「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(359ページ目) - Weblio英語例文検索

The method comprises the following process: A Boc-converting agent is reacted with 2-bromoethylamine or its salt in a water-miscible solvent in the presence of sodium hydroxide followed by adding water as cystallization solvent and seed crystal to the resultant reaction solution to deposit the crystal of the objective N-(2-bromoethyl)carbamic acid tert-butyl ester.例文帳に追加

２−ブロモエチルアミン又はその塩とＢｏｃ化剤を水溶性溶媒中で水酸化ナトリウムの存在下に反応させ、反応溶液に晶析溶媒としての水及び種結晶を添加することによりＮ−（２−ブロモエチル）カルバミン酸ｔｅｒｔ−ブチルの結晶を析出させることを特徴とするＮ−（２−ブロモエチル）カルバミン酸ｔｅｒｔ−ブチルの製造方法。 - 特許庁

There is provided a manufacturing process for oxidized chitosan, which comprises dissolving or swelling chitosan in an aqueous acidic solution, neutralizing the resultant solution to obtain a chitosan solution, and oxidatively treating the chitosan solution to selectively oxidize carbon at 6-position in the pyranose ring of N-acetylglucosamine or glucosamine, which is a constituent monosaccharide of chitosan, to convert it to a carboxy group or a salt thereof.例文帳に追加

キトサンを酸性水溶液に溶解又は膨潤させた後、中和して得られるキトサン溶液を、酸化処理し、キトサンの構成単糖であるＮ−アセチルグルコサミン、またはグルコサミンのピラノース環中、６位炭素を選択的に酸化しカルボキシル基又はその塩類に変換することを特徴とするキトサンの製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To prevent the formation of solid materials in a vacuum pump or a vacuum line of a purification process or recovery process to perform vacuum distillation in a conventional process to produce aziridines or N-vinyl amides from alkanolamines or alkanol amides and composed of a reaction step, a collection step, a purification step and a recovery step.例文帳に追加

反応工程、捕集工程、精製工程および回収工程からなる一般に知られている方法により、アルカノールアミンまたはアルカノールアミドから、それぞれ、アジリジン類またはＮ−ビニルアミド類を製造するにあたり、減圧蒸留を行う精製工程および回収工程における真空ポンプや真空ラインなどの内部での固形物の生成を防止する。 - 特許庁

A switch circuit SW1 is provided in a MRAM containing, for example, a TMR element Rij and an N channel MOS transistor Mij to apply either the reference voltage VrefN or the burn-in test reference voltage VrefB larger than the reference voltage VrefN to a memory element.例文帳に追加

例えばＴＭＲ素子ＲｉｊおよびＮチャネルＭＯＳトランジスタＭｉｊをメモリ素子として含むＭＲＡＭの場合において、参照電圧ＶｒｅｆＮをメモリ素子に印加するか、あるいは、参照電圧ＶｒｅｆＮよりも大きな値のバーンインテスト用参照電圧ＶｒｅｆＢをメモリ素子に印加するかを切り換えることが可能な切り換え回路ＳＷ１を設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The control gate electrode 6 is formed in the laminated structure of an n-type polysilicon film 21a and a p-type polysilicon film 19a, and the p-type polysilicon film 19a is formed in the region sandwiched by the adjacent floating gate electrodes 4 to fill the region lower than the location at least on the principal front surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

そのコントロールゲート電極６は、ｎ型ポリシリコン膜２１ａとｐ型ポリシリコン膜１９ａとの積層構造とされ、ｐ型ポリシリコン膜１９ａは、隣接するフローティングゲート電極４によって挟まれた領域において、少なくとも半導体基板１の主表面の位置から下方の領域を充填するように形成されている。 - 特許庁

After a first-conductivity impurity is injected into the whole surface of a first-conductivity semiconductor substrate 201, a first-conductivity diffusing layer 200 and second-conductivity wells 202 and 203 higher in concentration that the substrate 201 are formed in a desired area by selectively injecting n-type dopants, such as the P, As, etc., into the area.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板２０１全面に半導体基板と同一導電型の不純物を注入した後、所望領域に、選択的に、Ｐ、Ａｓ等のＮ型ド−パンを注入し、熱拡散により半導体基板２０１より高濃度の第１導電型拡散層２００と第２導電型ｗｅｌｌ２０２，２０３を形成する。 - 特許庁

