「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(363ページ目) - Weblio英語例文検索

Each of the N image supply devices includes: a second display part for displaying an image including a first display area SS for displaying display content of the first display part in synchronization with the first display part; and a content selecting part for selecting display contents W1 and W2 to be displayed in the first display part among a plurality of contents held by the image supply devices according to user operation.例文帳に追加

Ｎ個の画像供給装置は、それぞれに、第１の表示部の表示内容を第１の表示部と同期して表示する第１の表示領域を含む画像を表示する第２の表示部と、利用者の操作に従って、画像供給装置自身が保持する複数のコンテンツの中から第１の表示部に表示すべき表示コンテンツを選択するコンテンツ選択部と、を備える。 - 特許庁

The sub-electric current i flowing from the distal end 26a of the sub-electrode 26 to the first plate member 51 raises the potential of a part surrounding the weld part 50a, suppresses an ineffective branching current flowing in the first plate member 51 from the welding electrode 16, the welding current is made to flow concentratedly on a welding energization route X, and a nugget N is efficiently formed in the junction (a).例文帳に追加

サブ電極２６の先端２６ａから第１板部材５１に流れるサブ電流ｉによって溶接部を５０ａを囲む部分の電位が高められ、溶接電極１６から第１板部材５１を流れる無効分流が抑制されて、溶接通電経路Ｘに集中して溶接電流が流れ、接合点ａに効率的にナゲットＮが形成される。 - 特許庁

The amine functional copolymer exhibits Gardner index of 3 or less for its 10 wt.% aqueous solution determined according to ASTM D1544 and can be prepared by hydrolysis of N-vinylcarboxyamide copolymer in the presence of an acidic or a basic catalyst in an aqueous medium with a dissolved salt.例文帳に追加

１０重量％水溶液のＡＳＴＭ Ｄ１５４４に従って測定したガードナー指数が３以下のアミン官能性共重合体、このような共重合体はＮ−ビニルカルボン酸アミド共重合体を酸又は塩基触媒存在下に加水分解してアミン官能性共重合体を製造する方法において、塩を溶解した水性媒体中で加水分解を行うことにより得ることができる。 - 特許庁

In this case, conductive wires 201-203 are connected to an n-side electrode and p-side electrode on the upper surface of the light emitting element, and an electrode on an upper surface of the protection element, between a conductive member 132 on a first area 111 or a conductive member 133 on a second area 112 on upper surfaces of steps higher than those in its neighborhood.例文帳に追加

この場合、発光素子の上面のｎ側電極、ｐ側電極および保護素子の上面の電極に対して、その近傍でそれより高い段部の上面における第１の領域１１１上の導電部材１３２または第２の領域１１２上の導電部材１３３との間でそれぞれ導電性ワイヤ２０１〜２０３がボンディング接続されている。 - 特許庁

After switching the automatic transmission mechanism to the neutral state N from the drive state D in the initial stage of the engine automatic stopping control, fuel supply is stopped (t1), and when the restarting condition is realized in the automatic stopping control (t7), automatic restarting control is started by restoring the fuel supply and ignition even before completely stopping the engine (t4).例文帳に追加

エンジン自動停止制御の初期段階で自動変速機構をドライブ状態Ｄからニュートラル状態Ｎに切替えてから、燃料供給を停止する（ｔ１）とともに、自動停止制御中に再始動条件が成立したときは（ｔ７）、エンジンが完全に停止する（ｔ４）前であっても燃料供給と点火を復帰させて自動再始動制御を開始する。 - 特許庁

This abnormality detecting method for the fuel cell is such that measured voltage V of cell voltage detected every n cells in a fuel cell stack is compared with the reference voltage VR selected so as to satisfy the following inequality, and when the measured voltage V is lowered than the reference voltage VR it is determined that the abnormality is produced in the cell of the fuel cell stack.例文帳に追加

燃料電池スタックにおいてセルｎ枚毎にセル電圧を検出した実測電圧Ｖと下記の不等式を満たすように選定した監視基準電圧Ｖ_Rとを比較し、実測電圧Ｖが監視基準電圧Ｖ_Rを下回った場合に、該燃料電池スタックに属するセルに異常が発生したものと判断することを特徴とする燃料電池セル異常検出方法。 - 特許庁

