「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(360ページ目) - Weblio英語例文検索

The method enhances the NMR spectrum structural analysis of the compound, especially the structural analysis of the compound used in developing various kinds of drugs, where the noise ratio (S/N) of obtained spectra is increased by collecting and storing the NMR in a standard data matrix and a point, by point weighting function for each dimension of the matrix is generated.例文帳に追加

化合物のＮＭＲスペクトル構造解析、特に、多様な薬物を開発するために使用される化合物の構造解析を向上させる方法であり、得られたスペクトルのノイズ（Ｓ／Ｎ）比を、標準的なデータマトリックスにおいてＮＭＲを回収及び記憶し、及び各々のマトリックスの次元に対するポイント重量化関数によるポイントを生成することによる。 - 特許庁

A control unit 201 detects the number N of images or the capacity V of image data recorded in the inserted recording medium, makes the user select images data to be input to the image output device 100 when judging that the image amount is large, and reads in only the selected image data from the recording medium to display thumbnails.例文帳に追加

制御部２０１は、挿入された記録媒体に記録されている画像データの画像数Ｎまたは容量Ｖを検出し、画像量が大きいと判定した場合には、利用者に画像出力装置１００に入力する画像データを選択させ、選択された画像データのみを記録媒体から読み込み、サムネイルを表示する。 - 特許庁

The injection screw 5 inserted in the heating cylinder 4 attached to a front plate 1 is connected to the pusher plate 9 through a connection member N by a coupling 5D and allowed to advance and retreat in the heating cylinder 4 together with the pusher plate 9 advancing and retreating with respect to the front plate 1 by the screw mechanism driven by an electromotive servo motor (electromotor) 22.例文帳に追加

フロントプレート１に取付けた加熱筒４に挿入された射出スクリュ５は、カップリング５Ｄで連結部材Ｎを介してプッシャープレート９に連結され、電動サーボモータ（電動機）２２で駆動されるねじ機構によってフロントプレート１に対し進退移動するプッシャープレート９と一緒に加熱筒４内を前後進するようになっている。 - 特許庁

The fibrous porous silica metal composite particle has a chemical formula expressed by the general formula: (Si_1-nM_n)O_2, where M represents a polyvalent metal, n is a figure below 0.1 not inclusive of 0 and in which the Si atom in the silicate skeleton is substituted with the polyvalent metal M.例文帳に追加

下記式 （Ｓｉ_1-nＭ_n）Ｏ_2 式中、Ｍは多価金属を表し、 ｎはゼロを含まない０．１以下の数である、で表される化学的組成を有する薄板状シリカ金属複合体粒子であって、厚さが０．５μｍ未満の、シリケート骨格中のＳｉ原子が多価金属で置換されていることを特徴とする薄板状シリカ金属複合体粒子とする。 - 特許庁

The management server 101 manages the use states of the image processors existing in each network system, however, does not directly perform transfer of data with each image processor and each client PC for management of the use states and performs transfer of the data via a relay server 203 installed in each of the network systems 103-1, 103-2, 103-3 to 103-n.例文帳に追加

管理サーバ１０１は、各ネットワークシステム内に存在する画像処理装置の利用状況を管理するが、その管理のための各画像処理装置やクライアントＰＣとのデータの授受を直接行わず、各ネットワークシステム１０３−１、１０３−２、１０３−３……１０３−ｎに設置された中継サーバ２０３を介して行う。 - 特許庁

The yield point of the fastener shows a large change in the increase of instant movement torque to the angle unit of rotation and is measured by comparing pre-tightening where the relationship among the axial load N, the angle of rotation Φ, and the ultrasonic traveling time Δt in the actual die of the fastener is measured with the ultrasonic traveling time Δt.例文帳に追加

部品の降伏点は、回転の角度単位の対する瞬間移動トルクの増加における大きな変化を表示し、部品の実際の型における軸方向（Ｎ）と回転角（Φ）と超音波走行時間（Δｔ）との関係を測定した予締め付けと部品の超音波実走行時間（Δｔ）とを比較することによって、測定される。 - 特許庁

A repeater 150 receives internal clocks CLK_-PF, CLK_-NF (the following: internal clock) provided from a DLL circuit 100 in spite of data read-out operation, and outputs DLL clocks CLK_-P, CLK_-N (the following: DLLclock) to a data output circuit 200 and a data strobe signal output circuit 300 in accordance with an internal signal DLLENCLK.例文帳に追加

