「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(367ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor laser having the end face window structure is manufactured on a portion of the n-type GaN substrate 11 that is not covered with the insulating film mask 16 by growing a GaN based semiconductor layer 25 containing an active layer 19 comprising the nitride based III-V compound semiconductor containing In and Ga.例文帳に追加

この絶縁膜マスク１６で覆われていない部分のｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させることにより、端面窓構造を有する半導体レーザを製造する。 - 特許庁

This radical-polymerizable resin composition for the thermocompression molding is for use in a compression molding process at ≥100°C, and essentially contains a radical-polymerizable resin, a hardener having a 10-hour half-life temperature of 70-105°C, and an N-oxyl compound.例文帳に追加

１００℃以上の加熱下で圧縮成形する際に用いられるラジカル重合性樹脂組成物であって、ラジカル重合性樹脂と、１０時間半減期温度が７０〜１０５℃である硬化剤と、Ｎ−オキシル化合物とを必須的に含むことを特徴とする加熱圧縮成形用ラジカル重合性樹脂組成物である。 - 特許庁

This photocurable type ink composition comprises a urethane (meth)acrylate, an alicyclic (meth)acrylate, phenoxyethyl (meth)acrylate, an N-hydroxyalkyl(meth)acrylamide compound, a siloxane (meth)acrylate, a pigment, and a photopolymerization initiator, wherein the urethane (meth)acrylate is contained in an amount of ≥0.1 mass% and <5 mass%.例文帳に追加

ウレタン（メタ）アクリレートと、脂環族（メタ）アクリレートと、フェノキシエチル（メタ）アクリレートと、Ｎ−ヒドロキシアルキル（メタ）アクリルアミド化合物と、シロキサン（メタ）アクリレートと、顔料と、光重合開始剤と、を含む光硬化型インク組成物であって、ウレタン（メタ）アクリレートを０．１質量％以上５質量％未満含む光硬化型インク組成物。 - 特許庁

The plural color light signals outputted from the color solid-state image pickup element 1 having a color filter array are corrected in white balance at every pixel for each color light through the use of n white balance correcting circuits 3-5 and, then, supplied to a correlative duplex sampling circuit 7 for removing the noise of the output signals of the element 1.例文帳に追加

色フィルタアレイを有するカラー固体撮像素子１から出力される複数の色光の信号は、ｎ個の白バランス補正回路３〜５により、色光毎に１画素毎の白バランス補正がなされた後、カラー固体撮像素子１の出力信号の雑音を除去するための相関二重サンプリング回路７に供給される。 - 特許庁

Metallic silicide films 43a, 43b are formed on the gate electrode 15 and the n^+-type semiconductor region 35 while the metallic silicide film 43a is extended not only on the upper surface of the gate electrode 15 but also on the upper region of the recess 34b in the side surface 34a of the side wall spacer 33.例文帳に追加

ゲート電極１５上およびｎ^＋型半導体領域３５上に金属シリサイド膜４３ａ，４３ｂが形成され、金属シリサイド膜４３ａはゲート電極１５の上面上だけでなく、サイドウォールスペーサ３３の側面３４ａうちの凹部３４ｂよりも上部の領域上にも延在している。 - 特許庁

This lubricant comprises a polyalkylene glycol compound represented by the general formula (1) (M is a residue prepared by removing hydroxyl groups from a polyphenol having 3 or more phenol groups; AO is an oxyalkylene; n is a number of ≥1; X is H or a hydrocarbon; and m is a number of ≥3 equal to the number of the hydroxyl group in the polyphenol).例文帳に追加

一般式１ （Ｍはフェノール基を３個以上含有する多価フェノールから水酸基を除いた残基、ＡＯはオキシアルキレン基、ｎは１以上の数、Ｘは水素原子又は炭化水素基、ｍは多価フェノールの水酸基の数と同数を表わす３以上の数である。）ポリアルキレングリコール化合物を含有する潤滑剤。 - 特許庁

The two-pack curable composition consists of: a first component containing an isocyanate compound (A) having a structure wherein a secondary or tertiary carbon atom is bonded to every isocyanate (NCO) group in the molecule, and an acrylic oligomer (B); and a second component containing a ketimine (C) having a ketimine (C=N) bond, derived from a ketone or aldehyde and an amine.例文帳に追加

