「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(356ページ目) - Weblio英語例文検索

A SiC substrate 10 is provided with a first active area 12 comprising alternate lamination of a high concentration n-type doped layer 12a and an undoped layer 12b, and with a second active area 13 comprising alternate lamination of a high concentration p-type doped layer 13a and an undoped layer 13b in this order from below.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０には、高濃度のｎ型ドープ層１２ａと、アンドープ１２ｂとを交互に積層してなる第１の活性領域１２と、高濃度のｐ型ドープ層１３ａとアンドープ層１３ｂとを交互に積層してなる第２の活性領域１３とが下方から順に設けられている。 - 特許庁

Thereby this system can prevent a big vehicle abnormal behavior caused by a computing error by software like abnormal conditions in applications 1-n, and a control platform, abnormal conditions of ACTs 16-19 used for control of the controlled object, or a sudden change of vehicle condition (for example, a road surface μ).例文帳に追加

これにより、アプリケーション１〜ｎや制御プラットフォームでのソフト的な異常による演算の誤りや、制御対象の制御に用いられるＡＣＴ１６〜１９の異常、車両状態（例えば、路面μ）の急激な変化により、大きな車両の異常挙動を引き起こすことを防止できる。 - 特許庁

A means is employed for manufacturing a multifiber ferrule by using materials such as metal, special electrically conductive ceramic, high- purity N type silicon, which are electrically conductive and superior in physical/ chemical performance including anticorrosion, linear expansion coefficient or the like, and by forming perforations with improved dimensional accuracy by electric discharge machining.例文帳に追加

金属、特殊な通電性セラミック、高純度Ｎ型シリコンなどで通電性があり、耐蝕性、線膨脹係数などの物理、化学性能の良好な材料を使用して、放電加工によって寸法精度良く、多孔を開けて多心用フェルールを製造する手段を採用した。 - 特許庁

This method for producing the fatty acid hydroxycarboxylic acid ester salt, comprising reacting a hydroxycarboxylate with a long chain fatty acid, is characterized in that the molar ratio (n) of the long chain fatty acid to the hydroxycarboxylate is above 1 and ≤6.例文帳に追加

ヒドロキシカルボン酸塩と長鎖脂肪酸とを反応して脂肪酸ヒドロキシカルボン酸エステル塩を製造する方法において、ヒドロキシカルボン酸塩に対する長鎖脂肪酸のモル比ｎが、１＜ｎ≦６の範囲であることを特徴とする脂肪酸ヒドロキシカルボン酸エステル塩の製造方法。 - 特許庁

The n-type MIS transistor includes a first gate insulating film 13a and a first gate insulating electrode 14a which are sequentially formed on a first active region 10a in the semiconductor substrate 10, and a first side wall 16a formed on the side surface of the first gate electrode 14a.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタは、半導体基板１０における第１の活性領域１０ａ上に順次形成された第１のゲート絶縁膜１３ａ及び第１のゲート電極１４ａと、第１のゲート電極１４ａの側面上に形成された第１のサイドウォール１６ａとを備えている。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit of the present invention comprises a hard macro 10 including a plurality of pins P of minimum line width (c) disposed to be positioned while being obliquely deviated from each other at minimum intervals (a) on one side of the hard macro, and slant interconnections N connected to the pins in the hard macro.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路は、ハードマクロ１辺において最小間隔ａで、互いに斜めにずれて位置するように配置された最小線幅ｃの複数のピンＰを有するハードマクロ１０と、ハードマクロにおけるピンに対して接続された斜め配線Ｎとを備える。 - 特許庁

A CPU 10 in a main computer A2 receives items concerning the input operation procedure which has to be performed originally on an operator main body A1 as job information from a personal computer via a communication network N, and register-manages it by using a storage device 13.例文帳に追加