To accelerate an operation from the time when a clock signal becomes an H level until an output signal is outputted from an output terminal by reducing the number of serial connection stages of MIS transistors each of n type for receiving a clock input signal and a data input signal in a flip-flop circuit for capturing data during a period of a shorter pulse width in comparison with a clock period.例文帳に追加

クロック周期に比べ短いパルス幅の期間にデータ取り込みを行うフリップフロップ回路において、クロック入力信号及びデータ入力信号を受ける各ｎ型ＭＩＳトランジスタの直列接続段数を少なくして、クロック信号がＨレベルになってから出力端子から出力信号が出力されるまでの動作の高速化を図る。 - 特許庁

Each complementary converters 12-1 to 12-N provided in each control signal generating circuit 4a, 5a, 6a, converts each signal outputted from the local buffer amplifiers 11-1 to 11-3 with AND gate to its complementary signal and outputs it to each control signal generator 13 in each control signal generating circuits 4a, 5a, 6a.例文帳に追加

各相補変換器１２−１乃至１２−Ｎは各制御信号発生回路４ａ，５ａ，６ａ内に設けられ、アンドゲート付きローカルバッファアンプ１１−１乃至１１−３から出力される各信号をその相補信号に変換して各制御信号発生回路４ａ，５ａ，６ａ内の各制御信号発生器１３に出力する。 - 特許庁

To provide a low-cost, highly safe method for producing chromium in which the high vapor pressure characteristic of chromium is utilized in the production of high purity chromium where the gas components can remarkably be reduced from crude chromium comprising a large amount of gas components such as O, C, N and S, and Si, and to provide high purity chromium obtained thereby.例文帳に追加

本発明はＯ、Ｃ、Ｎ、Ｓ等のガス成分及びＳｉを多量に含有する粗クロムから、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度クロムの製造に際し、クロム特有の蒸気圧が高いことを利用するとともに、低コストでかつ安全性が高いクロムの製造方法並びにこれによって得られた高純度クロムを提供する。 - 特許庁

The concealed image or concealed information authentication method and authentication system are characterized in that an imaging apparatus images the concealed image having sensitivity to absorption or reflection in a predetermined wavelength area for n times (once or more), predetermined image correction processing is applied to image information acquired by imaging and authenticity of the acquired image is authenticated.例文帳に追加

所定の波長領域における吸収又は反射に対する感度を有する隠蔽画像を、撮像装置でｎ回（１回以上）撮像し、撮像によって取得した画像情報に対して所定の画像補正処理を行い、取得した画像の真正を認証する隠蔽画像又は隠蔽情報の認証方法及びその認証システムを提供する。 - 特許庁

In an on-chip inductor formed by metal wiring on a semiconductor substrate, the inductor is formed by the series connection of n turns of round wiring, and bypass wiring connecting the different round wiring is provided so as to reduce impedance difference in an input output end, thereby replacing the wiring order of inductor rounds as appropriate.例文帳に追加

半導体基板上の金属配線で形成されたオンチップインダクタにおいて、インダクタは巻数ｎの周回配線の直列接続で形成され、入出力端におけるインピーダンス差が小さくなるように、異なる周回配線同士を接続する迂回配線を設けて、インダクタ周回の配線順序が適宜入れ替わるようにする。 - 特許庁

In addition to n-type impurity regions 33b and 33c functioning as a channel forming region 33a and a source region or a drain region, a semiconductor layer 33 has an impurity region 33d where boron is added below the channel forming region 33a, i.e., in the vicinity of the surface of the channel forming region 33a on the side touching an insulating layer 32.例文帳に追加

半導体層３３は、チャネル形成領域３３ａとソース領域又はドレイン領域として機能するｎ型を示す不純物領域３３ｂ、３３ｃとに加えて、チャネル形成領域３３ａの下方、ここではチャネル形成領域３３ａの絶縁層３２と接する側の表面付近にボロンが添加された不純物領域３３ｄを有している。 - 特許庁