分子内の全てのイソシアネート（ＮＣＯ）基に第二級炭素または第三級炭素が結合した構造のイソシアネート化合物（Ａ）とアクリルオリゴマー（Ｂ）とを含有する第１液と、ケトンまたはアルデヒドと、アミンとから導かれるケチミン（Ｃ＝Ｎ）結合を有するケチミン（Ｃ）を含有する第２液とを有する二液型硬化性組成物。 - 特許庁

The slope member 3 of this sheet feeding device is configured so that a leadout side slope 3d having a down gradient is formed from upstream in the sheet feeding direction to downstream and the feed guide surface 3c for the sheet is formed rigidly downstream of the nip part N.例文帳に追加

シート材給送装置を構成する傾斜部材３では、シート材ニップ部Ｎのシート材導出側に、シート材の給送方向上流側から下流側に向かって下り勾配の導出側傾斜面３ｄが形成され、さらにニップ部Ｎの下流側に、シート材の給送ガイド面３ｃが一体的に設けられている。 - 特許庁

An Al electrode 19 formed on a semiconductor substrate 15 through an interlayer insulating film 17 is connected electrically with a P type layer 13 and an N^+ type layer 14 through a contact hole 18 formed in the interlayer insulating film 17 and an Ni plating layer 20 is formed on the Al electrode 19.例文帳に追加

半導体基板１５の上に層間絶縁膜１７を介して形成されたＡｌ電極１９が、層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホール１８を介してＰ型層１３と、Ｎ^＋型層１４と電気的に接続されており、Ａｌ電極１９の上にＮｉメッキ層２０が形成されている。 - 特許庁

A service class management server 1 stores service class data for specifying the range of services provided by user terminals 2-1 to 2-n, and transmits service class data for indicating the service class of the user terminal 2-k to the user terminal 2-k in response, when the user terminal 2-k transmits data for requesting the start of the supply of service.例文帳に追加

サービスクラス管理サーバ１は、ユーザ端末２−１〜２−ｎが提供するサービスの範囲を指定するサービスクラスデータを記憶しており、ユーザ端末２−ｋがサービスの提供開始を要求するデータを送信すると、これに応答して、ユーザ端末２−ｋのサービスクラスを示すサービスクラスデータをユーザ端末２−ｋへと送信する。 - 特許庁

A circuit for thermoelectric conversion elements 5 is formed by fitting to insert p-type and n-type thermoelectric conversion elements 5 (5a, 5b) to element fitting holes 3 of an insulating board 30, and electrically connecting the thermoelectric conversion elements 5 corresponding to each other via electrodes 2 provided to one-end side and the other-end side in a piercing direction.例文帳に追加

絶縁性基板３０の複数の素子嵌合孔３に、各々Ｐ型とＮ型の対応する熱電変換素子５（５ａ，５ｂ）を貫通嵌合し、この貫通方向の一端側と他端側に設けられた電極２を介して対応する熱電変換素子５を電気的に接続し、熱電変換素子５の回路を形成する。 - 特許庁

According to this, an N channel type MOSFET 17 in a sense amplifier circuit 12 becomes an off state from an on state, and a P channel type MOSFET 18 becomes the on state from the off state, and even when FETs 15, 16 become a floating state, a penetration current from a positive source VDD to a negative source VSS doesn't flow.例文帳に追加

これに伴いセンスアンプ回路１２内のＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１７はオン状態からオフ状態へ、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１８はオフ状態からオン状態となり、ＦＥＴ１５，１６がフローティング状態になっても正電源ＶＤＤから負電源ＶＳＳへの貫通電流は流れない。 - 特許庁

To provide a thick steel plate superior in characteristic to stop brittle crack propagation, which does not cause the increase of a manufacturing cost, satisfies a high strength (490 MPa or more by tensile strength) even when the plate thickness exceeds 50 mm, and satisfies 3,500 N/mm^3/^2 or more by a Kca value at -10°C.例文帳に追加

製造コストの増大を招くことなく、板厚が５０ｍｍを超える場合においても高強度（引張強度が４９０ＭＰａ以上）を満足し、且つ−１０℃におけるＫｃａ値で３５００Ｎ／ｍｍ^3/2以上を満足する様な脆性亀裂伝播停止特性に優れた厚鋼板を提供する。 - 特許庁