メインコンピュータＡ２のＣＰＵ１０は、操作機本体Ａ１上で本来行うべき入力操作手続きに関する事項をジョブ情報とし、このジョブ情報を通信ネットワークＮを経由してパーソナルコンピュータから受信する一方、ストレージデバイス１３を用いて登録管理する。 - 特許庁

In a semiconductor device provided with the NPN and PNP transistors on the same substrate, n^+ type buried layer 4 is formed on an NPN formation area forming the NPN transistor and an PNP formation area forming the PNP transistor, and a p^+ type buried layer is not formed.例文帳に追加

同一基板上にＮＰＮ及びＰＮＰトランジスタが備えられた半導体装置において、ＮＰＮトランジスタが形成されるＮＰＮ形成領域とＰＮＰトランジスタが形成されるＰＮＰ形成領域とにｎ^+型埋込み層４を形成し、ｐ^+型埋込み層は形成しない。 - 特許庁

The ratio of the components in the aqueous solution is 300-800 pts.wt. of the polyalkylene glycol, 50-300 pts.wt. of the N-methylol-based resin processing agent and 10-100 pts.wt. of the reaction catalyst based on 100 pts.wt. of the water-soluble polymer.例文帳に追加

上記水溶液中の各成分の割合が、該水溶性ポリマー１００重量部に対してポリアルキレングリコールが３００〜８００重量部、Ｎ-メチロール系樹脂加工剤が５０〜３００重量部、反応触媒が１０〜１００重量部である上記吸湿発熱性セルロース系繊維。 - 特許庁

In the vibrator adjustment system 1, an enterprise server 5 that has received input of order data DA from a user terminal 2 transmits the order data DA to a laser processing unit 6 of an enterprise closest to a delivery destination among enterprises A-N on the basis of contents of the order data DA.例文帳に追加

振動子調整システム１においては、ユーザ端末２から注文データＤＡの入力を受け付ける事業者サーバ５が、注文データＤＡの内容に基づいて事業所Ａ〜Ｎのうち納品先に最も近い事業所のレーザ加工装置６に注文データＤＡを送信する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device having a CMOS transistor and a complementary LDMOS transistor mounted together on one semiconductor substrate, a photoresist used for gate electrode formation is used as a mask as it is, when p-type and n-type body layers of the LDMOS transistor are formed.例文帳に追加

同一半導体基板にＣＭＯＳトランジスタと相補型ＬＤＭＯＳトランジスタを混載した半導体装置の製造方法であって、ＬＤＭＯＳトランジスタのｐ型及びｎ型ボディ層を形成する際、ゲート電極形成に用いたフォトレジストをそのままマスクとして用いる。 - 特許庁

Crystal plane orientations of single crystal semiconductor layer that become a channel region of an N conductivity type thin film transistor and a channel region of a P conductivity type thin film transistor both formed on the same substrate flat surface are formed to be optimum crystal plane orientations in the respective thin film transistors.例文帳に追加

同一基板平面上に形成されたＮ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域とＰ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域となる単結晶半導体層の結晶面方位が、それぞれの薄膜トランジスタにおいて最適な結晶面方位となるように形成する。 - 特許庁

The light emitting device includes a substrate 2 having a recess 2a and insulation characteristics, and a laminate 1 composed of an n-type semiconductor layer 1c, a light emitting layer 1b and a p-type semiconductor layer 1a arranged in the recess 2a, where the light emitting layer 1b touches the inner surface of the recess 1a.例文帳に追加

発光素子は、凹部２ａを有し、絶縁性を有する基板２と、凹部２ａ内に設けられ、ｎ型半導体層１ｃと発光層１ｂとｐ型半導体層１ａとから構成された積層体１であって、発光層１ｂが凹部１ａの内面と接触している積層体１と、を具備する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a gate electrode 112 that is formed on an element region 101 of a semiconductor substrate via a gate insulating film 111; and source-drain regions 122 that are formed both sides of the gate electrode 112 in the element region 101 and contain an n-type impurity and carbon.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板の素子領域１０１の上にゲート絶縁膜１１１を介在させて形成されたゲート電極１１２と、素子領域１０１におけるゲート電極１１２の両側方に形成され、ｎ型不純物及び炭素を含むソースドレイン領域１２２とを備えている。 - 特許庁