The wireless communication terminal 10, in which a plurality of area information items 14-1 to 14-n are pre-installed, includes a control unit 15 which can select any area information by displaying the plurality of area information items on a display unit 13 in initial activation and erases the area information other than the selected area information when any area information is selected by a user.例文帳に追加

複数の地域情報１４−１〜１４−ｎがプレインストールされた無線通信端末１０であって、初期起動時に前記複数の地域情報を表示部１３に表示して地域情報を選択可能とし、使用者により何れかの地域情報が選択されると、選択された地域情報以外の地域情報を消去する制御部１５を備える。 - 特許庁

To provide an automobile part having excellent sound-proofing property and vibration-proofing property, capable of sufficiently reducing NVH (N:"Noise", V:"Vibration" and H:"Harshness") propagated to a residence space in a cabin in the automobile by solid propagation and air propagation and improving the sound-proofing property and the vibration-proofing property of the automobile.例文帳に追加

固体伝播や空気伝播により自動車車内の居住空間に伝播するＮＶＨ（Ｎ：「Ｎｏｉｓｅ（騒音）」、Ｖ：「Ｖｉｂｒａｔｉｏｎ（振動）」及びＨ：「Ｈａｒｓｈｎｅｓｓ（ごつごつした感じ）」）を充分に低減させることができ、自動車の防音性及び制振性を改善することできる優れた防音性及び制振性を有する自動車用部品を提供する。 - 特許庁

As polymerizable compounds, the radiation curing inkjet ink composition includes an allyl compound and/or an N-vinyl compound, and a dendritic polymer prepared by adding a polyvalent mercapto compound to a carbon-carbon double bond in the β position as to a carbonyl group in a part of (meth)acrylate groups of a polyfunctional (meth)acrylate compound represented by a general formula (1).例文帳に追加

本発明の放射線硬化型インクジェットインク組成物は、重合性化合物として、アリル化合物及び／又はＮ−ビニル化合物と、下記、一般式（１）、で示される多官能（メタ）アクリレート化合物の（メタ）アクリレート基の一部につき、当該基中のカルボニル基に関してβ位において炭素−炭素二重結合に、多価メルカプト化合物を付加させてなる樹枝状ポリマーと、を含んでなる。 - 特許庁

At least one kind of olefin and hydrogen peroxide or a compound that can form hydrogen peroxide under the reaction conditions are allowed to react with each other in the presence of a catalyst comprising a titanium silicalite that is ion-exchange treated or exchanged with metal cation (Mn+) in an amount of 0.01-1 wt.% based on the whole weight on the catalyst, and thereby the objective epoxide is produced.例文帳に追加

少なくとも一種類のオレフィンと、過酸化水素もしくは反応条件下で過酸化水素を生成することのできる化合物とを、触媒上に全重量の０．０１〜１重量％の量で存在している金属カチオン（Ｍ^n+）でイオン交換処理された（交換された）チタン・シリカライトからなる触媒の存在下で反応させることによってエポキシドを製造する方法。 - 特許庁

This blooming stopper 170 secures a region as a readout gate, where signal charges flow from the photosensor 13 to the vertical CCD transfer register 12 in a region above the blooming stopper 170, and stops signal charges overflowed at the deep part of the N layer 131 of the photosensor 13 from leaking to the side of the vertical CCD transfer register 12 in the area blow it.例文帳に追加

このようなブルーミングストッパ部１７０により、その上層領域では、フォトセンサ１３から垂直ＣＣＤ転送レジスタ１２に信号電荷が流れる読み出しゲート部としての領域を確保するとともに、その下層領域においてはフォトセンサ１３のＮ層１３１の深部で溢れた信号電荷が垂直ＣＣＤ転送レジスタ１２側に漏洩するのを阻止する。 - 特許庁