リピータ１５０は、データ読出動作に拘わらずＤＬＬ回路１００から配信される内部クロックＣＬＫ＿ＰＦ，ＣＬＫ＿ＮＦ（以下、単に内部クロック）を受け、内部信号ＤＬＬＥＮＣＬＫに応じて、データ読出動作時のみデータ出力回路２００およびデータストローブ信号出力回路３００にＤＬＬクロックＣＬＫ＿Ｐ，ＣＬＫ＿Ｎ（以下、単にＤＬＬクロック）を出力する。 - 特許庁

In addition, it also includes a recognition section 43 to recognize the hierarchy order L of the other base station device located in the synchronization hierarchy structure among the base station devices by the combination of the pattern n of the first known signal received by the receiver 12 and the pattern m of the second known signal received thereby.例文帳に追加

また、基地局装置は、他の基地局装置が基地局装置間同期の階層構造において位置する階層順位Ｌを、受信部１２によって受信した前記第１既知信号のパターンｎと、前記受信部によって受信した前記第２既知信号のパターンｍと、の組み合わせによって認識する認識部４３を備えている。 - 特許庁

The present invention is a manufacturing method of a semiconductor device having a p-channel MISFET in a pMIS formation region 1A, and an n-channel MISFET in an nMIS formation region 1B, comprises: a process of forming an Al film 8a on an HfON film 5; and a process of forming a Ti-rich TiN film 7a on the Al film.例文帳に追加

本発明は、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｐＭＩＳ形成領域１Ａに有し、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｎＭＩＳ形成領域１Ｂに有する半導体装置の製造方法であって、ＨｆＯＮ膜５上にＡｌ膜８ａを形成する工程と、Ａｌ膜上にＴｉリッチなＴｉＮ膜７ａを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

Therefore, even if a large pulsed disturbing wave Jp1 remains in the main CH signal Ym output from the SLC3, the amplitude limiting means 71 is activated by the detector in the coherence signal producing means 73 and so the amplitude of the pulsed disturbing wave Jp1 is limited and target signals S1 and S2 are detected and indicated with a good S/N.例文帳に追加

従って、たとえＳＬＣ３から出力される主ＣＨ信号Ｙmに大きなパルス妨害波Ｊp1が残存したとしても、一致信号生成手段７３における検出により振幅制限手段７１を駆動するので、パルス妨害波Ｊp1の振幅は制限され、目標信号Ｓ１，Ｓ2は良好なＳ／Ｎのもとで検出表示できる。 - 特許庁

The contact 80 for sharing above and below has a pair of upper and lower projecting piece sections 81a, 81b in upper and lower directions, and one of the projecting pieces 81a, 81b is extended and mounted to a substrate K via a housing 10 so that the contact 80 can be installed at both the card connectors in the normal type N and the reverse type R.例文帳に追加

上下共用コンタクト８０が突出片部８１ａ，８１ｂを上下方向に上下一対に有し、その突出片部８１ａ，８１ｂのどちらか片方がハウジング１０を介して基板Ｋへと延びて取り付けられることで、ノーマルタイプコネクタＮ及びリバースタイプコネクタＲのどちらのカードコネクタにも設置対応可能に構成される。 - 特許庁

In order to optimize the impurity profile of a photodetection pixel of a solid-state image pickup element by colors that respective pixels take charge of, a sensor structure has a profile of multi-stage constitution increased in photoelectric conversion efficiency along the depth of a silicon substrate, by performing ion implantation of n+ impurities of a sensor divisionally a plurality of times while the energy and mask pattern are changed.例文帳に追加

固体撮像素子における受光画素部の不純物プロファイルを各画素が受け持つ色毎に最適化させるために、センサ部のｎ＋不純物を複数回に分けてエネルギやマスクパターンを変えてイオン注入を行い、シリコン基板の深さ方向への光電変換効率を上げた多段構成のプロファイルを持つセンサ構造とする。 - 特許庁

In the method of carrying out beam formation of data from a sector received by an array, signals are received in N-pieces of elements, 1st and 2nd data sets according to the signals are filtered, the filtered 1st and 2nd data sets are thinned out, and the filtering and the thinning out are repeated at each of the filtered 1st and 2nd data sets.例文帳に追加