The frequency shift, FIR filtering and a decimation of 4n can be collectively processed by embedding the constants in coefficients of a FIR filter, implementing a FIR filter calculation at every subsequent sampling data of 4n (n is a positive integer) and outputting data.例文帳に追加

さらに、この定数をＦＩＲフィルタの係数に埋め込んでおき、サンプリングデータが４ｎ（ｎは正の整数）だけ進む毎にＦＩＲフィルタの演算を行ってデータを出力することにより、周波数シフト、ＦＩＲフィルタ処理および４ｎのデシメーションを一括して処理することができる。 - 特許庁

The active energy ray curing inkjet ink composition contains 20 to 45 wt.% of N-vinylformamide and 25 to 55 wt.% of a divalent acrylate compound having a ≥3C alkylene group in the molecule, and has a viscosity at 25°C of 3 to 70 mPa s.例文帳に追加

Ｎ−ビニルホルムアミドを２０〜４５重量％、および分子内に炭素数３以上のアルキレン基を有する２官能アクリレート化合物を２５〜５５重量％含有し、２５℃における粘度が３〜７０ｍＰａ・ｓであることを特徴とする活性エネルギー線硬化型インクジェットインク組成物。 - 特許庁

The display module 35 arranges polygons or circles on the screen of the terminal 10, displays an n-th order category based on a meaning of the keyword on an edge of the polygon or a circumference of the circle and then hierarchically displays selected categories in higher-order categories within the polygon or circle.例文帳に追加

ディスプレイモジュール３５は、端末機１０の画面に多角形または円を配置させ、多角形の縁または円の円周上にｎ段階の、キーワードの意味に基づくカテゴリを表示し、多角形または円の内部に上位段階のカテゴリのうち選択されたカテゴリを階層的に表示する。 - 特許庁

In the reflection type liquid crystal display device having a plurality of data line pairs consisting of two pieces of wiring each, scanning lines, and pixels, a pair of complementary inverters consisting of P-channel type thin film transistors and N-channel type thin film transistors is arranged for the pixels, to make the device to be of low power consumption.例文帳に追加

２本の配線でなるデータ線対と、走査線と、画素をそれぞれ複数有する反射型液晶表示装置において、画素には、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタとＮチャネル型の薄膜トランジスタとでなる相補型インバータを１対設け、低消費電力とする。 - 特許庁

To obtain an optical semiconductor device having an electrode pad surface, whose size makes improvement of light leading-out efficiency and high efficiency of a bonding process compatible with each other, without causing troubles in that a P-N junction is shorted by alignment deviation when an electrode pattern is formed, and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

電極パターン形成時のアラインメントずれによりＰＮ接合間がショートされるといったトラブルを起こさず、光取出効率の向上とボンディング工程の効率化を両立させる大きさの電極パッド面を持つ光半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The hydrated hardened body containing a reinforcing bar excellent in salt damage resistance contains at least steelmaking slag and blast furnace slag fine powder, and the reinforcing bar is made of a Cr-added steel containing C of ≤0.09 mass%, N of ≤0.09 mass%, and Cr of 4-15 mass%.例文帳に追加

鉄筋を内部に有する水和硬化体が、少なくとも製鋼スラグと高炉スラグ微粉末とを含有し、前記鉄筋がＣ：0.09mass%以下、Ｎ：0.09mass%以下、Ｃｒ：4mass%以上、15mass%以下を含有するＣｒ添加鋼であることを特徴とする耐塩害性に優れた鉄筋を有する水和硬化体を用いる。 - 特許庁