The method for the recombinant production of FAD-dependent glucose dehydrogenase originated from Aspergillus oryzae with Escherichia coli includes: expressing, in the Escherichia coli, a gene encoding a variant type FAD-dependent glucose dehydrogenase obtained by deleting a part of the amino acid sequence of MLFSLAFLSALSLATASPAGRA existing in the N-terminal region of the amino acid sequence of wild type FAD-dependent glucose dehydrogenase from the amino acid sequence.例文帳に追加

アスペルギルス・オリゼ由来のＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼを大腸菌で組換え生産する方法であって、野生型ＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼのアミノ酸配列からそのＮ末端領域に存在するＭＬＦＳＬＡＦＬＳＡＬＳＬＡＴＡＳＰＡＧＲＡのアミノ酸配列の一部を削除した変異型ＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼをコードする遺伝子を大腸菌で発現させることを特徴とする方法。 - 特許庁

Image information set up to a batch transmission mode through a transmission mode setting key (S5: YES) is stored in a transmission information memory together with its transmission address (S11) and connection with an Internet provider is not executed until the transmission information stored in the memory reaches the prescribed number(n) of batch transmission matters (S11: NO).例文帳に追加

送信モード設定キー５２を介して一括送信モードに設定された画像情報は（Ｓ５：ＹＥＳ）、送信宛先とともに送信情報メモリ４２内に保留・記憶され（Ｓ１１）、送信情報メモリ４２内に保留・記憶された送信情報が所定の一括送信件数ｎに達するまでインターネット・プロバイダ６０との接続が実行しない構成とした（Ｓ１１：ＮＯ）。 - 特許庁

The epoxy resin composition is obtained by using a new phenol-based resin as a curing agent having an alkoxyphenol in phenol resin skeleton as shown in formula (1) (R is methyl group or ethyl group; X is hydrogen atom or methyl group; (n) is an integer of 0-3; (m) is an integer of 1-5) and a narrow molecular weight distribution.例文帳に追加

成分（Ａ）として次の一般式（１）<chemistry num="1"> </chemistry>（式中、Ｒはメチル基またはエチル基を表し、Ｘは水素原子またはメチル基を表す。また、ｎは０〜３の整数を表し、ｍは１〜５の整数を表す。）に示すように、フェノール樹脂骨格内にアルコキシフェノールを有し、かつ、分子量分布が狭い新規フェノール系樹脂を硬化剤として用いることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

A field sequential driving means drives the active element by row in each of six sub-frames corresponding to each color of RGB per frame, and from the first row to the n-th row successively, drives the active element only for a time necessary for charging to align the ferroelectric liquid crystal in a desired state with respect to each capacitor provided on each pixel on each row.例文帳に追加

また、フィールドシーケンシャル駆動手段は、１フレームあたりＲＧＢの各色に対応する六つのサブフレームの各々において、アクティブ素子を行単位で駆動し、各行の各画素に設けられたコンデンサに対して強誘電性液晶を所望の配向状態とする電荷を充電するのに必要な時間だけアクティブ素子を駆動する制御を第１行から第ｎ行まで順次行う。 - 特許庁

The meristematic tissues of Sandersonia are cultured in a culture medium to which a substance that binds to tubulin to inhibit the tubulin from polymerizing to the microtubules, for example, dinitroaniline substance, or a spindle fiber formation inhibitor that inhibits the work in the microtubule formation center that controls the polymerization of tubulin, for example, a N-phenyl carbonate, is added whereby the chromosomes of the Sandersonia is doubled.例文帳に追加

ジニトロアニリン系物質等のようにチューブリンに結合して微小管へのチューブリンの重合を妨げたり、あるいはＮ−フェニルカーバメート系物質等のようにチューブリンの重合を制御している微小管形成中心の働きを妨害する紡錘糸形成阻害剤を添加した培地で、サンダーソニアの分裂組織を培養することによってサンダーソニア染色体を倍加する方法。 - 特許庁

A gate electrode is of a laminated structure, and the semiconductor device with high reliability is realized, by independently preparing a TFT (a n-channel TFT) having a lightly-doped region that is superimposed on the gate electrode via a gate insulating film, and a TFT (TFT in a pixel part) that does not overlap with the gate electrode in each circuit.例文帳に追加