A light pervious resin film layer 2 having (1) a tensile modulus of 100-500 MPa and (2) a compression strength of 2,0-7.0 N in 50% stress is formed on at least one surface of a light pervious base fabric 1, containing fiber cloth to constitute the light pervious film material having a total light transmission of 30% or more.例文帳に追加

繊維布帛を含む光透過性基布１の少なくとも１面上に、（１）１００〜５００MPa の引張弾性率、及び（２）５０％歪みにおいて、２．０〜７．０Ｎの圧縮強度、を有する光透過性樹脂被覆層２を形成し、全体として３０％以上の全光線透過率を有する透光性膜材を構成する。 - 特許庁

In this vegetable transplanter for planting a seedling N taken out from a seedling tray 22 of a seedling placing stand 21 on a field by a seedling planting tine 25, a seedling fall preventing guide 78 is arranged at both right and left sides around a seedling planting row from right and left outsides of the seedling planting tine 25 to the inner sides of right and left soil covering wheels 20a and 20b.例文帳に追加

苗載台（２１）の苗トレイ（２２）から取出される苗（Ｎ）を苗植付爪（２５）によって圃場に植付けるようにした野菜移植機において、苗植付爪（２５）の左右外側から左右覆土輪（２０ａ）（２０ｂ）の内側までの苗植付条を中心とした左右両側に苗倒れ防止ガイド（７８）を配設した。 - 特許庁

A power trench MOS gate device is provided with a heavily- doped semiconductor substrate 201, a deep trench gate 213 separated by an insulating layer 212 in an upper layer composed of an N-epitaxial layer 202, doped to a first conductivity-type and well layers 215 doped to a second conductivity-type, and a strongly conductive drain region 211 below the trench gate 213.例文帳に追加

重くドープした半導体基体２０１と、この基体上に第１導電型にドープしたＮ−エピタキシャル層２０２と第２導電型にドープしたウエル層２１５からなる上側層内に、絶縁層２１２で分離された深いトレンチゲート２１３とを設け、トレンチゲート２１３の下に強導電性ドレイン領域２１１を設ける。 - 特許庁

The image forming apparatus includes a cooling device 30 for cooling the pressure member 20, In the time from when a heating body 11 starts a heating operation for a predetermined fixing temperature by the start of an image forming operation to when the first recording material P is introduced into a fixing nip portion N, the pressure member 20 is cooled by the cooling device 30.例文帳に追加

加圧部材２０を冷却する冷却装置３０を備え、画像形成動作の開始により加熱体１１が所定の定着温度へ加熱動作を開始した時点から、第１枚目の記録材Ｐが定着ニップ部Ｎへと導入されるまでの時間において、冷却装置３０により加圧部材２０を冷却する。 - 特許庁

The electromagnetic actuator comprises: a fixed part 1 in which a plurality of coils 2 are disposed at a prescribed spacing; and a movable part 5 provided so that a surface (for example, N-pole) having a magnetic pole of a single pole magnet is opposed to the coils 2, and held so as to be relatively movable along the arraying direction of the coils 2.例文帳に追加

電磁アクチュエータは、複数個のコイル２が所定間隔で配置された固定部１と、単極磁石４の磁極を有する面（たとえば、Ｎ極）がコイル２と対向するように設けられるとともに、コイル２の配列方向に沿って相対的に移動可能に保持された可動部５と、を備える。 - 特許庁

Depending on an input value N for a numeric number for specifying in how many columns of the first analysis schedule table all analysis for the second analysis schedule table is inserted, numbers of insertion for continuous analysis are calculated, and total numbers of analysis T are calculated from the numbers of insertion and N1, N2 (S12) and displayed on a screen (S2).例文帳に追加

そして、第２の分析スケジュールテーブル中の全分析を第１の分析スケジュールテーブル中の何行毎に挿入するかを指定する数値の入力値Ｎに応じて、連続分析中の挿入回数を計算し、その挿入回数とＮ１、Ｎ２とから総分析回数Ｔを算出して（Ｓ１２）画面上に表示する（Ｓ２）。 - 特許庁