アレイで受信した領域からのデータをビーム形成する方法において、Ｎ個の複数のエレメントにおいて信号を受信し、前記信号に応じた第１及び第２のデータセットをフィルタリングし、フィルタリングした第１及び第２のデータセットを間引きし、間引きした第１及び第２のデータセットの各々について前記フィルタリングと前記間引きを繰り返す。 - 特許庁

In this pseudo adiabatic dynamic logic circuit 100, a charging diode, a p channel MOS transistor, an n channel MOS transistor and a discharge diode are connected in series with inverse logic circuits 101, 102, 103, 104 of each stage and a repeating wave power supply circuit 110 is connected on one end on the side of the charging diode and on the other end on the side of the discharge diode.例文帳に追加

擬似断熱的ダイナミック論理回路１００において、各段の反転論理回路１０１，１０２，１０３，１０４は、充電ダイオードとｐチャネルＭＯＳトランジスタとｎチャネルＭＯＳトランジスタと放電ダイオードとが直列に接続され、充電ダイオード側の一端と放電ダイオード側の他端に繰り返し波電源回路１１０が接続される。 - 特許庁

In the thermal recording material utilizing the coloring reaction of an electron donating leuco dye with an acid developer developing the dye, the main constituent of the acid developer is a phenolic compound containing a sulfonyl group in a molecule, and a sensitizer contains an N-(4-tolyl)-amide phenylacetate being an amide compound.例文帳に追加

電子供与性のロイコ染料とこれを発色させる酸性の顕色剤との発色反応を利用した感熱記録材料において、酸性の顕色剤の主成分が分子中にスルホニル基を含有するフェノール性化合物であり、増感剤がアミド化合物であるＮ−（４−トリル）−フェニル酢酸アミドを含有することを特徴とする感熱記録材料。 - 特許庁

The cleaning fluid used in a cleaning process of a substrate for a semiconductor device following a chemical mechanical polishing process in manufacturing a semiconductor device contains N-acyl-L-cysteine and an organic quarternary ammonium hydroxide represented by general formula (1), and has pH of 1.5-6.5.例文帳に追加

半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、Ｎ−アシル−Ｌ−システイン及び下記一般式（１）で表される有機第４級アンモニウム水酸化物を含有し、かつｐＨが１．５以上、６．５未満である半導体デバイス用基板洗浄液。 - 特許庁

In a semiconductor hetero junction corresponding to the N channel and the P channel, a difference in height ϕB of a Schottky barrier formed between a source and drain formed of metal or intermetallic compound and a semiconductor layer used for each channel of a semiconductor is used for enabling selectively injecting the carriers into each channel.例文帳に追加

本発明はｎチャネル及びｐチャネルに相当する半導体へテロ接合において、金属もしくは金属間化合物で形成されたソース及びドレインと前記半導体の各チャネルに用いた半導体層との間に形成されるショットキー障壁の高さφ_Bの違いを用いて各チャネルに選択的にキャリア注入をできるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing conjugated diene such as butadiene through catalytic oxidative dehydrogenation of monoolefin such as n-butene, the method allowing the conjugated diene to be efficiently absorbed in organic solvent when produced gas obtained after the catalytic oxidative dehydrogenation is absorbed in the organic solvent, and the method therefore being industrially advantageous for production of butadiene.例文帳に追加

ｎ−ブテン等のモノオレフィンの接触酸化脱水素反応によりブタジエン等の共役ジエンを製造する方法において、反応後に得られる生成ガスを有機溶媒で吸収するにあたり、効率よく共役ジエンを有機溶媒に吸収でき、工業的に有利なブタジエンの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for processing printing in which printing data set so that a designated desired logic page is printed at a predetermined position of a recording medium is generated and outputted even when a printer without a specific control means is used in the case of N up printing, and an information processing apparatus applying the method.例文帳に追加

Ｎアップ印刷を行う場合に、特定の制御手段を有しない印刷装置を用いても、指定した所望の論理ページを記録媒体の所定の位置に印刷するように設定された印刷データを生成して出力する印刷処理方法及び当該印刷処理方法を適用した情報処理装置を提供すること。 - 特許庁