ゲート電極を積層構造とし、それぞれの回路においてゲート絶縁膜を介してゲート電極と重なる低濃度不純物領域を有するＴＦＴ（駆動回路におけるｎチャネル型ＴＦＴ）とゲート電極と重ならない低濃度不純物領域を有するＴＦＴ（画素部におけるＴＦＴ）とを作りわけることにより、信頼性の高い半導体装置を実現する。 - 特許庁

Mobile stations conduct communications with each other in the radio communication method and the radio communication system where a reception frequency f0(k) following a received signal is stored as past reception frequency data, the stored reception frequency data and the oscillated frequency value are averaged in the case of setting a transmission frequency and the averaged frequency f0(m) is set as the transmission frequency.例文帳に追加

移動局間で無線通信を行う無線通信方法及び無線通信システムであって、受信信号に追従させた受信周波数ｆ_０(k)を過去の受信周波数データとして記憶し、送信周波数設定の際には記憶した受信周波数データと発信周波数の値とを平均化し、その平均化した周波数ｆ_０(n)を送信周波数に設定するものである。 - 特許庁

The emitter-coupled logic circuit 118 includes a current switch which is composed of an emitter-coupled pair of bipolar transistors 106 and 107, the n-type MOS transistor 110 for a current generator which is connected in series with the current switch and resistor means 108 and 109 which are respectively connected in series with the bipolar transistor 106 and 107 for taking out an output voltage.例文帳に追加

エミッタ結合型論理回路１１８は、エミッタ結合された一対のバイポーラトランジスタ１０６及び１０７により構成されたカレントスイッチと、カレントスイッチと直列接続する定電流源用ｎ型ＭＯＳトランジスタ１１０と、バイポーラトランジスタ１０６、１０７のそれぞれと直列接続され出力電圧を取り出すための抵抗手段１０８及び１０９とを含む。 - 特許庁

Further, the semiconductor integrated circuit shown in Fig. has logic gates (G1, G2) using transistors such that either of a p-type MOS transistor and an n-type transistor has high threshold characteristics, so the transistor having the high threshold characteristics is selectively inserted into a signal path of either of signals (rising and falling) of two phases propagated in the circuit.例文帳に追加

また、図１に示す半導体集積回路は、ｐ型ＭＯＳトランジスタまたはｎ型トランジスタの一方に高しきい値特性のトランジスタを用いた論理ゲート（Ｇ１，Ｇ２）を有するため、回路を伝播する２相の信号（立ち上がりおよび立ち下り）のうちの何れか一方の信号経路に高しきい値特性のトランジスタを選択的に挿入することが可能になる。 - 特許庁

The floating gate type electric field effect transistor Tr has a source 13 and a drain 14 formed in a P type well provided in the N type well of a P type semiconductor board 10, a floating gate 16 formed through a tunnel oxidation film 15 between the sources 13 and the drains 14, and a control gate 18 formed through an interlayer insulation film 17 on the floating gate 16.例文帳に追加

浮遊ゲート型電界効果トランジスタＴｒは、Ｐ型半導体基板１０のＮ型ウエル内に設けられたＰ型ウエル内に形成されたソース１３，ドレイン１４と、ソース１３，ドレイン１４間上にトンネル酸化膜１５を介して形成された浮遊ゲート１６と、浮遊ゲート１６上に層間絶縁膜１７を介して形成された制御ゲート１８とを有する。 - 特許庁

The analyzing sample liquid, where a very small amount of the object to be analyzed is dissolved n the organic solvent is housed in a Kuderna-Danish concentration tube, and this Kuderna-Danish concentration tube in which the sample liquid is housed is subjected to a vacuum centrifugal concentration treatment for centrifugally concentrating the sample liquid under vacuum for making the analyzing sample liquid concentrated.例文帳に追加

本発明は、有機溶媒中に微量の分析対象物が溶存している分析試料液を、クデルナ−ダニッシュ濃縮管内に収容し、試料液が収容されたクデルナ−ダニッシュ濃縮管を、減圧しながら遠心することによって試料液の濃縮を行う減圧遠心濃縮処理にかけることを特徴とする分析試料液の濃縮方法に関する。 - 特許庁