The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer.例文帳に追加

本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

A prescribed number of target data are extracted in accordance with data referring to one of the data stored n the DBs 17A, 17B and a condition value inputted from an input part 18, the prescribed number of target data is ectracted for every prescribed number of reference data and stored in an extraction table 19 and the stored data are outputted and printed out by an information embodiment device or the like.例文帳に追加

その内から一を基準としたデータと入力部１８から入力される条件値とに応じて所定数の対象データを抽出するもので、所定数の基準データ毎に所定数の対象データを抽出して抽出一覧テーブル１９に格納して出力し、情報具現装置２０で印字等を行う構成とする。 - 特許庁

As for the inkjet printer with a nozzle check function 1, when middle reliability and low reliability are set as reliability of nozzle check, nozzle check is not performed basically during consecutive label printing for a plurality of labels, but counted number N of passing times in consecutive printing exceeds first and second passing-time thresholds N1 and N2, interruption for nozzle check is performed even in the middle of printing.例文帳に追加

ノズルチェック機能付きインクジェットプリンタ１では、ノズルチェックの信頼度として中間信頼度、低信頼度が設定されている場合には、基本的に、複数枚の連続ラベル印刷中にノズルチェックが行われないが、連続印刷のカウントパス数Ｎが第１、第２パス閾値Ｎ１、Ｎ２を超えると、印刷途中であってもノズルチェックの割り込みが掛かる。 - 特許庁

In this vegetable transplanter for transferring seedlings N for two rows taken out from a seedling tray 22 on a seedling placing stand 21 to a pair of right and left seedling planting tines 25 and planting them in a field, the right and left seedling planting tines 25 are inclined symmetrically with respect to a planting row and the planting position of right and left seedling planting tines 25 are made coincident with a single planting row.例文帳に追加

苗載台（２１）の苗トレイ（２２）から取出される２条分の苗（Ｎ）を左右一対の苗植付爪（２５）に受継いで圃場に植付けるようにした野菜移植機において、左右の苗植付爪（２５）を植付条に対し左右対称に傾斜させて、左右苗植付爪（２５）の植付位置を単一の植付条に一致させる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 10 has the columnar crystal structure 13 having an n-type layer 13a, a light emitting layer 13b, and a p-type layer 13c laminated in order on a substrate 11, and the columnar crystal structure 13 is smaller in diameter atop than nearby the substrate 11, and has an insulating film 14 covering a surface of the columnar crystal structure 13.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、基板１１上にｎ型層１３ａ、発光層１３ｂ、ｐ型層１３ｃの順番で積層された柱状結晶構造体１３を有し、柱状結晶構造体１３は、基板１１近傍より先端の径が細く、かつ柱状結晶構造体１３の表面を覆う絶縁膜１４を有してなる。 - 特許庁

The problem is solved by a combined agent including (a) N-{5-[4-(4-methyl-piperazino-methyl)-benzoylamido]-2-methylphenyl}-4-(3-pyridyl)-2-pyrimidine-amine and (b) in particular, a chemotherapeutic agent selected from among specific antineoplastic agents and agents effective in treating acute or chronic transplant rejection.例文帳に追加

（ａ）Ｎ−｛５−［４−（４−メチル−ピペラジノ−メチル）−ベンゾイルアミド］−２−メチルフェニル｝−４−（３−ピリジル）−２−ピリミジン−アミンおよび（ｂ）とりわけ本明細書に定義された抗腫瘍剤および急性もしくは慢性の移植拒絶反応の治療に有効な薬剤から選択される化学療法剤とを含んでなる併用剤により、該課題は解決される。 - 特許庁

This automatic transmission controller 10 for controlling transmission processing of an automatic transmission 11 equipped with a transmission mechanism 13 includes a reverse-rotational driving force generating part for generating temporarily the reverse-rotational driving force corresponding to the R range used in the output shaft 18, after a shift operation from a D range to an N range in the automatic transmission 11.例文帳に追加

変速機構１３を備えた自動変速装置１１の変速処理を制御する自動変速機制御装置１０は、自動変速装置１１におけるＤレンジからＮレンジへのシフト操作の後、一時的に、出力軸１８に作用するＲレンジ相当の逆回転駆動力を発生させる逆回転駆動力発生部を有する。 - 特許庁

