱電材料のウエハ及びｎ型熱電材料のウエハの間に第１のスペーサを挿入して相互に接合して熱電材料積層体とした後、この熱電材料積層体を所定の間隔で積層方向に直交する方向に切断する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion module is provided with p-type thermoelectric conversion element bodies (11) and n-type thermoelectric conversion element bodies (12), which are mutudly connected in series through electrode members (13 and 14), and at the same time, arranged to face each other so as to constitute a high-temperature side first flat surface and a low-temperature side second flat surface.例文帳に追加

熱電変換モジュールは、高温側の第１の平面と低温側の第２の平面を構成するように電極部材(13、14)により互いに直列に接続されかつ相互に対抗して配置されるｐ型熱電変換素子本体(11)およびｎ型熱電変換素子本体(12)を備える。 - 特許庁

The steel cord 20, in its load-elongation curve, have a low elasticity area Y1 from the origin to inflection point P and a high elasticity area Y2 that extends beyond the inflection point P, while the elongation of the inflection point P falls within a range of 1.2 to 6.1%, with the elongation of 2 to 7% at the time of 90 N loading.例文帳に追加

前記スチールコード２０は、その荷重−伸び曲線において、原点から変曲点Ｐに至る低弾性域Ｙ１と該変曲点Ｐを越える高弾性域Ｙ２とを有し、かつ前記変曲点Ｐが伸び１．２〜６．１％の範囲にあり、しかも９０Ｎ荷重時の伸びを２〜７％とした。 - 特許庁

In the formula (1), Y is a single bond or bivalent linking group; R^1 and R^2 are each independently H, alkyl, aryl, halogen, or alkoxy; a and b are each independently an integer of 0-4; and n is the average polymerization degree and is an integer of 2-100.例文帳に追加

（一般式１中、Ｙは単結合または２価基の連結基を表し、Ｒ^1及びＲ^2は、各々独立に水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン基又はアルコキシ基を表す。ａ及びｂは、各々独立に０〜４の整数を表す。また、ｎは平均重合度であり、２〜１００の整数である。） - 特許庁

In the formula, n represents an integer of 1-7; R independently represents a substituent; m and o each independently represent an integer of 0-2; X independently represents any one of sulfur atom; oxygen atom and NR_1, Y_1 independently represents a substituent; and L_a represents a coupling group.例文帳に追加

（ｎは１から７の整数を表す。Ｒはそれぞれ独立に置換基を表す。ｍ及びｏはそれぞれ独立に０〜２の整数を表す。Ｘはそれぞれ独立に硫黄原子、酸素原子、ＮＲ^１のいずれかを表す。Ｙ_１はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｌ_ａは連結基を表す。） - 特許庁

The radiography system 100 is formed by connecting the radiograph detector 2 reading electric signals acquired in a flat detector 24 and acquiring radiograph information on a subject S to an image display device 6 displaying the radiograph of the subject S via a network N.例文帳に追加

平面検出器２４に蓄積された電気信号を読み出して被写体Ｓの放射線画像情報を取得する放射線画像検出装置２と、被写体Ｓの放射線画像を表示する画像表示装置６とがネットワークＮを介して接続された放射線撮影システム１００である。 - 特許庁

In this manufacturing method, a liquid impurity material source 2 composed of mixed material of aluminum, boron and organic solvent is spread on the surface of an N-type semiconductor substrate 1 and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, the organic solvent is vaporized, and a layer containing aluminum and boron is formed.例文帳に追加

アルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ形半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

To provide a display device that comprises a scanning line drive circuit including either an N-channel transistor or P-channel transistor, in which the power consumption is reduced when an inversion signal or an approximately inverted signal of one of two types of scanning lines is output to the other.例文帳に追加

Ｎチャネル型トランジスタ及びＰチャネル型トランジスタのいずれか一方によって構成される走査線駆動回路を有する表示装置において、２種の走査線の一方に対して他方の反転信号又は略反転信号を出力する場合における消費電力を低減する。 - 特許庁

The signal processing unit 40 amplifies or attenuates at least one of the first and second audio signals, to make the non-desired component N included in both audio signals coincident and erases the non-desired wave component by means of addition or subtraction to extract the desired wave component.例文帳に追加

信号処理部４０は、第１及び第２の音声信号の少なくとも一方を増幅又は減衰させて両者に含まれる非希望波成分Ｎを一致させ、加算又は減算することによって非希望波成分を消去して希望波成分を抽出する。 - 特許庁