Consequently, even if a load connected to output terminals VH0-VH63 and VL0-VL63 of gradation potentials becomes "L" or "H", an N-top regulator 40 and a P-top regulator 50 adjacent to each other can operate complementarily to operate in a similar way on the push-pull amplifier 10.例文帳に追加

その結果、階調電位の出力端子ＶＨ０〜ＶＨ６３及びＶＬ０〜ＶＬ６３に接続される負荷が“Ｌ”になっても“Ｈ”になっても互いに隣接するＮトップ型レギュレータ４０とＰトップ型レギュレータ５０とは、相補的に動作してプッシュプルアンプ１０と同等に動作することができる。 - 特許庁

Hybrid welding equipment commonly using the laser welding by irradiating laser beams 9 and the MIG welding by a MIG torch 2 has a magnetic field generation mechanism 11 to continuously rotate a bar-like magnet 13 with one end as an N-pole and the other end as an S-pole, and an air shutter 12 in a vertical direction.例文帳に追加

レーザ光９の照射によるレーザ溶接とＭＩＧトーチ２によるＭＩＧ溶接とを併用したハイブリッド溶接装置において、一端をＮ極、他端をＳ極とする棒状の磁石１３を連続回転させる磁界発生機構１１と、エアシャッター１２とを上下に設ける。 - 特許庁

The GaN semiconductor layer 2 has a lamination structure wherein an N-type contact layer 21, a first quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a P-type electron inhibition layer 23, a P-type contact layer 24, and a second quantum well layer 26 are stacked in sequence from the side of the GaN substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ半導体層２は、ＧａＮ基板１側から順に、Ｎ型コンタクト層２１、第１量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、Ｐ型電子阻止層２３、Ｐ型コンタクト層２４、および第２量子井戸層２６を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

To provide a magnetic oxygen meter enhanced in the S/N ratio of oxygen concentration measurement by reducing the effect of the flow rate variation of an auxiliary gas and the temperature variation of a ring chamber cell by forming a crank-shaped flow channel to an auxiliary gas flow channel to arrange a four-wire thermal type flow sensor to the flow channel.例文帳に追加

補助ガス流路にクランク状の流路を形成し、そこに４線熱式フローセンサを配置した構成にすることで、補助ガスの流量変動とリングチャンバーセルの温度変動の影響を低減して、酸素濃度測定のＳ／Ｎを向上した磁気式酸素計を提供する。 - 特許庁

The input power (P) is reduced within the prescribed rotational speed band (Δn) to an almost average power (P_R) in accordance with the control characteristic curve (10) so that the torque (M) of the electric drive motor (2) increases when the rotational speed (n) falls within the prescribed rotational speed band (Δn).例文帳に追加

前記所定回転数帯域（Δｎ）で回転数（ｎ）が低下した時に駆動原動機（２）のトルク（Ｍ）が上昇するように、制御特性曲線（１０）に従って前記所定回転数帯域（Δｎ）で入力電力（Ｐ）がほぼ等しい平均電力（Ｐ_Ｒ）に低減されている。 - 特許庁

These operations comprises making a lower part of the abrading cloth N positioned in the elevating and carrying tower under a fixed condition, drawing out this by a specified amount, pulling up a slide member 3 to once make the temporarily holding means 11 under a stopped condition and laying down a pressing lever 5 to hold thereby the abrading cloth.例文帳に追加

この操作は、揚送塔内に位置する研磨布Ｎの下部を固定状態とした後、これを所定量だけ引き出し、スライド部材３を引き上げて仮保持手段１１を一旦停止状態とし、押え付けレバー５を倒して研磨布をことにより保持する。 - 特許庁

The first optimum display specification information stored in the memory part 1 of the first display device is referred to by a picture distribution means 60 and a common picture signal to be respectively displayed on the N display devices 10, 20, 30, 40 is transmitted to the first display device 10.例文帳に追加