In the method for producing an episulfide compound represented by formula (1), wherein m is an integer of 0-4 and n is an integer of 0-2, the episulfide compound is obtained by performing thioepoxydation of an epoxy compound in the presence of a reaction solvent including toluene and toluene having a content of impurities of high boiling point of 0.10 mass% or less is used as the toluene.例文帳に追加

エポキシ化合物を、トルエンを含む反応溶媒の存在下にチオエポキシ化してエピスルフィド化合物を得るエピスルフィド化合物の製造方法において、トルエンとして、高沸点不純物の含有量が０．１０質量％以下であるトルエンを用いることを特徴とする、下記（１）式で表されるエピスルフィド化合物の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the light receiving element array 1 having a plurality of light receiving regions 21, includes the steps of: growing the light receiving layer 7 on an n-type InP substrate 3; growing an InP window layer on the light receiving layer 7; and diffusing a p-type impurity in regions, in the window layer 11, corresponding to the plurality of light receiving regions 21.例文帳に追加

複数の受光領域２１を備える受光素子アレイ１を製造する方法であって、ｎ型ＩｎＰ基板３上に受光層７を成長させる工程と、受光層７上にＩｎＰ窓層１１を成長させる工程と、窓層１１における複数の受光領域２１に相当する領域にｐ型不純物を拡散させる工程とを含む。 - 特許庁

Next, such a control is performed that the high-precision variable voltage source is connected in series by the series/parallel switching relay to output a voltage, and the voltage resulting from connecting the high-precision variable voltage source in series by the series/parallel switching relay is output from a voltage output terminal, and a voltage resulting from accurately increasing the voltage of the reference voltage source N times is output.例文帳に追加

次に、直列・並列切替リレーにより高精度可変電圧源を直列接続して電圧を出力する制御を行い、電圧出力端子から、直列・並列切替リレーにより高精度可変電圧源が直列接続された電圧を出力して、参照用電圧源の電圧が正確にＮ倍された電圧を出力する。 - 特許庁

The substrate for the solar cell roughened in at least one surface is obtained by exposing the substrate in which a thin film containing at least one kind of organic compounds having N-F coupling is entirely or partially formed on at least one surface to light from the thin film side and then removing the thin film together with residue between the thin film and the substrate.例文帳に追加

Ｎ−Ｆ結合を有する有機化合物を少なくとも１種含む薄膜が、少なくとも片面の全面又は部分的に形成された基板を、前記薄膜側から露光し、その後、前記薄膜を、前記薄膜と基板との間の残渣とともに除去して得られる、少なくとも片面が粗面化された太陽電池用基板。 - 特許庁

A CPU 11 operates a switching power supply 20 in a PWM fixed operation mode with a fixed pulse cycle by giving an instruction via a control signal, in operation modes requiring a high S/N such as a still image capture operation mode (shutter half-pressed, shutter fully pressed), a moving image recording operation mode (under recording), and a REC (recording) through operation mode with high sensitivity being set (non-recording).例文帳に追加

ＣＰＵ１１は、静止画キャプチャ動作モード（シャッタ半押し、シャッタ全押し）、動画記録動作モード（記録中）、高感度に設定したＲＥＣ（記録）スルー動作モード（非記録）など、高Ｓ／Ｎを必要とする動作モードでは、パルス周期が固定のＰＷＭ固定動作モードでスイッチング電源２０を動作させるべく制御信号により指示する。 - 特許庁

The process for producing silicon comprises introducing a halogenated silicon gas expressed by formula (1): SiH_nX_4-n in a fluidized bed reactor in which aluminum powder is fluidized, and reducing the halogenated silicon gas with the aluminum powder at a reaction temperature lower than the melting point of aluminum.例文帳に追加

アルミニウム粉末を流動化させた流動層反応器に下記一般式（１）で表されるハロゲン化珪素ガスを供給し、アルミニウムの融点未満の反応温度において、アルミニウム粉末によりハロゲン化珪素を還元してシリコンを製造する方法であって、表面にシリコンを析出させるための部材を前記流動層反応器内に設置するシリコンの製造方法。 - 特許庁