A compressive stress applied portion 20 consisting of SiGe film is formed in a source/drain region of a p-MOS region 30a, after that, an impurity is implanted into the p-MOS region 30a and an n-MOS region 30b, and shallow junction regions 22a, 22b and deep junction regions 23a, 23b are formed.例文帳に追加

ｐ−ＭＯＳ領域３０ａのソース／ドレイン領域にＳｉＧｅ膜からなる圧縮応力印加部２０を形成し、その後にｐ−ＭＯＳ領域３０ａおよびｎ−ＭＯＳ領域３０ｂに不純物注入を行い、浅い接合領域２２ａ、２２ｂおよび深い接合領域２３ａ、２３ｂを形成する。 - 特許庁

Because the peak concentration of carbon contained in the n-type GaAlAs clad layer 3 near the composition interface with the p-type GaAlAs active layer 2 is reduced by the heat treatment for raising the temperature again after the epitaxial growth, a p-type conversion layer does not occur near the composition interface, and the epitaxial wafer can be obtained wherein the thyristor failure does not occur.例文帳に追加

エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 - 特許庁

The image forming apparatus is provided with cumulative sheet counting means 27 capable of counting a cumulative number of printed sheets in a plurality of jobs and a fan driving time calculating part 28 that calculates a driving time T of a cooling fan 10 each time a job is completed based on a cumulative number of sheets N counted by the cumulative sheet counting means 27.例文帳に追加

複数のジョブに跨って、プリント枚数を積算してカウントし得る積算枚数カウント手段２７と、一つのジョブが終了する毎に、積算枚数カウント手段２７でカウントされた積算枚数Ｎに基づいて冷却ファン１０の駆動時間Ｔを算出するファン駆動時間算出部２８とを備える。 - 特許庁

That which is expressed as a general formula (CS_x)_n (in the formula, x is 0.9 to 2.0 and n is 4 or more) is preferable as the poly-sulfide carbon, and at least one kind selected from a group composed of graphite, acetylene black, carbon black, Ketchen black, active carbon or metal powder is preferable as the electroconductive powder.例文帳に追加

上記ポリ硫化カーボンとしては、一般式（ＣＳ_x ）_n （式中、ｘは０．９〜２．０で、ｎは４以上）で表されるものが好ましく、また、導電性粉体としては、黒鉛、アセチレンブラック、カーボンブラック、ケッチェンブラック、活性炭および金属粉末よりなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。 - 特許庁

This light-emitting element is characterized in that at least an n-type semiconductor layer 1, a light-emitting layer 2 and a p-type semiconductor layer 3 are laminated to form a light-emitting element 5, and the brittle light-transmissive insulator 6 is provided around the light-emitting element 5 having the layers 1, 2 and 3.例文帳に追加

本発明は、少なくともｎ型半導体層１、発光層２、ｐ型半導体層３が積層されて発光素子部５が構成され、前記ｎ型半導体層１、発光層２、ｐ型半導体層３を備えた発光素子部５の周囲に脆性透光性絶縁体部６が設けられてなることを特徴とする。 - 特許庁

A thermoelectric transducer 1 is provided with a first substrate 11 having an electrode 12, a second substrate 25 which has the other electrode 26 and is arranged in face to face with the first electrode, and a p-type and an n-type thermoelectric conductors 17, 18 which are clamped between both substrates 11, 25 and subjected to pn junction via both electrodes.例文帳に追加

電極１２を有する第１基板１１と、他の電極２６を有して第１基板と対向して設けられた第２基板２５と、両基板１１，２５間に挟設され両電極を介してＰＮ接合されたＰ型及びＮ型の熱電導体１７，１８とを備える熱電変換素子１を前提とする。 - 特許庁

Furthermore, collation is repeated by number (n) of prescribed times while changing the threshold Vr and Vc, the reliability C of each collation in the process of those collation is calculated, the maximum value is selected from among the reliabilities of the respective collation, and when the selected reliability is higher than the value CL, patterns may be decided as being 'matching'.例文帳に追加

なお、輝度閾値ＶｒおよびＶｃを変更しながら所定回数ｎ照合を繰り返し、その照合過程での各照合の信頼度Ｃを求め、この各照合の信頼度Ｃの中から最大値を選び出し、この選び出した信頼度が所定値ＣＬよりも高い場合に「一致」と判定するようにしてもよい。 - 特許庁