In the n-type well region 2a, a current channel 13 is blocked by having each region between adjacent trenches 3 in the epitaxial layer 2 covered with a depletion layer formed at the periphery of the trench 3, and the current channel 13 is opened by having a part of the depletion layer formed at the periphery of the trench 3 disappear.例文帳に追加

そして、ｎ型ウェル領域２ａにおいて、トレンチ３の周辺に形成される空乏層でエピタキシャル層２の隣り合うトレンチ３間の各領域が塞がれることにより電流通路１３が遮断される一方、トレンチ３の周辺に形成された空乏層の少なくとも一部が消滅することにより電流通路１３が開くように構成されている。 - 特許庁

Each of the plurality of MFPs 200 through n has: file accumulating means 221 for accumulating the file having been received; and printing means (a printer engine 230) being means that interprets the general purpose file format and performs printing based on an interpretation result and performing printing of the file accumulated in the file accumulating means 221 in accordance with printing instructions issued by the user.例文帳に追加

ＭＦＰ２００〜ｎの各々は、受信した前記ファイルを蓄積するファイル蓄積手段２２１と、前記汎用ファイルフォーマットを解釈して解釈結果に基づき印刷を実行する手段であって、ユーザによる印刷指示により、前記ファイル蓄積手段に蓄積されている前記ファイルの印刷を実行する印刷手段（プリンタエンジン２３０）と、を有する。 - 特許庁

By electrically connecting an n-channel type MISFETQs in the direct peripheral circuit arranged in close to a memory array and a common source line PN_1 via a pad layer 16 composed of the same conductive film as that of a storage electrode 15 of the memory cell, the aspect ratio of a contact hole 22 formed at the upper part of the pad layer 16 is reduced.例文帳に追加

メモリアレイに近接して配置した直接周辺回路のｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｓと共通ソース線ＰＮ_１との接続を、メモリセルの蓄積電極１５と同一の導電膜で構成したパッド層１６を介して電気的に接続することにより、パッド層１６の上部に形成するコンタクトホール２２のアスペクト比を小さくする。 - 特許庁

In 1 to N collation in a biometric collating device for deciding whether or not the collation object person is a principal by using the moving image of the collation object person, when the face region of the collation object person is detected, the collation processing is started, and it is displayed that the collation processing is under way after the lapse of a predetermined time (for three frame images).例文帳に追加

照合対象者の動画像を用いて当該照合対象者が本人であるか否かを判定する生体照合装置における１対Ｎ照合において、照合対象者の顔領域が検出されると照合処理を開始して、それよりも所定時間（フレーム画像３枚分）経過後に照合中であることを表示する。 - 特許庁

Further, even when introduction conditions of the n type or p type impurities and heating conditions of a semiconductor substrate 1 in well formation are predetermined, the reverse withstand voltage of the diode can optionally be set by adjusting the interval of the border area Ad, so the diode can be formed by using the well forming stage in an ordinary CMOS process.例文帳に追加

またｎ型およびｐ型の不純物の導入条件や、ウェル形成時における半導体基板１の加熱条件が予め決まっている場合でも、境界領域Ａｄの間隔を調節することでダイオードの逆方向耐電圧を任意に設定できるので、通常のＣＭＯＳプロセスでのウェル形成工程を用いてダイオードを形成できる。 - 特許庁

Between an n-type InGaP layer acting as an emitter layer 7 of the HBT and a GaAs layer 8 formed on the layer 7, a highly doped charge compensation layer 11 is formed, thereby restraining increase of a base current due to depletion phenomenon of carrier in an interface, and preventing decrease of a current amplification factor in a low collector current of the HBT.例文帳に追加

ＨＢＴのエミッタ層として働くｎ型ＩｎＧａＰ層７とその上に形成されるＧａＡｓ層８の間に、高ドープ層である電荷補償層１１を形成することでその界面におけるキャリアの空乏化の現象によるベース電流の増加を抑制し、ＨＢＴの低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防ぐようにした。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting element having a light emitting layer made of a nitride semiconductor between an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer, a trapezoidal conical lamination body is formed so as to include the p-type nitride semiconductor layer and the light emitting layer, and the lamination body is buried in a metallic member so that the side surface thereof is insulated.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に、窒化物半導体からなる発光層を有してなる窒化物半導体発光素子において、ｐ型窒化物半導体層と発光層を含むように台形錐形状の積層体が形成され、その積層体は側面が絶縁されるように金属部材に埋め込まれている。 - 特許庁