In addition, a third insulator film 11 that is thinner and stable is formed as a result of thermal oxidation of a surface of the light receiving portion 5, a p-type impurity ion is injected in a surface portion of the light receiving portion 5 of an n-type semiconductor substrate 1 through this third insulator film 11 that is thin and stable, and a high-concentration surface p+ layer is formed.例文帳に追加

さらに、受光部５の表面を熱酸化して膜厚が薄く安定した第３の絶縁膜１１を成膜し、この膜厚が薄く安定した第３の絶縁膜１１を通してｎ型半導体基板１の受光部５の表面部にｐ型不純物イオンの注入が為されて高濃度表面ｐ＋層を形成する。 - 特許庁

To provide a terminal, a center, programs, and a recording medium for linking data by connecting terminals located multiple stores to the center through a network for the purpose of matching database located in the head office with those located in stores at night to maintain consistency between one database and n databases.例文帳に追加

本発明は、複数の店舗内に配置した端末をネットワークを介してセンタに接続してデータ連携を行うデータ連携用の端末、センタ、プログラム、および記録媒体に関し、データベースを本部および店舗に配置し、夜間などに本部および店舗におけるデータベースを整合させ、１対ｎのデータベースの整合性を保たせることを目的とする。 - 特許庁

A polymerizable monomer is subjected to chemical oxidative polymerization in a polymerization medium in which poly-N-vinyl acetamide (PNVA) is present, to obtain an antistatic material which improves electric conductivity of a conductive composition obtained after evaporation of the polymer medium and has excellent adhesiveness because the PNVA acts as a binder.例文帳に追加

ポリ−Ｎ−ビニルアセトアミド（ＰＮＶＡ）が共存する重合媒体中で重合性モノマーを化学的酸化重合することにより、重合媒体を揮散させたあとに得られる導電性組成物の電気伝導度を向上させ、かつＰＮＶＡがバインダとして作用するために密着性に優れた帯電防止材料を得ることができる。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element provided with a semiconductor layer, a charge transport layer, and counter electrodes on a conductive support body, the semiconductor layer has oxide semiconductor particles having absorbed dyes dispersed in a p-type semiconductor polymer compound, and the semiconductor layer contains an n-type semiconductor compound.例文帳に追加

導電性支持体上に、半導体層、電荷輸送層及び対向電極を有する光電変換素子において、前記半導体層は、色素を吸着した酸化物半導体粒子がｐ型半導体高分子化合物中に分散されており、かつ前記半導体層はｎ型半導体化合物を含有することを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

A solid-state image pickup device 2 comprises a plurality of photoelectric transducer elements 106 which are arranged in proximity to each other on a silicon semiconductor substrate 104, with each photoelectric transducer element 106 comprising a p-type region 115 and an n-type region 116 which are locally deposited in layers on the surface of the semiconductor substrate 104.例文帳に追加

固体撮像素子２は、シリコンから成る半導体基板１０４上に相互に近接して配列された複数の光電変換素子１０６を備え、各光電変換素子１０６は半導体基板１０４の表面部に局所的に積層されたｐ型領域１１５およびｎ型領域１１６を含んで構成されている。 - 特許庁

The apparatus comprises a memory element 302 including a certain part 302a for storing information indicating which set of the possible characters entered as push-button commands is in use, and character set tables 302b-n for selectively associating certain characters with each key on the basis of the information in the part 302a.例文帳に追加

この装置は記憶装置を有し、この記憶装置は、押しボタン指令として入力され得る記号のどの集合が使用されているかを示す情報を記憶するための部分（３０２ａ）と、前記部分（３０２ａ）の情報に基づいて各キーに選択的に一定の記号を関連させるための記号集合テーブル（３０２ｂ−ｎ）とを包含する。 - 特許庁

The silicon photovoltaic device 10 having a metal oxide transparent electrode layer 2, a crystalline p-type semiconductor layer 3, a microcrystal photoelectric conversion layer 4 intrinsical substantially, a crystalline n-type semiconductor layer 5, and a rear surface electrode layer 6 contacting in order on a translucent substrate 1 is thermally treated in the atmosphere with oxygen partial pressure of ≤133 Pa.例文帳に追加

透光性基板１上に、金属酸化物透明電極層２、結晶質ｐ型半導体層３、実質的に真性な微結晶型光電変換層４、結晶質ｎ型半導体層５及び裏面電極層６が順に接するシリコン光起電力素子１０において、酸素分圧１３３Ｐａ以下の雰囲気中で熱処理されている。 - 特許庁