An inverse MC section 205 inversely applies motion vector information from an entropy decoding section 103 to perform inverse MC to (N-1) frames from an inter-frame coding section 202 in response to control of an overlap sequence control section 204 controlled on the basis of an overlap sequence of each of prescribed reference regions.例文帳に追加

逆ＭＣ部２０５は、エントロピー復号化部１０３からの動きベクトル情報を逆方向に適用して、フレーム間符号化部２０２からのＮ−１フレームに対して、所定の各基準領域の重なり順序に基づいて制御する重なり順序制御部２０４の制御に応じて逆ＭＣを行う。 - 特許庁

To surely prevent a desynchronization from occurring in a magnetic driving type pump of internal combustion engine for vehicle having permanent magnets formed by alternately magnetizing N and S poles around the axes of a drive shaft and a driven shaft fixed to the drive shaft interlocked with a crankshaft and the driven shaft disposed coaxially with the drive shaft.例文帳に追加

クランクシャフトに連動する駆動軸と、該駆動軸と同軸に配置される被動軸とに、駆動軸および被動軸の軸線まわりにＮ極およびＳ極が交互に着磁されて成る永久磁石がそれぞれ固定される車両用内燃機関の磁力駆動式ポンプにおいて、脱調現象の発生を確実に防止する。 - 特許庁

The medicine selling system 1 is mainly constituted of member's terminals 2 connected to the Internet N and allowed to be used by members M in a union establishment U, a union establishment server 3 installed and managed by the union establishment U and a seller's server 4 installed and managed by a selling company S for selling medicines.例文帳に追加

医薬品販売システム１は、インターネットＮに接続し、事業所Ｕの構成員Ｍが利用する構成員端末２と、事業所Ｕによって設置および管理運営される事業所サーバ３と、医薬品を販売する販売会社Ｓによって設置および管理運営される販売者サーバ４とから主に構成されている。 - 特許庁

To provide an n-type compound semiconductor thin film, a method of manufacturing thereof and a solar cell using the same, by allowing a compound semiconductor thin film expressed as a composition formula AB3C5 (A is a group Ib element, B is a group IIIb element, and C is a group VIb element) in which a group II element is contained.例文帳に追加

組成式がＡＢ_3Ｃ_5（ただしＡはＩｂ族元素、ＢはIIIｂ族元素、ＣはVIｂ族元素）で表わされる化合物半導体薄膜にII族元素を含有させることによって、キャリア密度の高いｎ型の化合物半導体薄膜およびその製造方法ならびにこれを用いた太陽電池を提供する。 - 特許庁

In a saturated polyester resin for molding, the resin composition, and a molded article using thereof, melt viscosity at 200°C is preferably 5 to 1,000 dPa s, and a product a×b is ≥500 when a tensile strength at break of a film-like molded article is a (N/mm^2) and a tensile elongation at break is b (%).例文帳に追加

好ましくは２００℃での溶融粘度が５〜１０００ｄＰａ・ｓ以下であり、かつ、フィルム状成型品の引張破断強度をａ（Ｎ／ｍｍ^２）、引張破断伸度をｂ（％）とした時の積ａ×ｂが５００以上であるモールディング用飽和ポリエステル樹脂、樹脂組成物とそれらを用いた成型品に関する。 - 特許庁

A tunnel element between bands is equipped with a silicon substrate 101, a p+ region 102 being made by introducing p-type impurities in high concentration into the silicon substrate 101, a tunnel barrier layer 103 being made on the p+ region 102 of the silicon substrate 101, and an n+ region 104 being provided on the tunnel barrier layer 103.例文帳に追加

バンド間トンネル素子は、シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１内に高濃度のｐ型不純物を導入して形成されたｐ^+ 領域１０２と、シリコン基板１０１のｐ^+ 領域１０２の上に形成されたトンネル障壁層１０３と、トンネル障壁層１０３の上に設けられたｎ^+ 領域１０４とを備えている。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film or transparent conductive sheet superior in durability for pen-input when used for a touch panel, particularly the transparent conductive film being nondestructive even with 100,000-time sliding test at the load of 5.0 N by using a pen (tip shape: 0.8 mmR) made of polyacetal, and a touch panel using these.例文帳に追加