The method of inhibiting the formation of a biofilm in a circulating water system comprises continuously compounding a slurry or liquid brominated hydantoin with a diluted solution of ammonium sulfate with water at an atomic number ratio of Br to N of 1:0.2 to 1:2 and injecting the resulting compound into the circulating water system immediately after compounding.例文帳に追加

スラリー状又は液状の臭素化ヒダントインと硫酸アンモニウムの水希釈液とを、Ｂｒ：Ｎの原子数比が１：０．２〜１：２で連続的に配合し、配合後直ちに循環水系に注入することを特徴とする循環水系のバイオフィルムの形成抑制方法。 - 特許庁

The terminal section 2 acquires adjustment items of an image display section 1 from the image display section 1 and builds up an adjustment menu (S202) where acquired adjustment items are added in the case that the acquired adjustment items of the image display section include the adjustment items other than the adjustment items of its own device (S201-N).例文帳に追加

端末部２は、画像表示部１より当該画像表示部の調整項目を取得し、取得した画像表示部の調整項目に自装置の調整項目以外の調整項目がある場合（Ｓ２０１−Ｎ）には、取得した調整項目を追加した調整メニューを構築する（Ｓ２０２）。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a clad layer 2, a guide layer 3, an MQW active layer 4, a guide layer 5, a first clad layer 6, an etching stopping layer 7, and a stripe-like second clad layer 8 are successively formed on an n-type GaAs substrate 1, and current blocking layers 9 are formed on both sides of the second clad layer 8.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１上にクラッド層２、ガイド層３、ＭＱＷ活性層４、ガイド層５、第一のクラッド層６、エッチングストップ層７、ストライプ状の第二クラッド層８を順次形成しており、第二のクラッド層８の両側に電流ブロック層９を有している。 - 特許庁

In a power-on-reset device generating a signal at the time of the power rise of a power source unit, an output means 1 notifies that a value of a power voltage VDD has reached to a sufficient value for operating a P-channel MOS transistor Mp and an N-channel MOS transistor Mn.例文帳に追加

電源装置の電源立ち上がり時に信号を発生するパワーオンリセット装置において、電源電圧ＶＤＤの値がＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐとＮチャネルＭＯＳトランジスタＭｎが動作可能となる値になったことを知らせる出力手段１を有する。 - 特許庁

N-type diffusion layers 36a and 36b serving as sources are provided in the P-type diffusion layers 34a and 34b respectively, and parts of P-type diffusion layer regions 34a and 34b located between the well diffusion layer 32 and the source diffusion regions 36a and 36b are made to serve as channel regions 38a and 38b.例文帳に追加

各Ｐ型拡散層３４ａ，３４ｂ内にはそれぞれソースとなるＮ型拡散層３６ａ，３６ｂが形成され、ウエル拡散層３２とそれぞれのソース拡散層３６ａ，３６ｂの間のＰ型拡散層領域３４ａ，３４ｂがチャネル領域３８ａ，３８ｂとなっている。 - 特許庁

The method comprises a step of determining a probability density function P1(x) of displacement x of transistor characteristics generated by application of a single charge, and a step of determining a design margin M to be taken into consideration in circuit design based on the P1(x) and appearance probability of the number n of charges to be applied.例文帳に追加

単一の電荷が付加されることにより生じるトランジスタ特性の変位ｘの確率密度関数Ｐ１（ｘ）を決定する工程と、Ｐ１（ｘ）と、付加される電荷の個数ｎの出現確率と、を元に回路設計上想定すべき設計余裕Ｍを決定する工程と、を備える。 - 特許庁

The permanent magnet 36 is attached to a rotor 14 existing at a reference position in a state where the magnet 36 is positioned immediately under the rotor 14 at a distance r from the center of the rotation C of the rotor 14 and the axial line of the magnet 36 connecting the N and S poles of the magnet 36 to each other is directed toward the center of the rotation C.例文帳に追加

永久磁石３６は、基準位置にあるロータ１４の回転中心Ｃから距離ｒだけ離隔した、ロータ１４の真下に位置し、永久磁石３６のＮ極とＳ極を結ぶ軸線６８がロータ１４の回転中心Ｃを向くようにロータ１４に取付けられている。 - 特許庁

A sodium-sulfur battery (NAS battery) 3 is connected between the DC output buses P, N of a converter 2 and power generated from an AC motor 5 is recovered by an inverter 5 in order to charge the NAS battery 3.例文帳に追加