The thermoelectric conversion unit 1 in which a plurality of P type thermoelectric elements 11p and a plurality of N type thermoelectric elements 11n are connected electrically and alternately by an upper electrode 7 and a lower electrode 8 provided with thin planar bases 15 and 17 and pin-like members 16 and 18 extending in the vertical direction therefrom.例文帳に追加

複数のＰ型熱電素子１１ｐおよび複数のＮ型熱電素子１１ｎを、薄板状のベース部１５および１７と、そこから垂直方向に延びたピン状の部材１６および１８とをそれぞれ備えた上側電極７および下側電極８により交互に電気的に直列に接続した熱電変換ユニット１を提供する。 - 特許庁

As an example, two magnets of different number of poles are superposed in the air gap direction and an offset portion where one polarity of N and the other polarity of S exist in the air gap direction is replaced by a flux barrier thus decreasing the magnet of one polarity.例文帳に追加

具体的な一例としては、異なる磁極数の２つの磁石をエアギャップ方向に重ね合わせて配置した場合にし、該異なる磁極数の２つの磁石を重ね合わせることで一方の磁極のＮ極および他方の磁極のＳ極がエアギャップ方向に存在して相殺される部分をフラックスバリアに置き換え、一方の磁極の磁石を減少させて構成する。 - 特許庁

Between an n-type InGaP layer 7 acting as an emitter layer of the HBT and a GaAs layer 8 formed on the layer 7, a highly doped charge compensation layer 11 is formed, thereby restraining an increase of a base current due to a depletion phenomenon of carrier in an interface and preventing a decrease of a current amplification factor in a low collector current of the HBT.例文帳に追加

ＨＢＴのエミッタ層として働くｎ型ＩｎＧａＰ層７とその上に形成されるＧａＡｓ層８の間に、高ドープ層である電荷補償層１１を形成することでその界面におけるキャリアの空乏化の現象によるベース電流の増加を抑制し、ＨＢＴの低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防ぐようにした。 - 特許庁

In this color signal processor 401, a color variation judgment device 201 judges whether or not an input signal satisfies a condition by which appears to vary by re-sampling from a color difference signal n of the digital video signal input in an input terminal 405 and a signal r re-sampled by a re-sampling means 407 to output a control signal o.例文帳に追加

色信号処理装置４０１において、入力端子４０５に入力されたディジタル映像信号の色差信号ｎと、リサンプリング手段４０７がリサンプリングした信号ｒとから、入力信号がリサンプリングによって変化したように見える条件を満たしているかを色変化判定装置２０１が判定し、制御信号ｏを出力する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the carbon nanotube sensor, the work functions of the semiconductor carbon nanotube material 2 and a metal are respectively measured under a measuring gas atmosphere and compared with the work function of the metal corresponding to a p-type or an n-type to select the semiconductor carbon nanotube material 2 large or small in work function and the semiconductor carbon nanotube material 2 is crosslinked between the metal electrodes.例文帳に追加

また、その製造方法は、半導体カーボンナノチューブ材料２と金属の仕事関数を測定ガス雰囲気下でそれぞれ測定し、ｐ型又はｎ型に応じて金属の仕事関数と比較して仕事関数の大きな又は小さな半導体カーボンナノチューブ材料２を選び、この金属電極間に架橋することを特徴とする。 - 特許庁

The glass sheet for the vehicle with the combiner for the HUD is formed with the increase reflection film as the combiner in the prescribed region on the principal surface of windshield glass for the vehicle in which the increase reflection film consists of a metal oxide having the refractive index n of 1.75 to 2.4 and the physical film thickness d of 90 to 130 nm.例文帳に追加

車両用ウインドシールドガラスの主表面の所定の領域に増反射膜を形成しコンバイナーとしたＨＵＤ用コンバイナー付き車両用ガラス板において、前記増反射膜は、屈折率ｎが１．７５〜２．４で物理膜厚ｄが９０〜１３０ｎｍである金属酸化物からなることを特徴とするＨＵＤ用コンバイナー付き車両用ガラス板である。 - 特許庁