タッチパネルに用いた際のペン入力耐久性に優れ、特にポリアセタール製ペン（先端形状：０．８ｍｍＲ）を使用し、５．０Ｎの荷重で１０万回の摺動試験でも透明導電性薄膜が破壊されない、透明導電性フィルムまたは透明導電性シート、及びこれらを用いたタッチパネルを提供する。 - 特許庁

According to the present invention, as has been described above, a receiving side of a facsimile apparatus determines an optimum communication speed on the basis of the S/N ratio of a line and informs a transmitting side of the facsimile apparatus of the optimum communication speed, thereby advantageously reducing the time required from establishment of a line connection to determination of the optimum communication speed, especially in the case of low line quality. 例文帳に追加

本発明は以上説明したように、受信側ファクシミリ装置に於いて回線のＳ／Ｎ比から最適通信速度を決定して、送信側ファクシミリ装置に通知することによ９９回線接続後から最適通信速度決定までの時間を、特に回線品質が悪い場合に短縮する効果がある。 - 特許庁

Since the comparison value N is set at a large value when the vehicle speed is low, it is possible to prevent the phenomenon that a link is erroneously established in the gray zone appearing before an intrinsic communication region, that the number of times of retransmission of exceeded due to data error, and that a data transmission cannot be completed inside the intrinsic communication region.例文帳に追加

車速が低いときに受信カウンタ比較値を大きな値に設定しているため、本来の通信領域の手前に表れるグレーゾーンにリンクが誤確立されてしまいデータエラーにより再送回数オーバーが生ずる結果本来の通信領域内でデータ伝送を完了できなくなる現象を、防止することができる。 - 特許庁

When the number of payloads constituting one packet is N (an integer ≥2), the constitution of the packets becomes P×Q packets from the maximum burst omission endurance value P (an integer ≥2) and the number Q (an integer ≥2) of packets corresponding to data compensation blocks, but, at this this time, original data is rearranged so as to be dispersed in the respective packets.例文帳に追加

その構成としては、１パケットを構成するペイロードの個数Ｎ（２以上の整数）、最大バースト欠落耐性値Ｐ（２以上の整数）及びデータ補正ブロックに対応するパケットの個数Ｑ（２以上の整数）からＰ・Ｑ個のパケットになるが、このとき元のデータがそれぞれのパケットに分散させるように並べ替える。 - 特許庁

In a unit LED element, exposed parts 17c, 17d of n-type semiconductor layers 17a, 17b exposed on p-type semiconductor layers 16a, 16b are located on the center part of the p-type semiconductor layers 16a, 16b and connected with a cathode bump electrode 12 formed on a second protection film 13, via negative electrode wiring 19.例文帳に追加

単位ＬＥＤ素子のｐ型半導体層１６ａ，１６ｂから露出するｎ型半導体層１７ａ，１７ｂの露出部１７ｃ，１７ｄは、ｐ型半導体層１６ａ，１６ｂの中央部にあり、負電極配線１９を介して第２保護膜１３上に形成されたカソード用バンプ電極１２と接続している。 - 特許庁

In this method for manufacturing this thermoelectric converting device, a set of array bodies where only the p type thermoelectric semiconductor elements 1 and the n type thermoelectric semiconductor elements 2 are arrayed are preliminarily manufactured on the polymer sheets 7 and 8, and both of them are fit to each other, and those respective elements are bonded to the electrodes at predetermined positions so as to be integrated.例文帳に追加

製造にあたっては、予め高分子シート７及び８上に、それぞれ、ｐ型熱電半導体エレメント１及びｎ型熱電半導体エレメント２のみを配置した１組の配列体を予め作製しておき、両者を嵌め合せ、各エレメントを所定の位置で電極に接合して、一体化する。 - 特許庁

When the image quality preferred mode is selected, the image quality is improved by adding the pixel, by increasing the pixel adding number as much as possible, while maintaining minimum pixel number; and when the pixel preferential mode is selected, the pixel number is increased by reducing the pixel adding number as much as possible, in a range which is capable of maintaining the minimum S/N level.例文帳に追加