In the nitride based semiconductor light emitting element 1 comprising an n-type semiconductor layer 103, a light emitting layer 104, a p-type semiconductor layer 105, metal film layers 108 and 109, and a plating metal plate 110 formed in this order, the metal film layers and the plating metal plate are formed partially on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

少なくともｎ型半導体層１０３、発光層１０４、ｐ型半導体層１０５、金属膜層１０８，１０９、メッキ金属板１１０がこの順序で積層されてなる窒化物系半導体発光素子１において、前記金属膜層、及び前記メッキ金属板が前記ｐ型半導体層上に部分的に形成された構成としている。 - 特許庁

A hexagonal pyramidal pinnacle-shaped n-type GaN layer 15 composed of a plurality of crystal planes being inclined to the main surface of the sapphire substrate 11, having mutually different tilt angles and having an inclined crystal plane formed in a projecting surface as a whole is grown selectively on the layer 12 in the opening section 13 of the grown mask 14.例文帳に追加

成長マスク１４の開口部１３におけるｎ型ＧａＮ層１２上に、サファイア基板１１の主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する六角錐状の尖塔形状のｎ型ＧａＮ層１５を選択成長させる。 - 特許庁

In this semiconductor device whose core region of the semiconductor IC comprises CMOS, protective transistor circuits 31 (31B, 31C) and 41 (41D, 41E) of the connection cell for input are constituted of only N-channel transistors, and a transistor 5 on a first stage of incoming signals that have passed the connection cell for input is arranged in the internal core region.例文帳に追加

この発明は、半導体集積回路のコア領域がＣＭＯＳで構成された半導体装置において、入力用回路セルの保護トランジスタ回路３１（３１Ｂ、３１Ｃ）、４１（４１Ｄ、４１Ｅ）が、Ｎチャネルトランジスタのみを用いて構成し、前記入力用回路セルを通った入力信号の初段のトランジスタ回路５は、内部コア領域に配置されている。 - 特許庁

The MOS field effect transistor having electric field relaxation layers 107A and 107B and a punch-through stopper layer 108 in gate-overlap structure symmetrically with the gate electrode 103 is provided with a P-type layer 110 of an opposite conductivity type from the N-type punch-through stopper layer 108 on a surface of the punch-through stopper layer 108 to have no rise in threshold voltage.例文帳に追加

ゲート電極１０３と対称的にゲートオーバーラップ構造の電界緩和層１０７Ａ、１０７Ｂとパンチスルーストッパー層１０８を有するＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、Ｎ型パンチスルーストッパー層１０８の表面に、このパンチスルーストッパー層１０８とは反対導電型のＰ型層１１０を設け、しきい値電圧が上昇しないようにしたもの。 - 特許庁

An installed device (D) is intended to local assurance management for a network element (NE) in a communication network (N) equipped with a network management system (NMS), wherein the network element (NE) presents a chosen configuration and contains a measurement means (MM) for the measurement of parameter values in the network and a management information base (MIB) which stores management data representing the measured values.例文帳に追加

搭載装置（Ｄ）は、ネットワーク管理システム（ＮＭＳ）を装備した通信ネットワーク（Ｎ）のネットワーク設備（ＮＥ）のためのローカルな保証管理装置専用であり、前記設備（ＮＥ）が、選択されたコンフィギュレーションを有し、ネットワークのパラメータ値の測定手段（ＭＭ）と、測定値を示す管理データを保存する管理情報ベース（ＭＩＢ）とを含む。 - 特許庁

The garbage disposal device is constituted so that the malodorous components generated at the time of fermentation-decomposing and composting the garbage (n) is removed in the deodorizing device 3 and the inside of a fermentor 2 is heated and kept at a proper temperature and simultaneously the outside air supplied to the fermentor 2 is heated by using the heated gas heated and deodorized in the deodorizing device 3.例文帳に追加

また、生ゴミｎを発酵分解して堆肥化する際に発生する悪臭成分を上記脱臭装置３で除去すると共に、該脱臭装置３により加熱脱臭された加熱ガスを用いて、発酵槽２内を適温に加熱／保温し、更には発酵槽２内に供給する外気を加温するよう構成した生ゴミ処理装置を提供する。 - 特許庁