第１表示装置の記憶部１に格納される第１最適表示仕様情報は、映像配信装置６０により参照され、Ｎ個の表示装置１０、２０、３０、４０の各々に表示する共通の映像信号が第１表示装置１０に送信される。 - 特許庁

(In the formula, R1 and R2 are each H or CH3, R3 is a 4-10C alkylene group, R4 and R5 are each a 1-5C saturated hydrocarbon group, R6 is a 2-5C alkylene group, (m) is 1-20, (n) is 1-40, and Y is a halogen ion or the like).例文帳に追加

（ただし、式中のＲ^１、Ｒ^２はそれぞれＨ又はＣＨ_３、Ｒ^３は炭素数が４〜１０のアルキレン基、Ｒ^４、Ｒ^５はそれぞれ炭素数が１〜５の飽和炭化水素基、Ｒ^６は炭素数が２〜５のアルキレン基、ｍは１〜２０の数、ｎは１〜４０の数、Ｙ^−はハロゲンイオン等である。） - 特許庁

Transmission line blocks, (a), (b), ..., (n) of transmission lines 1 and 2 in the multiple system are provided with changeover switches 3a, 3b, ..., 3n and line fault detectors 4a, 4b, ..., 4n and line fault information 10 from each line fault detector is collected to a centralized supervisory and control apparatus 6.例文帳に追加

複数系統の伝送路１，２の各伝送路区間ａ，ｂ，・・・，ｎには、それぞれ切替スイッチ３ａ，３ｂ，・・・，３ｎ、および回線障害検出装置４ａ，４ｂ，・・・，４ｎが設けられ、各回線障害検出装置からの回線障害情報１０は集中監視制御装置６に集められる。 - 特許庁

When the activation of the gas sensor element is determined on the basis of a difference between the G(n) and the G0 therein (S12:YES), contamination gas detection processing (S13) is able to be carried out without waiting the lapse of a T3 period regarded as the activation of the gas sensor element, so as to operate the gas detector in the early stage.例文帳に追加

そのときのＧ（ｎ）とＧ０との差分に基づきガスセンサ素子が活性化したと判断された場合（Ｓ１２：ＹＥＳ）、ガスセンサ素子が活性化したとみなすＴ３期間の経過を待たずに汚染ガス検知処理（Ｓ１３）を行うことができ、ガス検知装置を早期に作動させることができる。 - 特許庁

This workflow analysis report generation system has: a service processor (SP) 30 connected to a modality 10 placed in a hospital site HCF 1-n; a data server 44 of a service center SVC connected to the SP 30; and a person tracking sensor 20 detecting information related to the movement of a person OB such as a patient or a medical staff.例文帳に追加

病院サイトＨＣＦ１〜ｎに置かれたモダリティ１０に接続されるサービスプロセッサ（ＳＰ）３０と、ＳＰ３０に接続されるサービスセンターＳＶＣのデータサーバ４４と、医療スタッフ及び患者等のヒトＯＢの動きに関する情報を検出するヒト追跡センサ２０とを備える。 - 特許庁

Phenoxyethyl acrylate exists at 42 to 62 wt.% and n-butyl methacrylate monomer at 35 to 55 wt.% in a monomer mixture of the flexible intraocular lens obtained by copolymerizing the monomer mixture essentially consisting of an acrylic ester and methacrylic ester.例文帳に追加

アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとを主成分とするモノマー混合物を共重合することにより得られる軟性眼内レンズにおいて、前記モノマー混合物中にフェノキシエチルアクリレートが４２重量％〜６２重量％、ｎ−ブチルメタクリレートモノマーが３５重量％〜５５重量％存在する。 - 特許庁

A cellulosic fiber material is pretreated with a polar solvent such as an ethylene glycol derivative, N-methylpyrrolidone, etc., capable of swelling the fiber and an alkali agent and dyed with a reaction disperse dye in a mixed fluid of the supercritical carbon dioxide and a polar solvent such as ethanol, acetone, etc.例文帳に追加