画質優先モードが選択された場合は、最低画素数を維持しつつなるべく大きい画素加算数で画素加算を行って画質を向上させ、画素数優先モードが選択された場合は、最低Ｓ／Ｎレベルを維持できる範囲でなるべく画素加算数を少なくして画素数を多くする。 - 特許庁

Before the laminated skin member 4 and the resin base material 8 are integrally molded, the elastic modulus of the laminated skin member 4 (the width of a specimen piece of a laminated skin member : 25 mm) in a warpage deformation preventing direction of the laminated molded object 2 is set to 196 N/25 mm or less at a time of elongation 33 %.例文帳に追加

積層表皮部材４と樹脂基材８とが一体的に成形される前の状態において、積層成形体２の反り変形防止方向における積層表皮部材４の弾性率（積層表皮部材の試験片の幅：２５ｍｍ）は、３３％伸び時点において１９６Ｎ／２５ｍｍ以下に設定されている。 - 特許庁

When a coil is not conducting, two magnetic pole parts 131a of a second stator yoke or any one magnetic pole part 141a (131a) out of two magnetic pole parts 141a of a third stator yoke is arranged to face the part of strongest magnetic force in the N pole magnetized part of a rotor 11.例文帳に追加

コイルに通電していない無通電時において、第２のステータヨークの２つの磁極部１３１ａ、または、第３のステータヨークの２つの磁極部１４１ａのうちいずれか一つの磁極部１４１ａ（１３１ａ）が、ロータ１１のＮ極着磁部の最も磁力の強い部分を含む部分と対向するように配置する。 - 特許庁

Here, the power abnormality control section 9 controls power block section 10 and blocks the power fed to sections where the electric abnormalities are determined to be generated of the nozzle line drive sections 12-1-1 to 12-n-m in the case the electric abnormalities are determined to be generated.例文帳に追加

ここで、当該電気的異常が発生したと判定した場合には、電力異常管理部９は、電力遮断部１０を制御して、ノズル列駆動部１２−１−１乃至１２−ｎ−ｍのうち当該電気的異常が発生したと判定されたものへ供給されている電力を遮断させる。 - 特許庁

A silicon oxide film, having a thickness of 5 nm or smaller, is formed on each surface of a P-type well and an N-type well by wet-oxidizing of the substrate, the substrate is heat treated in an atmosphere containing an approximately 5% NO gas, and an oxynitride silicon film is formed, by introducing nitrogen into the silicon oxide film.例文帳に追加

基板をウェット酸化することによって、ｐ型ウエルおよびｎ型ウエルのそれぞれの表面に膜厚５ｎｍ以下の酸化シリコン膜を形成した後、５％程度のＮＯガスを含む雰囲気中で基板を熱処理し、酸化シリコン膜中に窒素を導入することによって、酸窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

In an embodiment, the objective ink is obtained by preparing a pigment dispersion from Pigment Yellow 138, polyoxyethylene (n=40) β-naphthyl ether, Pionin A-51-B, and distilled water and mixing the pigment dispersion as an electrically conductive agent with choline nitrate, glycerin and diethylene glycol as water-soluble organic solvents, and an anionic surfactant.例文帳に追加

実施例では、ピグメントイエロー１３８、ポリオキシエチレン（ｎ＝４０）βナフチルエーテル、パイオニンＡ−５１−Ｂおよび蒸留水により顔料分散液を調製し、これに導電剤として硝酸コリンと、水溶性有機溶剤としてグリセリンおよびジエチレングルコールと、アニオン界面活性剤とを添加・混合して目的のインクを作製した。 - 特許庁

In the manufacturing method for the conjugated diene polymer, a catalyst comprising (A) the transition metal compound represented by the general formula: MR(O)_nX_3-n and (B) an ionic compound of non-coordination anion and cation and/or aluminoxane is used, and (C) a catalyst comprising an organic aluminum compound is used.例文帳に追加

（Ａ）一般式ＭＲ（Ｏ）_ｎＸ_３−ｎ で示される遷移金属化合物、（Ｂ）非配位性アニオンとカチオンとのイオン性化合物及び／又はアルミノキサンからなる触媒を用いて、並びに、（Ｃ）有機アルミニウム化合物からなる触媒をることを特徴とする上記の共役ジエン重合体の製造方法 - 特許庁