The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.例文帳に追加

熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁

The in-rectum rotator is formed by a material which is not digested by digestive organs of a human body, includes a magnet of a shape different in size between an N pole surface and an S pole surface inside a deformed sphere large enough for a care receiver to swallow, and is irregularly rotated by magnetic force of a magnetic stirring means given from outside the body.例文帳に追加

直腸内回転器は、人体の消化器官で消化されない材質で形成され、要介護者が飲み込み可能な大きさの変形球体の内部に、Ｎ極面とＳ極面の大きさが異なる形状の磁石を含み、体外から与えられる磁気攪拌手段の磁力により直腸内で不規則回転する構成である。 - 特許庁

The production method has such characteristics that a 2-methyl-epihalohydrin is reacted in an organic solvent, such as an alcohol or an ether, in the presence of an alkali metal carbonate, an alkali metal hydrogen carbonate, or a specific quaternary ammonium salt to yield an N-(3-halogeno-2-hydroxy-2-methylpropyl)phthalimide, which is then subjected to ring closure reaction with an alkali metal alkoxide.例文帳に追加

２−メチル−エピハロヒドリンをアルコール類、エーテル類等の有機溶媒中で、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩、または特定の第４級アンモニウム塩の存在下、反応させてＮ−（３−ハロゲノ−２−ヒドロキシ−２−メチルプロピル）フタルイミドを得、次いで、アルカリ金属アルコキシドにより閉環反応させることを特徴とする。 - 特許庁

Then a bit assignment device 5 generates a pseudo GOP of the received image compression information on the basis of N-sets of frames stored in the FF buffer 2 and analysis result information stored in an information buffer 4 and assigns a prescribed code quantity to each picture of the generated pseudo GOP so that the outputted image compression information has a 2nd bit rate.例文帳に追加

そして、ビット割当装置５は、ＦＦバッファ２に記憶されたＮ個のフレームと情報バッファ４に記憶された解析結果情報とに基づいて、入力された画像圧縮情報の擬似ＧＯＰを生成し、出力する画像圧縮情報が第２のビットレートとなるように、生成された擬似ＧＯＰの各ピクチャに所定の符号量を割り当てる。 - 特許庁

In an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provided with a pair of main electrodes (emitter-collector electrodes) and a trench gate electrode 32 controlling the on-off state of the electric current flowing between a pair of the main electrodes, an n-type floating semiconductor region is formed in a body region 28 side from the bonding interface of the body region 28 and a drift region 26.例文帳に追加

一対の主電極（エミッタ・コレクタ電極）と、その一対の主電極間を流れる電流のオン・オフを制御するトレンチゲート電極３２を備えているＩＧＢＴ(Insulated Bipolar Transistor)において、ボディ領域２８とドリフト領域２６の接合界面よりボディ領域２８側にｎ型のフローティング半導体領域が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

The fibrous porous silica metal composite particle has a chemical formula expressed by the general formula: (Si_1-nM_n)O_2, where M represents a polyvalent metal, n is a figure below 0.1 not inclusive of 0 and in which the Si atom in the silicate skeleton is substituted with the polyvalent metal M.例文帳に追加

下記式 （Ｓｉ_１−ｎＭ_ｎ）Ｏ_２ 式中、Ｍは多価金属を表し、 ｎはゼロを含まない０．１以下の数である、で表される化学的組成を有する繊維状シリカ金属複合体粒子であって、シリケート骨格中のＳｉ原子が多価金属Ｍで置換されていることを特徴とする繊維状シリカ金属複合体粒子とする。 - 特許庁

In generation of the OFDM signals (11-1 to 11-N), a pilot signal having a specific phase is arranged at a position preliminarily determined in each frame, and the OFDM signals of the plurality of unit transmission waves are shifted so that the positions and phases of mutual pilot signals are accorded with each other before and after the shift with respective adjacent unit transmission waves having higher frequencies.例文帳に追加

ＯＦＤＭ信号の生成（１１−１〜１１−Ｎ）では、それぞれのフレーム内の予め決められた位置に特定の位相を持つパイロット信号を配置し、複数の単位送信波のＯＦＤＭ信号を、それぞれ周波数が高い方の隣接の単位送信波との間で互いのパイロット信号の位置及び位相がずらす前後で一致するようにずらす。 - 特許庁