セルロース系繊維材料を、エチレングリコール誘導体、Ｎ-メチルピロリドン等の繊維を膨潤可能な極性溶剤とアルカリ剤で前処理し、超臨界二酸化炭素とエタノールやアセトンなどの極性溶媒との混合流体中で、反応分散染料により染色を行う。 - 特許庁

The photocatalyst is constituted of an oxide composite material having hetero junction comprising a p-type oxide semiconductor and a n-type oxide semiconductor, wherein both semiconductors have photocatalytic properties to each other and at least one of the semiconductors exhibits photocatalytic property even in a visible light region.例文帳に追加

この光触媒は、互いに光触媒特性を持ちかつ少なくとも一方が可視光域でも光触媒特性を持つｐ型酸化物半導体とｎ型酸化物半導体から成るヘテロ接合を有する酸化物複合体で構成されることを特徴とする。 - 特許庁

In the formula (1), M is Si, Ti or Zr; R1 represents phenyl, 1-30C alkyl or a 1-30C hydrocarbon group having an epoxy group; R2 represents 1-6C alkyl; and n represents an integer of 0-2.例文帳に追加

Ｍ（Ｒ１）_ｎ（ＯＲ２）_４−ｎ ・・・式（１） 上記式（１）中、ＭはＳｉ、Ｔｉ又はＺｒであり、Ｒ１はフェニル基、炭素数１〜３０のアルキル基、又はエポキシ基を有する炭素数１〜３０の炭化水素基を表し、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｎは０〜２の整数を表す。 - 特許庁

The method for producing the lubricating oil base oil comprises obtaining the lubricating oil base oil through a process for making a catalyst containing a zeolite having a laumontite structure in which ≥20% of ion exchange site is substituted with proton act on n-paraffin-based hydrocarbon or its hydrocracked product.例文帳に追加

ｎ−パラフィン系炭化水素又はその水素化分解物に、ローモンタイト構造を有し且つイオン交換サイトの２０％以上がプロトンに置換されたゼオライトを含む触媒を作用させる工程を経て、潤滑油基油を得ることを特徴とする潤滑油基油の製造方法。 - 特許庁

A UV curable coating composition includes (A) N-substituted acrylamide polymer such as acryloyl morpholine, (B) at least one polyfunctional monomer having at least 2 double bonds in its molecule, such as 1,4-butanediol diacrylate, or (C) a monofunctional monomer such as acryloyl morpholine, as needed.例文帳に追加

（Ａ）アクロイルモルフォリン等のＮ置換アクリルアミドポリマー、（Ｂ）１，４−ブタンジオールジアクリレート等の分子内に２個以上の二重結合を持つ多官能モノマーの１種類以上、または必要に応じて（Ｃ）アクロイルモルフォリン等の単官能モノマーを含有してなる紫外線硬化型塗料組成物。 - 特許庁

This porous Si having the gradient is formed by first implanting a (p-type or n-type) dopant into a substrate containing Si, activating this dopant using an activating annealing step, and then anodizing this implanted and activated dopant region in a solution containing HF.例文帳に追加

この勾配のある多孔質Ｓｉは、まずＳｉ含有基板に（ｐ型またはｎ型の）ドーパントを注入し、活性化アニール・ステップを使用してこのドーパントを活性化し、次にこの注入され活性化されたドーパント領域をＨＦ含有溶液中で陽極酸化することによって形成される。 - 特許庁

To provide a new N-alkyl-polyhydroxylated secondary p-phenylenediamine having a group of alkoxy groups, capable of strongly, beautifully and thoroughly coloring a material in various kinds of color tones, and having sufficient resistance to various aggressive factors from outside by which a fiber is easily affected.例文帳に追加

強力かつ美しく、まんべんなく様々な色調で着色を施すことができ、繊維が影響を受けやすい様々な外からの攻撃的要因に対して十分な耐性を有する、新規な一群のアルコキシ基を有するＮ-アルキルポリヒドロキシル化第二パラ‐フェニレンジアミンを提供すること。 - 特許庁