Each of the neutral particle beam generating mechanisms 50 comprises a micro-plasma generator 51 for generating a micro plasm in a plasma region P inside of a hole 40, and an ion take-out 52 for taking out ions 102 in a micro plasma to a neutralization region N, and a neutralizer 53 for generating neutral particle beams 104 by neutralizing the extracted ions 102.例文帳に追加

各中性粒子ビーム生成機構５０は、孔４０の内部のプラズマ領域Ｐにマイクロプラズマを発生させるマイクロプラズマ生成部５１と、マイクロプラズマ中のイオン１０２を中性化領域Ｎに引き出すイオン引出部５２と、引き出されたイオン１０２を中性化して中性粒子ビーム１０４を生成する中性化部５３とを有している。 - 特許庁

Thus skip reproduction of compressed video and sound data of one frame for every several frames corresponding to the n-fold speed and normal reproduction of compressed video and sound data of the required number of frames are consecutively performed to realize not extreme frame skip playback like in a conventional system but frame skip reproduction giving continuity in some degree to reproduced frames, so that the user can recognize consecution.例文帳に追加

これにより、ｎ倍速に対応する数フレーム毎に１フレームの圧縮映像音声データの飛び越し再生と、所要フレーム数の圧縮映像音声データの通常再生とを連続して行い、従来のような極端なコマ飛ばし再生ではなく、ある程度連続性のあるコマ飛ばし再生を実現し、前後のつながりの把握を可能にする。 - 特許庁

AIN layer/GaN layer/AIN layer three-layered structure in the atomic layer order is generated on an n-type GaN layer having C surface of a nitrogen atom surface on its surface, and thereby an enormous internal electric field by spontaneous polarization or piezopolarization generated in the quantum structure is used, and the electric field emitting electron emitting element drastically reducing a work function is obtained.例文帳に追加

表面が窒素原子面のＣ面を有するｎ型ＧａＮ層上へ原子層オーダーのＡｌＮ層／ＧａＮ層／ＡｌＮ層３層構造を成長させることにより、この量子構造に生じる自発分極やピエゾ分極による巨大な内部電界を利用し、電子の仕事関数を大幅に低減した電界放出電子放出素子を実現する。 - 特許庁

This wide area protection control measurement system includes: N power monitoring terminals 1 mounted on electric-supply stations in a target range; one electrical quantity integrating device 3 connected with the power monitoring terminals 1 through a communication network 2; and M applied operation devices 4 connected with each equipment in the electrical quantity integrating device 3.例文帳に追加

広域保護制御計測システムは、対象範囲内の電気所に設置されたＮ台の電力監視端末１と、これらの電力監視端末１と通信ネットワーク２を介して接続される１台の電気量集約装置３と、この電気量集約装置３と装置間接続されるＭ台の応用演算装置４から構成される。 - 特許庁

This composite fabric prepared by laminating and bending a polyurethane film to a fiber base fabric through a polyurethane adhesive is characterized in that a peel strength between the base fabric and the film in the composite fabric is ≥3 N/inch and the detection amount of an organic tin compound is ≤0.05 ppm, when the fabric is measured by a method defined by DIN 38407-13.例文帳に追加

繊維基布に、ポリウレタン接着剤を介して、ポリウレタンフィルムを接着積層させてなる複合布帛であって、該複合布帛における基布とフィルムとの剥離強力が３Ｎ／インチ以上であり、且つ該布帛をＤＩＮ３８４０７−１３に規定される方法に従って測定した際の有機スズの検出量が０．０５ｐｐｍ以下である。 - 特許庁

In each node N1-N4 constituting the delivery system in which direct delivery of contents C1-C4 to be delivered is performed between nodes N through a network, one or more contents are recorded, and an evaluation value having a value based on at least a delivery request number is generated and stored for each of the content C1-C4.例文帳に追加

配信されるべきコンテンツＣ１乃至Ｃ４が、ネットワークを介してノードＮ間で相互に直接授受される配信システムを構成する各ノードＮ１乃至Ｎ４において、コンテンツを一又は複数記録し、少なくとも配信要求数に基づいた値を有する評価値を、各コンテンツＣ１乃至Ｃ４について生成して記憶する。 - 特許庁