The recorder applies scene sequence photographing to new image signals obtained by encoding picked-up image signals and records the signals onto a recording medium on which the encoded image signals are recorded on n×m/2 tracks per one frame together with attached information cyclicly recorded in the unit of m(m is an integer of 2 or over) tracks, and conducts scene sequence photographing in the unit of two frames.例文帳に追加

記録装置は、ｍ本（ｍは２以上の整数）のトラックを単位として循環的に記録された付加情報と共に、符号化された画像信号が１フレームにつきｎ×ｍ／２本のトラックに記録されている記録媒体に対し、撮像された画像信号を符号化して得た新たな画像信号をつなぎ撮りする装置であって、２フレームを単位としてつなぎ撮りを行う構成とした。 - 特許庁

The semiconductor element comprises second nitride semiconductor layers 31 containing no In between an active layer 12 and an n-type clad layer 25 and between a p-type clad layer 30 and the active layer 12 and first In-containing nitride semiconductor layers 32 between the first nitride semiconductor layers and the active layer, and the active layer composed of quantum wells has two well layers.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２５、ｐ型クラッド層３０と活性層１２との間に、Ｉｎを含まない窒化物半導体からなる第２の窒化物半導体層３１、さらに第１の窒化物半導体層と活性層との間にＩｎを含む窒化物半導体からなる第１の窒化物半導体層３２とをそれぞれ有し、さらに量子井戸からなる活性層の井戸層数を２とする。 - 特許庁

In such a case, the interference reduction apparatus 10 calculates a phasing channel estimate αi by averaging a pilot included in a received signal, calculates average power n^2 of noise from variance of pilot symbols, calculates average power I^2 of entire interference from the entire receiving power and the average power of the noise, and calculates the MIXR coefficient rij from these values.例文帳に追加

この際、干渉低減装置１０は、フェージングチャネル推定値αｉを、受信信号に含まれるパイロットを平均することにより算出し、雑音の平均電力ｎ^２をパイロットシンボルの分散から算出し、全干渉の平均電力Ｉ^２を全受信電力と雑音の平均電力とから算出し、これらの値からＭＩＸＲ係数ｒｉｊを算出する。 - 特許庁

This laminate 1 is composed of the nonwoven fabric 2 made of polypropylene and a polypropylene resin layer 3 and characterized in that the tensile elastic modulus in the MD direction of the polypropylene resin layer 3 is 200 MPa or above and the mutual seal strength of the propylene resin layers 3, when the propylene resin layers 3 are mutually heat-sealed, is 8 N/15 mm or above.例文帳に追加

ポリプロピレン系不織布２とポリプロピレン系樹脂層３からなる積層体であって、前記ポリプロピレン系樹脂層３のＭＤ方向の引張弾性率が２００ＭＰａ以上であって、かつ、前記ポリプロピレン系樹脂層３同士をヒートシールした場合における当該ポリプロピレン系樹脂層３同士のシール強度が８Ｎ／１５ｍｍ以上であることを特徴とする積層体１。 - 特許庁

M/100) from sectional area S (mm2) per band cord and its 2% modulus M (N/mm2); T is coefficient (%) of extension of band cord in tire in natural condition without rim assembly; and E is driven number of band cords per width 1 cm of ply).例文帳に追加

Ｔ＞０．８ … ０≦Ｋ＋６．６７Ｔ−２１．７ … ０≦４５−１０Ｔ−Ｋ … ０≦１０６．８−５７．５Ｔ−Ｋ … ７≦Ｅ≦１３ … Ｋは、バンドコードの１本当たりの断面積Ｓ（mm^2 ）とその２％モジュラスＭ（Ｎ／mm^2 ）とから（Ｓ・Ｍ／１００）で得られる伸び抗力値（Ｎ）、Ｔは、リム組みしていない自然状態でのタイヤ内におけるバンドコードの伸び率（％）、Ｅはプライの巾１cm当たりのバンドコードの打ち込み本数。 - 特許庁