To provide an N-carbamoyl-α-propargylglycine derivative which can easily be derived into a propargylglycine derivative useful as a synthetic intermediate for medicines, agrochemicals and physiologically active substances, and to provide a method for producing the compound from an easily available raw material in a simply operation.例文帳に追加

医薬、農薬、生理活性物質の合成中間体として有用なプロパルギルグリシン誘導体に容易に導くことができる、Ｎ−カルバモイル−α−プロパルギルグリシン誘導体、及び、該化合物を入手容易な原料から簡便な操作で製造する方法を提供する。 - 特許庁

The inkjet printing ink contains an acrylate monomer having in the molecule a dicyclopentenyl group, an N-vinyl lactam monomer, other photocurable compound copolymerizable with the above both monomers, a photopolymerization initiator for curing the inkjet printing ink by polymerizing these compounds by means of the photoirradiation, and a coloring material.例文帳に追加

分子中にジシクロペンテニル基を有するアクリレートモノマーと、Ｎ−ビニルラクタムモノマーと、両モノマーと共重合可能な他の光重合性化合物と、光照射によってこれらの化合物を共重合させて、インクジェット用インクを硬化させるための光重合開始剤と、着色剤とを含有する。 - 特許庁

In a so-called flux method where GaN crystals are grown by supplying nitrogen (N) from the vapor phase to a molten liquid of gallium (Ga) alloyed with another metal, the GaN crystal with a low impurity concentration is stably produced by using gold (Au) as the flux.例文帳に追加

ガリウム（Ｇａ）と他の金属を合金化した融液に、気相から窒素（Ｎ）を供給することによってＧａＮ結晶を成長させる、所謂フラックス法において、フラックスとして金（Ａｕ）を用いることにより、不純物濃度が低いＧａＮ結晶を安定して作製する。 - 特許庁

A Y-aminoketone derivative such as 1- methoxycarbonyl-2-(2-oxopropyl) pyrrolidine is obtained by reacting an N,O- acetal derivative such as 1-methoxycarbonyl-2-methoxypyrrolidine with a ketone compound such as acetone in the presence of a dichlorosilane derivative such as trichlorosilane and a Lewis acid such as titanium tetrachloride.例文帳に追加

１−メトキシカルボニル−２−メトキシピロリジンのようなＮ，Ｏ−アセタール誘導体とアセトンのようなケトン化合物とを、トリクロロシラン等のジクロロシラン誘導体、及び四塩化チタン等のルイス酸の存在下に反応させて、１−メトキシカルボニル−２−（２−オキソプロピル）ピロリジンのようなγ−アミノケトン誘導体を得る。 - 特許庁

(In the formula, R^1 is a hydrogen atom or a lower alkyl group and R^2 and R^3 are each independently a lower alkyl group and n and m are each 0 or an integer of 1 to 4).例文帳に追加

（式中、Ｒ^1は水素原子または低級アルキル基を示し、Ｒ^2及びＲ^3はそれぞれ独立に低級アルキル基を、ｎ及びｍは０または１から４の整数を示す。但し、Ｒ^1が水素原子またはイソプロピル基である場合に、ｎ及びｍが同時に０であることはない。） - 特許庁

It is confirmed that a carboxylic acid derivative characterized by having a sulfonamide structure and a methyl group substituted with a heterocycle as a substituent on an N atom of the sulfonamide in the chemical structure or a salt thereof has potent antagonistic actions on the EP1 receptor.例文帳に追加

スルホンアミド構造を有し、かつ、当該スルホンアミドのＮ原子上の置換基として、ヘテロ環で置換されたメチル基を有することを化学構造上の特徴とするカルボン酸誘導体又はその塩が強力なEP1受容体拮抗作用を有することを確認し、本発明を完成した。 - 特許庁