本発明の特徴とするところは、順変換装置２の直流出力母線Ｐ、Ｎ間にナトリウム硫黄電池（ＮＡＳ電池）３を接続し、交流電動機５の発生電力を逆変換装置５により回生する電力をＮＡＳ電池３に充電させるようにしたことにある。 - 特許庁

The position detection part 51 determines that the detected member 21 is located at the neutral position (N) irrespective of an on-signal and an off-signal output from the sixth detection element (N1) 46 in a case where a seventh detection element (N2) 47 on an outer edge corner Cb side of the corner part C outputs an on-signal.例文帳に追加

位置検出部５１は、角部Ｃの外縁角Ｃｂ側の第７検出素子（Ｎ２）４７がオン信号を出力する場合は、第６検出素子（Ｎ１）４６が出力するオン信号およびオフ信号にかかわらず、ニュートラルポジション（Ｎ）に被検出部材２１が位置する状態と判定する。 - 特許庁

When the number of utterances stored and managed for each word of the example sentence R reaches a predetermined value (e.g., 3), a message screen M showing whether the word is registered or not (Y/N) as vocabulary notebook data is displayed, and the word is registered in the vocabulary notebook only by operating a "Y" key.例文帳に追加

そして、当該例文Ｒの単語毎に記憶管理される発音回数が所定の回数（例えば３回）になると、該当の単語について単語帳データとして登録するか否か［Ｙ／Ｎ］のメッセージ画面Ｍが表示され、［Ｙ］キーの１キー操作で単語帳登録できる。 - 特許庁

An ultimate permutation device is detected (S200) at the time of inserting a hard disk or at the time of initializing a file system and when the ultimate permutation device is a file system which does not use the AU management table (N of S202), the table is reconfigured (S204) in order to maintain the consistence of the AU management table.例文帳に追加

ハードディスク挿入時またはファイルシステム初期化時に、最終変更装置を検出し（Ｓ２００）、最終変更装置がＡＵ管理テーブルを使用しないファイルシステムであった場合に（Ｓ２０２のＮ）、ＡＵ管理テーブルの整合性を保つために、テーブルを再構成する（Ｓ２０４）。 - 特許庁

The fixing device 6 is provided with a pair of fixing members 2 (2a and 2b) which nip, carry and fix a recording material 1 on which an unfixed image is carried and a nip attitude varying mechanism 3 which freely slantingly caries an attitude (nip attitude) in the lengthwise direction of a fixing nip area N between fixing members 2.例文帳に追加

未定着画像が担持された記録材１をニップ搬送して定着する対構成の定着部材２（２ａ，２ｂ）と、定着部材２間の定着ニップ域Ｎの長手方向に沿う姿勢（ニップ姿勢）を傾動自在に変動させるニップ姿勢変動機構３とを備える。 - 特許庁

When the three conditions of VSP<7 km/h, APO<0, and Ne<700 rpm (or during braking of the vehicle) are satisfied, it is determined that a driver wants to stop the vehicle, and the R or D range command (running command range) of the selection range command Sr is ignored and an N range command is forcibly output in S8.例文帳に追加

VSP<７km/h、APO<０、Ne< 700rpm（または制動中）であることの３条件が揃った時をもって、運転者が車両の停止を希望していると判定し、Ｓ８において、選択レンジ指令Sr がR,Dレンジ指令（走行レンジ指令）であるのを無視して強制的にＮレンジ指令を出力する。 - 特許庁

In the cylindrical shaft 12 which constitutes the outer shell of the stator of a cylindrical linear motor, a large number of the permanent magnets 13 are accommodated with S-poles and N-poles of the adjacent permanent magnets 13 mutually opposed with each other, holding a spacer member 18 for adjusting the magnetic pole pitch between.例文帳に追加

円筒型リニアモータの固定子１０の外殻を構成する円筒状のシャフト１２内には、多数の永久磁石１３が、隣接する永久磁石１３のＳ極どうし、Ｎ極どうしが磁極ピッチ調整用のスペーサ部材１８を挟んで対向するように収納されている。 - 特許庁

In the electron source 10, electron affinity and a work function of an electron emission section 48 can be sufficiently reduced since a projection section 56 made of a n-type diamond semiconductor as a conductive type is arranged on the electron emission section 48, and a sufficient amount of emitted electrons can be obtained.例文帳に追加

電子源１０では、導電型がｎ型のダイヤモンド半導体からなる突起部５６を電子放出部４８に設けていることから、電子放出部４８の電子親和力及び仕事関数を十分に低減させることができ、十分な量の電子放出が得られる。 - 特許庁