Then, electrodes 8a and 8b are formed to run on the half-embedded insulation films 5 and the STIs 7, respectively, and an n-type region 3 constituting a photodiode is formed in a region contacting the p-type region 4 in the semiconductor substrate 2 by injecting impurities into the image pickup region A by using the electrode 8a and the half-embedded insulation film 5 as a mask.例文帳に追加

次に、半埋込絶縁膜５及びＳＴＩ７にそれぞれ乗り上げるように電極８ａ及び８ｂを形成し、電極８ａ及び半埋込絶縁膜５をマスクとして撮像領域Ａに不純物を注入することにより、半導体基板２におけるｐ型領域４に接する領域に、フォトダイオードを構成するｎ型領域３を形成する。 - 特許庁

The N layer (emitter layer) of the solar cell 16 is formed as thick as 0.6 to 10 μm, so that sunlight where a light component of short wavelengths is removed is lengthened in absorption distance, and a photovoltaic power generating device of this constitution can be prevented well from deteriorating in generation efficiency even if a light component of shorter wavelengths than 450 nm is removed through the filter 18.例文帳に追加

また、太陽発電セル１６のＮ層（エミッタ層）２８の厚みが０．６乃至１０μｍとされていることから、短波長成分が除去された太陽光の吸収距離が長くされているので、フィルタ１８によって太陽発電セル１６に対する入射光から４５０ｎｍ以下の短波長成分が除去されているにも拘らず、発電効率の低下が好適に防止される。 - 特許庁

An image correction processing section 132 is characterized in a configuration that an image correction buffer 134 for storing image data by at least M+(N-1) lines is reserved, an address of the image correction buffer 134 is set as a decoding destination when it is discriminated that the image correction processing requires decoding processing, and the image correction processing is applied to the image data in the set storage area.例文帳に追加

画像補正処理部１３２は、少なくともＭ＋（Ｎ−１）ライン分の画像データを格納する画像補正バッファ１３４を確保し、画像補正処理が復号化処理が必要であると判定された場合に、画像補正バッファ１３４のアドレスを復号化先として設定し、該設定された記憶領域内で前記画像データに対する画像補正処理を行う構成を特徴とする。 - 特許庁

To provide, in the manufacturing method of a N-substituted maleimide-olefin copolymer that excels in heat resistance and rigidity and is applicable to many uses such as various optical components, electric/electronic components, lighting parts, autoparts, medical instrument parts, food containers, miscellaneous goods and building materials, the one capable of processing the unreacted olefin economically and simply.例文帳に追加

耐熱性、剛性に優れ、各種光学部品、電気電子部品、照明部品、自動車部品、医療部品、食品容器、雑貨および建材など多くの用途に利用可能なＮ−置換マレイミド−オレフィン共重合体の製造方法において、未反応オレフィン類を、経済的にかつ簡便に処理できるＮ−置換マレイミド−オレフィン共重合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

M (equals to K×N) basic symbols per block modulate different sub-carriers included in a series of sub-carriers forming an OFDM modulation, and after OFDM signals have been received, assignments of each basic symbol to given sub-carriers are performed so that subsets selected in the demodulation of the OFDM signals are extracted from the k frames.例文帳に追加

１ブロック当たりにＭ＝Ｋ・Ｎ個の基本記号はＯＦＤＭ変調を形成する一系列のサブキャリアの中の異なるサブキャリアを変調し、各基本記号の、与えられたサブキャリアへの割り当ては、ＯＦＤＭ信号が受信された後に該ＯＦＤＭ信号が復調されるときに選択された部分集合が前記のＫ個のフレームの中から抽出されることとなるように実行される。 - 特許庁

When it is decided that any target word and phrase index is not present, the partial matching type retrieval part 55 acquires positional information of the character string, and generates word and phrase indexes using the character string as words and phrases by using an N-gram index stored in an index part 422, and stores the generated word and phrase indexes in a dictionary table 110 by associating them with the acquired positional information.例文帳に追加

目的の語句索引が存在しない場合、部分一致型検索部５５は、索引部４２２に格納されているＮ−グラム索引を利用して、上記文字列の位置情報を取得すると共に当該文字列を語句とする語句索引を生成し、当該生成された語句索引を上記取得された位置情報と対応付けて辞書テーブル１１０に格納する。 - 特許庁