The 1-alkylhydantoin is stably produced in high yield by carrying out a step 1 comprising the reaction of an N-alkylaminoacetonitrile with an alkali metal cyanate and an acid while controlling the amount of the acid and a step 2 to heat the obtained reaction mixture in the presence of an excess amount of an acid to achieve a sufficient heat-treatment.例文帳に追加

Ｎ−アルキルアミノアセトニトリルとシアン酸アルカリ金属塩および酸反応させる工程１を酸量を調整しながら行い、次いで得られた反応混合物を酸の存在下で加熱処理する工程２を過剰の酸を存在させ、充分な加熱処理を行うことにより、１−アルキルヒダントインを安定に高収率で製造できる。 - 特許庁

Then an n-type silicon substrate 30 where the MOS device is formed is cut by dicing together with the heat sink substrate 34 to form a semiconductor chip 106 united with the heat sink 107, and the semiconductor chip 106 can be handled together with the heat sink 107, so the handling in the thin-film state is not necessary even in subsequent processes.例文帳に追加

そして、ヒートシンク基板３４と共にＭＯＳデバイスが形成されたｎ型シリコン基板３０をダイシングカットすることで、ヒートシンク１０７と一体化された半導体チップ１０６を形成でき、ヒートシンク１０７と共に半導体チップ１０６を取り扱うことができるため、この後の工程でも薄膜状態でのハンドリングを行わなくて済むようにできる。 - 特許庁

A simple crystal oscillator not needing temperature compensation is adopted for a reference signal of the synthesizer to enhance the C/N of the reference signal, a fraction frequency divider circuit capable of adjusting the output frequency in fine steps is adopted for a variable frequency division circuit of the synthesizer and the frequency division ratio is fine-tuned in matching with the ambient temperature change.例文帳に追加

温度補償を必要としない単純な水晶発振器をシンセサイザーの基準信号に採用することにより基準信号のＣ／Ｎを改善し、また、シンセサイザーの可変分周回路に、出力周波数を細かなステップで調整できる分数分周回路を用い、この分周比を周囲の温度変化に合わせて微調する。 - 特許庁

The aqueous dispersion can be produced by the emulsion polymerization of 5-80 pts.wt. of a monomer having hydrophilic group such as acrylic acid and 2-hydroxyethyl acrylate and 20-95 pts.wt. of other polymerizable monomer such as n-butyl acrylate, methyl methacrylate and styrene in an aqueous medium in the presence of a radical polymerization initiator, an emulsifier, or the like.例文帳に追加

この水系分散体は、アクリル酸、２−ヒドロキシエチルアクリレート等の親水性基含有単量体５〜８０重量部と、ｎ−ブチルアクリレート、メチルメタクリレート、スチレン等の他の重合可能な単量体２０〜９５重量部とを、水系媒体中、ラジカル重合開始剤、乳化剤等を用いて乳化重合させることにより調製することができる。 - 特許庁

In the thermal recording material having a thermal recording layer comprising at least a leuco dye, a developer for developing a color of the leuco dye by heating and a binder resin as a binder as main components on a substrate, a polyurethane with a sulfo-betaine group expressed by general formula (1), wherein n is 1-20, in a main chain is incorporated.例文帳に追加

支持体上に少なくともロイコ染料と該ロイコ染料を加熱発色せしめる顕色剤及び結着剤としてのバインダー樹脂を主成分とする感熱記録層を有する感熱記録材料において、下記一般式（１）に示されるスルフォベタイン基を主鎖中に有するポリウレタンを含有することを特徴とする感熱記録材料。 - 特許庁

This method comprises a process to compare relative isotope intensity of the measured isotope peaks (A+1, A+2, ... A+n) with calculated relative isotope intensity of the isotope ion proposed in the experimental formula, and a process to compare relative mass defect of the measured isotope peaks with calculated relative mass defect of the isotope ion proposed in the experimental formula.例文帳に追加

当該方法は、測定同位体ピーク（Ａ＋１、Ａ＋２、・・・Ａ＋ｎ）の相対同位体強度を、実験式案の同位体イオンの算出相対同位体強度と比較すること、並びに測定同位体ピークの相対質量欠損を、実験式案の同位体イオンの算出相対質量欠損と比較することを包含する。 - 特許庁