A large number of holes are bored in the light receiving surface of silicon having P-type and N-type, a substance which is transparent to sunlight and a material for converting the wavelength of sunlight not contributive to photoelectric conversion of silicon into a wavelength contributive to photoelectric conversion are fitted simultaneously in the bores to project on its virtual plane, and then printed, thus obtaining a solar cell that condenses incident sunlight efficiently.例文帳に追加

Ｐ型及びＮ型を有するシリコンの受光表面に、多数の穿孔を施し、その仮想平面上に突出する様に、太陽光に対して透明物質及びシリコンの光電変換に寄与しない太陽光波長を寄与する波長に変換する材料を同時に当該穿孔に嵌め、刷り込む事によって、効率良く太陽光を集光出来る太陽電池。 - 特許庁

An integrated circuit 100, formed on a single die, has a plurality of transmitters located in a transmitter region 101, a plurality of receivers located in a receiver region 102, and a spatially isolated region 103 equipped with a plurality of n- and p-type sub-regions 210, which are disposed on the single die and separate the transmitter region 101 from the receiver region 102.例文帳に追加

単一のダイ上に成型された集積回路１００は、トランスミッタ領域１０１における複数のトランスミッタ、レシーバ領域１０２における複数のレシーバ、および、上記単一のダイ上に配置され、トランスミッタ領域１０１をレシーバ領域１０２から分離するための複数のｎ型およびｐ型サブ領域２１０を有する空間分離領域１０３を備えている。 - 特許庁

In the photodiode array 1 where a plurality of photodiodes 4 are formed in an array on the side of an n-type silicon substrate 3 opposite to the incident surface of a light L to be detected, a transparent resin film 6 transmitting the light L to be detected is provided on the incident surface side to cover at least regions on the incident surface side corresponding to the regions where the photodiodes 4 are formed.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板３の被検出光Ｌの入射面の反対面側に、複数のホトダイオード４がアレイ状に形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側の少なくともホトダイオード４が形成された領域と対応する領域を被覆し、被検出光Ｌを透過する透明樹脂膜６を入射面側に設けてホトダイオードアレイ１とする。 - 特許庁

In the decoding circuit 70 of the display device which performs gradation display by selecting gradation voltages of a plurality of stages according to display signal bits D0 to D5, transmission paths for the respective gradation voltages are constituted by connecting a serial path of five N-type transistors T0a to T5a and a serial path of five P-type transistors T0b to T5b in parallel.例文帳に追加

表示信号ビットＤ０〜Ｄ５に応じて複数段階の階調電圧を選択することによって、階調表示を実行する表示装置のデコード回路７０において、各階調電圧の伝達経路を、５個のＮ型トランジスタＴ０ａ〜Ｔ５ａによる直列経路と、５個のＰ型トランジスタＴ０ｂ〜Ｔ５ｂによる直列経路とを並列接続して構成する。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁

The control circuit of the tracking servo system of a CD drive temporarily stores control commands for the servo IC in hold registers 192i(i=1 to n) of the transfer circuit 19 for each piece of data which can be transferred by the data bus of a microprocessor 18 and sets data controlling the transfer in a determination register 193, so that they are transferred to the servo IC 13 together.例文帳に追加

ＣＤ装置のトラッキングサーボ系の制御回路において、サーボＩＣ１３に対する制御コマンドを、マイクロプロセッサ１８のデータバスにより転送可能なデータごとに、一度、転送回路１９の保持レジスタ１９２_-i（ｉ＝１〜ｎ）に記憶しておき、確定レジスタ１９３に転送を制御するデータをセットすることにより、これを一括的にサーボＩＣ１３に転送する。 - 特許庁

The ring resonator type phase shifter is equipped with a ring shaped optical waveguide 3 mounted so as to mode couple with the corresponding branching optical waveguide 7A, and is constructed in such a way that an amplitude branching ratio K between the corresponding branching optical waveguide 7A and a ring type optical waveguide 3 can be varied for example via refractive index variation and so on accompanying voltage application in a p-n junction.例文帳に追加

リング共振型位相シフタは、対応する分岐光導波路７Ａにモード結合するように配置されたリング型光導波路３を備え、対応する分岐光導波路７Ａとリング型光導波路３との間の振幅分岐比Ｋを、例えばｐｎ接合における電圧印加に伴う屈折率変化などを通じて、変化させることができるように構成される。 - 特許庁

In the thin-film transistor, the length direction of a crystal particle size that composes semiconductor thin films 3 (3A and 3B) comprising a polycrystalline silicon thin film formed by laser crystallization is aligned along the running direction of a carrier that runs in a channel region 4 of a P- and N-type MOS transistors 23 and 24 of a CMOS transistor 25 composing an inverter.例文帳に追加

開示されている薄膜トランジスタは、レーザ結晶化により形成された多結晶シリコン薄膜から成る半導体薄膜３（３Ａ、３Ｂ）を構成している結晶粒子サイズの長さ方向は、インバータを構成しているＣＭＯＳトランジスタ２５のＰ型ＭＯＳトランジスタ２３及びＮ型ＭＯＳトランジスタ２４のチャネル領域４を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられている。 - 特許庁

In the earthquake damage forecasting part 32, forecasting operation is performed using the report passing status from automatic reporting device 12-1-12-n obtained by the report passing status obtaining part and the elevator earthquake damage database stored in the memory 35, a stopping ratio of the previously selected sample elevator is determined, and a damage ratio of the whole of an objection area to be forecasted and each optional system is forecasted.例文帳に追加

地震被害予測部３２において、通報経過状況取得部にて取得した自動通報装置１２−１〜１２−ｎからの通報経過状況と記憶部３５に保存されたエレベータ地震被害データベースを用いて予測演算を行い、あらかじめ選定したサンプルエレベータの停止率を求め、予測対象地区全体および任意の体制別の被害率を予測する。 - 特許庁

In this electro-optical device, a scanning line driving circuit 400 and a data line driving circuit 200 which make a TFT (thin film transistor) having a channel region consisting of a single crystal silicon layer one of structural elements are formed on an active matrix substrate and N-channel TFTs which form source-tie structure are used in the scanning line driving circuit 400 and the data line driving circuit 200.例文帳に追加

本発明の電気光学装置は、アクティブマトリクス基板上に、単結晶シリコン層からなるチャネル領域を有するＴＦＴを構成要素の一つとする走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００が形成され、走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００にソースタイ構造をなすＮチャネルＴＦＴが用いられている。 - 特許庁

The grazing assembly is a laminated one comprising at least one glass sheet and an intermediate film which has, in a temperature range of 10-60°C and in a frequency range of 50-10,000 Hz, a loss factor tan δ greater than 0.6 and a shear modulus G' smaller than 2×10^7 N/cm^2.例文帳に追加

車両用の防音効果を有するグレイジングアッセンブリーであって、少なくとも１枚のガラス板と、温度範囲１０〜６０℃及び振動数範囲５０〜１０，０００Ｈｚにおいて、損失角tanδが０．６より大きく、せん断弾性指数Ｇ’が２×１０^７Ｎ／ｃｍ^２より小さい中間層フィルムとを含む積層グレイジングアッセンブリーから成ることを特徴とする上記グレイジングアッセンブリー。 - 特許庁

A measuring control circuit 630 acquires the measuring object data held to the shift register group 101 according to the clock signals supplied from the multi-phase clock generating circuit 300, detects the toggle position of the measuring object data in each stage of the n-pieces of shift registers constituting the shift register group 101, and measures the phase quality of data based on the detected toggle position in each stage.例文帳に追加

測定制御回路６３０は、多相クロック生成回路３００から供給されたクロック信号に従ってシフトレジスタ群１０１に保持された測定対象データを取得し、シフトレジスタ群１０１を構成するｎ個のシフトレジスタの各段における測定対象データのトグル位置を検出し、この検出された各段におけるトグル位置に基づいてデータ位相品質を測定する。 - 特許庁